JPS6092823U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

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JPS6092823U
JPS6092823U JP18375683U JP18375683U JPS6092823U JP S6092823 U JPS6092823 U JP S6092823U JP 18375683 U JP18375683 U JP 18375683U JP 18375683 U JP18375683 U JP 18375683U JP S6092823 U JPS6092823 U JP S6092823U
Authority
JP
Japan
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liquid phase
epitaxial growth
phase epitaxial
holding plate
growth equipment
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JP18375683U
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Inventor
研二 丸山
吉河　満男
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富士通株式会社
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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、本考案に係る液相エピタキシャル成長装置の
半導体基板の斜視図であり、第２図は、基板保持板およ
び固定治具を組立てたときの概略断面図であり、第３図
は、第２図中のＡ部分の拡大断面図である。 １・・・・・・基板保持板、２・・・・・・凹所、３・
・・・・・半導体基板、４，５・・・・・・固定治具、
６，７・・・・・・溝、８・・・・・・端面。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板収容凹所を有する一枚の保持板と、該保持板の差込
    み溝を有する２個の固定治具とを備え、前記差込み溝の
    深さが、前記保持板の前記固定治具への装着時に、前記
    固定治具の端面が前記基板収容凹所の一部を覆うように
    なる深さであることを特徴とする閉管チッピング式の液
    相エピタキシマル成長装置。
JP18375683U 1983-11-30 1983-11-30 液相エピタキシヤル成長装置 Granted JPS6092823U (ja)

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JP18375683U JPS6092823U (ja) 1983-11-30 1983-11-30 液相エピタキシヤル成長装置

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Publication Number Publication Date
JPS6092823U true JPS6092823U (ja) 1985-06-25
JPH0246053Y2 JPH0246053Y2 (ja) 1990-12-05

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ID=30397615

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JPH0246053Y2 (ja) 1990-12-05

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