JPS59129378A - 赤外線炉 - Google Patents
赤外線炉Info
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- JPS59129378A JPS59129378A JP58067151A JP6715183A JPS59129378A JP S59129378 A JPS59129378 A JP S59129378A JP 58067151 A JP58067151 A JP 58067151A JP 6715183 A JP6715183 A JP 6715183A JP S59129378 A JPS59129378 A JP S59129378A
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- JP
- Japan
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- chamber
- gas
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- firing chamber
- lamp
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- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/04—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity adapted for treating the charge in vacuum or special atmosphere
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/06—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity heated without contact between combustion gases and charge; electrically heated
- F27B9/062—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity heated without contact between combustion gases and charge; electrically heated electrically heated
- F27B9/066—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity heated without contact between combustion gases and charge; electrically heated electrically heated heated by lamps
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- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/12—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity with special arrangements for preheating or cooling the charge
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- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/30—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B9/3077—Arrangements for treating electronic components, e.g. semiconductors
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- F27B9/30—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B9/36—Arrangements of heating devices
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- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
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- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/14—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment
- F27B9/20—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace
- F27B9/24—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace being carried by a conveyor
- F27B9/243—Endless-strand conveyor
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- F27D99/0073—Seals
- F27D2099/0078—Means to minimize the leakage of the furnace atmosphere during charging or discharging
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明のＩ８針１
本発明は赤外線炉、更に具体的には、非反応性環境下Ｃ
′電子水子を焼成させるのに適した赤外線炉に関りるも
の（・ある。
′電子水子を焼成させるのに適した赤外線炉に関りるも
の（・ある。
本イＩｔ： ｆｉｌ’ ）げ１人の出願に係る１９８１
８［−９月２８日イｑ米田特ｒ１出願第３０６，２００
号（特開１＋ｊｊ ５８−１６５９１ ）には、厚膜電
子回路を焼成さける方法並びにこの方法を実施できる赤
外線炉が開示されている。
８［−９月２８日イｑ米田特ｒ１出願第３０６，２００
号（特開１＋ｊｊ ５８−１６５９１ ）には、厚膜電
子回路を焼成さける方法並びにこの方法を実施できる赤
外線炉が開示されている。
この炉の場合、絶縁形焼成至°が用いられ、この焼成室
は互いに対向して位置づる側壁を具備しており、これら
の側壁には互いに心合μｌノだ一対の孔が穿設されてい
る。また、この焼成室の中には複ｖｉ個の赤外線ランプ
が取りイ・１けられている。このランプの端子は焼成室
側壁の各一対の孔を通って焼成室の外部に通じているか
ら、焼成室内の高温に曝されずに済む。
は互いに対向して位置づる側壁を具備しており、これら
の側壁には互いに心合μｌノだ一対の孔が穿設されてい
る。また、この焼成室の中には複ｖｉ個の赤外線ランプ
が取りイ・１けられている。このランプの端子は焼成室
側壁の各一対の孔を通って焼成室の外部に通じているか
ら、焼成室内の高温に曝されずに済む。
同様に木イ！１出願人の出願に係る１９８２年５月２５
日付米国特許出願第３８１，９０１号では、前記赤外線
炉に、赤外線エネルギーを透過さＵる性質の細長い管形
マツフルを有づる焼成室が開示されている。
日付米国特許出願第３８１，９０１号では、前記赤外線
炉に、赤外線エネルギーを透過さＵる性質の細長い管形
マツフルを有づる焼成室が開示されている。
焼成ずべぎ素子はこのマツフルを通過するようにｔｉっ
ており、従ってマツフル外部の赤外線ランプから発生さ
れる短い波長のエネルギーに直接曝される。マツフルの
両端部を焼成室の外部即ちシール（密閉）室内に配置し
てマツフル内に周囲空気が流入するのを防止できるよう
になっており、また非反応性気体をマツフル内を通過さ
せるようにして焼成作業中に放出される揮発物を一掃で
きるＪ：うになっている。この方法では、焼成すべき素
子に対し制御された環境を確立することがでさる。
ており、従ってマツフル外部の赤外線ランプから発生さ
れる短い波長のエネルギーに直接曝される。マツフルの
両端部を焼成室の外部即ちシール（密閉）室内に配置し
てマツフル内に周囲空気が流入するのを防止できるよう
になっており、また非反応性気体をマツフル内を通過さ
せるようにして焼成作業中に放出される揮発物を一掃で
きるＪ：うになっている。この方法では、焼成すべき素
子に対し制御された環境を確立することがでさる。
普）角、外被体内の酸素含有量は１０ ｐ ｐ ｍ以下
に抑えることができる。しかし、焼成室の中に外被体を
配設した！こめ、非反応性気体の流過てきる断面積が減
少している。このため、マツフル内に乱流が発生し易く
なる。これは、所定の温度プロフィールを乱すから望ま
しくない条件と言える。断面積の減少はまた、揮発物の
マツフル内での凝縮傾向を増大さぜる。最後に、マツフ
ルの壁部が赤外線エネルギーの一部を吸収するため、焼
成ずべき製品（素子）への熱伝達効率をある程度低下さ
せる。
に抑えることができる。しかし、焼成室の中に外被体を
配設した！こめ、非反応性気体の流過てきる断面積が減
少している。このため、マツフル内に乱流が発生し易く
なる。これは、所定の温度プロフィールを乱すから望ま
しくない条件と言える。断面積の減少はまた、揮発物の
マツフル内での凝縮傾向を増大さぜる。最後に、マツフ
ルの壁部が赤外線エネルギーの一部を吸収するため、焼
成ずべき製品（素子）への熱伝達効率をある程度低下さ
せる。
発明の要約
本発明では、赤外線炉の焼成全全体を密閉してマツ−ノ
ル無しで制御環境を確立することがでさ゛る。
ル無しで制御環境を確立することがでさ゛る。
具体的には、絶縁形焼成至を用い、これに、心合ｌ！さ
れた複数の対状孔を穿設した対向側に位［Ｎする側ら？
を具備さＣた。焼成室内には複数個の赤外線ランプが配
設されている。該ランプの端子は各対状７１４を通って
焼成室の外部に通じていると共に、密閉室により包囲さ
れており、従って気体が密閉室から流出りる１ｉｆｔ−
の通は焼成室側壁の孔を通る通だ（プである。りｆ′Ｉ
′：下の非反応性気体を密閉室内に導入して、孔を経て
焼成室内に流入覆る単一方向気体流を誘発さける。密閉
室内に流入しＩζ気体で゛赤外線ランプのＱ；、ｌｉ子
を冷ム［１？Ｉることがでさ゛、而も焼成室内部の環境
を汚染する危険（？ｌ Ｇ ＜＠い。
れた複数の対状孔を穿設した対向側に位［Ｎする側ら？
を具備さＣた。焼成室内には複数個の赤外線ランプが配
設されている。該ランプの端子は各対状７１４を通って
焼成室の外部に通じていると共に、密閉室により包囲さ
れており、従って気体が密閉室から流出りる１ｉｆｔ−
の通は焼成室側壁の孔を通る通だ（プである。りｆ′Ｉ
′：下の非反応性気体を密閉室内に導入して、孔を経て
焼成室内に流入覆る単一方向気体流を誘発さける。密閉
室内に流入しＩζ気体で゛赤外線ランプのＱ；、ｌｉ子
を冷ム［１？Ｉることがでさ゛、而も焼成室内部の環境
を汚染する危険（？ｌ Ｇ ＜＠い。
本発明の特徴の１つどじて（′Ａ、各密閉室に、１つの
接近用開口部と、該開１コ部の周囲で当該密閉全土に配
置されるガスケットと結合し、適所に位置しＩご場合該
間口部を密閉することかできる取外し可能なハツチとが
具備されていることが挙げられる。ハツチを外した場合
、赤外線ランプに接近してこれを取り替えることができ
る。密閉室内に導入された非反応性気体の冷却効果によ
り、効果的な人気密月月料をガスケットとして使用覆る
ことができる。
接近用開口部と、該開１コ部の周囲で当該密閉全土に配
置されるガスケットと結合し、適所に位置しＩご場合該
間口部を密閉することかできる取外し可能なハツチとが
具備されていることが挙げられる。ハツチを外した場合
、赤外線ランプに接近してこれを取り替えることができ
る。密閉室内に導入された非反応性気体の冷却効果によ
り、効果的な人気密月月料をガスケットとして使用覆る
ことができる。
本発明の実施に最適と考えられる具体的実施例の諸特徴
は添６１図面に図示されており、以下この添イ」図面に
基づいて具体的実施例を説明する。
は添６１図面に図示されており、以下この添イ」図面に
基づいて具体的実施例を説明する。
具体的実施例の詳細な説明
第１図について説明覆ると、本発明の原理を組み込んだ
赤外線炉は下記のＪ、うに複数の連通状全力曹ろ成って
いる。即ち、入口室１ｏは焼成室１２に通じ、冷却室１
４は焼成室１２から出て出［１室１６に通じている。以
下に更に詳述しであるように、１９８１年９月２８日イ
Ｎｊ出願の米国性Ｗ［出願第３０６，２００月に記載の
方法で構成された製品コンベヤを前記室内を走行させて
、この室内で電子部品やその他の製品の処理を行えるよ
うにした。なお、該米国特許出願第３０６，２００号の
開示内容は参考として本願中に絹み込まれている。
赤外線炉は下記のＪ、うに複数の連通状全力曹ろ成って
いる。即ち、入口室１ｏは焼成室１２に通じ、冷却室１
４は焼成室１２から出て出［１室１６に通じている。以
下に更に詳述しであるように、１９８１年９月２８日イ
Ｎｊ出願の米国性Ｗ［出願第３０６，２００月に記載の
方法で構成された製品コンベヤを前記室内を走行させて
、この室内で電子部品やその他の製品の処理を行えるよ
うにした。なお、該米国特許出願第３０６，２００号の
開示内容は参考として本願中に絹み込まれている。
第２図には入口室°１０と焼成室１２の内部の一部とか
示されている。多孔性エンドレス・コンベヤ・ベル１〜
１８は、本赤外線炉内に設（プられた水］Ｌ方向＠１艮
状通路２０内をノドから右に走行づる。本赤外線炉の全
室に０り下］ンベＡ７・ベルｌ〜１８の下に複数本の中
空棒１９を配設して該ベル［〜１８を支持させる。
示されている。多孔性エンドレス・コンベヤ・ベル１〜
１８は、本赤外線炉内に設（プられた水］Ｌ方向＠１艮
状通路２０内をノドから右に走行づる。本赤外線炉の全
室に０り下］ンベＡ７・ベルｌ〜１８の下に複数本の中
空棒１９を配設して該ベル［〜１８を支持させる。
力゛４成室内では１本Ｊ：／こけ２木取」−の中空棒１
９の一部に孔２１か穿）これていて中空棒１９の内部と
外部が連通状態どなっている。入［」室１０の側壁、ト
壁及び底壁は無孔の外カバー２２及び多孔性断熱内層２
４を備え−（いる。水平方向に伸長した１〜レー２０は
その周囲郡全体に単歯方向上向きに延びたフランジを偵
１えており、この１〜レー２６は、入口室１０の上部に
ある内Ｒ４２４から下方に隔設され、水平方向に伸長し
たＥ出通路２８を形成している１、１〜レー２６は、そ
の側縁部に溶着された下向きに延ひたフランジ２７で支
持されている４、フランジ２７は入［１室１０の底ｆｔ
１（’−（”内層２４の表面上に載ｕ３されている。焼
成づへき製品、例えばＩＱ膜回路の銅層は、搬送１〜レ
ー〈図示せず〉に入れられ通路２０内をコンベヤ・ベル
１〜１８に載って左から右に（第２図で・見た場合）移
動Ｊ−る。隔ｖ３０はトレー２６の底部に揺動可能に取
りイ・１けられており、これは、焼成室１２と本赤外線
炉外部の間で通路２０内を気体か流れるのを妨げる動き
をする。第２図に示づように、搬送トレーは、隔壁３０
の下を通過する際、該隔壁に接触してこ杓を逆時計方向
に旋回させる。別法としては、＋１１２送１〜レーに対
して隙間を右づる静止形隔壁を配設づることもできる。
９の一部に孔２１か穿）これていて中空棒１９の内部と
外部が連通状態どなっている。入［」室１０の側壁、ト
壁及び底壁は無孔の外カバー２２及び多孔性断熱内層２
４を備え−（いる。水平方向に伸長した１〜レー２０は
その周囲郡全体に単歯方向上向きに延びたフランジを偵
１えており、この１〜レー２６は、入口室１０の上部に
ある内Ｒ４２４から下方に隔設され、水平方向に伸長し
たＥ出通路２８を形成している１、１〜レー２６は、そ
の側縁部に溶着された下向きに延ひたフランジ２７で支
持されている４、フランジ２７は入［１室１０の底ｆｔ
１（’−（”内層２４の表面上に載ｕ３されている。焼
成づへき製品、例えばＩＱ膜回路の銅層は、搬送１〜レ
ー〈図示せず〉に入れられ通路２０内をコンベヤ・ベル
１〜１８に載って左から右に（第２図で・見た場合）移
動Ｊ−る。隔ｖ３０はトレー２６の底部に揺動可能に取
りイ・１けられており、これは、焼成室１２と本赤外線
炉外部の間で通路２０内を気体か流れるのを妨げる動き
をする。第２図に示づように、搬送トレーは、隔壁３０
の下を通過する際、該隔壁に接触してこ杓を逆時計方向
に旋回させる。別法としては、＋１１２送１〜レーに対
して隙間を右づる静止形隔壁を配設づることもできる。
入口室１０の端部近傍では、正直方向」−向きの排気管
３２と通路２８が連通している。この排気色゛３２の内
部にはベンチュリ・ジエン１〜３４が設【プられている
。図示のように、気体はジェット３４に給入されて真空
状態を形成し、これにより、気体（ｊ通路２８からＪＪ
Ｉ気管３２を通って上方に流れて本赤外線炉の外部に出
る。別法では、この目的のため送風機を配設することも
できる。１個または２個以、七のダンパ３６で排気管３
２を流れる排気ガスの流用を制御できるようになってい
る。トレー２Ｇは排気管３２の下方で（ま入口室１０の
全幅に亘り水平方向に延在しでいて、通路２８内で凝縮
Ｊ−る可能性のある揮発物を捕捉できるようになってい
る５１図示のＪ、うに、１−レー２６はまた、焼成室１
２から出た揮発物除去のための非反応性気体が通路２８
に流入づる際に）口）る焼成室１２近傍の小さな空間部
を除いて、入Ｄ ９１０の全長に亘り延在している。
３２と通路２８が連通している。この排気色゛３２の内
部にはベンチュリ・ジエン１〜３４が設【プられている
。図示のように、気体はジェット３４に給入されて真空
状態を形成し、これにより、気体（ｊ通路２８からＪＪ
Ｉ気管３２を通って上方に流れて本赤外線炉の外部に出
る。別法では、この目的のため送風機を配設することも
できる。１個または２個以、七のダンパ３６で排気管３
２を流れる排気ガスの流用を制御できるようになってい
る。トレー２Ｇは排気管３２の下方で（ま入口室１０の
全幅に亘り水平方向に延在しでいて、通路２８内で凝縮
Ｊ−る可能性のある揮発物を捕捉できるようになってい
る５１図示のＪ、うに、１−レー２６はまた、焼成室１
２から出た揮発物除去のための非反応性気体が通路２８
に流入づる際に）口）る焼成室１２近傍の小さな空間部
を除いて、入Ｄ ９１０の全長に亘り延在している。
）〜し〜２６ｔＪ、、凝・綿状揮発物が焼成リベさ製品
−［に落１て覆゛るのを防１［する。！う圧下の非反応
性気体が配管２５を介Ｌ７て入「１室１０底部の内層２
４に給入される。この内層２４には一連の溝（図示ゼず
）が形成されていて、ｌｉｔの総ての部分に気体を分配
し易くなっている。非反応性気体は内層２４の孔から流
出し−Ｃ１通路２０内に低）＊で大気圧Ｊ：り高い１ｆ
カの非反応１」の気体楡境を形成する。従って、気体は
ＩＪＩ気管３２に向−）でゆっくりと而も連続的目つ単
一方向に流れ、少量部分が通路２０を通つ−Ｃ本赤外線
炉の外部に流れるから、本赤外線炉外部から通路２０を
通って焼成室１２内に気体が流入づ゛ることはない。
−［に落１て覆゛るのを防１［する。！う圧下の非反応
性気体が配管２５を介Ｌ７て入「１室１０底部の内層２
４に給入される。この内層２４には一連の溝（図示ゼず
）が形成されていて、ｌｉｔの総ての部分に気体を分配
し易くなっている。非反応性気体は内層２４の孔から流
出し−Ｃ１通路２０内に低）＊で大気圧Ｊ：り高い１ｆ
カの非反応１」の気体楡境を形成する。従って、気体は
ＩＪＩ気管３２に向−）でゆっくりと而も連続的目つ単
一方向に流れ、少量部分が通路２０を通つ−Ｃ本赤外線
炉の外部に流れるから、本赤外線炉外部から通路２０を
通って焼成室１２内に気体が流入づ゛ることはない。
このため、入口室１０から入る周囲空気による汚染の可
能１１．がな（なった。
能１１．がな（なった。
非反応ス（［気体は焼成室１２の」こ部及び底部の配管
４４から給入されて層４０内を流過する。層４０は、焼
成室１２の上部及び底部では、外カバー３８から離隔さ
れていて、層全体への気体の分配を行い易くするプレナ
ム（ｐｌＯｎｕｍ）室４６を形成する。層４０の側壁及
び端壁には一連の溝（図示せず）が設けられていて該層
仝体にロリ気体を分配し易いようになっている。焼成室
１２内に流入した非反応性気体は、該焼成案内に比較的
高圧で、低速の非反応性気体環境を形成する。該気体は
焼成すべき製品１）１１ら放出された揮発物を一局して
該製品の表面上での凝縮を防止づる。焼成室１２内に流
入づる気体の流量は、焼成案内の圧力が入［１室１０内
の圧力Ｊこり高圧で而も焼成室１２内に乱流を形成づ−
る程高くならない稈Ｉσどする。焼成室１２の側壁には
、赤外線ランプ５０を通すための対向位置に位置付ＩＪ
られ月つ心合ｔ！された複数個の対状の孔が穿たれてい
る。ランプ５０はコンベヤ・ベル１〜１８の走行方向を
横断する方向に２列に、即らコンベ髪７・ベル１〜１８
の上方に１列、コンベヤ・ベルト１８の下方に１列の形
に配列されている。ランプ５０間の間隔は普通焼成室１
２の端部側Ｃ゛熱損失が発生するため間隔が狭くなって
いるが、この間隔によって焼成室１２内の温頂プ［１フ
イールがン夫まる３、一般に、ランフ゛５０は、タング
ステン・フィラメントと、これを密閉する不活す」カス
を充填した透明結晶状外被体とを具備しており、外被体
の端部には端子５２を形成しくフイラメン１〜に電力を
供給できるようになっている。
４４から給入されて層４０内を流過する。層４０は、焼
成室１２の上部及び底部では、外カバー３８から離隔さ
れていて、層全体への気体の分配を行い易くするプレナ
ム（ｐｌＯｎｕｍ）室４６を形成する。層４０の側壁及
び端壁には一連の溝（図示せず）が設けられていて該層
仝体にロリ気体を分配し易いようになっている。焼成室
１２内に流入した非反応性気体は、該焼成案内に比較的
高圧で、低速の非反応性気体環境を形成する。該気体は
焼成すべき製品１）１１ら放出された揮発物を一局して
該製品の表面上での凝縮を防止づる。焼成室１２内に流
入づる気体の流量は、焼成案内の圧力が入［１室１０内
の圧力Ｊこり高圧で而も焼成室１２内に乱流を形成づ−
る程高くならない稈Ｉσどする。焼成室１２の側壁には
、赤外線ランプ５０を通すための対向位置に位置付ＩＪ
られ月つ心合ｔ！された複数個の対状の孔が穿たれてい
る。ランプ５０はコンベヤ・ベル１〜１８の走行方向を
横断する方向に２列に、即らコンベ髪７・ベル１〜１８
の上方に１列、コンベヤ・ベルト１８の下方に１列の形
に配列されている。ランプ５０間の間隔は普通焼成室１
２の端部側Ｃ゛熱損失が発生するため間隔が狭くなって
いるが、この間隔によって焼成室１２内の温頂プ［１フ
イールがン夫まる３、一般に、ランフ゛５０は、タング
ステン・フィラメントと、これを密閉する不活す」カス
を充填した透明結晶状外被体とを具備しており、外被体
の端部には端子５２を形成しくフイラメン１〜に電力を
供給できるようになっている。
晋通、端子５２の温１衰は焼成室１２の溜１１σより低
い温度に維持しな（プればならない。このため、ランプ
圓は焼成室１２側壁のス・Ｊ杭孔を通−りようにし、こ
こに１１ソト１具で、端子５２が焼成室１２の外部に位
１１ツしフィラメン１〜の主要部が焼成室１２の内部に
位ｉＬ？Ｊる状態で取り心ｊける。米国特許出願第３０
６，２００号に記載のように、ランプ５０７！Ｙへの電
力供給は、焼成室１２内に所要の温良プロフィールを８
ｆｔ持てきる電圧制御回路を介して行う。
い温度に維持しな（プればならない。このため、ランプ
圓は焼成室１２側壁のス・Ｊ杭孔を通−りようにし、こ
こに１１ソト１具で、端子５２が焼成室１２の外部に位
１１ツしフィラメン１〜の主要部が焼成室１２の内部に
位ｉＬ？Ｊる状態で取り心ｊける。米国特許出願第３０
６，２００号に記載のように、ランプ５０７！Ｙへの電
力供給は、焼成室１２内に所要の温良プロフィールを８
ｆｔ持てきる電圧制御回路を介して行う。
さて、第３図及び第４図に関し赤外線ランプ取付具を本
赤外線炉外部の人気から密閉覆る方法について説明り−
る。取付具５４のうちの１つで各ランプ５０の各端部を
包囲させ、ここで焼成室１２側壁の対応の孔に挿通する
。取付具５４の構成方法は米国特許出願第３０６，２０
０号に記載の通りである。簡単に述べると、取付具５４
は各々その中をランプが通るＪ、うにイ１っている中空
で筒形のセラミック・ホルダー５５を備えている。この
セラミック・ボルダ−５５には一体形の肩部５３が具備
されている。密閉ビード５１、例えばシリコン密閉剤等
を外カバー３８ど肩部５３の間に配設して、ホルダー５
５と側壁の間を気体が流れないようにしである。セラミ
ック・ホルダー５５の中には弾性耐火材で作られた圧縮
ガスケツ１〜５７をホルダー５５とランプ５０間のパツ
キンどして配設して、ホルダー５５とランプの間を気体
が流れイ１いようにしである。その結果、ランプ取イζ
ｊ貝５４は、ランプ数句孔からの熱損失を防止すると共
に、ある程度、この孔を気体が流過するのを防止Ｊる働
さもする。密閉室５６でランプ５０の端子群を包囲させ
である。各密閉室５６は、一方の端部に外向きフランジ
６０を他方端に内向きフランジ６２を具備した解放端部
形で無孔の方形ハウジング５８から成っている。このハ
ウジングｊ〕８と外カバー３８はフランジ６０によって
恒久的に結合されてｄ３す、その結果両者間の境界部に
大気密１１状態が形成される。フランジ６２は、ハウジ
ング５８の解放端により密閉全５６内に形成される接近
用量に１部を取り囲んでいる。密閉用ガスケツ１−６４
は、例えばネオブレン・コムから作ることができるが、
これは、適当な接着剤で一ノランジ６２に接着されてい
る。平坦４丁板の形をした取外し式ハツチ６６をガスケ
ツ１へに結合してハツチ６６とハウジング５８の間に大
気密１」状態を形成りる。６ハツチ６Ｇはねじ６７ 、
！ｆどのような通常の締結部材でフランジ６２に取外し
可能に固定され−ている５、ハツチ６６を取り外Ｊと、
密閉室５６の内部に接近して米国特許出願第３０６，２
００号に記載の方法でランプ５０を取り替えることがで
きる。各端子５２には、ハウジング５８を４１通する対
応の連結部）Ａ２Ｂと、連結部月６８ど☆ｉ：子５２の
間に配設されたワイ＼７７０と、電源（図示ｉ！ −１
” ）ど連結部拐６８の間に配設されたワイＡ７７２ど
が具備されている。与圧下の非反応性気体を配管７４を
介ｌノで各密閉室５６の内部に給入しで端子５２を冷１
！Ｊｌ ′？ｌる。端子５２は約３５０℃以下の温度に
維持しなければならない。密閉室５Ｇ内の周囲温度は、
通常、前記非反応性気体により約２５０℃の温度に維持
し、焼成室１２の温度は３！ｉ０℃以−ト、一般的には
約８５０℃乃至約９５０℃の範囲の温度に維持する必要
がある。前記非反応性気体は、密閉室５６内に流入後、
取（ｑ具５４を通って焼成室１２の中に流入する。従っ
て、密閉室５６が蜜月機能を果ずため、焼成室１２の外
部の周囲空気が取付具５４を通って焼成室内部に到達す
ることば全＜ ’ｔＫい。本赤外線炉は方形フレーム８
６内部にあつＣ祖数のブラケッ１へ８０で該フレームに
固定されでいる１、密閉室５Ｇに給入された前記非反応
性気体はまたガスケツ１−６４をも冷却するから、ネオ
ブレンゴムなどのような効果的な大気密封状態を達成す
ることのできる材料を使用することができる。
赤外線炉外部の人気から密閉覆る方法について説明り−
る。取付具５４のうちの１つで各ランプ５０の各端部を
包囲させ、ここで焼成室１２側壁の対応の孔に挿通する
。取付具５４の構成方法は米国特許出願第３０６，２０
０号に記載の通りである。簡単に述べると、取付具５４
は各々その中をランプが通るＪ、うにイ１っている中空
で筒形のセラミック・ホルダー５５を備えている。この
セラミック・ボルダ−５５には一体形の肩部５３が具備
されている。密閉ビード５１、例えばシリコン密閉剤等
を外カバー３８ど肩部５３の間に配設して、ホルダー５
５と側壁の間を気体が流れないようにしである。セラミ
ック・ホルダー５５の中には弾性耐火材で作られた圧縮
ガスケツ１〜５７をホルダー５５とランプ５０間のパツ
キンどして配設して、ホルダー５５とランプの間を気体
が流れイ１いようにしである。その結果、ランプ取イζ
ｊ貝５４は、ランプ数句孔からの熱損失を防止すると共
に、ある程度、この孔を気体が流過するのを防止Ｊる働
さもする。密閉室５６でランプ５０の端子群を包囲させ
である。各密閉室５６は、一方の端部に外向きフランジ
６０を他方端に内向きフランジ６２を具備した解放端部
形で無孔の方形ハウジング５８から成っている。このハ
ウジングｊ〕８と外カバー３８はフランジ６０によって
恒久的に結合されてｄ３す、その結果両者間の境界部に
大気密１１状態が形成される。フランジ６２は、ハウジ
ング５８の解放端により密閉全５６内に形成される接近
用量に１部を取り囲んでいる。密閉用ガスケツ１−６４
は、例えばネオブレン・コムから作ることができるが、
これは、適当な接着剤で一ノランジ６２に接着されてい
る。平坦４丁板の形をした取外し式ハツチ６６をガスケ
ツ１へに結合してハツチ６６とハウジング５８の間に大
気密１」状態を形成りる。６ハツチ６Ｇはねじ６７ 、
！ｆどのような通常の締結部材でフランジ６２に取外し
可能に固定され−ている５、ハツチ６６を取り外Ｊと、
密閉室５６の内部に接近して米国特許出願第３０６，２
００号に記載の方法でランプ５０を取り替えることがで
きる。各端子５２には、ハウジング５８を４１通する対
応の連結部）Ａ２Ｂと、連結部月６８ど☆ｉ：子５２の
間に配設されたワイ＼７７０と、電源（図示ｉ！ −１
” ）ど連結部拐６８の間に配設されたワイＡ７７２ど
が具備されている。与圧下の非反応性気体を配管７４を
介ｌノで各密閉室５６の内部に給入しで端子５２を冷１
！Ｊｌ ′？ｌる。端子５２は約３５０℃以下の温度に
維持しなければならない。密閉室５Ｇ内の周囲温度は、
通常、前記非反応性気体により約２５０℃の温度に維持
し、焼成室１２の温度は３！ｉ０℃以−ト、一般的には
約８５０℃乃至約９５０℃の範囲の温度に維持する必要
がある。前記非反応性気体は、密閉室５６内に流入後、
取（ｑ具５４を通って焼成室１２の中に流入する。従っ
て、密閉室５６が蜜月機能を果ずため、焼成室１２の外
部の周囲空気が取付具５４を通って焼成室内部に到達す
ることば全＜ ’ｔＫい。本赤外線炉は方形フレーム８
６内部にあつＣ祖数のブラケッ１へ８０で該フレームに
固定されでいる１、密閉室５Ｇに給入された前記非反応
性気体はまたガスケツ１−６４をも冷却するから、ネオ
ブレンゴムなどのような効果的な大気密封状態を達成す
ることのできる材料を使用することができる。
第５図及び第６図には、冷却室１４及び出口室１６が示
されている。冷７Ｊｌ室１４は、両端部にそれぞれ一体
成形の蜜月フランジ９０及び９２を備えた方形で無孔の
解放端部形ハウジング８８から成っている。
されている。冷７Ｊｌ室１４は、両端部にそれぞれ一体
成形の蜜月フランジ９０及び９２を備えた方形で無孔の
解放端部形ハウジング８８から成っている。
フランジ９０は、入口室１０と結合した端部の反対側に
ある焼成室１２の端部と結合している。ハウジング８８
内部の土壁及び底壁には組方内冷７．１フィン９４が形
成されている。第６図に示すように、ハウジング８８の
底部側にＩ９１フィン９４の少し上方に捧１９が延設さ
れていて、コンベＡ７・ベル１〜１８を該フィンから離
れた位置に支持している。ハウジング８８外部の土壁及
び底壁には組方内冷１．１１フィン９６が形成されてい
る。所望とあれば、同様の冷Ｊ、１１フインをハウジン
グ８８の側壁に一形成することも可能である。
ある焼成室１２の端部と結合している。ハウジング８８
内部の土壁及び底壁には組方内冷７．１フィン９４が形
成されている。第６図に示すように、ハウジング８８の
底部側にＩ９１フィン９４の少し上方に捧１９が延設さ
れていて、コンベＡ７・ベル１〜１８を該フィンから離
れた位置に支持している。ハウジング８８外部の土壁及
び底壁には組方内冷１．１１フィン９６が形成されてい
る。所望とあれば、同様の冷Ｊ、１１フインをハウジン
グ８８の側壁に一形成することも可能である。
ハウジング８８の上部及び底部には送用磯９７を取りｐ
ｔ ｃプてフィン９６を冷ｆＪ］で゛さるようにした。
ｔ ｃプてフィン９６を冷ｆＪ］で゛さるようにした。
送／ｆｆ１ｌ ｕＮ９７の送風用［二１はフィン９Ｇで
形成し・た満を通って空気を送れる位置に配置し、熱伝
達効率を高めるようにした。ノラ圧下の非反応性気体（
まくま手形の分配ネット−ワーク １００を介して冷却
室１７１に給送される。分配ネッ１〜■ノーク １００
は、ハウジング８８内部両端間に亘り横方向に且つ互い
に離隔状態に延設された複数本のぜ；Ｈ１２と、８管１
０２の端部に気体を給送する縦方向に延８ｐされｌ〔多
岐管１０４とから成っている。管１０２はハウジング８
８の上部でフィン９４と交差し、多岐管１０４はハウジ
ング８８の外部にある。管１０２は密封された配管９８
の位置でハウジング８８の中に入っている。管１０２に
番よ出目方向に面した複数の孔１０８が穿たれている。
形成し・た満を通って空気を送れる位置に配置し、熱伝
達効率を高めるようにした。ノラ圧下の非反応性気体（
まくま手形の分配ネット−ワーク １００を介して冷却
室１７１に給送される。分配ネッ１〜■ノーク １００
は、ハウジング８８内部両端間に亘り横方向に且つ互い
に離隔状態に延設された複数本のぜ；Ｈ１２と、８管１
０２の端部に気体を給送する縦方向に延８ｐされｌ〔多
岐管１０４とから成っている。管１０２はハウジング８
８の上部でフィン９４と交差し、多岐管１０４はハウジ
ング８８の外部にある。管１０２は密封された配管９８
の位置でハウジング８８の中に入っている。管１０２に
番よ出目方向に面した複数の孔１０８が穿たれている。
高速の非反応性気体は孔１０８から光出し、ハウジング
８８上部のフィン９４どコンベヤ・ベルト１８−１ｘの
製品上との間を流れるようになっており、製品からフィ
ン９４への対流形熱伝達を促進するようになっている。
８８上部のフィン９４どコンベヤ・ベルト１８−１ｘの
製品上との間を流れるようになっており、製品からフィ
ン９４への対流形熱伝達を促進するようになっている。
熱は伝導によりハウジング８８を介してフィン９６に伝
えられ、送ＨＡｍ９”ｔにより冷却される。このように
、冷去〇室１４内で製品の効果的な冷Ｈ１が達成される
。
えられ、送ＨＡｍ９”ｔにより冷却される。このように
、冷去〇室１４内で製品の効果的な冷Ｈ１が達成される
。
出口室°１６は一方の端部に一体成形の密封フランジ１
１２を備えた解放端部形で無孔の方形ハウジング１１０
から成っている。出口室１６は７ランジ９２及び１１２
により冷却室１４の隣接側端部に連結されている。ハウ
ジング１１０の上壁に隔壁１１４を揺動可能に取り付け
であるが、これは、気体が本赤外線炉の外部に流出する
のを防止するだめのものである。図示のＪ、うに、＝１
ンヘ〜７・ベルト１８及び棒１９【ユ、焼成室１２を出
て、冷却室１４及び出口室１６内（〔」Ｃ延設されてい
る。捧１９は本赤外線炉の出ロ部′ｒ：終端し、一方Ｔ
］ンベＡ７・ベルト１８は入口室１０（こ戻る軌道に従
うＪ、うになっていと）、。
１２を備えた解放端部形で無孔の方形ハウジング１１０
から成っている。出口室１６は７ランジ９２及び１１２
により冷却室１４の隣接側端部に連結されている。ハウ
ジング１１０の上壁に隔壁１１４を揺動可能に取り付け
であるが、これは、気体が本赤外線炉の外部に流出する
のを防止するだめのものである。図示のＪ、うに、＝１
ンヘ〜７・ベルト１８及び棒１９【ユ、焼成室１２を出
て、冷却室１４及び出口室１６内（〔」Ｃ延設されてい
る。捧１９は本赤外線炉の出ロ部′ｒ：終端し、一方Ｔ
］ンベＡ７・ベルト１８は入口室１０（こ戻る軌道に従
うＪ、うになっていと）、。
分配ネツ１〜ワータ １００で分配された非反応性気１
ホｉＪ、コンベ＼ｌ・ベル１〜１８Ｃ゛搬送中の製品、
■−を流下してこれを冷ｌｉｔ］−５する。この気体の
大部分は焼成室１２内に流入して排気管３２（第２図）
に向うが、一部分はまｌζ隔壁１１４の側を通って木赤
夕Ｉ線炉の外部（こ流出Ｊく）。後盾の気１本流（こよ
り、１，１；ｌ囲空気が出口室１６を介して本赤外線炉
内へ流入づるのを防１１−ザることができる。分配ネッ
ト・ワーク １ （１０て゛導入されｌ（気体により、
冷却室１４の内部には焼成室１２内の圧力にり高く、人
気ｆ′ｆ：より高い圧力状態が形成される。
ホｉＪ、コンベ＼ｌ・ベル１〜１８Ｃ゛搬送中の製品、
■−を流下してこれを冷ｌｉｔ］−５する。この気体の
大部分は焼成室１２内に流入して排気管３２（第２図）
に向うが、一部分はまｌζ隔壁１１４の側を通って木赤
夕Ｉ線炉の外部（こ流出Ｊく）。後盾の気１本流（こよ
り、１，１；ｌ囲空気が出口室１６を介して本赤外線炉
内へ流入づるのを防１１−ザることができる。分配ネッ
ト・ワーク １ （１０て゛導入されｌ（気体により、
冷却室１４の内部には焼成室１２内の圧力にり高く、人
気ｆ′ｆ：より高い圧力状態が形成される。
冷却’ｒ１４の分配ネット−ワーク １００及び焼成室
１２０層４０から出た非反応（１１気体、並びに密ｅ１
１室５６カ〜ら取イＮ１貝ｊ）４を通って漏入した気体
の一部は、焼成室１２内で焼成すべき製品の両端間に亘
りゆつくりと流過して、該製品から放出される揮発物を
一掃する。この揮発物は排気管３２を介して本赤外線炉
から除去される。
１２０層４０から出た非反応（１１気体、並びに密ｅ１
１室５６カ〜ら取イＮ１貝ｊ）４を通って漏入した気体
の一部は、焼成室１２内で焼成すべき製品の両端間に亘
りゆつくりと流過して、該製品から放出される揮発物を
一掃する。この揮発物は排気管３２を介して本赤外線炉
から除去される。
傾通、非反応性気体は、少なくとも銅などのにう４１卑
金属を焼成させる場合には、窒素または酸素を含Ｊ、な
い気体である。無孔の部材、例えば外カバー２２及び３
８．１〜レー２６、フィン９４及び９６、ハウジング５
８．８８及び１１０などは薄板から作るのが望ましい。
金属を焼成させる場合には、窒素または酸素を含Ｊ、な
い気体である。無孔の部材、例えば外カバー２２及び３
８．１〜レー２６、フィン９４及び９６、ハウジング５
８．８８及び１１０などは薄板から作るのが望ましい。
フランジ４２．６０．９０．９２及び１１２のような密
封フランジは、大気密１ｑ状態を容易に確立できるよう
溶接によって結合するのが望ましい。
封フランジは、大気密１ｑ状態を容易に確立できるよう
溶接によって結合するのが望ましい。
層２４及び４０などの多孔性部材は圧縮白アルミナ繊組
から作るのが望ましい。
から作るのが望ましい。
さＣ１第７図には、連結部′＋Ａ６８の１つを詳細に示
しである。筒形セラミック絶縁体１２０は密閉室５６の
外部に位置し、筒形セラミック絶縁体１２１は密閉室５
６の内部に位置している。絶縁体１２１の一方の端部に
は筒形凹部が形成されている。絶縁体１２０の隣接端部
には筒形突出部１２２が形成されているが、該突出部１
２２はハウジング５８の開口部１２３を貫通して絶縁体
１２１の端部の凹部に嵌入しＣいる。絶縁体 １２０と
ハウジング５８外２３１ｉ表面の１８１の境界部、絶縁
体１２０ど開口部１２３縁部の間の境界部、及び絶縁体
１２０と絶縁（ＡＩ２１の間のｊ３λ界部は、高調蜜月
＋Ａ１２４で形成しである。ねじイ・１き導電性棒１２
５を、絶縁体１２０及び１２１内の通路を密閉室ｊ）６
の外部から断閉室５６の内部まて貞通覆るＪ、うに延設
しである。該通路と捧１２５の間の境界部は高温畜ＩＪ
４ＡＩ２（ｉ（’形成しである。プツ１へ １２８及び
１２９を棒 １２５の端部にねじ込んで、絶縁体 １２
０及び１２１をハウシング５８に締結しくいる１、プツ
ｌ−１３０を棒１２５の内方端部にねじ込／υでワイＡ
７７０を該端部に固定し、ナラｌ−１３１を捧１２１）
の外プ５ Ｑ；、ｌｉ部にねし込／υ−Ｃワイヤ７２を
該端部に固定しである。前記畠温密封月 １２４及び１
２６は、例えば、最高４４＋ Ｏ”Ｇの温度までの大気
密封状態を紐持でさるゼネラル・エレク１〜リック製１
（丁Ｖ（商々ｍＨ） イｒとのよう４Ｃシリコン密閉剤
であってもよい。従つ−Ｃ１連結部＋オ６８は（ぞ閉室
５６を介してワイＡ７７２及び７０間に電気接続を達成
でき、而も周囲空気の密閉室５６内への流入を防止する
こともでさる。
しである。筒形セラミック絶縁体１２０は密閉室５６の
外部に位置し、筒形セラミック絶縁体１２１は密閉室５
６の内部に位置している。絶縁体１２１の一方の端部に
は筒形凹部が形成されている。絶縁体１２０の隣接端部
には筒形突出部１２２が形成されているが、該突出部１
２２はハウジング５８の開口部１２３を貫通して絶縁体
１２１の端部の凹部に嵌入しＣいる。絶縁体 １２０と
ハウジング５８外２３１ｉ表面の１８１の境界部、絶縁
体１２０ど開口部１２３縁部の間の境界部、及び絶縁体
１２０と絶縁（ＡＩ２１の間のｊ３λ界部は、高調蜜月
＋Ａ１２４で形成しである。ねじイ・１き導電性棒１２
５を、絶縁体１２０及び１２１内の通路を密閉室ｊ）６
の外部から断閉室５６の内部まて貞通覆るＪ、うに延設
しである。該通路と捧１２５の間の境界部は高温畜ＩＪ
４ＡＩ２（ｉ（’形成しである。プツ１へ １２８及び
１２９を棒 １２５の端部にねじ込んで、絶縁体 １２
０及び１２１をハウシング５８に締結しくいる１、プツ
ｌ−１３０を棒１２５の内方端部にねじ込／υでワイＡ
７７０を該端部に固定し、ナラｌ−１３１を捧１２１）
の外プ５ Ｑ；、ｌｉ部にねし込／υ−Ｃワイヤ７２を
該端部に固定しである。前記畠温密封月 １２４及び１
２６は、例えば、最高４４＋ Ｏ”Ｇの温度までの大気
密封状態を紐持でさるゼネラル・エレク１〜リック製１
（丁Ｖ（商々ｍＨ） イｒとのよう４Ｃシリコン密閉剤
であってもよい。従つ−Ｃ１連結部＋オ６８は（ぞ閉室
５６を介してワイＡ７７２及び７０間に電気接続を達成
でき、而も周囲空気の密閉室５６内への流入を防止する
こともでさる。
本願に記載の本発明の実施例は単に本発明の望ましい且
つ例証的実施例に過き′ないものであって、本発明の範
囲が該実施例に限定されることはない。
つ例証的実施例に過き′ないものであって、本発明の範
囲が該実施例に限定されることはない。
当業名であれば、本発明の思想及び範囲を逸脱すること
なくその池の多種多様な実施例を案出づることか可能で
ある。例えば、赤外線ランプの端子を包囲するのにその
他の部材を用いることも可能である。
なくその池の多種多様な実施例を案出づることか可能で
ある。例えば、赤外線ランプの端子を包囲するのにその
他の部材を用いることも可能である。
第１図は本発明の原３Ｈ！を組み込んだ赤外線炉の概略
ブロック図である。 第２図は本赤外線炉の入［］室と焼成室の一部との側断
面図である。 第３図は本赤外線炉の焼成室の一部の側面図であって、
ハツチを取り外した状態で赤外線ランプの端子を包囲り
−る密閉室の幾つかを示している。 第４図は第３図に示されている本赤外線炉焼成室の４−
４線に沿った端部断面図である。 第５図は本赤外線炉の冷ｆ、Ｉｌ室及び出口室の側断面
図である。 グ）（３図は第５図に示されている冷却室の６−６線に
沿った端８’Ｉｉ断面図である。 第７図は第３図及び第４図の密閉室を通る連結部祠０１
つの側ｒＩＪｉ而図で面る。 １０・・・入口室 １２・・焼成室 １４・・・冷ム１
１窄 １６・・・出口室 ２２．３８・・・外カバー
３２・・・ｌｊｌ気憔・５０・・・赤外線ランプ ５１
・・・密閉ビード ５２・・・端子 ５４・・・取付具
５５・・セラミック・ホルダー ５６・・・１若閉室
５７゜６４・・・ガスケツ１〜５８・・・ハウシング
６Ｇ・・・ハツチＧ８・・・連結部月 ７４・・・配
管 特許出願人 レイデ′イアン１〜 テクノロジー］−
ボレイション 狛６′「庁艮官 若杉和夫殿 １．事１′１の表示 昭和５８３４１特８７１願第６
７ ’１５１舅２、発明の名称 赤外線炉 ３、補正をする壱 事件との関係 １−！ｆ訂出出願 人］所 アメリカ合衆国、９（１７（１１カリフＡル
ニア州、セ１月〜ス、ヘテンコー１〜．ス１へり−１〜
１３８５Ｇ名称 レイアイアント デクノロジー
＝１−ポレイシ・ｌン代表当 シイ、 クライン バ
ーシイ、ジ１ニア４、代理人 東京都新宿区■落合二Ｔ’ｌ：ｌ：１１４番１舅第６図 ７、補正の内容 別紙の通り 旨”、’；へ
第６図を別紙添付図面の通りに補正しＪ・ツ。 （以 上）
ブロック図である。 第２図は本赤外線炉の入［］室と焼成室の一部との側断
面図である。 第３図は本赤外線炉の焼成室の一部の側面図であって、
ハツチを取り外した状態で赤外線ランプの端子を包囲り
−る密閉室の幾つかを示している。 第４図は第３図に示されている本赤外線炉焼成室の４−
４線に沿った端部断面図である。 第５図は本赤外線炉の冷ｆ、Ｉｌ室及び出口室の側断面
図である。 グ）（３図は第５図に示されている冷却室の６−６線に
沿った端８’Ｉｉ断面図である。 第７図は第３図及び第４図の密閉室を通る連結部祠０１
つの側ｒＩＪｉ而図で面る。 １０・・・入口室 １２・・焼成室 １４・・・冷ム１
１窄 １６・・・出口室 ２２．３８・・・外カバー
３２・・・ｌｊｌ気憔・５０・・・赤外線ランプ ５１
・・・密閉ビード ５２・・・端子 ５４・・・取付具
５５・・セラミック・ホルダー ５６・・・１若閉室
５７゜６４・・・ガスケツ１〜５８・・・ハウシング
６Ｇ・・・ハツチＧ８・・・連結部月 ７４・・・配
管 特許出願人 レイデ′イアン１〜 テクノロジー］−
ボレイション 狛６′「庁艮官 若杉和夫殿 １．事１′１の表示 昭和５８３４１特８７１願第６
７ ’１５１舅２、発明の名称 赤外線炉 ３、補正をする壱 事件との関係 １−！ｆ訂出出願 人］所 アメリカ合衆国、９（１７（１１カリフＡル
ニア州、セ１月〜ス、ヘテンコー１〜．ス１へり−１〜
１３８５Ｇ名称 レイアイアント デクノロジー
＝１−ポレイシ・ｌン代表当 シイ、 クライン バ
ーシイ、ジ１ニア４、代理人 東京都新宿区■落合二Ｔ’ｌ：ｌ：１１４番１舅第６図 ７、補正の内容 別紙の通り 旨”、’；へ
第６図を別紙添付図面の通りに補正しＪ・ツ。 （以 上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）赤外線炉であって、 複数の心合Ｕされた対状の孔の穿たれた対向位置にある
側壁を有１−る絶縁形焼成室と、上記焼成軍内に配設さ
れた赤外線ランプであって、その端子が上記各対状孔を
上記焼成室の外部まで通り抜けている袷数個の赤外線ラ
ンプと、上記ランプ端子を包囲する畜」、１部月と、ノ
ブ圧下気体を」−記畜封部（Δ−に導入して、該気体の
上記孔を介する上記焼成室への流れを誘発するための気
体導入部材、 ７３日ら成る赤外線炉。 （２）前記対状孔の中の、６ｒ１記ランプと前記焼成室
の間の空所を充填する断熱−材をも含む特許請求の範囲
第（１）項に記載の赤外線炉。 （３）前記密封部材が前記対状孔を包囲づる１つまたは
２つ以上の密閉室から成る特許請求の範囲第＜２）項に
記載の赤外線炉。 （１）前記１つまたは２つ以上の密閉室に、前記ランプ
端子に本赤外線炉の外部から接近できるようにづる１つ
の間口部と、該開口部の周囲に配設されたガスケツ１へ
と、当接させたときに該ガスケツ１〜と結合して、該開
口部を密閉できる取外し可能なハツチと、該ハツチをハ
ウジングに締結するだめの部材とが含まれている特許請
求の範囲第（３）項に記載の赤外線炉。 （５）前記気体導入部材が酸素非含有性気体を導入する
ようにして成る特許請求の範囲第（４）項に記載の赤外
線炉。 （６）前記気４ＡＹ導入部月が窒素を導入するようにし
て成る特許請求の範囲第＜５）項に記載の赤外線炉。 （７〉前記ランプを付勢し−（１１０記焼成案内の温度
を約８５０°゛Ｃ乃至約９５０℃に維持するだめの部材
をも備えていると」ξに、前記気体導入部側が前記１つ
または２つ以上の密閉室にその内部温度を６５０ ′Ｃ
以下の温１身に維持するのに十分な量の気体を導入づる
ようにして成る特許請求の範囲第（０項に記載の赤外線
炉。
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