JPS59128706A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents

高誘電率磁器組成物

Info

Publication number
JPS59128706A
JPS59128706A JP58002798A JP279883A JPS59128706A JP S59128706 A JPS59128706 A JP S59128706A JP 58002798 A JP58002798 A JP 58002798A JP 279883 A JP279883 A JP 279883A JP S59128706 A JPS59128706 A JP S59128706A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
high dielectric
composition
dielectric constant
dielectric
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58002798A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH041964B2 (ja
Inventor
板倉 鉉
黒田 孝之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP58002798A priority Critical patent/JPS59128706A/ja
Publication of JPS59128706A publication Critical patent/JPS59128706A/ja
Publication of JPH041964B2 publication Critical patent/JPH041964B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、チタン酸バリウムを主体とし、高誘電率でか
つ緻密なセラミック構造を有する高誘電率磁器組成物に
関するものである。
(従来例の構成とその問題点) 従来、磁器コンデンサの組成物として、チタン酸バリウ
ムを主体とするものが数多く知られている。チタン酸バ
リウムは周知のように、強誘電性を示す特異な物質で、
高温では立方晶系のにロブスカイト形の構造を有し、1
20℃以下ではC細軸がわずかに伸びて正方晶となシ、
さらに、0℃付近で斜方晶、−80℃付近で菱面体晶へ
と変化する。上記120℃付近の相転移点を特にキュリ
一点というが、このキュリ一点を境にしてそれよシ高温
で常誘電性を示し、低温では強誘電性を示す。そして、
このキュリ一点において誘電率が約10.000と極め
て高い値を示す。ここで、チタン酸バリウムだけでは常
温で高誘電率とはなシ得ない。チタン酸バリウムのキュ
リ一点付近の高誘電率を低温側に移動させることにより
、常温付近で適当な静電容量を有する小形のコンデンサ
を実用化することは従来より数多く行なわれている。誘
電率のピーク値の現われる温度を移動させる添加剤はシ
フターと呼ばれ、Ba5nO5rSnO3p CaSn
O3゜t PbSn03t Cu5n03y Zn5nO3,Cd
SnO3等のスズ酸塩、BaZrO3,CaZrO3,
5rZr03等のジルコン酸塩及びSrTiO3,Pb
TiO3のチタン酸塩が一般的に知られ、上記の順にシ
フターとしての効果が大きい。
これらのシフターを用いたチタン酸バリウムは、単板形
リード付タイプの磁器コンデンサに利用されてきた。と
ころで最近、積層チップ化技術が進歩し、30〜100
1tm程度の誘電体シートが容易に得られるようになり
、この薄膜を、電極を挾持する形で幾層にも積層した、
いわゆる積層セラミ ・ツクチップコンデンサが種々の
エレクトロニクス業界に進出してきており、従来の誘電
体磁器組成物をかかる積層薄膜誘電体として利用するこ
とが多くなってきている。しかしながら、従来の単板形
磁器コンデンサでは誘電体の厚みが100〜10、OQ
 0μmと厚いのに対し、積層セラミックチップコンデ
ンサでは10〜20μmと薄いため5〜10倍以上の電
界強度を受ける。従って、従来の単板形コンデンサに比
較して、より電圧依存性の小さい組成物が要求されてい
る。また、誘電体層が薄くなるに従い、セラミックの構
造的な欠陥が特性に出易くなるので、結晶粒子が均一で
、かつ微細であること空孔が少なく、かつ小さいことが
望まれる。
かかる背景において、発明者らは既に、特願昭57−1
6809号により、高誘電率でかつセラミックの構造欠
陥が少なく、電圧依存性の小さい、高耐圧の高誘電率磁
器組成物を提案している。即ち、BaTiO3100モ
ル部、C”023 (7±1)モル部及びTi027±
1モル部からなる高誘電率磁器組成物である。しかしな
がら、この組成物では絶縁抵抗がやや低いこと及び発色
が鮮明橙赤であシ、積層セラミックチップコンデンサの
パラジウム電極が透けて見えるため品位上の問題があっ
た。
(発明の目的) 本発明は、上記欠点を除去しようとするもので、より高
い絶縁抵抗を有し、同時に、積層セラミックチップコン
デンサのi9ラジウム電極が磁器を通して透けて見える
ことのない高誘電率磁器組成物を提供する・もので□あ
る。
(発明の構成) 上記目的を達成するために、特願昭57−16809号
で提案の高誘電率磁器組成物に、酸化鉄(Fe203)
を微量添加する。この構成により、絶縁抵抗が高くなり
、さらに磁器の発色の明度を下げて積層セラミックチッ
プコンデンサのパラジウム電極が磁器を通して透けて見
えなくなり、品位が向上する。
(実施例の説明) 以下、実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
まず、チタン酸バリウム(BaTi03)を次のように
合成した。即ち、炭酸バリウム(B aCOs )と酸
化チタy (T iO2)を〔Ba〕/〔Ti〕比が1
..000fO,OO5の精度で混合し、1100〜1
150℃で仮焼後、これを粉砕しで得た。次に、このB
aTiO3100モル部に対してCeO23(7±1)
モル部及びTlO27±1′モル部を加え、さらに、F
e2o3を種々の割合で添加して混合した。この混合物
にバインダーを加えて造粒し、角板状に成型して125
0〜1350℃の範囲で焼成した。
この後、この角板状誘電体に銀電極を形成しコンデンサ
を作製した。
第1図は、上記コンデンサについて、Fe2O3の添加
量と電気特性の関係を示したものであシ、との図から明
らかなように、誘電率εはFe2O3の添加量が・0.
2モル部以上では次第に減少する傾向にある。また誘電
損失角tanδはFe2o3が0.5モル部以上では大
きくなる傾向がある。さらに縁結抵抗(5) ■・RはFe2O3が増加するに従い漸増する。
次に、上記Fe2O3の各種添加量の組成について第2
図に示したような積層セラミックチップコンデンサを試
作した。なお、第2図において、■は誘電体、2は・母
ラジウム電極で、電極間の誘電体厚さは35μm、3は
銀端子電極である。・第3図は、このような積層セラミ
ックチップコンデンサについて、Fe2O3の添加量と
電気特性の関係を示したものである。捷だ斜線部はノぐ
ラジウム電極が厚さ35μmの誘電体層を通して透けて
見える範囲を示したものである。この図から明らかなよ
うに、角板での電気特性値に比較して、Fe206の添
加量依存性が比較的太きい。Fe2O3を0.2モル部
以上添加すると誘電率εは極端に低下するが、0.2モ
ル部以内ではほとんど変化しない。絶縁抵抗■・Rは、
0.2モル部において無添加の場合の約5倍の値を示す
。誘電損失角tanδは、0.3モル部以上で大きくな
る。以上の結果から、Fe206の最適添加量の範囲は
、パラ・ソウム電極が透けて見えない0.05モル部と
誘電率が急に下降しはじめる直前の0.2(6) モル部との間に制限される。
なお、ダレインサイズは実施例全般にわたシ、平均2〜
3μmであり、またポアサイズも2〜3μm以下であっ
た。
(発明の効果) 以上述べたことから、本発明の組成物は、特願昭57−
16809号の組成物と同様にダレインが細かく、ボア
が少なくかつ小さい緻密なセラミック構造を有するとと
もに、特願昭57−16809号の組成物の絶縁抵抗特
性を大幅に改善し、さらに、積層セラミックチップコン
デンサとしてi9ラジウム電極が透けて見えるという欠
点を改良するものである。特に、EIA規格Y5D特性
の積層セラミックチップコンデンサ用誘電体組成物とし
て極めて好適であり、本発明の産業的価値は非常に太き
いといえる。
なお、実施例では、チタン酸バリウムを合成してそれを
使用したが、市販のチタン酸バリウムを用いてもかまわ
ない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の組成物におけるF111205添加
量と角板誘電体の特性を示す図、第2図は、本発明の組
成物を適用した積層セラミックチップコンデンサの断面
図、第3図は、本発明の組成物におけるFe2O3添加
量と積層セラミックチップコンデンサの特性を示す図で
ある。 1・・・誘電体、2・・・・ぐラジウム電極、3・・・
銀端子電極。 (U内)  84 第2図 第3図 Feze3 Llし11)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. チタン酸バリウム(BaTiO3) 100モル部、酸
    化セリウム(Ce O3) 3 (7±1)モル部及び
    酸化チタン(T102) 7±1モル部に酸化鉄(Fe
    203)005〜0.2モル部を添加してなることを特
    徴とする高誘電率磁器組成物。
JP58002798A 1983-01-13 1983-01-13 高誘電率磁器組成物 Granted JPS59128706A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58002798A JPS59128706A (ja) 1983-01-13 1983-01-13 高誘電率磁器組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58002798A JPS59128706A (ja) 1983-01-13 1983-01-13 高誘電率磁器組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59128706A true JPS59128706A (ja) 1984-07-24
JPH041964B2 JPH041964B2 (ja) 1992-01-16

Family

ID=11539390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58002798A Granted JPS59128706A (ja) 1983-01-13 1983-01-13 高誘電率磁器組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59128706A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH041964B2 (ja) 1992-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0283256A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH035002B2 (ja)
JPH0449503B2 (ja)
JP3146966B2 (ja) 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミック電子部品
JPS6051207B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JP2915217B2 (ja) 誘電体磁器及び磁器コンデンサ
JPS59128706A (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS6128621B2 (ja)
JPS6051202B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS6051205B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS59128705A (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS6236327B2 (ja)
JP2505030B2 (ja) 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法
JPH041965B2 (ja)
JPS6051208B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS58223670A (ja) 高誘電率磁器組成物
JPH037621B2 (ja)
JPH0264060A (ja) 誘電体磁器とその製造方法
EP0085941A2 (en) Ceramic composition of high dielectric constant
JPS6051206B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS61203506A (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS6226705A (ja) 高誘電率磁器組成物
JPS61188814A (ja) 高誘電率磁器組成物
JPH0522667B2 (ja)
JPS61188810A (ja) 高誘電率磁器組成物