JPS59128547A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS59128547A JPS59128547A JP512183A JP512183A JPS59128547A JP S59128547 A JPS59128547 A JP S59128547A JP 512183 A JP512183 A JP 512183A JP 512183 A JP512183 A JP 512183A JP S59128547 A JPS59128547 A JP S59128547A
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- Japan
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- ring
- rings
- intermediate layer
- selenium
- substituted
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/0681—Disazo dyes containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は支持体とセレン系光導電層との間に光導電性中
間層を有する電子写真感光体に関する。
間層を有する電子写真感光体に関する。
導電性支持体上に、絶縁性樹脂結着剤中に分散質として
無機又は有機微粒子を分散した中間層とその上にセレン
系光導電層を設けた電子写真感光体が知られている。こ
のような層構造からなる電子写真感光体において中間層
の目的は支持体と光導電層間の接着性向上及び電気特性
の向上である。中間層は結着剤中に分散する粒子の種類
によって一般に低抵抗中間層及び光導電性中間層の2種
に大別される。前者の例としては分散質としてカーIン
を用いたもの(%開昭49−126339号公報)や金
属又はカルコゲン化合物を用いたもの(特公昭54−3
6859号公報)があフ、また後者の例としてはフタロ
シアニンを用いたもの(特公昭44−12671号公報
)がある。しかし前者の中間層では分散条件によっては
感光体の帯電特性、残留電位等の電気特性が大きく変動
する。従って分散条件の制御が課題である。一方、後者
の中間層でも分散質が7タロシアニン顔料である場合、
電気特性、特に残M電位が繰返し使用時に変動するとい
う欠点がある。なお上記区分には属さないその他の中間
層として分散質を用いずに非結晶性樹脂単独よシなるも
の(特開昭53−103742号公報)が知られている
が、この中間層の目的はその上に設けられた光導電層に
おける結晶化抑制効果を意図したもので、上記2種の中
間層とは異なっている。
無機又は有機微粒子を分散した中間層とその上にセレン
系光導電層を設けた電子写真感光体が知られている。こ
のような層構造からなる電子写真感光体において中間層
の目的は支持体と光導電層間の接着性向上及び電気特性
の向上である。中間層は結着剤中に分散する粒子の種類
によって一般に低抵抗中間層及び光導電性中間層の2種
に大別される。前者の例としては分散質としてカーIン
を用いたもの(%開昭49−126339号公報)や金
属又はカルコゲン化合物を用いたもの(特公昭54−3
6859号公報)があフ、また後者の例としてはフタロ
シアニンを用いたもの(特公昭44−12671号公報
)がある。しかし前者の中間層では分散条件によっては
感光体の帯電特性、残留電位等の電気特性が大きく変動
する。従って分散条件の制御が課題である。一方、後者
の中間層でも分散質が7タロシアニン顔料である場合、
電気特性、特に残M電位が繰返し使用時に変動するとい
う欠点がある。なお上記区分には属さないその他の中間
層として分散質を用いずに非結晶性樹脂単独よシなるも
の(特開昭53−103742号公報)が知られている
が、この中間層の目的はその上に設けられた光導電層に
おける結晶化抑制効果を意図したもので、上記2種の中
間層とは異なっている。
本発明の目的は中間層に用いられる分散粒子の分散条件
や繰返し使用においても電気特性が安定で、しかも中間
層による増感効果、結晶化抑制効果及び接着性向上によ
る可撓性向上効果を併せ持つ上、優れた電子写真特性を
肩する隼;子写真感光体を提供することである。
や繰返し使用においても電気特性が安定で、しかも中間
層による増感効果、結晶化抑制効果及び接着性向上によ
る可撓性向上効果を併せ持つ上、優れた電子写真特性を
肩する隼;子写真感光体を提供することである。
即ち、本発明は導電性支持体上に、有機顔料の微細粒子
を絶縁性樹脂中に分散せしめてなる中間層と更にその上
にセレン、セレン合金又はセレン化合物よりなる光導電
層とを設けた電子写真感光体において、前記有機顔料が
一般式(ここでXはベンゼン環、ナフタレン環などの芳
香環、インドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環
などのへテロ環又はそれらの置換体、Ar1はベンゼン
環、ナフタレン環などの芳香環、ジベンゾフランなどの
ヘテ四環又はそれらの置換体、Ar、及びAr3は4ン
ゼン猿、ナフタレン環などの芳香環又はそれらの置換体
、R1及びRsは水垢、低級アルキル基、フェニル基又
はその置換体% R1は低級アルキル基、カルゼキシル
基又はそのエステル)を表わす。〕 で示されるジスアゾ顔料であ°ることを特徴とするもの
である。
を絶縁性樹脂中に分散せしめてなる中間層と更にその上
にセレン、セレン合金又はセレン化合物よりなる光導電
層とを設けた電子写真感光体において、前記有機顔料が
一般式(ここでXはベンゼン環、ナフタレン環などの芳
香環、インドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環
などのへテロ環又はそれらの置換体、Ar1はベンゼン
環、ナフタレン環などの芳香環、ジベンゾフランなどの
ヘテ四環又はそれらの置換体、Ar、及びAr3は4ン
ゼン猿、ナフタレン環などの芳香環又はそれらの置換体
、R1及びRsは水垢、低級アルキル基、フェニル基又
はその置換体% R1は低級アルキル基、カルゼキシル
基又はそのエステル)を表わす。〕 で示されるジスアゾ顔料であ°ることを特徴とするもの
である。
なお、Xの芳香環またはへテロ環における置換基として
は例えばハロゲンが、Ar、の芳香環またはへテロ環に
おける置換基としては低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン、ニトロ基、シアン基、低級ジアルキルア
ミノ基、カルゼキシル基、スルホン酸基またはその塩な
どが、Arc ’!たはAr3の芳香環における置換基
としては低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン
、ニトロ基、シアノ基、低級ジアルキルアミノ基、スル
ホン酸基、アシルアミノ基、〜SO,NH2などが挙げ
られる。またRoまたはR8のフェニル基における置換
基としては例えばハロゲンが挙けられる。
は例えばハロゲンが、Ar、の芳香環またはへテロ環に
おける置換基としては低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン、ニトロ基、シアン基、低級ジアルキルア
ミノ基、カルゼキシル基、スルホン酸基またはその塩な
どが、Arc ’!たはAr3の芳香環における置換基
としては低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン
、ニトロ基、シアノ基、低級ジアルキルアミノ基、スル
ホン酸基、アシルアミノ基、〜SO,NH2などが挙げ
られる。またRoまたはR8のフェニル基における置換
基としては例えばハロゲンが挙けられる。
本発明はこのように導電性支持体、中間層及び光導電層
を有する電子写真感光体の中間層における分散質として
前記一般式で示されるジスアゾ顔料を用いたものである
。
を有する電子写真感光体の中間層における分散質として
前記一般式で示されるジスアゾ顔料を用いたものである
。
導電性支持体としては例えばAI 、 Ni 、 ス
テンレススチール等の金属又は金FA酸化物よりなる板
; Al 、 Pd 、 Au等の金属上コートした合
成紙、ゾ2スナックフィルム等の絶縁性シート;高分子
4級アンモニウム塩、ポリスチレンスルホン酸塩等の導
電性物質を含浸した紙又は布等が使用される。
テンレススチール等の金属又は金FA酸化物よりなる板
; Al 、 Pd 、 Au等の金属上コートした合
成紙、ゾ2スナックフィルム等の絶縁性シート;高分子
4級アンモニウム塩、ポリスチレンスルホン酸塩等の導
電性物質を含浸した紙又は布等が使用される。
中間層は絶縁性樹脂及び前記一般式のジスアゾ顔料を主
成分として構成される。絶縁性樹脂としては例えばエポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ブ
チラール樹月旨、ポリエステル等か誉げられるが、中で
もポリエステル及びブチラール樹脂は特に良好な結果を
与える。またこれら樹脂の(5)有の特性を補なう目的
で29.以上の絶縁性樹脂を用いることも可能である。
成分として構成される。絶縁性樹脂としては例えばエポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ブ
チラール樹月旨、ポリエステル等か誉げられるが、中で
もポリエステル及びブチラール樹脂は特に良好な結果を
与える。またこれら樹脂の(5)有の特性を補なう目的
で29.以上の絶縁性樹脂を用いることも可能である。
一方、ジスアゾ顔料の具体例としては下記のものが挙げ
られる。
られる。
(以下余白)
B−N=Nや戸H= CHeN= N−BN=N−B
N=N−B
以上のようなジスアゾ顔料は公知の方法、例えば特開昭
54−20737号公報に記載の方法に準じて容易に合
成できる。
54−20737号公報に記載の方法に準じて容易に合
成できる。
こうして得られるジスアゾ顔料の絶縁性樹脂への分散量
は1〜50重量%が適当である。分散量が前記範囲よシ
多過ぎると、接着性が低下し、その結果、可撓性向上効
果が損なわれ、また少な過ぎると、残留電位の増加を招
く。中間層の厚さは5μ以下が適当で、好ましくは1〜
3μである。なお本発明の中間層には以上の2成分の他
、各種特性の向上及び安定化を計るために、他の分散質
を添加してもよい。
は1〜50重量%が適当である。分散量が前記範囲よシ
多過ぎると、接着性が低下し、その結果、可撓性向上効
果が損なわれ、また少な過ぎると、残留電位の増加を招
く。中間層の厚さは5μ以下が適当で、好ましくは1〜
3μである。なお本発明の中間層には以上の2成分の他
、各種特性の向上及び安定化を計るために、他の分散質
を添加してもよい。
光導電層はセレン、セレン合金又はセレン化合物から構
成される。セレン合金又はセレン化合物としては5eT
e 、 As2Se3 、 Se −Bi金合金5s−
8重合金等が誉げられる。光導電層の厚さは100μ以
下が適当で、好ましくは10〜70μである。
成される。セレン合金又はセレン化合物としては5eT
e 、 As2Se3 、 Se −Bi金合金5s−
8重合金等が誉げられる。光導電層の厚さは100μ以
下が適当で、好ましくは10〜70μである。
本発明の感光体を作るには導電性支持体上に前記ジスア
ゾ顔料を分散した絶縁性樹脂溶液を塗布乾燥して中間層
を形成し、その上にセレン、セレン合金又はセレン化合
物を蒸着して光導電層を形成すればよい。
ゾ顔料を分散した絶縁性樹脂溶液を塗布乾燥して中間層
を形成し、その上にセレン、セレン合金又はセレン化合
物を蒸着して光導電層を形成すればよい。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例1
ブチラールI[旨(ユニオンカーバイド社製XYHL)
4重量部をガンスポット中でテトラヒドロフラン11重
量部に溶解し、ついでこの中に化合物NcL1のジスア
ゾ顔料IN量部及びステンレススチールメールを加え、
72時間ミリングした。得られた分散液にテトラヒドロ
フラン34重量部を加え、中間層形成液を調製した。
4重量部をガンスポット中でテトラヒドロフラン11重
量部に溶解し、ついでこの中に化合物NcL1のジスア
ゾ顔料IN量部及びステンレススチールメールを加え、
72時間ミリングした。得られた分散液にテトラヒドロ
フラン34重量部を加え、中間層形成液を調製した。
次にこの液をステンレススチール(SUS304)製支
持体上に乾燥後の厚さが1μになるよう塗布し、100
℃で1時間乾燥して中間層を形成し、更にその上にセレ
ンを真空蒸着して厚さ60μの無定形セレンよシなる光
導電層を形成することによシ、電子写真感光体を作製し
た。
持体上に乾燥後の厚さが1μになるよう塗布し、100
℃で1時間乾燥して中間層を形成し、更にその上にセレ
ンを真空蒸着して厚さ60μの無定形セレンよシなる光
導電層を形成することによシ、電子写真感光体を作製し
た。
比較のため、中間層形成液として前記ブチラール樹脂1
型計部をテトラヒドロフラン9重量部に溶解した溶液を
用いた他は同様にして電子写真感光体を作製した。
型計部をテトラヒドロフラン9重量部に溶解した溶液を
用いた他は同様にして電子写真感光体を作製した。
次に以上の2種の感光体について電子写真特性をテスト
し、下表の結果を得た。
し、下表の結果を得た。
注ンvつ:サンプル表面に5 KVのコロナ放電を20
秒間行なった時の表面電位。
秒間行なった時の表面電位。
D、D:7877Mの値(Voは20秒間暗減衰させた
時の表面電位)。
時の表面電位)。
8% :暗減衰の後、タングステンランプにより表面照
度が201uxになるよう 光照射し、表面電位がVoの%になる に要する露光量。
度が201uxになるよう 光照射し、表面電位がVoの%になる に要する露光量。
vR:光照射を20秒間行なった後の表面電位。
この表から判るように本発明の感光体におけるジスアゾ
顔料を分散した中間層の効果は明らかで、特に残留電位
の低下に著しい効果が認められる。
顔料を分散した中間層の効果は明らかで、特に残留電位
の低下に著しい効果が認められる。
実施例2
ポリエステル(デュポン社段ポリエステルアドヘシゾ)
9重鋤:部をガラスポット中でテトラヒドロンラン23
重量部に溶解し、この中に化合物陰18のジスアゾ顔料
1重量部及び実施例1と同じステンレススチールゼール
を加えて72時間ミリングした。得られた分散液に更に
テトラヒドロフラン63重量部を加えて中間層形成液を
調製した。次にこの液を実施例1と同じ支持体上に乾燥
後の厚さが3μとなるよう塗布し、100℃で1時間乾
燥して中間層を形成し、更にその上にTe含有量8重I
Z %のSe −Te合金を真空蒸着して厚さ60μの
非晶質Se −Teよシなる光導電層を形成することに
より電子写真感光体を作製した。
9重鋤:部をガラスポット中でテトラヒドロンラン23
重量部に溶解し、この中に化合物陰18のジスアゾ顔料
1重量部及び実施例1と同じステンレススチールゼール
を加えて72時間ミリングした。得られた分散液に更に
テトラヒドロフラン63重量部を加えて中間層形成液を
調製した。次にこの液を実施例1と同じ支持体上に乾燥
後の厚さが3μとなるよう塗布し、100℃で1時間乾
燥して中間層を形成し、更にその上にTe含有量8重I
Z %のSe −Te合金を真空蒸着して厚さ60μの
非晶質Se −Teよシなる光導電層を形成することに
より電子写真感光体を作製した。
比較のだめ中間層形成液中の前記ジスアゾ顔料の代りに
β−銅フタロシアニンを用いた他は同様にして電子写真
感光体を作製した。
β−銅フタロシアニンを用いた他は同様にして電子写真
感光体を作製した。
次にこれら感光体を市販の電子写真複写機にセットし、
繰返し使用テストを行なったところ、比較品では初期の
残留電位20Vが110■と約90V増加したのに対し
、本発明品では残留電位の変動は見られなかった。
繰返し使用テストを行なったところ、比較品では初期の
残留電位20Vが110■と約90V増加したのに対し
、本発明品では残留電位の変動は見られなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 導電性支持体上に、有機顔料の微細粒子を絶縁性
樹脂中に分散せしめてなる中間層と更にその上にセレン
、セレン合金又はセレン化合物よりなる光導電層とを設
けた電子写真感光体において、前記有機顔料が一般式 (ここでXはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香環、
インドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環などの
へテロ環又はそれらの置換体、ArIはベンゼン環、ナ
フタレン環などの芳香環、ジベンゾフランなどのへテロ
環又はそれらの置換体、Ar、 及びArsはベンゼン
環、ナフタレン環などの芳香環又はそれらの置換体、R
I及びR8は水素、低級アルキル基、フェニル基又はそ
の置換体、R2は低級アルキル基、カルゼキシル基又は
そのエステル)を嵌わす。〕 で示されるジスアゾ顔料であることを特徴とする電子写
真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP512183A JPS59128547A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP512183A JPS59128547A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59128547A true JPS59128547A (ja) | 1984-07-24 |
Family
ID=11602479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP512183A Pending JPS59128547A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59128547A (ja) |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP512183A patent/JPS59128547A/ja active Pending
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