JPS59127888A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS59127888A JPS59127888A JP58003989A JP398983A JPS59127888A JP S59127888 A JPS59127888 A JP S59127888A JP 58003989 A JP58003989 A JP 58003989A JP 398983 A JP398983 A JP 398983A JP S59127888 A JPS59127888 A JP S59127888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- led
- gap
- silver
- green
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 29
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は発光ダイオード責ＬＥＤ）に関する。
従来例の構成とその問題点
発光ダイオードはパイロットランプとして、あるいは数
字表示素子やレベルインディケータ等のディスプレイ素
子として幅広く用いられている。
字表示素子やレベルインディケータ等のディスプレイ素
子として幅広く用いられている。
特にディスプレイの分野では赤、黄、緑の３色の２ ペ
ージ ＬＥＤが使用されることが多く、燐化ガリウム（ＧａＰ
）基板上にｎ型とｐ型のエピタキシャル層を順次成長さ
せて形成しだＧａＰ緑色ＬＥＤはＧａＰ赤色ＬＥＤとと
もに可視ＬＥＤの中心的地位を占めている。
ージ ＬＥＤが使用されることが多く、燐化ガリウム（ＧａＰ
）基板上にｎ型とｐ型のエピタキシャル層を順次成長さ
せて形成しだＧａＰ緑色ＬＥＤはＧａＰ赤色ＬＥＤとと
もに可視ＬＥＤの中心的地位を占めている。
ＧａＰ緑色ＬＥＤは発光中心として窒素（Ｎ）を含み５
６６ｎｍにピーク発光波長を有する黄緑色ＬＥＤと窒素
を含捷ず５５６ ｎｍにピーク発光波長を有する純緑色
ＬＥＤの二種類がある。これらの構造はともにｎ型Ｇａ
Ｐ基板上にｎ型とｐ型のエピタキシャル層を順次成長さ
せることにより形成される。
６６ｎｍにピーク発光波長を有する黄緑色ＬＥＤと窒素
を含捷ず５５６ ｎｍにピーク発光波長を有する純緑色
ＬＥＤの二種類がある。これらの構造はともにｎ型Ｇａ
Ｐ基板上にｎ型とｐ型のエピタキシャル層を順次成長さ
せることにより形成される。
第１図は、従来のＧａＰ緑色ＬＥＤの断面構造を示す図
であり、ｎ型ＧａＰ基板１の上にｎ型ＧａＰエピタキシ
ャル層２を成長させ、さらに、この上にｐ型ＧａＰエピ
タキシャル層３を成長させるとともに、電極４および５
を設けて形成したＧａＰ緑色ＬＥＤ素子を、銀ペースト
６を介在させて、ステム等の支持体７に固着した構造と
々っている。
であり、ｎ型ＧａＰ基板１の上にｎ型ＧａＰエピタキシ
ャル層２を成長させ、さらに、この上にｐ型ＧａＰエピ
タキシャル層３を成長させるとともに、電極４および５
を設けて形成したＧａＰ緑色ＬＥＤ素子を、銀ペースト
６を介在させて、ステム等の支持体７に固着した構造と
々っている。
ところで、ＧａＰ緑色ＬＥＤにおいて、ｐｎ接合近傍で
発光して外部に放出される光は、図示するように、図中
Ｘで示すように直接外部へ放出される光成分と、図中Ｙ
で示すように、一度ＬＥＤ下面に入射してそこで反射さ
れ、外部に放出される光成分に大別される。すなわち、
ｐ−ｎ接合近くで発光した光のうち約半分はＬＥＤ下面
に入射する。そのためＬＥＤ下面の反射効果はＬＥＤの
発光出力に大きな影響を与える。
発光して外部に放出される光は、図示するように、図中
Ｘで示すように直接外部へ放出される光成分と、図中Ｙ
で示すように、一度ＬＥＤ下面に入射してそこで反射さ
れ、外部に放出される光成分に大別される。すなわち、
ｐ−ｎ接合近くで発光した光のうち約半分はＬＥＤ下面
に入射する。そのためＬＥＤ下面の反射効果はＬＥＤの
発光出力に大きな影響を与える。
しかし、ＬＥＤ素子をステム等の支持体７に固着させる
には、一般に銀ペースト６が使用されている。銀ペース
ト６は金属というよりエポキシ系の接着剤と見なすこと
ができる。そのだめＬＥＤ下面に入射する光は銀ペース
トθ側に吸収されてしまう。このため、ＬＥＤ下面の反
射効果は小さく、従来のＧａＰ緑色ＬＥＤでは高い発光
出方を得ることができなかった。
には、一般に銀ペースト６が使用されている。銀ペース
ト６は金属というよりエポキシ系の接着剤と見なすこと
ができる。そのだめＬＥＤ下面に入射する光は銀ペース
トθ側に吸収されてしまう。このため、ＬＥＤ下面の反
射効果は小さく、従来のＧａＰ緑色ＬＥＤでは高い発光
出方を得ることができなかった。
発明の目的
本発明はＧａＰ緑色系ＬＥＤの内部で発光した光のうち
、ＬＥＤ下面による反射率を増加させ、高発光出力のＧ
ａＰ緑色系の発光ダイオードを提供することを目的とす
るものである。
、ＬＥＤ下面による反射率を増加させ、高発光出力のＧ
ａＰ緑色系の発光ダイオードを提供することを目的とす
るものである。
発明の構成
本発明はＧａＰ緑色系ＬＥＤの下面に、緑色の光の反射
率の高い銀あるいは銀合金の膜を付着させ、鏡の効果に
よりＬＥＤ下面における光の反射効果を増加させ、発光
出力を向上させることを特徴とするものである。
率の高い銀あるいは銀合金の膜を付着させ、鏡の効果に
よりＬＥＤ下面における光の反射効果を増加させ、発光
出力を向上させることを特徴とするものである。
実施例の説明
第２図は本発明のＧａＰ緑色系ＬＥＤの一実施例を示す
断面図であり、基本的な構造は第１図で示した従来のも
のと同じである。しかしながらＬＥＤ下面にオーミック
接触を得るだめの部分電極６を形成した後、銀の膜８を
蒸着し、さらに銀ペースト６でステム等の支持体７へ固
着している。
断面図であり、基本的な構造は第１図で示した従来のも
のと同じである。しかしながらＬＥＤ下面にオーミック
接触を得るだめの部分電極６を形成した後、銀の膜８を
蒸着し、さらに銀ペースト６でステム等の支持体７へ固
着している。
第３図は銀と金の蒸着膜の反射率の波長依存性を示す図
である。この図から明らかな様にＧａＰ緑色系ＬＥＤの
下面に付着させる金属膜は、銀のほうが反射率が高く、
発光出力を向上させることができる。
である。この図から明らかな様にＧａＰ緑色系ＬＥＤの
下面に付着させる金属膜は、銀のほうが反射率が高く、
発光出力を向上させることができる。
第４図は以上説明した本発明の効果確認のためにＬＥＤ
下面を部分電極のみで形成した従来構造のＧａＰ純緑色
ＬＥＤと、ＬＥＤ下面を部分電極に加えて銀の膜８を蒸
着して形成した本発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤの発光出力
の比較を示す図である。
下面を部分電極のみで形成した従来構造のＧａＰ純緑色
ＬＥＤと、ＬＥＤ下面を部分電極に加えて銀の膜８を蒸
着して形成した本発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤの発光出力
の比較を示す図である。
図示するように、本発明の構造によれば、発光出力が従
来の構造に比べておよそ２０チ向上し、高発光出力化が
はかられている。
来の構造に比べておよそ２０チ向上し、高発光出力化が
はかられている。
なおＧａＰ黄緑色ＬＥＤに本発明を適用した場合にも同
様の結果が得られた。
様の結果が得られた。
発明の効果
本発明によれば、ＧａＰ緑色系ＬＥＤの基本構造ならび
に基本製造工程に大幅な変更をもたらすことなく、Ｇａ
Ｐ緑色系ＬＥＤの高発光出力化をはかることができ、Ｇ
ａＰ Ｌ Ｅ Ｄのディスプレイ分野への適用範囲を拡
大する効果が奏される。
に基本製造工程に大幅な変更をもたらすことなく、Ｇａ
Ｐ緑色系ＬＥＤの高発光出力化をはかることができ、Ｇ
ａＰ Ｌ Ｅ Ｄのディスプレイ分野への適用範囲を拡
大する効果が奏される。
第１図はＬＥＤ下面を部分電極のみで形成した従来のＧ
ａＰ緑色系ＬＥＤの構造を示す断面図、第２図は本発明
のＧａＰ緑色系ＬＥＤの構造を示す断面図、第３図は銀
と金の蒸着膜の反射率の波長依６・−ジ 存性を示す図、第４図は従来のＧａＰ純緑色ＬＥＤと本
発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤの発光出力の比較を示す図で
ある。 １・・・・・・ｎ型ＧａＰ基板、２・・・・・・ｎ型Ｇ
ａＰエピタキシャル層、３・・・・・・ｐ型ＧａＰエピ
タキシャル層、４・・・・・・ポンディングパッドを兼
ねる上部電極、５・・・・・・下部部分電極、６・・・
・・・銀ペースト、７・・・・・・支持体、８・・・・
・・銀の膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 Ｘ 第２図 第 ３ 因 仮長（セ１ 第 ４ 図 の棋逗
ａＰ緑色系ＬＥＤの構造を示す断面図、第２図は本発明
のＧａＰ緑色系ＬＥＤの構造を示す断面図、第３図は銀
と金の蒸着膜の反射率の波長依６・−ジ 存性を示す図、第４図は従来のＧａＰ純緑色ＬＥＤと本
発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤの発光出力の比較を示す図で
ある。 １・・・・・・ｎ型ＧａＰ基板、２・・・・・・ｎ型Ｇ
ａＰエピタキシャル層、３・・・・・・ｐ型ＧａＰエピ
タキシャル層、４・・・・・・ポンディングパッドを兼
ねる上部電極、５・・・・・・下部部分電極、６・・・
・・・銀ペースト、７・・・・・・支持体、８・・・・
・・銀の膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 Ｘ 第２図 第 ３ 因 仮長（セ１ 第 ４ 図 の棋逗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｎ型燐化ガリウム基板と、この基板の第１主面上に形成
されたｎ型燐化ガリウムの第１エピタキシャル層と、こ
の第１エピタキシャル層上に形成されたｐ型燐化ガリウ
ムの第２エピタキシャル層とｐ条板の第２主面にオーミ
ック接触を有する部分電極と、前記部分電極上及び前記
基板の第２主面上に形成された銀あるいは銀合栃尤 金の膜を有すＳ７宥オード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003989A JPS59127888A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003989A JPS59127888A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127888A true JPS59127888A (ja) | 1984-07-23 |
Family
ID=11572422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58003989A Pending JPS59127888A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59127888A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239578A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Kyocera Corp | 発光素子 |
-
1983
- 1983-01-12 JP JP58003989A patent/JPS59127888A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239578A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Kyocera Corp | 発光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3785820B2 (ja) | 発光装置 | |
| US5557115A (en) | Light emitting semiconductor device with sub-mount | |
| US7420217B2 (en) | Thin film LED | |
| US7829911B2 (en) | Light emitting diode | |
| JP3813599B2 (ja) | 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 | |
| US20100258826A1 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
| KR101290836B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그의 제조 방법, 및 발광 다이오드 램프 | |
| JPH04321280A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2000091638A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP2004200303A (ja) | 発光ダイオード | |
| US5194922A (en) | Luminescent semiconductor element | |
| JPS61148883A (ja) | 光半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH0239578A (ja) | 発光素子 | |
| CN107611232B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| JP3602929B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2000150961A (ja) | 発光基板ｌｅｄ素子 | |
| JPS59127888A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JPH08306643A (ja) | ３−５族化合物半導体用電極および発光素子 | |
| JP4689315B2 (ja) | ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、及びその製造方法 | |
| JP3342336B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2001144323A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| CN203659930U (zh) | 具有金属反射层的半导体发光器件 | |
| JP2001168381A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード | |
| JP2004265923A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH0441516B2 (ja) |