JP2001168381A

JP2001168381A - ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード

Info

Publication number: JP2001168381A
Application number: JP34764699A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Takeuchi; 良一竹内; Wataru Nabekura; 亙鍋倉; Keiichi Matsuzawa; 圭一松沢; Takashi Udagawa; 隆宇田川
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 1999-12-07
Filing date: 1999-12-07
Publication date: 2001-06-22
Anticipated expiration: 2019-12-07
Also published as: JP4439645B2

Abstract

(57)【要約】【課題】順方向電圧（Ｖｆ）を高くすることなく、ＬＥ
Ｄの駆動電流を発光部へ広く拡散させる透明導電膜をＬ
ＥＤの半導体層上に形成することができ、かつＬＥＤの
発光部からの発光を外部へ効率よく取り出すことができ
るＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを提供する。【解決手段】ＬＥＤの駆動電流を、台座電極から透明導
電膜を通ってオーミック電極へ流し、さらにコンタクト
層を通って半導体層の中の発光部に流す。半導体層に流
入したＬＥＤの駆動電流は、電流を拡散する効果を有す
る層、例えば上部クラッド層等により、オーミック電極
およびコンタクト層の周辺で広がって発光層に流れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光部の広い範囲
に駆動電流を広げるために改良された電極構造を具備す
る高輝度のリン化アルミニウム・ガリウム・インジウム
（ＡｌＧａＩｎＰ）発光ダイオードに関する。

【０００２】

【従来の技術】リン化アルミニウム・ガリウム・インジ
ウム混晶（（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ：０≦Ｘ≦１、
０＜Ｙ＜１）にあって、特にインジウム組成比（＝１−
Ｙ）を０．５とする（Ａｌ_XＧａ_1-X）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０
≦Ｘ≦１）は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）単結晶と良好
な格子整合性を果たせる利点がある。このため、（Ａｌ
_XＧａ_1-X）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０≦Ｘ≦１）は、例えば赤橙
色の光を出射する発光ダイオード（ＬＥＤ）或いはレー
ザーダイオード（ＬＤ）の発光部等を構成するのに利用
されている。このＬＥＤないしＬＤの発光部は、キャリ
アの「閉じ込め」効果を利用して高輝度の発光を獲得す
るために、（Ａｌ_XＧａ_1-X）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０≦Ｘ≦
１）からなる発光層と、該発光層より禁止帯幅（バンド
ギャップエネルギー）が大きく該発光層を挟持するそれ
ぞれｐ形とｎ形の上下クラッド層とから構成されるｐｎ
接合型のダブルヘテロ（ＤＨ）構造からなるのが通例で
ある。

【０００３】ＡｌＧａＩｎＰからなるＤＨ構造の発光部
を有するＬＥＤでは、発光を外部へ取り出す主な方向に
あたるＤＨ構造発光部の上方に、導電透光酸化層（透明
導電膜）を形成する技術が知られている。導電透光酸化
層は、発光層からの発光を充分に透過できる必要があ
り、またＬＥＤの駆動電流を発光部へ広く拡散させる電
流拡散の役目を担うため、禁止帯幅が大きく透明で且つ
低抵抗の導電性を有する金属酸化物等の材料から構成す
る必要がある。例えば、特開平１１−１７２２０には、
ＤＨ構造の発光部を含む半導体層の上に砒化ガリウム
（ＧａＡｓ）からなるコンタクト層を設け、該コンタク
ト層上に酸化インジウム・錫（ＩＴＯ）からなる導電透
光酸化層を設けたＡｌＧａＩｎＰＬＥＤが記載されてい
る。このＡｌＧａＩｎＰＬＥＤでは、ＧａＡｓからなる
コンタクト層は、ＬＥＤの半導体層の表面の台座電極の
射影領域（すなわち半導体層の表面の平面的に見て台座
電極と重なる領域）以外の領域、つまり半導体層の表面
の発光を外部へ取出せる領域（開放発光領域）に一様に
万遍なく敷設される構成となっている。さらに、このＬ
ＥＤでは、コンタクト層上に重ねて導電透光酸化層が形
成されている。そしてこのＡｌＧａＩｎＰＬＥＤでは、
ＬＥＤの駆動電流は台座電極から導電透光酸化層を通っ
てコンタクト層さらに半導体層に流れ、ＬＥＤの発光部
を発光させるようになっており、発光部の発光は、コン
タクト層と導電透光酸化層を介してＬＥＤの外部に取り
出されるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来技
術に開示されるＡｌＧａＩｎＰＬＥＤでは、コンタクト
層をなすＧａＡｓの禁止帯幅がＡｌＧａＩｎＰからなる
発光層から放射される発光のエネルギーより小さく、ま
たＧａＡｓからなるコンタクト層が開放発光領域の全域
に敷設されているために、発光のかなりの部分がコンタ
クト層に吸収されてしまい、ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの高
輝度化を果たせないという問題があった。

【０００５】また、導電透光酸化層（透明導電膜）を形
成しないでコンタクト層上に直接オーミック接触を得ら
れる金属電極を形成したときのＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの
順方向電圧（Ｖｆ：但し順方向電流が２０ｍＡのときの
値）は、一般に約２Ｖ程度である。しかし、ＧａＡｓか
らなるコンタクト層上にＩＴＯからなる透明導電膜を直
接形成した上記のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤのＶｆ（順方向
電圧＝２０ｍＡ）は、５Ｖを越える場合もある。すなわ
ち、透明導電膜をコンタクト層の表面に直接接合させる
従来のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤでは、Ｖｆが低いＡｌＧａ
ＩｎＰＬＥＤを作製することができないという問題があ
った。

【０００６】本発明は、上記の従来のＡｌＧａＩｎＰＬ
ＥＤの問題点を解決し、高輝度のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ
を提供することを目的とする。すなわち本発明は、
（イ）順方向電圧（Ｖｆ）を高くすることなく、ＬＥＤ
の駆動電流を発光部へ広く拡散させる透明導電膜をＬＥ
Ｄの半導体層上に形成することができ、かつ（ロ）ＬＥ
Ｄの発光部からの発光を外部へ効率よく取り出すことが
できるＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの電極の構造を明らかに
し、もって高輝度のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを提供するも
のである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、裏面に第１の
電極が形成された第１導電型の砒化ガリウム（ＧａＡ
ｓ）単結晶からなる基板と、該基板上に積層されたリン
化アルミニウム・ガリウム・インジウム（ＡｌＧａＩｎ
Ｐ）からなる発光部を含む半導体層と、該半導体層の表
面の一部に設けられた第２導電型のコンタクト層と、該
コンタクト層上に形成された金属被膜からなるオーミッ
ク電極と、前記半導体層、コンタクト層およびオーミッ
ク電極を覆って形成された透明導電膜と、該透明導電膜
の表面の一部に形成された台座電極とを少なくとも具備
するＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードである。

【０００８】特に本発明は、前記コンタクト層の平面形
状と、前記オーミック電極の平面形状とが実質的に同一
であることを特徴とする。

【０００９】本発明では、前記コンタクト層は、砒化ア
ルミニウム・ガリウム（Ａｌ_ZＧａ_1-ZＡｓ：０≦Ｚ≦
１）とすることができる。また本発明では、前記コンタ
クト層は、ＡｌＧａＩｎＰとすることができる。

【００１０】特に本発明では、前記コンタクト層および
オーミック電極が、前記半導体層の表面の前記台座電極
の射影領域には設けられていないことが望ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係わるＡｌＧａ
ＩｎＰＬＥＤの平面構造を示す模式図である。また図２
は、図１に示すＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの破線Ｘ−Ｙに沿
った断面構造を示す模式図である。図１、２を用いて本
発明を説明する。

【００１２】図１、２に示すＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ１０
は、裏面に第１の電極１１２が形成された第１導電型の
砒化ガリウム（ＧａＡｓ）単結晶からなる基板１０１
と、該基板１０１上に積層されたリン化アルミニウム・
ガリウム・インジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）からなる発光
部１０Ｂを含む半導体層１０Ａと、該半導体層１０Ａの
表面の一部に設けられた第２導電型のコンタクト層１０
７と、該コンタクト層１０７上に形成された金属被膜か
らなるオーミック電極１０８と、前記半導体層１０Ａ、
コンタクト層１０７およびオーミック電極１０８を覆っ
て形成された透明導電膜１１０と、該透明導電膜の表面
の一部に形成された台座電極１１１とを具備するＡｌＧ
ａＩｎＰ発光ダイオードである。すなわち、図１、２に
示すＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ１０は、請求項１に記載の構
成を有するＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードである。

【００１３】上記のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ１０は、以下
の手順により作製することができる。（１）第１導電型（ｎ形或いはｐ形）のＧａＡｓ単結晶
基板１０１上に、ＧａＡｓからなる緩衝層１０２、Ｇａ
ＡｌＡｓからなるブラッグ反射層（ＤＢＲ層）１０３お
よびそれぞれＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層１
０４、発光層１０５、上部クラッド層１０６を積層す
る。さらに上部クラッド層１０６の上には第２導電型
（ｐ形或いはｎ形）のＧａＡｓからコンタクト層１０７
を形成する。これらの層１０２〜１０７は、有機金属化
学気相堆積法（ＭＯＣＶＤ法）により積層する。なお、
上記のＬＥＤ１０の発光部１０Ｂは、それぞれＡｌＧａ
ＩｎＰからなる下部クラッド層１０４、発光層１０５お
よび上部クラッド層１０６からなる。また本明細書で
は、上記の基板１０１上に積層された層のうち、コンタ
クト層１０７を除いた層、すなわち層１０２〜１０６を
あわせて半導体層１０Ａと呼ぶ。また、上記の上部クラ
ッド層１０６は、ＬＥＤの駆動電流を横方向に拡散させ
て広げる効果を有する。（２）次に、第２導電型のコンタクト層１０７の表面上
に、ＧａＡｓとオーミック接触を形成する金属からなる
金属被膜を真空蒸着法等により被着させる。（３）次に、周知のフォトリソグラフィー（写真食刻）
技術およびエッチング技術を施して、コンタクト層１０
７の表面の一部の所望の位置に金属被膜を残存させる。
この金属被膜が合金化のための熱処理によりオーミック
電極１０８となる。（４）続けて、上記金属被膜を残存させた位置のコンタ
クト層１０７を除く、それ以外の部分のコンタクト層１
０７をエッチングで除去する。これにより、半導体層１
０Ａの表面の一部の所望の位置に、金属被膜が表面に載
ったコンタクト層１０７が形成される。（５）次に、導電性の金属酸化物からなる透明導電膜１
１０を、前記半導体層１０Ａの表面およびコンタクト層
１０７、金属被膜（すなわちオーミック電極１０８）を
覆って形成する。（６）次に、透明導電膜１１０の表面の一部の所望の位
置に台座電極１１１を形成する。（７）また、ＧａＡｓ単結晶基板１０１の裏面には、第
１の電極１１２を形成する。ここで、第１の電極１１２
およびオーミック電極１０８は、合金化のための熱処理
によりそれぞれオーミック接触を形成する。以上のよう
にして、本発明のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ１０を作製でき
る。

【００１４】本発明のオーミック電極１０８は、半導体
層１０Ａの表面上の所定の位置に残置させたコンタクト
層１０７の表面に、コンタクト層１０７とオーミック接
触を形成する金属被膜を堆積させて作製する。オーミッ
ク電極１０８を構成するのに都合の良い金属には、コン
タクト層がｎ形のＡｌ_ZＧａ_1-ZＡｓ（０≦Ｚ≦１）或い
はｎ形の（Ａｌ_XＧａ_1-X）_CＩｎ_1-CＰ（０≦Ｘ≦１、０
≦Ｃ≦１）の場合、金（Ａｕ）や金・ゲルマニウム（Ａ
ｕ・Ｚｎ）、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）、金・インジウム
（Ａｕ・Ｉｎ）合金が挙げられる。また、コンタクト層
がｐ形のＡｌ_ZＧａ_1-ZＡｓ（０≦Ｚ≦１）やＧａ_0.51Ｉ
ｎ_0. ₄₉Ｐまたは（Ａｌ_XＧａ_1-X）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐの場合、
金・亜鉛（Ａｕ・Ｚｎ）や金・ベリリウム（Ａｕ・Ｂ
ｅ）合金などがオーミック電極１０８の金属材料として
利用できる。また、オーミック電極１０８をなす金属被
膜は、一般的な真空蒸着法、高周波スパッタリング法、
化学的気相堆積（ＣＶＤ）法等の手段により形成でき
る。

【００１５】オーミック電極１０８を構成する金属被膜
の膜厚は、概ね１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とするのが
好都合である。金属被膜が極端に薄膜であると、金属被
膜が充分な連続膜とはならず、良好なオーミック接触の
特性を発揮するオーミック電極１０８が形成出来なくな
る。また、金属被膜の膜厚を極端に大とすると、オーミ
ック電極１０８とコンタクト層１０７とを覆って形成さ
れる透明導電膜１１０と半導体層１０Ａとの密着性が、
金属被膜の端部で悪くなる。従って、金属被膜すなわち
オーミック電極１０８の最適な層厚は、およそ１０〜５
００ｎｍである。

【００１６】また本発明では、半導体層１０Ａの表面上
に形成するコンタクト層１０７の平面形状と、該コンタ
クト層１０７上に形成するオーミック電極１０８の平面
形状とを、実質的に同一とするのが好ましい。例えば、
半導体層１０Ａの表面上に残置させるコンタクト層１０
７の平面形状が正方形であれば、その上に設置するオー
ミック電極１０８も正方形とする。円形のコンタクト層
１０７上には、実質的に同一の円形のオーミック電極１
０８を冠する。すなわち本発明では、オーミック電極１
０８は、半導体層１０Ａの表面上の一部に残置されたコ
ンタクト層１０７の表面の全面に敷設するようにするの
が好ましい。このようにすると、半導体層１０Ａの表面
上にコンタクト層およびオーミック電極をエッチングに
より残置させて形成する際、同一のマスキング材を使う
ことができるため、ＬＥＤの作製が容易となる利点があ
る。

【００１７】本発明では、コンタクト層１０７を砒化ア
ルミニウム・ガリウム（Ａｌ_ZＧａ_1-ZＡｓ：０≦Ｚ≦
１）から構成することができる。Ａｌ_ZＧａ_1-ZＡｓ（０
≦Ｚ≦１）は、ＬＥＤの発光部をなす（Ａｌ_XＧａ_1-X）
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐと良好な格子整合の関係にあるため、格子
不整合性に起因する結晶欠陥等の少ない結晶性に優れる
コンタクト層１０７が構成できる。ここでコンタクト層
１０７を構成するＡｌ_ZＧａ_1-ZＡｓ（０≦Ｚ≦１）層の
伝導形は、コンタクト層１０７の直下の例えば上部クラ
ッド層等の伝導形に一致させれば良い。例えば、ｎ形の
上部クラッド層の上にはｎ形のＡｌ_ZＧａ_1-ZＡｓ（０≦
Ｚ≦１）からなるコンタクト層を堆積する。また、本発
明においては、半導体層１０Ａの表面のコンタクト層１
０７が残置されている部分は、ＬＥＤの発光部１０Ｂか
らの発光が金属被膜からなるオーミック電極１０８によ
って遮蔽され、発光が外部に取り出せない領域である。
従って、発光層１０５からの発光を透過する高い禁止帯
幅を有する高いアルミニウム組成比（＝Ｚ）のＡｌ_ZＧ
ａ_1-ZＡｓからコンタクト層１０７を構成する必要はな
い。むしろ、接触抵抗が低くなるアルミニウム組成比
（＝Ｚ）が比較的小さいＡｌ _ZＧａ_1-ZＡｓから、コンタ
クト層１０７を構成するのが望ましい。コンタクト層１
０７を構成するＡｌ_ZＧａ_1-ZＡｓは、バンド構造が間接
遷移型とならないよう、少なくともアルミニウム組成比
（＝Ｚ）が０．４２よりも小とするのが適当である。特
にＺを０とした、即ちＧａＡｓ（禁止帯幅＝１．４３ｅ
Ｖ）からコンタクト層を構成するのが好適である。

【００１８】また本発明では、コンタクト層１０７をｎ
形或いはｐ形のＡｌＧａＩｎＰ（（Ａｌ_XＧａ_1-X）_CＩ
ｎ_1-CＰ：０≦Ｘ≦１、０≦Ｃ≦１）から構成すること
ができる。（Ａｌ_XＧａ_1-X）_CＩｎ_1-CＰは、インジウム
組成比（＝１−Ｃ）を制御することにより発光部を構成
する（Ａｌ_XＧａ_1-X）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐと良好な格子整合が
得られるため、結晶性に優れるコンタクト層１０７を構
成できる。コンタクト層１０７の（Ａｌ_XＧａ_1-X）_CＩ
ｎ_1-CＰの伝導形は、コンタクト層１０７の直下の例え
ば上部クラッド層等の伝導形と一致させればよい。コン
タクト層１０７は、発光層１０５からの発光に対して透
明である必要が無いため、コンタクト層１０７の禁止帯
幅は発光層１０５の禁止帯幅よりも小さくてもよく、従
ってコンタクト層１０７をなす（Ａｌ_XＧａ_1-X）_CＩｎ
_1-CＰのアルミニウム組成比（＝Ｘ）は、例えばＸ＝０
も許容される。上記のようにコンタクト層１０７をＡｌ
_ZＧａ_1-ZＡｓ或いは（Ａｌ_XＧａ_1-X）_CＩｎ_1-CＰのいず
れで構成する場合でも、コンタクト層１０７のキャリア
濃度としては１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以
下程度とするのが好ましい。また、導電型の制御のため
にコンタクト層に添加する不純物としては、ｐ型不純物
としてはＺｎやＭｇを、またｎ型不純物としてはＳｉや
Ｓｅを用いるのが好ましい。さらにコンタクト層の層厚
は、５０〜５００ｎｍとするのが望ましい。

【００１９】本発明ではＬＥＤの駆動電流が発光部の全
域に広がるように、コンタクト層１０７およびその上に
形成したオーミック電極１０８を、例えば半導体層１０
Ａの表面の開放発光領域に分配させて配置する。開放発
光領域とは、半導体層１０Ａの表面の平面的に見て台座
電極１１１と重ならない領域、つまり半導体層の表面の
台座電極１１１に遮蔽されずに発光を外部に取り出すこ
とが可能である領域を云う。コンタクト層１０７および
その上に形成したオーミック電極１０８を開放発光領域
の所望の領域に設けるには、例えば開放発光領域の所望
の領域にのみ金属被膜を冠するコンタクト層１０７を残
置させるようにフォトリソグラフィー技術によりパター
ニングを施し、湿式エッチング或いはプラズマ（ｐｌａ
ｓｍａ）エッチングにより加工を施せばよい。コンタク
ト層１０７およびオーミック電極１０８を開放発光領域
に分配して配置することにより、ＬＥＤの駆動電流がオ
ーミック電極１０８を通して開放発光領域の下の発光部
に広げられるため、外部への発光の取り出し効率を向上
させ、高輝度のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを得るに効果があ
る。

【００２０】さらに本発明では、コンタクト層１０７お
よびオーミック電極１０８が、半導体層１０Ａの表面の
台座電極１１１の射影領域には設けられていないことが
望ましい。ここで半導体層１０Ａの表面の台座電極１１
１の射影領域とは、半導体層の表面の平面的に見て台座
電極と重なる領域をいう。本発明のＬＥＤ１０では、Ｌ
ＥＤの駆動電流が台座電極１１１の直下にある発光部に
流れてそこで発光が起こっても、その発光は台座電極１
１１に遮蔽されて外部に取り出せない。従って、ＬＥＤ
の駆動電流をＬＥＤの外部に取り出せる発光に効率良く
変換するには、ＬＥＤの駆動電流は台座電極１１１の射
影領域以外の領域（すなわち開放発光領域）でのみ発光
部に流通するようにするのが望ましい。本発明では、コ
ンタクト層１０７が残置された領域を除く半導体層１０
Ａの表面においては、透明導電膜１１０と半導体層１０
Ａとが直接接触させる構造とする。この透明導電膜１１
０と半導体層１０Ａとの接触は、オーミック接触を形成
せず接触抵抗が高いため、透明導電膜１１０と半導体層
１０Ａとが直接接触する部分では、ＬＥＤの駆動電流の
流通が阻害される。従って、コンタクト層１０７および
オーミック電極１０８が、すべて半導体層１０Ａ表面の
台座電極１１１の射影領域以外の領域に設けられてい
て、台座電極１１１の射影領域には設けられていなけれ
ば、ＬＥＤの駆動電流が台座電極１１１の直下にある発
光部に流れることを阻止でき、駆動電流を台座電極１１
１の射影領域以外の領域のみで発光部に流通するように
できる。その結果、外部へ発光を効率よく取り出すこと
ができるＬＥＤを作製することができる。

【００２１】本発明では、透明導電膜１１０は発光に対
して透明である必要があるため、透明導電膜１１０は、
発光波長に対応するエネルギーより大きい禁止帯幅を有
する金属酸化物材料から構成するのが好ましい。特に本
発明のＬＥＤではＡｌＧａＩｎＰを発光部とするため、
透明導電膜１１０は禁止帯幅を３ｅＶ以上とする金属酸
化物材料から構成するのが望ましい。また、本発明の透
明導電膜１１０は発光を外部に透過すると共に、透明導
電膜１１０の表面に設ける台座電極１１１から供給され
るＬＥＤ駆動電流をオーミック電極１０８に都合良く導
通させる作用を担うものである。従って、透明導電膜１
１０は抵抗率の低い導電性の金属酸化物層から構成する
必要がある。本発明では、透明導電膜は、抵抗率を１×
１０^-3Ω・ｃｍ以下とする低抵抗率の導電性の金属酸化
物層から構成するのが好ましい。

【００２２】発光に対して透明であり、かつＬＥＤの駆
動電流を台座電極からオーミック電極まで導通する透明
導電膜１１０は、酸化インジウム・錫（ＩＴＯ）、酸化
インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、または酸化錫（ＳｎＯ₂）な
どから構成できる。例えば、抵抗率を５×１０^-4Ωｃｍ
以下とする多結晶のＩＴＯからは、好適な透明導電膜１
１０が形成できる。また、ガリウム（Ｇａ）またはイン
ジウム（Ｉｎ）等のＩＩＩ族元素を添加して抵抗率を２
〜３×１０^-4Ωｃｍ以下に低減した酸化亜鉛（ＺｎＯ）
から透明導電膜１１０を構成することもできる。ＩＴＯ
からなる透明導電膜１１０は、通常の高周波スパッタ
法、真空蒸着法等の物理的堆積法や化学的堆積（ＣＶ
Ｄ）法などにより作製できる。また、ターゲット材料の
表面にレーザ光を照射するレーザアブレーション法でも
形成できる。また、ＩＴＯの成分を含む懸濁液を塗布す
る手段によっても形成できる。また透明導電膜１１０の
抵抗率は、一般的なホール（Ｈａｌｌ）効果測定法によ
り計測できる。また、Ｈａｌｌ効果測定法に依れば、透
明導電膜のキャリア濃度や移動度も知ることができる。
透明導電膜１１０を構成する金属酸化物層の膜厚は、発
光波長に対し最大の透過率を与える層厚に設定するのが
好ましい。例えば、ＩＴＯから透明導電膜１１０を構成
した場合、発光波長を約６２０ｎｍとする発光を透過す
るのに好都合な膜厚は、ＩＴＯの組成に依る屈折率の変
動を考慮すると６００ｎｍ程度である。

【００２３】

【作用】本発明のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードでは、
ＬＥＤの駆動電流は、台座電極から透明導電膜を通って
オーミック電極へ流れ、さらにコンタクト層を通って半
導体層の中の発光部に流れる。ここで、半導体層に流入
したＬＥＤの駆動電流は、電流を拡散する効果を有する
層、例えば上部クラッド層やその他電流を拡散する目的
で特に設けられる層により、オーミック電極およびコン
タクト層の周辺で広がって発光層に流れる。すなわちＬ
ＥＤの駆動電流は、オーミック電極およびコンタクト層
を中心にその周辺で半導体層の発光部に広がって、ＬＥ
Ｄを発光させる。一方、本発明のＡｌＧａＩｎＰ発光ダ
イオードでは、透明導電膜と半導体層とが直接接合する
部分では、ＬＥＤの駆動電流の流通が阻害される。従っ
て本発明のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードでは、ＬＥＤ
の駆動電流が開放発光領域の下の発光部の全域に広がる
ように、コンタクト層およびその上に形成したオーミッ
ク電極を半導体層の表面に分配させて配置することによ
り、ＬＥＤの駆動電流を開放発光領域の下の発光部の全
域に広げ、ＬＥＤの開放発光領域の全面を発光させるこ
とができる。

【００２４】また、本発明のコンタクト層およびオーミ
ック電極は、発光部の発光に対して透明ではないが、コ
ンタクト層およびオーミック電極を残置する部分を半導
体層の表面の一部分とすることにより、半導体層表面の
コンタクト層およびオーミック電極のない領域から、透
明導電膜を介して発光部の発光をＬＥＤの外部に取り出
すことができる。本発明では、上部クラッド層にＬＥＤ
の駆動電流の電流拡散の作用を持たせても良い。また上
部クラッド層とコンタクト層の間に、ＬＥＤの駆動電流
の電流拡散の作用を有する電流拡散層を設けてもよい。

【００２５】

【実施例】（実施例１）以下、本発明を実施例を基に詳
細に説明する。図３は本実施例１に係わるＡｌＧａＩｎ
ＰＬＥＤ３０の平面構造を示す模式図である。また図４
は、図３に示すＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ３０の破線Ａ−
Ａ’に沿った断面構造を示す模式図である。

【００２６】ＬＥＤ３０を作製する際は、まず亜鉛（Ｚ
ｎ）ドープでｐ形の（００１）面を有するＧａＡｓ単結
晶基板３０１上に、順次Ｚｎドープのｐ形ＧａＡｓから
なる緩衝層３０２、Ｚｎドープのｐ形（Ａｌ_0.7Ｇ
ａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる下部クラッド層３０３、
アンドープのｎ形（Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐから
なる発光層３０４、Ｓｉドープのｎ形（Ａｌ_0.7Ｇ
ａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる上部クラッド層３０５及
びＳｉドープのｎ形ＧａＡｓからなるコンタクト層３０
６を積層し、エピタキシャルウェハを形成した。このＬ
ＥＤ３０の発光部は、それぞれＡｌＧａＩｎＰからなる
下部クラッド層３０３、発光層３０４および上部クラッ
ド層３０５からなる。また上記の基板３０１上に積層さ
れた層のうち、コンタクト層３０６を除いた層、すなわ
ち層３０２〜３０５をあわせて半導体層と呼ぶ。上記の
各層３０２〜３０６は、トリメチルアルミニウム（（Ｃ
Ｈ₃）₃Ａｌ）、トリメチルガリウム（（ＣＨ₃）₃Ｇａ）
およびトリメチルインジウム（（ＣＨ₃）₃Ｉｎ）をＩＩ
Ｉ族構成元素の原料とし、アルシン（ＡｓＨ₃）および
ホスフィン（ＰＨ₃）をＶ族構成元素の原料として、減
圧ＭＯＣＶＤ法により７３０℃で成長した。亜鉛（Ｚ
ｎ）のドーピング原料には、ジエチル亜鉛（（Ｃ₂Ｈ₅）
₂Ｚｎ）を利用した。又、珪素（Ｓｉ）のドーピング原
料には、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）を利用した。

【００２７】上記の緩衝層３０２のキャリア濃度は約２
×１０¹⁸ｃｍ^-3とし、層厚は約０．５μｍとした。下部
クラッド層３０３のキャリア濃度は約３×１０¹⁷ｃｍ^-3
とし、層厚は約１μｍとした。引き続き７３０℃で成膜
した発光層の３０４のキャリア濃度は約５×１０¹⁶ｃｍ
^-3とし、層厚は約０．３μｍとした。また、ｎ形上部ク
ラッド層３０５のキャリア濃度は約１×１０¹⁸ｃｍ^-3と
し、層厚は約３μｍとした。ｎ形コンタクト層３０６の
層厚は約１００ｎｍとし、キャリア濃度は約２×１０¹⁸
ｃｍ^-3とした。

【００２８】その後、上記の各層３０２〜３０６を積層
したエピタキシャルウェハの両面に電極を形成した。す
なわち、まず上記のエピタキシャルウェハのｎ形コンタ
クト層３０６の全面に一旦、一般的な真空蒸着法により
金（Ａｕ）・ゲルマニウム（Ｇｅ）合金（Ａｕ９３重量
％・Ｇｅ７重量％）からなる金属被膜を被着した。この
金属被膜の厚さは約１００ｎｍとした。次に、有機フォ
トレジスト材をマスキング材として用いる一般的なフォ
トリソグラフィー技術およびエッチング技術により、コ
ンタクト層３０６の表面の所望の位置に限り金属被膜を
残置させ、それ以外の金属被膜をエッチングで除去し
た。この金属被膜が合金化のための熱処理によりオーミ
ック電極３０７となる。本実施例１では、コンタクト層
上の金属被膜（すなわちオーミック電極３０７）を残置
させた位置は、図３に示すように、台座電極３１０の周
囲にＬＥＤ３０の４辺それぞれに沿って、互いに間隔Ｌ
を５０μｍとし等間隔に離して、計１２箇所とした。ま
た残置させた金属被膜の形状は、一辺を２０μｍとする
正方形とした。

【００２９】続けて、上記と同一のマスキング材を用い
て、フッ酸（ＨＦ）／過酸化水素（Ｈ ₂Ｏ₂）／純水（Ｈ
₂０）混合エッチング溶液により、金属被膜を残置させ
た領域以外にあるＧａＡｓコンタクト層をエッチングで
除去した。そして金属被膜を残置させてある位置に限り
コンタクト層３０６を残置させた。この結果、金属被膜
及びコンタクト層３０６の平面形状は実質的に同一の正
方形となった。

【００３０】その後、金属被膜、金属被膜を冠したコン
タクト層３０６及びコンタクト層３０６が残置する以外
の領域に於いて露出している上部クラッド層３０５の表
面を覆って、酸化インジウム・錫（ＩＴＯ）からなる透
明導電膜３０８を形成した。ＩＴＯからなる透明導電膜
３０８は、室温での比抵抗を約３×１０^-4Ω・ｃｍとす
るｎ形の層であり、その層厚は約６００ｎｍとした。マ
グネトロンスパッタリング法により成膜したＩＴＯは、
一般的なＸ線回折分析法に依れば、＜０００１＞方向
（Ｃ軸）方向に優先的に配向した多結晶層であった。

【００３１】次に、透明導電膜３０８上の全面に一般的
なフォトレジスト材料を塗布した後、台座電極３１０を
設けるべき領域を公知のフォトリソグラフィー技術を利
用してパターニングした。然る後、パターニングを施し
たレジスト材料を残置させたままで、レジスト材料の表
面の全面にチタン（Ｔｉ）を、続けて金（Ａｕ）を真空
蒸着した。その後、レジスト材料を剥離するに併せて、
台座電極３１０の形成予定領域外に在るＴｉ・Ａｕ被膜
を周知のリフト−オフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）手段を利用
して除去した。これより、直径を約１１０μｍとする円
形の台座電極３１０を透明導電膜３０８上に形成した。
その後、コンタクト層３０６上に残置した金属被膜を熱
処理によりオーミック電極３０７とした。

【００３２】一方、ｐ形ＧａＡｓ基板３０１の裏面の全
面には、金・亜鉛（Ａｕ９７重量％・Ｚｎ３重量％）合
金からなる被膜を被着させ、ｐ形の第１の電極３１１を
形成した。このＡｕ・Ｚｎ合金被膜は一般的な真空蒸着
法により形成し、その層厚は約１．５μｍとした。上記
のようにしてエピタキシャルウェハの両面に電極を形成
した後、一般的なダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）手段及び
スクライブ手段を併用して、エピタキシャルウェハを一
辺を約２５０μｍとする個別素子（チップ）に分割し
て、ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ３０を作製した。

【００３３】上記のようにして作製したＡｌＧａＩｎＰ
ＬＥＤ３０の台座電極３１０及びｐ形電極３１１間に、
順方向に２０ミリアンペア（ｍＡ）の電流を通流したと
ころ、赤橙色の発光が得られた。このＬＥＤのチップ状
態での発光強度は、約３２ミリカンデラ（ｍｃｄ）であ
り、分光器により測定された発光の中心波長は約６２０
ｎｍであった。また、発光スペクトルの半値幅（ＦＷＨ
Ｍ）は約２０ｎｍであり、単色性に優れる発光が得られ
た。また、順方向電流を２０ｍＡ流すときの順方向電圧
は約２．２ボルト（Ｖ）であった。このＬＥＤからの発
光は、上部クラッド層３０５の表面の開放発光領域の全
面から透明導電膜３０８を介してほぼ均一に観察され
た。

【００３４】（実施例２）本実施例２に係わるＡｌＧａ
ＩｎＰＬＥＤ４０の平面模式図を図５に示す。また、図
５に示すＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ４０の破線Ｂ−Ｂ’に沿
った断面模式図を図６に示す。

【００３５】ＬＥＤ４０を作製する際は、まず珪素（Ｓ
ｉ）ドープでｎ形の（００１）面を有するＧａＡｓ単結
晶基板４０１上に、順次Ｓｉドープでｎ形のＧａＡｓか
らなる緩衝層４０２、何れもＳｉをドーピングしたｎ形
のＡｌ_0.40Ｇａ_0.60Ａｓ層及びＡｌ_0.95Ｇａ_0.05Ａｓ層
を交互に１２周期積層させてなるブラッグ反射層４０
３、Ｓｉドープでｎ形の（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5
Ｐからなる下部クラッド層４０４、アンドープのｎ形の
（Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ混晶からなる発光層４
０５、マグネシウム（Ｍｇ）をドーピングしたｐ形の
（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0. ₅Ｉｎ_0.5Ｐからなる上部クラッド
層４０６及び亜鉛（Ｚｎ）ドープのｐ形Ｇａ_0. ₅Ｉｎ_0.5
Ｐからなるコンタクト層４０７を積層し、エピタキシャ
ルウェハを作製した。このＬＥＤ４０の発光部は、それ
ぞれＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４０４、発
光層４０５および上部クラッド層４０６からなる。また
上記の基板４０１上に積層された層のうち、コンタクト
層４０７を除いた層、すなわち層４０２〜４０６をあわ
せて半導体層と呼ぶ。該エピタキシャルウェハの各層４
０２〜４０７は、トリメチルアルミニウム（（ＣＨ₃）₃
Ａｌ）、トリメチルガリウム（（ＣＨ₃）₃Ｇａ）または
トリメチルインジウム（（ＣＨ₃）₃Ｉｎ）をＩＩＩ族構
成元素の原料とし、アルシン（ＡｓＨ₃）またはホスフ
ィン（ＰＨ₃）をＶ族構成元素の原料として、減圧ＭＯ
ＣＶＤ法により７３０℃で成膜した。また、珪素（Ｓ
ｉ）のドーピング原料には、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）を利
用した。マグネシウム（Ｍｇ）のドーピング原料にはビ
スシクロペンタジエニルマグネシウム（ｂｉｓ−（Ｃ₅
Ｈ₅）₂Ｍｇ）を利用した。亜鉛（Ｚｎ）のドーピング原
料には、ジエチル亜鉛（（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｚｎ）を利用し
た。

【００３６】上記の緩衝層４０２のキャリア濃度は約２
×１０¹⁸ｃｍ^-3とし、層厚は約１μｍとした。ブラッグ
反射層４０３を構成するＡｌ_0.40Ｇａ_0.60Ａｓ層及びＡ
ｌ_0.95Ｇａ_0.05Ａｓ層の層厚は双方共に約４０ｎｍと
し、キャリア濃度は約１×１０¹⁸ｃｍ^-3とした。下部ク
ラッド層４０４のキャリア濃度は約２×１０¹⁸ｃｍ^-3と
し、層厚は約３μｍとした。引き続き７３０℃で成膜し
た発光層の４０５のキャリア濃度は約８×１０¹⁶ｃｍ^-3
とし、層厚は約１５ｎｍとした。また、Ｍｇドープｐ形
上部クラッド層４０６のキャリア濃度は約１×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3とし、層厚は約３μｍとした。Ｚｎドープｐ形コン
タクト層４０７の層厚は約１００ｎｍとし、キャリア濃
度は約２×１０¹⁸ｃｍ^-3とした。

【００３７】その後、上記の各層４０２〜４０７を積層
したエピタキシャルウェハの両面に電極を形成した。す
なわち、まず上記のエピタキシャルウェハのｐ形コンタ
クト層４０７の全面に一旦、一般的な真空蒸着法により
金（Ａｕ）・亜鉛（Ｚｎ）合金（Ａｕ９７重量％・Ｚｎ
３重量％）からなる金属被膜を被着した。金属被膜の厚
さは約１００ｎｍとした。次に、有機フォトレジスト材
をマスキング材として用いる一般的なフォトリソグラフ
ィー技術およびエッチング技術により、コンタクト層４
０７の表面の所望の位置に限り金属被膜を残置させ、そ
れ以外の金属被膜をエッチングで除去した。この金属被
膜が合金化のための熱処理によりオーミック電極４０８
となる。本実施例２では、コンタクト層上の金属被膜
（すなわちオーミック電極４０８）を残置させた位置
は、図５に示すように、台座電極４１０の周囲に同心円
状に等間隔に離して計８箇所とした。また残置させた金
属被膜の形状は、直径を２０μｍとする円形とした。

【００３８】続けて、上記と同一のマスキング材を用い
て、塩酸（ＨＣｌ）エッチング液により、金属被膜を残
置させた領域以外にあるＧａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐコンタクト層
をエッチングして除去した。そして金属被膜を残置させ
てある位置に限りコンタクト層４０７を残置させた。こ
の結果、金属被膜及びコンタクト層４０７の平面形状は
実質的に同一の円形となった。

【００３９】その後、金属被膜、金属被膜を冠したコン
タクト層４０７及びコンタクト層４０７が残置する以外
の領域に於いて露出している上部クラッド層４０６の表
面を覆って、酸化インジウム・錫（ＩＴＯ）からなる透
明導電膜４０９を形成した。ＩＴＯからなる透明導電膜
４０９は、室温での比抵抗を約４×１０^-4Ω・ｃｍとす
るｎ形の層であり、その層厚は約６００ｎｍとした。マ
グネトロンスパッタリング法により成膜したＩＴＯは、
一般的なＸ線回折分析法に依れば、＜０００１＞方向
（Ｃ軸）方向に優先的に配向した多結晶層であった。

【００４０】次に、透明導電膜４０９上の全面に一般的
なフォトレジスト材料を塗布した後、台座電極４１０を
設けるべき領域を公知のフォトリソグラフィー技術を利
用してパターニングした。然る後、パターニングを施し
たレジスト材料を残置させたままで、レジスト材料の表
面の全面にチタン（Ｔｉ）を、続けて金（Ａｕ）を真空
蒸着した。その後、レジスト材料を剥離するに併せて、
台座電極４１０の形成予定領域外に在るＴｉ・Ａｕ被膜
を周知のリフト−オフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）手段を利用
して除去した。これより、直径を約１１０μｍとする円
形の台座電極４１０を透明導電膜４０９上に形成した。
その後、コンタクト層４０７上に残置した金属被膜を熱
処理によりオーミック電極４０８とした。

【００４１】一方、ｎ形ＧａＡｓ基板４０１の裏面の全
面には、金・ゲルマニウム（Ａｕ９５重量％・Ｇｅ５重
量％）合金からなる被膜を被着させ、ｎ形の第１の電極
４１１となした。このＡｕ・Ｇｅ合金被膜は一般的な真
空蒸着法により形成し、その層厚は約１．２μｍとし
た。上記のようにしてエピタキシャルウェハの両面に電
極を形成した後、一般的なダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）
手段及びスクライブ手段を併用して、エピタキシャルウ
ェハを一辺を約２５０μｍとする個別素子（チップ）に
分割して、ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ４０を作製した。

【００４２】上記のようにして作製したＡｌＧａＩｎＰ
ＬＥＤ４０の台座電極４１０及びｎ形電極４１１間に、
順方向に２０ミリアンペア（ｍＡ）の電流を通流したと
ころ、赤橙色の発光が得られた。このＬＥＤのチップ状
態での発光強度は、約７６ミリカンデラ（ｍｃｄ）であ
り、分光器により測定された発光の中心波長は約６２０
ｎｍであった。また、発光スペクトルの半値幅（ＦＷＨ
Ｍ）は約２０ｎｍであり、単色性に優れる発光が得られ
た。また、順方向電流を２０ｍＡ流すときの順方向電圧
は約２．１ボルト（Ｖ）であった。このＬＥＤからの発
光は、上部クラッド層４０６の表面の開放発光領域の全
面から透明導電膜４０９を介してほぼ均一に観察され
た。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、順方向電圧が低く且つ
高輝度のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤが提供できる。特にコン
タクト層およびオーミック電極を、半導体層表面の台座
電極の射影領域以外の開放発光領域に散在させて設ける
と、発光を外部に取り出すことが可能な開放発光領域の
下の発光部に優先的にＬＥＤの駆動電流を流通できるた
め、高輝度のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオ−ドが得られ
る。

【００４４】またコンタクト層およびオーミック電極
を、台座電極の周囲にＬＥＤの４辺それぞれに沿って等
間隔に配置したり、台座電極の周囲に同心円状に等間隔
に配置したりして、開放発光領域に互いに等間隔に分配
して配置すると、開放発光領域に均等にＬＥＤの動作電
流を分配でき、ＬＥＤ表面の発光強度分布の均一な高輝
度のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオ−ドが得られる。

【００４５】また本発明によれば、コンタクト層とオー
ミック電極の平面形状を実質的に同一としたので、半導
体層の表面上にコンタクト層およびオーミック電極をエ
ッチングにより形成する際、同一のマスキング材を使う
ことができるため、ＬＥＤの作製が容易となる利点があ
る。また本発明において、オーミック電極を設けるため
に開放発光領域に分配して配置するコンタクト層をｎ形
或いはｐ形のＡｌ_ZＧａ_1-ZＡｓ（０≦Ｚ≦１）から構成
すれば、接触抵抗の低いオーミック電極が形成でき、従
って、順方向電圧が低く安定したＡｌＧａＩｎＰ発光ダ
イオードが提供できる。また本発明において、オーミッ
ク電極を設けるためのコンタクト層をｎ形或いはｐ形の
（Ａｌ_XＧａ_1-X）_CＩｎ_1-CＰ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｃ≦
１）から構成すれば、接触抵抗の低いオーミック電極が
形成でき、従って、順方向電圧が低く安定したＡｌＧａ
ＩｎＰ発光ダイオードが提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わるＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの平面構
造を示す模式図である。

【図２】図１に示すＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの破線Ｘ−Ｙ
に沿った断面構造を示す模式図である。

【図３】本発明の本実施例１に係わるＡｌＧａＩｎＰＬ
ＥＤの平面構造を示す模式図である。

【図４】図３に示すＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの破線Ａ−
Ａ’に沿った断面構造を示す模式図である。

【図５】本発明の本実施例２に係わるＡｌＧａＩｎＰＬ
ＥＤの平面構造を示す模式図である。

【図６】図５に示すＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの破線Ｂ−
Ｂ’に沿った断面構造を示す模式図である。

【符号の説明】

１０ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ１０Ａ半導体層１０Ｂ発光部１０１ＧａＡｓ単結晶基板１０２緩衝層１０３ブラッグ反射層（ＤＢＲ層）１０４下部クラッド層１０５発光層１０６上部クラッド層１０７コンタクト層１０８オーミック電極１１０透明導電膜１１１台座電極１１２第１の電極３０ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ３０１ＧａＡｓ単結晶基板３０２緩衝層３０３下部クラッド層３０４発光層３０５上部クラッド層３０６コンタクト層３０７オーミック電極３０８透明導電膜３１０台座電極３１１第１の電極４０ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤ４０１ＧａＡｓ単結晶基板４０２緩衝層４０３ブラッグ反射層４０４下部クラッド層４０５発光層４０６上部クラッド層４０７コンタクト層４０８オーミック電極４０９透明導電膜４１０台座電極４１１第１の電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者松沢圭一埼玉県秩父市大字下影森1505番地昭和電工株式会社秩父工場内 (72)発明者宇田川隆埼玉県秩父市大字下影森1505番地昭和電工株式会社総合研究所秩父研究室内Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA21 CA34 CA35 CA36 CA65 CA74 CA82 CA85 CA88 CA91 CA98 CB15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】裏面に第１の電極が形成された第１導電型
の砒化ガリウム（ＧａＡｓ）単結晶からなる基板と、該
基板上に積層されたリン化アルミニウム・ガリウム・イ
ンジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）からなる発光部を含む半導
体層と、該半導体層の表面の一部に設けられた第２導電
型のコンタクト層と、該コンタクト層上に形成された金
属被膜からなるオーミック電極と、前記半導体層、コン
タクト層およびオーミック電極を覆って形成された透明
導電膜と、該透明導電膜の表面の一部に形成された台座
電極とを少なくとも具備するＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオ
ード。
【請求項２】前記コンタクト層の平面形状と、前記オー
ミック電極の平面形状とが実質的に同一であることを特
徴とする請求項１に記載のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオー
ド。
【請求項３】前記コンタクト層が、砒化アルミニウム・
ガリウム（Ａｌ_ZＧａ_1-ZＡｓ：０≦Ｚ≦１）からなるこ
とを特徴とする請求項１乃至２に記載のＡｌＧａＩｎＰ
発光ダイオード。
【請求項４】前記コンタクト層が、ＡｌＧａＩｎＰから
なることを特徴とする請求項１乃至２に記載のＡｌＧａ
ＩｎＰ発光ダイオード。
【請求項５】前記コンタクト層およびオーミック電極
が、前記半導体層の表面の前記台座電極の射影領域には
設けられていないことを特徴とする請求項１乃至４に記
載のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。