JPS59126655A - ノズル装置 - Google Patents

ノズル装置

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JPS59126655A
JPS59126655A JP78683A JP78683A JPS59126655A JP S59126655 A JPS59126655 A JP S59126655A JP 78683 A JP78683 A JP 78683A JP 78683 A JP78683 A JP 78683A JP S59126655 A JPS59126655 A JP S59126655A
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JP
Japan
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nozzle
plating
nozzles
stand
plating solution
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JP78683A
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JPH035667B2 (ja
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Kenji Yamamoto
健治 山本
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EEJA Ltd
Original Assignee
Electroplating Engineers of Japan Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ICリードフレームに対して金、銀等の貴
金属メッキに好適なノズル装置に関する。
従来のこの種のノズル装置としては、第1図及び第2図
に示すようなものがある。このノズル装置1は、押圧手
段2と共に噴射メッキ装置を構成しており、主に「スノ
ぐ一ジャ」と称されるメッキデツクス3と、上蓋兼用の
マスク板4と、アノード化自在な複数本のノズル5と及
び各ノズル5を保持するノズル台6とを備えている。マ
スク板4には複数のメッキ液噴射開ロアが設けられてお
り、ノズル5は夫々このメッキ液噴射開ロアの直下に位
置せしめられている。そして、マスク板4上にメッキ対
象物であるICリードフレーム8を、抑圧手段2を用い
て、当接させカソード化自在とすると共に、メッキ液噴
射開口5目掛けてノズル5よりメッキ液Pを噴射し、そ
こに露呈しているICIJ−)’フレーム8の半導体素
子マウント用の74271部9及びリードビン10へ貴
金属メッキを2−施すものとなっている。
ところで、ICリードフレーム8に対して貴金属メッキ
を施す場合、メッキの能率を高めて多数のICリードフ
レーム8に対して同時にメッキするようにしている。こ
のため、第2図に示す如く、多数本のノズル5が必要で
、これら多数のノズル5に対して効率良くアノードとし
ての軍、流を流すために上記ノズル台6は電導体製のも
の、即ちプレート状の金属板〔例えばTi〕が採用され
ており、このノズル台6上には複数列、複数本のノズル
5がナラ+11との螺合によシ立設・固定されている。
ノズル台6は、メッキゼツクス1内で複数枚連接されて
おシ、いわば複数本のノズル5を区画して複数のノズル
群(A) 、 (B) 、 (C)・・・全形成してい
る。
そして図示の例では各ノズル群囚、 (B) 、 (c
)・・・ごとに3列、12本のノズル5が各ノズル台6
上に設けである。ノズル5は、ナツト11との螺合調節
によりノズル台6上への突出高さhf調節自在としてお
り、ICリードフレーム8に対して均一なメッキ液噴射
を行なえるようにしている。尚、ノズル5から噴射され
たメッキ液Pは、ICリ−)’フレーム8へ衝突してメ
ツーキを施した後、ノズル台6上を流出しメッキゼツク
ス1に設けら−れている排出口12から速やかに回収さ
れろつ尚、電導体製の各ノズル台6はリート線、その他
(図示せず)で電源と接続されている。
ところで、最近は非破壊式メッキ厚さ計測における微小
部分厚さの精密測定の技術が向上し、ICリードフレー
ム8のリードビン10先端部における微小なボンディン
グ部分についてメッキ厚の測定が可能になってきた。そ
してその測定結果によれば、各ICリードフレーム8が
、マスク板4上へ載置された際の位置即ち複数列、複数
本のノズル5に対していbば個々のノズル5に対応した
位置での被メッキ物のメッキ厚さに微妙な差のあること
が判り各ノズルに対応する被メッキ物の位置、によって
異なるメッキ厚を有するものとなっていることが判明し
た。具体的には、実験値として最小的2.2〜最大約6
ミクロン〔メッキ厚のばらつき範囲約3.8ミクロン〕
が得られた。また1枚のノズル台6の長手方向〔矢示x
3向〕に沿って、1列のノズル5群について見ると、中
央部分が厚く、両端部分が薄くメッキされることが判明
した。
尚、上記実験値は、1枚のノズル台6上に5列12本(
合計60本)のノズル5を設けて行った場合のものであ
る。
このようにメッキ厚にばらつきが生じる原因について調
べたところ、噴出されたメッキIPが排出口12へ向け
てノズル台6上から流出して行く際に、ノズル台6上か
ら電流がメッキ液Pを通って流れ、各ノズル5に対して
電気的に干渉し合い、各ICリードフレームの各メッキ
ポジションのメッキ厚に不均衡が生じていることが判明
した。
このような、メッキ厚さのばらつきは、ノズル台6から
のノズル5の突出高さhを微調整〔換言すれはノズル5
とメッキ対象物であるI CIJ−ドフレーム8との距
離を変化させ、ノズル5とICリードフレーム8との対
峙状態を変える〕することによシ対処していた。
しかしながら、数百本のノズル5の全てを調節すること
は、非常に大変で、その作業は熟練と多大な手間を要す
るものであったう そこで、ノズル台6上へ積極的にメッキ液Pを溜めるよ
うにしたところ、メッキ厚のばらつきが減少するという
傾向が実験データとして見られた。
この発明は、上述の如き知見に基づいて為されたもので
、具体的には、メッキ液噴射用のノズルを複数本プレー
ト状のノズル台上に立設したノズル装置に於いて、 回収すべきメッキ液を上記ノズル台上に保液自在とし且
つノズル台又はノズルの肉食くとも電導体製のいずれか
をこのメッキ液に対して接触させる保液手段を設けるも
のとすることにょシ、メッキ厚のばらつきの小さなノズ
ル装置をa+供することを目的としている。
以下、この発明を図面に示す実施例に基づいて説明する
。尚、以下の説明罠於いては、従来と共通の部分につい
ては共通の符号を付して重複する説明は省略する。
第3図〜第5図は、この発明の千実施例を示す図である
。即ち図中20が「−保液手段」としての堰体で、各メ
ッキボックス3の側壁3aに係止させてあり、複数本の
ノズル5を区画して複数本のノズル群内〜(ト))を形
成しているノズル台6に対して、一対づつ対峙状態で配
設されている。メッキボックス3の側壁3aに対する堰
体20の増付けは、適宜の手段が採用できるが、図示の
例では、堰体20に長孔21を設けてアジヤス)Jルト
22で位置固定してあり、ノズル5と同様ノズル台6の
上面からの堰体20の突出高さHが調節自在となってい
る。尚、図示の例では、ノズル5の突出高さhが堰体2
0の突出高さHより高くなっているが、この逆であって
もよい。
ノズル5から噴射されてICリードフレーム8に衝突し
リードビン及びアイランド部9ヘメッキヲ施したメッキ
液Pは、堰体20によってノズル台ε上に適宜の深さd
で保液自在とされ、全ノズル5がこの保液されたメッキ
液Pに浸されて接触状態とされるものである。勿論、一
旦ノズル台6上では保液づれたメッキ液Pは、堰体20
のない部分、堰体20間の隙間等から排出口12へ流れ
(回収されるが、その量と全ノズル5からの噴射量とは
堰体20の突出高さHを調整することによって均衡を保
たれる。
そして、図示の実施例によれば、実験結果としてICリ
ードフレーム8のリードビン10先端におけるぎンデイ
ング部分で、メッキ厚が最小約3.5〜最大約5.5ミ
クロンとなり、そのばらつきは約2.0ミクロン〔従来
の例では約3.8ミクロン〕となった。
次に第6図及び第8図は、この発明の他の実施例を示す
図である。このfl−11では先の実施例の堰体20と
同様の第1堰体30に加えて、両端のノズル群(A) 
、 (E)の最外端部に設けられ対峙する一対の第2堰
体31が「保液手段」として設けられ、全ノズル5を略
囲繞している。この第2堰体31は、ノズル板6上から
排出口12に向けて流出し、回収されるメッキ液Pの液
量調節を、「オーツセーフロー」〔図中矢示F参照〕の
調節により行うためのものである。図示の例では、第1
堰体30の上端とこの第2堰体31の上端とは略同−高
さとしであるが、特にこの例に限定されない。尚、図示
せぬがこの第2堰体31も第1堰体30と同じく同様の
手段、例えば長孔21とアジャストセルト22を採用し
高さ調整自在にするものである。
そして、この実施例によれば、実験結果としてメッキ厚
が最小約4.0〜最大約4.9ミクロン、即ちばらつき
が0.9ミクロンと従来に比べて激減し、第1実施例に
比べても減少した。
尚、図示の例では、1枚のノズル台6上にある複数列の
ノズル5を一括して1つのノズル群としているが、1列
のノズル5を1つのノズル群としてもよく、複数のノズ
ル5をどのように区画するかは種々前えられ、いずれを
採用してもよく、図示の例の如くには限定されない。
第9図及び第10図は更に他の実施例を示す。
この実施例では、先のノズル群(A) 、 (B) 、
 (C)・・・に相当するものが1つづつのメッキボッ
クス3としてまとめられ、ノズル台6の前後側がメッキ
ボックス3の側壁3bに迄延設されその端面が閉じられ
ており、他の左右側に先の実施例の堰体20と同様の機
能を有する第3堰体40が長孔41とアジヤス)dシト
42を介し高さ調整自在に取付けられて左右側の端面を
全長に亘って閉じている。尚、長孔41は高さ調整とノ
ズル台6上での保液後のメッキ液の回収用の双方の機能
を果す。
図示の例では、W9図(ロ)で示すようにノズル5の突
出高さhより第3堰体40の突出高さH’の方が高くな
っておシ、ノズル5より噴射されたメッキ液Pはマスク
板4のメッキ液噴射開ロアに露呈さ゛れているICリー
ドフレーム8のメッキ対象部分に当ってそこにメッキを
施した後、ノズル台6上の、左右側の第3の両堰体40
とメッキボックス3の側壁3aとが四方向で区画する部
分に貯まり、保液状態を呈し、第3堰体40よりのオー
パフロー及び最終的には長孔41よりの流出にてメッキ
液は回収される。
メッキ液の「噴射」且つ「保液」の状態に於いて、ノズ
ル台6を各ノズル5に対するアノード電流を供給する電
導体だけでなく、アノード兼用のものとし各ノズル5か
らのアノード供給を補なうようにしてもよく、又、ノズ
ル台6は不導体製のものとし、その上面側に補助アノー
ド用の網、プレート等(図示せず)を載置しておき保液
中で機能させてもよい。
その他の構成、作用、効果については、先の実施例と略
同様につき図中共通部分を同じ符号で水子ものとし重複
説明は省略する。
尚、以上の説明に於いて、ノズル台6及びノズル5の双
方を電導体製(例えばTl  製)のものとしたが、こ
れに限定されず一方を不導体製のものとしてもよく、要
はノズル台6又はノズル5の肉食くとも電導体製にした
いずれかを保液状態のメッキ液に対して接触せしめれば
よい。
この発明に係るノズル装置は、以上説明して来た如きも
のなので、ICCリーフレームのアイランド部は勿論リ
ーPピン先端部分における微少なゼンデイング部分での
メッキ状態を均一化し、メッキ厚のばらつきを極力減少
させ、従来に比べて非常に良好な貴金属メッキができ、
このことがらI−Cの性能についても良好な結果を与え
るという多大な効果が期待され、貴金属メッキに限らず
、eラジウムメッキ、ニッケルメッキその他多数の部分
へ同時に部分メッキするいわゆる電解メツキ一般にとっ
て、均一なメッキ厚を保証できるという秀゛れた効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来のノズル装置の斜視説明図、第2図は第
1図のノズル装置を用いた噴射メッキ装置の部分断面図
、 第3図は、この発明の第1実施例を示す第1図相当の斜
視説明図、 第4図は、第3図の実施例を用いた噴射メッキ装置の第
2図相当の部分断面図、 第5図は、第3図に示す実施例の平面説明図、第6図は
、この発明の他の実施例を示す第5図相当の平面説明図
、 第7図は、一部破断した第6図の実施例の側面説明図、 第8図は、第6図の実施例を用いた噴射メッキ装置の第
2図相当の部分断面図、t←枇第10図は、第9フ1(
イ)、(ロ)に示す実施例の第1図相当の斜視説明図で
ある。 1  、、、 、、、 、、、 、、、 、、、 、、
、ノズル装置3  、、、 、、、 、、、 、、、 
、、、 、、、メッキゼックス5  、、、 、、、 
、、、 、、、 、、、 、、、ノズル6  、、、 
、、、 、、、 、、、 、、、 、、、ノズル台P 
 、、、 、、、 、、、1.、 、、、 、、、メッ
キ液A、B、C,D、E・・・ノズル群 h  、、、 、、、 、、、 、、、 、、、 、、
、ノズルの突出高さ20 ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・堰体〔保液手段〕H・・・・・・・・・・・
・・・・・・・堰体の突出高さd ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・メッキ液の保液深さ30・・・・・
・・・・・−・・・・・・・第1堰体〔保液手段〕31
 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・第2堰体〔保
液手段〕4o・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
3堰体〔保液手段〕H′ ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・第3堰体の突出高さ第5図 第7図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  メッキ液噴射用のノズルを複数本プレート状
    のノズル台上に立設したノズル装置に於いて、回収すべ
    きメッキ液を上記ノズル台上に保液自在とし且つノズル
    台又はノズルの肉食くとも電導体製のいずれかをこのメ
    ッキ液に対して接触させる保液手段を設けて成ることを
    特徴とするノズル装置。
  2. (2)  上記保液手段は、複数本のノズルを挾んで対
    峙し、ノズル台上に保液されるメッキ液の液面高さを調
    節自在とする少なくとも一対の堰体である特許請求の範
    囲第1項記載のノズル装置。
  3. (3)  上記堰体は、上記複数本のノズルを区画して
    形成した複数のノズル群に対して一対づつ配設されてい
    る特許請求の範囲第2項記載のノズル装置。
  4. (4)上記堰体は、上記複数本のノズルの周囲を略囲繞
    するものである特許請求の範囲第2項記載のノズル装置
  5. (5)上記堰体は、上記複数本のノズルの突出高さに相
    応して高さ調節自在とされている特許請求の範囲第2項
    乃至第4項のいずれかに記載のノズル装置。
JP78683A 1983-01-08 1983-01-08 ノズル装置 Granted JPS59126655A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112366164A (zh) * 2021-01-13 2021-02-12 四川富美达微电子有限公司 一种引线框架校平准直上料装置

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CN112366164A (zh) * 2021-01-13 2021-02-12 四川富美达微电子有限公司 一种引线框架校平准直上料装置

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