KR970003832A - 전기 도금법을 이용한 금속배선 방법 및 그 배선 장치 - Google Patents
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Abstract
신규한 반도체장치의 금속배선층 형성장치 및 그장치를 이용하여 대량의 웨이퍼를 가공할 수 있는 방법이 개시되어 있다.그 위에 절연막이 형성되어 있는 반도체 기판 상에 콘택홀이 형성될 부위를 정의한 다음, 알루미늄 금속을 전해 용액의전해질로 사용하고 절연막위에 콘택 패턴이 정의 되어 있는 반도체 기판을 한쪽 단자로, 이온화 경향이 큰 금속을 다른한쪽 단자로 사용한다. 상기 반도체 기판 단자와 상기 이온화 경향이 큰 금속 단자를 알루미늄이 용해되어 있는 전해용액에 담그고, 이 두 단자 사이에 직류 발생기나 펄스 발생기를 전기적으로 연결하고 전압을 가하여 반도체장치의 금속 배선층을 형성할 수 있는 반도체 장치의 금속 배선층 형성 장치 및 그 장치을 이용한 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 5 이상의 고 어스펙트 비를 갖는 금속 콘택에서도 사용할 수 있으며, 고집적에서도 텅스텐 대신에 알루미늄을 사용할 수 있는 반도체 장치의 배선방법을 얻을 수 있다. 또한 상기 장치와 방법을 이용하였을때 알루미늄 이온이 실리콘 기판으로 부터 증착되어 감으로 보이드(void)가 형성될 우려가 없고 다량의 웨이퍼를 동시에 대량 가공(process)할 수 있는커다란 잇점도 얻게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 반도체장치의 금속배선층 형성 장치의 제1실시예의 개략적 구조.
Claims (10)
- 절연막위에 콘택 패턴이 정의되어 있는 반도체기판 상에 전기 도금법을 이용한 금속배선층을 형성하는 장치에 있어서, 상기 절연막위에 콘택 패턴이 정의 되어 있는 반도체 기판을 한쪽 단자로, 이온화 경향이 큰 금속을 다른한쪽 전해 단자로 사용하고, 상기 반도체 기판 단자와 상기 이온화 경향이 큰 금속 전해 단자를 알루미늄이 용해되어 있는 전해용액에 담그고, 이 두 단자 사이에 직류 발생기나 펄스 발생기를 전기적으로 연결하여 반도체 장치의 금속배선층을 형성할 수 있는 반도체장치의 금속배선층 형성 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전해용액에 용해되어있는 전해질을 알루미늄 이온 대신에 반도체 장치의 금속 배선층으로 쓸 수 있고 전기 도금법으로 증착할 수 있는 알루미늄 이외의 금속을 전해 용액의 전해질로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선층 형성 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 이온화 경향이 큰 금속 전해 단자가 백금으로 구성된 것을 특징으로하는 반도체 장치의 금속 배선층 형성 장치.
- 반도체 기판위의 절연막 상에 콘택 패턴이 형성된 다수의 반도체 웨이퍼를 지지하여 일정 간격으로 띄우고웨이퍼 전체가 같은 극성을 갖도록 각 웨이퍼를 전기적으로 상호 연결하여 한 단자로 뽑아내며, 상기 전체 웨이퍼에서 뽑아낸 한단자를 직류 또는 펄스 발생기의 일측에 전기적으로 연결하고, 상기 일정 간격으로 띄어진 웨이퍼 전체에 모두 균일한 효과를 나타낼 수 있도록 위치된 이온화 경향이 큰 금속으로 구성된 전해 단자를 상기 직류 또는 펄스 발생기의 타측에 전기적으로 연결하여 회로구성을 완성하고, 상기 반도체 웨이퍼 전체와 금속 전해 단자를 알루미늄이 용해된 전해용액에 담근 배치로 다량의 웨이퍼를 동시에 가공하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선층 형성 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 전해용액에 용해되어있는 전해질을 알루미늄 이온 대신에 반도체 장치의 금속 배선층으로 쓸 수 있고 전기 도금법으로 증착할 수 있는 알루미늄 이외의 금속을 전해 용액의 전해질로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선층 형성 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 전해 단자는 이온화 경향이 큰 백금을 사용하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 금속배선층 형성 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 금속 전해 단자는 전체 웨이퍼에 수직한 위치에 넓은판으로 하부쪽에 배치하여 웨이퍼 전체에 균일한 효과를 나타낼 수 있는 반도체장치의 금속배선층 형성 장치.
- 절연막이 형성되어 있는 반도체기판 상에 전기 도금법을 이용한 금속배선층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 절연막에 콘택홀이 형성될 부위를 정의하는 단계; 상기 실리콘 기판을 전선을 통해 직류 혹은 펄스(Pulse) 발생기(generator)에 연결하고 알루미늄 이온이 용해된 전해용액에 담그는 단계; 상기 실리콘 기판 자체를 하나의 전극으로 하며 반대 전극으로서는 이온화 경향이 큰 백금(Pt)을 전해용액에 담그는 단계; 상기 실리콘 기판과 상기 백금단자에 전선으로 연결된 펄스 및 직류 발생기중 어느하나를 통해 전압을 가함으로서 전해액 속에 용해되어 있던 알루미늄 이온이 금속 콘택 부위에 증착되는 단계; 및 상기 결과물인 금속 콘택 채움과 금속막이 입혀진 반도체 기판을 금속배선이 형성되도록 패터닝 하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선층 형성방법.
- 제8항에 있어서, 상기 전해용액에 용해되어있는 전해질을 알루미늄 이온 대신에 반도체 장치의 금속 배선층으로 쓸 수 있고 전기 도금법으로 증착할 수 있는 알루미늄 이외의 금속을 전해 용액의 전해질로 사용하는 반도체 장치의 금속배선층 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 백금 전해단자대신에 이온화 경향이 큰 다른 금속 단자 중 어느 하나를 사용하여전해단자로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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