JPS59117161A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS59117161A JPS59117161A JP57230852A JP23085282A JPS59117161A JP S59117161 A JPS59117161 A JP S59117161A JP 57230852 A JP57230852 A JP 57230852A JP 23085282 A JP23085282 A JP 23085282A JP S59117161 A JPS59117161 A JP S59117161A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産条」二の利用か封
本兜明は特に屯市ζｊツリを可能ならしめる所謂カラー
センサとしてイ］ン１１．な光半梶体於ｎ−，に＋Ａｌ
’ｒる。
センサとしてイ］ン１１．な光半梶体於ｎ−，に＋Ａｌ
’ｒる。
（［７） １ノｒｉ 来 士支 ンΔ（１オプ
トエレクトロニクス並びＫず導体技術の発達に件ｌよい
６種のセンサか要求されでいる。
トエレクトロニクス並びＫず導体技術の発達に件ｌよい
６種のセンサか要求されでいる。
色誠別を口■ｎｗ ’よらしめるカラーセンサは人渦ヨ
ク）ｌ称せられる牛４１本ベレットにＨ１宮くのカン−
にのみ１峰光゛ｙへく光字的に入射光をカットするカラ
ーフィルタをその人射曲に配置せしめたものである。
ク）ｌ称せられる牛４１本ベレットにＨ１宮くのカン−
にのみ１峰光゛ｙへく光字的に入射光をカットするカラ
ーフィルタをその人射曲に配置せしめたものである。
より具体的しでは例えば元の三原色であるレッド（ｉ＜
）、クリーン（へ））、フル〜い）の光のみケ犬々Ｊδ
週せしめルｊＪラーフィルり全容１は元唄駅母（′（１
己Ｉイゼしの、［Ｆ］艙遣となっている。
）、クリーン（へ））、フル〜い）の光のみケ犬々Ｊδ
週せしめルｊＪラーフィルり全容１は元唄駅母（′（１
己Ｉイゼしの、［Ｆ］艙遣となっている。
＆ｌＪ チ、従来のカラー−センサにめっ−Ｃはカッ−
フィルタはイ・リン（な在社であり、コスト１ノゾの屓
因とｔよると％ｆ’こ、千）棒体ベレットの入側１釦ン
こ鵠を付ケることなく、−また入射光を散逸させること
がないよ″）にカラーフィルタを収着しはけｎばｌよら
ないために、作業ンこ熟練度が妥べされる等の欠点を刊
している。
フィルタはイ・リン（な在社であり、コスト１ノゾの屓
因とｔよると％ｆ’こ、千）棒体ベレットの入側１釦ン
こ鵠を付ケることなく、−また入射光を散逸させること
がないよ″）にカラーフィルタを収着しはけｎばｌよら
ないために、作業ンこ熟練度が妥べされる等の欠点を刊
している。
（ハ）発明の目的
木光明は祈る入点を解消すべく為されたものであって、
その目的は、人魚の原因どｔよるカラーフィルりｒ持た
ずしてカラーセンサとじ−Ｃ如ｊ作口」能ｌｉ元牛傅体
製直を提供ず２．ことをである。
その目的は、人魚の原因どｔよるカラーフィルりｒ持た
ずしてカラーセンサとじ−Ｃ如ｊ作口」能ｌｉ元牛傅体
製直を提供ず２．ことをである。
に）発明の傅１戊
本晃明光牛躊体３ＡＩＧｉ、は、同−組１戊のｔ］帽滉
非晶質半尋体を含み？ｉ故の感光須坂ケ形吠する光γ占
性盾と、該う゛Ｃ韻汀ｊ１昏を綬、んで各ｈ６光饋城旬
：に対向配置されンＣ男１・′悟３２の′屯他ｊ沿と、
を備え、上ｆｉ己光粘住層り映ノν、（ｒ、ｒ、その感
光饋職毎Ｃζ相異する愼ｊ戊にりる。
非晶質半尋体を含み？ｉ故の感光須坂ケ形吠する光γ占
性盾と、該う゛Ｃ韻汀ｊ１昏を綬、んで各ｈ６光饋城旬
：に対向配置されンＣ男１・′悟３２の′屯他ｊ沿と、
を備え、上ｆｉ己光粘住層り映ノν、（ｒ、ｒ、その感
光饋職毎Ｃζ相異する愼ｊ戊にりる。
（］９ 矢 弛 ６Ｊ
・、４）１１メｉｃ′よ不発り］光牛慢体云１１◇′）
−去施例笛示し、ｔｉｌｔゴ刀ラス 冊１？＋？’χフ
′ラスケーツノ舒の庖）゛Ｃ性ｆ館縁示板、（２Ｊ＜
）Ｃ２Ｇ）（２Ｂ’）はし絶縁糸板ｉｌｌ ｋ支持体■
びｉＣ休体俸として一方の玉出ｊに被着されブじの二犀
色Ｒｅ Ｇ ＊ ｉ５の波長に１み光のビークＤ・大々
０荘する第１・第２・第６の感光領域で、ｒｉ＋’＋
ｉｔ顔元姐域（２ｋ）（２に）１２Ｂ）は光入射面のη
１へ縁基伏ｔｌ）側〃・ら、酸化スズ５ｎ０２−酸化イ
ンシソムスズ１ ｎ２ （、、ｌ ３−５ ｎ Ｏ２等
の谷頭域毎に分割された第１題＆層（３Ｎ）（５（ｊン
（３Ｂ回っで１′Ｉ・々Ｖし敵小する膜上の非晶負半ｊ
４ｆ坏から成る光活性ｔｃｖｔｕと、各唄域毎にｔ〕１
グ（」１５れ妬１屯械層（５ｔ＜）（５Ｕ ）（５Ｂ
） と共Ｖご上り己２占・１生ｍｌ＜ｌを挾んで対向
するアルミニウム、金、銀、チタン等の金属から収る第
２電極層（５ＲＪ（５Ｇ）（５Ｂ）と、が順次積層され
た構造にある。
−去施例笛示し、ｔｉｌｔゴ刀ラス 冊１？＋？’χフ
′ラスケーツノ舒の庖）゛Ｃ性ｆ館縁示板、（２Ｊ＜
）Ｃ２Ｇ）（２Ｂ’）はし絶縁糸板ｉｌｌ ｋ支持体■
びｉＣ休体俸として一方の玉出ｊに被着されブじの二犀
色Ｒｅ Ｇ ＊ ｉ５の波長に１み光のビークＤ・大々
０荘する第１・第２・第６の感光領域で、ｒｉ＋’＋
ｉｔ顔元姐域（２ｋ）（２に）１２Ｂ）は光入射面のη
１へ縁基伏ｔｌ）側〃・ら、酸化スズ５ｎ０２−酸化イ
ンシソムスズ１ ｎ２ （、、ｌ ３−５ ｎ Ｏ２等
の谷頭域毎に分割された第１題＆層（３Ｎ）（５（ｊン
（３Ｂ回っで１′Ｉ・々Ｖし敵小する膜上の非晶負半ｊ
４ｆ坏から成る光活性ｔｃｖｔｕと、各唄域毎にｔ〕１
グ（」１５れ妬１屯械層（５ｔ＜）（５Ｕ ）（５Ｂ
） と共Ｖご上り己２占・１生ｍｌ＜ｌを挾んで対向
するアルミニウム、金、銀、チタン等の金属から収る第
２電極層（５ＲＪ（５Ｇ）（５Ｂ）と、が順次積層され
た構造にある。
第２図は光活性層（４）の膜厚と分光感度波長とのしＩ
ｄ係を実験的に求めたものである。実験に供せられた光
半塀体ν随の柄本構造は第６図に示す如く、ガラス製絶
縁泳扱（１）上に、５ｎ（Ｊ２の第１′屯極層（３）、
Ｐ型層（４Ｐ）、■型層（４Ｉ）及びＮｐ層（４Ｎ）を
有するＰＩＮ接合型の光活性層（４）、そしてアルミニ
ウムの第２′屯権層（６）を積層したものである。上ｇ
已Ｐ Ｉ Ｎ接合型の光活性層（４）は周知のプラズマ
反応により形成され、Ｐ型層（４Ｐ）が非晶質シリコン
カーバイド（ａ−８ｉ ｏ、６Ｃｏ、４）、ｌ ７Ｉｌ
＋７層（４１）ｘＪｆ＜びにＮ型層（４Ｎ）が非晶質シ
リコン（ａ−５ｉ）の＃１戚を挿ち、Ｐ型層（４Ｐ）並
びにＮ型層（４Ｎ）の夫々にはＰ型Ｎ型の各ドーパント
が微量に含捷れており、その膜厚はＰ型層（４Ｐ）を２
０ＯＡ、Ｎｐ層（４Ｎ）を、４００ Ａと一定どじ、光
活性層（４）としでｈ４も里要ｆ、ｇ ｌ ｉＪ層（４
Ｉ）の膜厚のみ、試料（ａ）’ｉ １０００ＯＡ、１ｒ
ｉＪ （ｂ７をＥｉ Ｏ［１０Ａ、１０）（Ｃ）を３０
１］ＯＸ、 と町父長とし／と。
ｄ係を実験的に求めたものである。実験に供せられた光
半塀体ν随の柄本構造は第６図に示す如く、ガラス製絶
縁泳扱（１）上に、５ｎ（Ｊ２の第１′屯極層（３）、
Ｐ型層（４Ｐ）、■型層（４Ｉ）及びＮｐ層（４Ｎ）を
有するＰＩＮ接合型の光活性層（４）、そしてアルミニ
ウムの第２′屯権層（６）を積層したものである。上ｇ
已Ｐ Ｉ Ｎ接合型の光活性層（４）は周知のプラズマ
反応により形成され、Ｐ型層（４Ｐ）が非晶質シリコン
カーバイド（ａ−８ｉ ｏ、６Ｃｏ、４）、ｌ ７Ｉｌ
＋７層（４１）ｘＪｆ＜びにＮ型層（４Ｎ）が非晶質シ
リコン（ａ−５ｉ）の＃１戚を挿ち、Ｐ型層（４Ｐ）並
びにＮ型層（４Ｎ）の夫々にはＰ型Ｎ型の各ドーパント
が微量に含捷れており、その膜厚はＰ型層（４Ｐ）を２
０ＯＡ、Ｎｐ層（４Ｎ）を、４００ Ａと一定どじ、光
活性層（４）としでｈ４も里要ｆ、ｇ ｌ ｉＪ層（４
Ｉ）の膜厚のみ、試料（ａ）’ｉ １０００ＯＡ、１ｒ
ｉＪ （ｂ７をＥｉ Ｏ［１０Ａ、１０）（Ｃ）を３０
１］ＯＸ、 と町父長とし／と。
この実屹９１から捜ｊらかな如く、非ａ白ｙ支シリコン
を主体と１−る光活性７ｄ１４１の分光感度波長はその
膜厚ｅζ依存することが判り１し、上述の如き試料（ｂ
）は約５４０ ｎ ｒｎにそのムリＣの中心が右゛仁Ｌ
１従ってグリーン（（１）のカラーを担当する。−万試
Ｐ＋・（ＨＩ）は約６００ｎｒｎＫｉＱ光の中心が仔在
し上記試料（ｂ）より長波長１ｉｔｌｌ Ｐ（於いて高
感度ｒ封するために橙乃至はレッド沢）の；フラーを１
１１肖する。１同様に１℃料ＣＣＪの感光の中心は約４
６０ｎｍに存在し試ｒＨｃ＞より短波長側のグルーい）
乃至は木のカラーを担当する。尚、第２図中、斡）６）
の）け献ｔ１・（的乃至（Ｃ）の担当波長’＋ｊｆ域金
示す。
を主体と１−る光活性７ｄ１４１の分光感度波長はその
膜厚ｅζ依存することが判り１し、上述の如き試料（ｂ
）は約５４０ ｎ ｒｎにそのムリＣの中心が右゛仁Ｌ
１従ってグリーン（（１）のカラーを担当する。−万試
Ｐ＋・（ＨＩ）は約６００ｎｒｎＫｉＱ光の中心が仔在
し上記試料（ｂ）より長波長１ｉｔｌｌ Ｐ（於いて高
感度ｒ封するために橙乃至はレッド沢）の；フラーを１
１１肖する。１同様に１℃料ＣＣＪの感光の中心は約４
６０ｎｍに存在し試ｒＨｃ＞より短波長側のグルーい）
乃至は木のカラーを担当する。尚、第２図中、斡）６）
の）け献ｔ１・（的乃至（Ｃ）の担当波長’＋ｊｆ域金
示す。
ＨＨ＋ら、憾１１２］に汀ζした本発明γ嵐例於１１イ
どり、て、」−述のｉ！／ｉ、Ｉ ＜光Ａ’ｉ １！Ｅ
Ｊ齢１４ ｉをＰＩＮ接合型非晶質シリコンｒ主体と
すると共に、各感光領域（２Ｒ）（２Ｇ）（２Ｂ）に及
りるａ−８ｉｌ型ｈ→（４■）の中心１拉ｊ≠に１００
０Ｌ］Ａ、５ｏｏｏＸ、３０００Ａと順次減小せしめる
ことにより、第２図の如きＲ（ａｔ・Ｇ−ＢＶＣｒｄ３
ｒ光の中心か存在しカラーセンサとして動作日、Ｔ’能
な光半導体装置力・得られる。
どり、て、」−述のｉ！／ｉ、Ｉ ＜光Ａ’ｉ １！Ｅ
Ｊ齢１４ ｉをＰＩＮ接合型非晶質シリコンｒ主体と
すると共に、各感光領域（２Ｒ）（２Ｇ）（２Ｂ）に及
りるａ−８ｉｌ型ｈ→（４■）の中心１拉ｊ≠に１００
０Ｌ］Ａ、５ｏｏｏＸ、３０００Ａと順次減小せしめる
ことにより、第２図の如きＲ（ａｔ・Ｇ−ＢＶＣｒｄ３
ｒ光の中心か存在しカラーセンサとして動作日、Ｔ’能
な光半導体装置力・得られる。
尚、光活性層（４）の膜厚は第４図の如く第１図の実施
例とは巣なり各感光領域（２Ｒ）（２Ｇ）（２Ｂ）毎に
共通とし、全体的には段階状としても良い。
例とは巣なり各感光領域（２Ｒ）（２Ｇ）（２Ｂ）毎に
共通とし、全体的には段階状としても良い。
葦た、光活性Ｊ＠＋４）は分光感度波長がその膜厚に依
存する非晶買牛萼体を少くともその一部に含んでおれば
本発明の目的を遠吠することかでき、例えば微結晶との
混相若しくは多結晶との組合せでも良く、更にＰＩＮ接
合の如き光起電力を発生する接合形態を持たず導電率が
便化する光躊電効果を利用することも田゛能である。
存する非晶買牛萼体を少くともその一部に含んでおれば
本発明の目的を遠吠することかでき、例えば微結晶との
混相若しくは多結晶との組合せでも良く、更にＰＩＮ接
合の如き光起電力を発生する接合形態を持たず導電率が
便化する光躊電効果を利用することも田゛能である。
（へ）シＣす］の幼果
本発明は以上の説り」から明らかな卯＜、媛数の１６光
領域全杉我する光活性層の１戻厚はそのｊ鵠光１貝域毎
に相異するので、各々の感光領域はその（１”ｉ４厚に
応じた波長に感光のピークを何することによって、カラ
ーフィルタを持たずして＃Ｊａの色脈別を可能ならしめ
るカラーセン＋ｊを提供することができる。
領域全杉我する光活性層の１戻厚はそのｊ鵠光１貝域毎
に相異するので、各々の感光領域はその（１”ｉ４厚に
応じた波長に感光のピークを何することによって、カラ
ーフィルタを持たずして＃Ｊａの色脈別を可能ならしめ
るカラーセン＋ｊを提供することができる。
４・ 凶１１１ （１）囲４１７よ祝す］第１凶は本発
すＪ光牛得坏装置の一天施例断向図、第２凶はか光悉度
の涙厚依仔性を仄験的に求めたＡ’ｉｊ尿忙示す稲性図
、第６図はその天験に供せられた試料の断１角図、弔４
図は本発明の他の実施例〜１１川囚で、（２Ｒ）（２Ｇ
）（２Ｂ）ｆｄ感感光職域（６Ｉ＜ ）＜５Ｇ）＜ ３
Ｂ）は第１′市極、（４）ぼ元粘性層、（５Ｒ）（５Ｇ
）（５Ｂ）は第２軍４Ｉｆを大々不している。
すＪ光牛得坏装置の一天施例断向図、第２凶はか光悉度
の涙厚依仔性を仄験的に求めたＡ’ｉｊ尿忙示す稲性図
、第６図はその天験に供せられた試料の断１角図、弔４
図は本発明の他の実施例〜１１川囚で、（２Ｒ）（２Ｇ
）（２Ｂ）ｆｄ感感光職域（６Ｉ＜ ）＜５Ｇ）＜ ３
Ｂ）は第１′市極、（４）ぼ元粘性層、（５Ｒ）（５Ｇ
）（５Ｂ）は第２軍４Ｉｆを大々不している。
第１図
どＲ
第２図
？麦 −＆ （ｙｔｍ）
一図
！
図
Claims (1)
- （１）向−組１祝の膜伏非晶質半博体と茜み復改のＡル
ソＣ唄域をＩし戚する尤活性臓と、１核光活性層を挟ん
で各１市九＝ル、毎に対向配置された第１・弔２のＩＬ
轍、１・島とをＩｎえ、１，９己丸ｉ占性ノ内の膜ｊ緊
（まぞの１市尤領域ツー５に４１ｊ異することを特徴と
した光半寺体、に置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57230852A JPS59117161A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57230852A JPS59117161A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117161A true JPS59117161A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16914299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57230852A Pending JPS59117161A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117161A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628648U (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-19 | ||
| JP2014130982A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-07-10 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736877A (en) * | 1980-08-15 | 1982-02-27 | Canon Inc | Solid state color photosensor |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP57230852A patent/JPS59117161A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736877A (en) * | 1980-08-15 | 1982-02-27 | Canon Inc | Solid state color photosensor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628648U (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-19 | ||
| JP2014130982A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-07-10 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
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