JPS5911674A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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Publication number
JPS5911674A
JPS5911674A JP57120901A JP12090182A JPS5911674A JP S5911674 A JPS5911674 A JP S5911674A JP 57120901 A JP57120901 A JP 57120901A JP 12090182 A JP12090182 A JP 12090182A JP S5911674 A JPS5911674 A JP S5911674A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
horizontal
shift register
transfer
horizontal shift
shift registers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57120901A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Uehira
植平 和生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57120901A priority Critical patent/JPS5911674A/ja
Publication of JPS5911674A publication Critical patent/JPS5911674A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation

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  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電荷結合素子を用いた固体撮像装置に廣1する
電荷結合素子は1970年にベルを話研究所で発明され
て以来撮像デバイス、遅延線等に応用され目ざましく発
展して来た。近年家庭用ビデオテープレコーダ(VTR
)の普及とともに家庭用ビデオカメラの撮像装置として
2次元電荷転送装置に大きな期待が寄せられている。
第1図は従来のインターライン方式の2次元固体撮像装
置の構成図である。第1図において、1は半導体基板の
一主面にマトリックス状に形成された多数の感光部例え
ばフォトダイオードであり、2はフォトダイオード1で
発生した信号電荷を垂直シフトレジスタ3への読出しを
制御する転送ゲートであり垂直に並んだ垂直シフトレジ
スタ3の終端には信号電荷を並列に読み出す水平シフト
レジスタ4が設けられており、水平シフトレジスタ4の
終端には信号電荷検出回路5が設けられている。この2
次元電荷転送装置の動作は次の様に行なわれる。各フォ
トダイオード1は照射パターンに応じて発生した信号電
荷を蓄積し1フイ一ルド期間後の垂直ブランキングの期
間中に転送ゲート2が開き対応する垂直シフトレジスタ
3に信号電荷を転送する。信号電荷が垂直シフトレジス
タ3に転送された後転送ゲート2は閉じ、フォトダイオ
ード1は次のフィールドの信号電荷を蓄積する。
垂直シフトレジスタ3に転送された信号電荷は水平ライ
ン毎に水平シフトレジスタ4に転送され次のラインの信
号が来るまでに水平シフトレジスタ4から信号電荷検出
回路5に転送され直列化された信号出力として、信号電
荷検出回路5から取出される。画伯シフトレジスタ3へ
転送された信号電荷が読み出された稜転送ゲート2が開
き同様な動作が繰返される。
電荷結合素子を用いた固体撮像装置の重要な特性の1つ
に転送効率がある。これは電荷がある電極下から隣の電
極下へどれたけ移動しているかを表わしだものである。
ある電極下から隣のt極上への電荷の転送は瞬間には起
こらないし又完全でもない。この転送による劣化は転送
を行なうための動作速度や転送回数に何らかの制限をあ
たえる。
全体の転送効率は1回の転送する効率に転送回数をかけ
たものとして表わされる。1回の転送する効率が一定で
あるならば全体の転送効率は転送回数が増加するととも
に線形的に増加する。撮像装置としては出力から一番遠
い位置にある電荷が転送されて来た時どの程度であるか
が問題になる。
従って固体撮像装置の解像度を上げるために絵素数を上
げた様な場合には転送回数が増える事になり転送効率の
劣化につながる。転送効率が悪いと撮像した画面は水平
が悪い場合には左右に垂直が悪い場合には上下に流れ撮
像画質は著しく悪くなる。垂直転送と水平転送を比べる
と水平に転送する動作速度は垂直に転送する動作速度よ
り数百倍以上速く又転送回数も家庭用ビデオカメラの撮
像装置として満足する解像度を得るための絵素数の時に
は、多くなる。従って転送効率については垂直よりも水
平の方が厳しい。
本発明は従来より水平転送効率の劣化を少なくし、絵素
数が増えた場合でも撮像の画質を向上させる様な構成に
した固体撮像装置を提供するものである。
本発明の%徴は、半導体基板の一生面に多数の感光部か
マ) IJワックス状形成されこの個々の感光部で発生
した信号電荷を垂直方向に並んだ垂直シフトレジスタと
、この垂直シフトレジスタの終端でこの垂直シフトレジ
スタの信号電荷を並列に読み出す水平シフトレジスタと
がこの半導体基板に設けられ、さらにこの水平シフトレ
ジスタの終端に信号電荷検出回路が設けられてなる固体
撮像装置において、水平方向の絵素数の複数に対して各
々水平シフトレジスタが設けられた固体撮像装置にある
本発明による一実施例を第2図に示す。第2図において
、1は感光部例えばフォトダイオード、2は感光部から
垂直シフトレジスタへの転送ゲート、3は垂直シフトレ
ジスタ、4は水平シフトレジスタ、5は信号電荷検出回
路、6は水平シフトレジスタである。構成は第2図に示
す様に水平方向の絵素数の中心を軸にして感光部l、転
送ゲート2.垂直シフトレジスタ3.水平シフトレジス
タ4.6を対称に配置し水平シフトレジスタ間に信号電
荷検出回路5を設けている。この2次元電荷転送装置の
動作については水平シフトレジスタ4に転送されるまで
は従来と同じである。水平シフトレジスタに転送された
後は水平転送駆動回路より出るクロックによってこの場
合は水平シフトレジスタ4から出れば次は水平シフトレ
ジスタ6が出ると言う様に信号電荷検出回路5より直列
化された信号として取り出される。水平77トレジ  
  ・スタから交互に取り出すには信号電荷検出回路5
に最も近い電極を例えば2相駆動の場合であれば逆低相
になる様にすれば交互に取り出せる。
この様に水平シフトレジスタを水平方向の絵素数の半分
で分割すれば水平における転送回数は半分で済む事にな
る。又転送速度も分割する事によって半分になる。
従って本発明によれば転送効率の劣化を少なくする事が
出来撮像した画質の向上が得られるとともに歩留りの向
上にもつながる。
【図面の簡単な説明】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板の一主面に多数の感光部がマトリックス状に
    形成されこの個々の感光部で発生し7た信号電荷を垂直
    方向に並んだ垂直シフトレジスタと該垂面シフトレジス
    タの終端で該垂直シフトレジスタの信号電荷を並列に読
    み出す水平シフトレジスタとが該半導体基板に設けられ
    、さらに該水平シフトレジスタの終端に信号電荷検出回
    路が設けられてなる固体撮像装置において、水平方向の
    絵累数の複数に対して各々水平シフトレジスタが設けら
    れたことを%徴とする固体撮像装置。
JP57120901A 1982-07-12 1982-07-12 固体撮像装置 Pending JPS5911674A (ja)

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JP57120901A JPS5911674A (ja) 1982-07-12 1982-07-12 固体撮像装置

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JP57120901A JPS5911674A (ja) 1982-07-12 1982-07-12 固体撮像装置

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JPS5911674A true JPS5911674A (ja) 1984-01-21

Family

ID=14797798

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JP57120901A Pending JPS5911674A (ja) 1982-07-12 1982-07-12 固体撮像装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0262880U (ja) * 1988-10-31 1990-05-10
US7277128B2 (en) 2002-04-10 2007-10-02 Victor Company Of Japan, Ltd. Image-sensing device having a plurality of output channels

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5379311A (en) * 1976-12-23 1978-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid image pickup unit

Patent Citations (1)

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