JPS59110967A - 弁素子の製造方法 - Google Patents
弁素子の製造方法Info
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- B41J2/17—Ink jet characterised by ink handling
- B41J2/175—Ink supply systems ; Circuit parts therefor
- B41J2/17596—Ink pumps, ink valves
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
- Y10T137/7837—Direct response valves [i.e., check valve type]
- Y10T137/7869—Biased open
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は微細な機械式弁およびその製造法に関し、特
に電気機械変換手段と弁との相互作用によって引き起さ
れるポンプ作用によりインク簡の噴射およびインクの補
給を行なうインクジーットヘッドに適した弁素子および
ぞの製造法に関する。
に電気機械変換手段と弁との相互作用によって引き起さ
れるポンプ作用によりインク簡の噴射およびインクの補
給を行なうインクジーットヘッドに適した弁素子および
ぞの製造法に関する。
インクジーットヘッド用の弁素子としては、特願昭５５
−８１１８４に示されたものか知られている。同出願明
細書には異なった構造の弁素子がいくつか示されている
が、その中の代表的ｔものについて構造概略を示すと第
１図（ａ）、（ｂ）ｌ（ｃ）のようである。すなわち、
第１図（ａ）に示すように中心に円筒状のインク通路１
０１を有する円板状の弁座１０２と、中心に配された円
板状の弁１０３を周囲の腕１０４と円環状固定部分１０
５とにより支えている弁部品１０６とを重ね合せるこ七
により構成されへ送状インク通路１０１は弁１０３によ
り遮断されている。弁座１０２と弁部品１０６とは、弁
部品周囲の円環状の同定部分１０５でのみ密着固定され
てあり、第１図（ｂ）に示すように、インク通路１０１
側から圧力が作用する弁１０３が押し上げられ、弁１０
３と弁座１０２の間隙を通ってインクが流出するが、第
１図（ｃ）１こ示すように圧力が逆方向に作用すると弁
１０３は弁座１０２に押し付けられるためインクの流れ
は遮断される。
−８１１８４に示されたものか知られている。同出願明
細書には異なった構造の弁素子がいくつか示されている
が、その中の代表的ｔものについて構造概略を示すと第
１図（ａ）、（ｂ）ｌ（ｃ）のようである。すなわち、
第１図（ａ）に示すように中心に円筒状のインク通路１
０１を有する円板状の弁座１０２と、中心に配された円
板状の弁１０３を周囲の腕１０４と円環状固定部分１０
５とにより支えている弁部品１０６とを重ね合せるこ七
により構成されへ送状インク通路１０１は弁１０３によ
り遮断されている。弁座１０２と弁部品１０６とは、弁
部品周囲の円環状の同定部分１０５でのみ密着固定され
てあり、第１図（ｂ）に示すように、インク通路１０１
側から圧力が作用する弁１０３が押し上げられ、弁１０
３と弁座１０２の間隙を通ってインクが流出するが、第
１図（ｃ）１こ示すように圧力が逆方向に作用すると弁
１０３は弁座１０２に押し付けられるためインクの流れ
は遮断される。
弁１０３の直径はインク通路１０１の直径より大きくと
られるが、二つの直径の差は、順方向の流れを容易にす
るために、できるだけ小さいことが望ましい。その結果
、弁座１０２と弁部品１０５との極めて高い重ね合せ精
度が要求されるため、弁素子の組立は困難であり、しか
も組立てられた弁素子の良品率が低かったり、特性のば
らつきが大きい等の問題があった。
られるが、二つの直径の差は、順方向の流れを容易にす
るために、できるだけ小さいことが望ましい。その結果
、弁座１０２と弁部品１０５との極めて高い重ね合せ精
度が要求されるため、弁素子の組立は困難であり、しか
も組立てられた弁素子の良品率が低かったり、特性のば
らつきが大きい等の問題があった。
才だ、上記方法による組立ては、弁素子を多量にかつ安
価に製造するためには不適当であった。
価に製造するためには不適当であった。
この発明の目的は上記問題を解決した弁素子およびその
製造方法を提供することにある〇この発明によれば、流
体が通る微細孔を有する弁座と、前記孔を覆う弁き、前
記弁を支え流体の圧力に応じて前記弁を変位させる支持
部と、前記支持部を前記弁座に取り付ける固定部とから
なる弁素子において、前記弁座をフォトエレクトロフォ
ーミングにより形成し、さらに前記弁、前記支持部およ
び前記固定部を前記弁座上にフォトエレクトロフォーミ
ングにより形成することにより前記弁座、前記弁、前記
支持部および前記固定部を一体化したことを特徴とする
弁素子が得られる。
製造方法を提供することにある〇この発明によれば、流
体が通る微細孔を有する弁座と、前記孔を覆う弁き、前
記弁を支え流体の圧力に応じて前記弁を変位させる支持
部と、前記支持部を前記弁座に取り付ける固定部とから
なる弁素子において、前記弁座をフォトエレクトロフォ
ーミングにより形成し、さらに前記弁、前記支持部およ
び前記固定部を前記弁座上にフォトエレクトロフォーミ
ングにより形成することにより前記弁座、前記弁、前記
支持部および前記固定部を一体化したことを特徴とする
弁素子が得られる。
さらにこの発明によれば流体が通る微細な孔を有する弁
座と、前記孔を覆う弁と、前記弁を支え流体の圧力に応
じて前記弁を変位させる支持部と、前記支持部を前記弁
座に取り付ける固定部とからなる弁素子を製造する方法
において、少なくとも表面に導電層を有する基板上に所
定の厚さのフォトレジストを塗布し、さらに鍍金する部
分のレジストを取り除くことにより微細孔を有する弁座
のパターンを形成する工程と、前記レジストの無い部分
を鍍金により概略前記レジストと同じ厚さまで所定の金
属にて埋めて弁座を形成する工程と、前記弁座の表面に
前記弁および支持部と前記弁座との間に位置し、少なく
ともその表面層から導電性を有するスペーサを形成する
工程き、前記スペーサが形成された弁座上に前記弁座の
微細孔をしうように配置されかつ前記微細孔より大きな
所定の寸法形状を有する弁と前記弁の支持腕および固定
部とからなる弁部材のパターンをフォトレジストにより
形成する工程と、前記弁部材のパターンに応じて所定の
金属により鍍金を行ない弁部材を形成する工程と、前記
基板、前記弁パターンを形成したフォトレジスト、前記
弁部材パターンを形成したフォトレジストおよび前記ス
ペーサを堆り除く工程とからなることを特徴とする弁素
子の製造方法が得られる。
座と、前記孔を覆う弁と、前記弁を支え流体の圧力に応
じて前記弁を変位させる支持部と、前記支持部を前記弁
座に取り付ける固定部とからなる弁素子を製造する方法
において、少なくとも表面に導電層を有する基板上に所
定の厚さのフォトレジストを塗布し、さらに鍍金する部
分のレジストを取り除くことにより微細孔を有する弁座
のパターンを形成する工程と、前記レジストの無い部分
を鍍金により概略前記レジストと同じ厚さまで所定の金
属にて埋めて弁座を形成する工程と、前記弁座の表面に
前記弁および支持部と前記弁座との間に位置し、少なく
ともその表面層から導電性を有するスペーサを形成する
工程き、前記スペーサが形成された弁座上に前記弁座の
微細孔をしうように配置されかつ前記微細孔より大きな
所定の寸法形状を有する弁と前記弁の支持腕および固定
部とからなる弁部材のパターンをフォトレジストにより
形成する工程と、前記弁部材のパターンに応じて所定の
金属により鍍金を行ない弁部材を形成する工程と、前記
基板、前記弁パターンを形成したフォトレジスト、前記
弁部材パターンを形成したフォトレジストおよび前記ス
ペーサを堆り除く工程とからなることを特徴とする弁素
子の製造方法が得られる。
以下この発明について図面を参照しながら詳細に説明す
る。
る。
第２図（ａ） ＋ （ｂ）を参照すると、この発明によ
る弁素子の実施例は、第２図（−にその概略断面図を示
したように１中央部にその横断面が円の流路２０１を有
する弁座２０２と、流路２０１を遮蔽するように配置さ
れた弁２０３と、弁２０３をささえる腕２０４と固定部
２０５とからなる弁部材２０６とからなり弁部材２０６
は弁座２０２と、固定部２０５にて固着されている。一
方、弁２０３と腕２０４は弁座２０４と分離している。
る弁素子の実施例は、第２図（−にその概略断面図を示
したように１中央部にその横断面が円の流路２０１を有
する弁座２０２と、流路２０１を遮蔽するように配置さ
れた弁２０３と、弁２０３をささえる腕２０４と固定部
２０５とからなる弁部材２０６とからなり弁部材２０６
は弁座２０２と、固定部２０５にて固着されている。一
方、弁２０３と腕２０４は弁座２０４と分離している。
弁部材２０６の平面形状は任意の形状にすることが可能
であるが、代表的な一例としては第２図（ｂ）に示すよ
うに円環状の固定部２０５の中心部に同心円状に弁２０
３が形成され、弁２０３を支持する腕２０４は十字状に
４本設けられている。弁２０３の直径は流路２０１のそ
れより大きい。弁座２０２右よび弁部材２０６はフォト
レジストによるパターニングと鉱金技術と１こよるフォ
トエレクトロフォーミングにより形成され金ｍ割刺とし
てはニッケル、金、クロム等の１ｌｒＩ蝕性材料か適し
ている。また、弁座２０２上に弁部材２０６を同一材料
にてフォトエレクトロフォー−ミンクにて形成すること
により弁座と弁部材とが一体構造物となる。但し、弁座
２０２と弁部材２００を同なる材料により形成した場合
でも固定部における接合力が大きい組合せを用いれば、
弁座と弁部材とか分離してしまうことはない。本実施例
に。おいてインクジーットヘッド用に適した弁素子の寸
法の一例を示すと流通路２０１の直径は１８０μｍであ
り、弁部材をニッケルで形成したとき弁２０３の直径は
２００μｍ１支持腕２０４の巾および長さはそれぞれ５
０μｍおよび４００μｍであり、弁部材２０６の厚みは
約１０μｍであった。
であるが、代表的な一例としては第２図（ｂ）に示すよ
うに円環状の固定部２０５の中心部に同心円状に弁２０
３が形成され、弁２０３を支持する腕２０４は十字状に
４本設けられている。弁２０３の直径は流路２０１のそ
れより大きい。弁座２０２右よび弁部材２０６はフォト
レジストによるパターニングと鉱金技術と１こよるフォ
トエレクトロフォーミングにより形成され金ｍ割刺とし
てはニッケル、金、クロム等の１ｌｒＩ蝕性材料か適し
ている。また、弁座２０２上に弁部材２０６を同一材料
にてフォトエレクトロフォー−ミンクにて形成すること
により弁座と弁部材とが一体構造物となる。但し、弁座
２０２と弁部材２００を同なる材料により形成した場合
でも固定部における接合力が大きい組合せを用いれば、
弁座と弁部材とか分離してしまうことはない。本実施例
に。おいてインクジーットヘッド用に適した弁素子の寸
法の一例を示すと流通路２０１の直径は１８０μｍであ
り、弁部材をニッケルで形成したとき弁２０３の直径は
２００μｍ１支持腕２０４の巾および長さはそれぞれ５
０μｍおよび４００μｍであり、弁部材２０６の厚みは
約１０μｍであった。
次に第３図（ａ）〜セ）を参照すると、前記第１の実施
例で示した弁素子は次のような製造プロセスによって作
られる。第３図（ａ＞に示すように基板３０１はガラス
板３０２０片面に導電４３０３を蒸着法にて形成したも
のである。導電層は弁素子を形成する材料と選択的にエ
ツチングが可能となるもので例られる。ここでは弁素子
をニッケルで形成しているので、導電層はガラス板３０
２側よりアルミニニウム層、ニッケル層となっている。
例で示した弁素子は次のような製造プロセスによって作
られる。第３図（ａ＞に示すように基板３０１はガラス
板３０２０片面に導電４３０３を蒸着法にて形成したも
のである。導電層は弁素子を形成する材料と選択的にエ
ツチングが可能となるもので例られる。ここでは弁素子
をニッケルで形成しているので、導電層はガラス板３０
２側よりアルミニニウム層、ニッケル層となっている。
ただしニッケル層は先の工程で鍍金を行なうときのアル
ミニュウム層の保護のためでアルミニュウム層のみでも
問題はない。アルミニュウム層の厚さは数百＾〜数千Ｘ
槁で特に制御はないが最終工程アルミニ具−ム層を溶解
するため厚い方が望才しい。
ミニュウム層の保護のためでアルミニュウム層のみでも
問題はない。アルミニュウム層の厚さは数百＾〜数千Ｘ
槁で特に制御はないが最終工程アルミニ具−ム層を溶解
するため厚い方が望才しい。
またニッケル層は、数十〜数百λ程度で、アルミニニー
ム層を保護できる範囲で薄いことが望ましいＯ このような基板３０１上にフォトレジスト眉３０４を形
成し、弁座のパターンを露光し、現像により弁座の形状
に導電層３０３が露出した／Ｎ６ターンを形成する０）
ｆトレジスト層の厚さは形成する弁座の厚さと等しく、
本実施例では、フィルムレジストの厚さ２０〜６０μｍ
程度のものを使用した０このようにフォトレジストによ
りパターニングされた基板は第３図（ｂ）に示されるよ
うに電鋳によりレジストの無い部分が鍍金され、弁座３
０５が形成される。ここでは、スルファミン酸ニッケル
浴を用いてニッケルを鍍金した。鍍金属は、レジスト層
３０４とほぼ等しくする必安があり、厚さの差が±５μ
ｍ以内であることが望ましい０次に第３図（Ｃ）に示す
ように中央部にフォトレジストによりスペーサ３０６を
形成する。これは、＠終工程において取り除かれるもの
で第２図（ａ）において弁２０３と腕２０４とを弁座か
ら分離させるためのものである。次に第３図（ｄ）に示
すように次の電鋳を行なうための導電層３０７を全面に
形成する。これは弁座と同じ金Ｈが望ましく、ここでは
ニッケルを蒸着して形成した０その他の方法としては例
えば無電解ニッケル鍍金によりニッケル膜か形成できる
。次に第３図（ｅ）に示すように導電層３０７上に弁３
０９、腕３１０および一定部３１１とからなる弁部材の
パターンをフォトレジスト３０８により形成する０この
とき弁のパターン３０９は、弁座の孔のレジストパター
ン３０４ａを覆うように形成される。これは、フォトレ
ジストを露光するときのマスク１合せにより行なうこと
ができるため、目合せ精度か弁座と弁部材とを個別に作
り重ねる従来の方法より格段に向上するＯ また、弁部材のパターンの内、固定部３１１の下にはス
ペーサ３０６が無い。次に謁３１Ｎ（ｆ）に示すように
電鋳により弁部材３１２をニッケル鍍金する０このとき
の鍍金の厚さは、レジスト９３０ｇの厚さとは無関係で
良く、弁の順方向の流体抵抗値に応じて決めることがで
きる。−例としては、１０μｍ前後の値が選ばれる０最
後に導電層３０３、レジスト層３０４．３０８、および
スペーサ３０６を溶解して第３図（ｇ）のように弁素子
が得られる０導電層３０３はアルミニュウムで形成され
ており、水酸化す） ＩＪウムを用いて弁素子を構成し
ているニッケルと選択的に溶解することができる。また
レジスト層もニッケルを溶解せずレジストを溶解する溶
液を使用する。またこの工程においてスペーサ３０６の
表面がニッケル導電Ｒ３０７で覆われているため溶解が
進まない場合には、酸等を用い導電層３０７をエツチン
グし、取り除くことによりスペーサー３０６が表面に表
われ溶解することができる０ 次に第４図（ａ）、 （ｂ） 、（ｃ）を用いて本発に
よる第２の製造プロセスの実施例を説明するＯ同図は、
第１の製造プロセスの実施例とスペーサを形成する方法
が異なる。即ち第３図（ｂ＞図までは同様のプロセスに
て弁座の形成まで行なう。次にスペーサの形成はまず第
４図（ａ）に示すようにニッケル鍍金層３０５およびレ
ジスト層３０４の上面にアルミニニウム層４０１を蒸着
等により形成する。次に第４図（ｂ）のようにその上面
にフォトレジスト４０２によりスペーサを形成する部分
のパターンを形成するＯ さらにエツチングによりレジストパターン４０２の無い
部分のアルミニーラム層を取り除くと第４図（Ｃ）に示
すようにアルミニュウムよりなるスペーサ４０３が形成
される。このスペーサは導電性があるため次の工程とし
ては先の第１の製造プロセスで第３図（ｅ）に示した弁
、腕および固定部とからなる弁部材のパターンをフ、ト
レジスト１こより形成する工程に入ることができその後
の工程も同様に行なうことができる。この製造法では、
スペーサがアルミニーラムの蒸着膜からできているため
最終工程で、このスペーサを取り除くのは容易でありま
た、厚さが薄いため取り除いた抜弁や腕と弁座との間隙
はほとんど生じない０ この実施例ではアルミニニウム層のみの例を示したが後
の工程で弁部材のパターンを電鋳するときメッキ液によ
り腐蝕されるときは基板ｏｊ場合と同様アルミニュウム
層の上面にニッケル等の保良層を形成しても良い０ 以上のように本発明によれば、弁素子を構成する弁座＄
よび弁部材（弁、腕および固定部）がすべてフォトエレ
クトロフーミング１こより形成することができ、弁素子
の寸法積置が向上し、さらに弁座の微細孔と弁との位置
合せを、マスク１合せにより行なうことができるため位
置精度も向上する０ また、以上の説明では一つの弁素子について説明してき
たが一つの基板上に同一の弁素子を多数同時に形成する
ことが可能で寸法や位［Ｉｆ精凝が艮いため特性のそろ
った弁素子を犬−に製作可能となるＯ
ム層を保護できる範囲で薄いことが望ましいＯ このような基板３０１上にフォトレジスト眉３０４を形
成し、弁座のパターンを露光し、現像により弁座の形状
に導電層３０３が露出した／Ｎ６ターンを形成する０）
ｆトレジスト層の厚さは形成する弁座の厚さと等しく、
本実施例では、フィルムレジストの厚さ２０〜６０μｍ
程度のものを使用した０このようにフォトレジストによ
りパターニングされた基板は第３図（ｂ）に示されるよ
うに電鋳によりレジストの無い部分が鍍金され、弁座３
０５が形成される。ここでは、スルファミン酸ニッケル
浴を用いてニッケルを鍍金した。鍍金属は、レジスト層
３０４とほぼ等しくする必安があり、厚さの差が±５μ
ｍ以内であることが望ましい０次に第３図（Ｃ）に示す
ように中央部にフォトレジストによりスペーサ３０６を
形成する。これは、＠終工程において取り除かれるもの
で第２図（ａ）において弁２０３と腕２０４とを弁座か
ら分離させるためのものである。次に第３図（ｄ）に示
すように次の電鋳を行なうための導電層３０７を全面に
形成する。これは弁座と同じ金Ｈが望ましく、ここでは
ニッケルを蒸着して形成した０その他の方法としては例
えば無電解ニッケル鍍金によりニッケル膜か形成できる
。次に第３図（ｅ）に示すように導電層３０７上に弁３
０９、腕３１０および一定部３１１とからなる弁部材の
パターンをフォトレジスト３０８により形成する０この
とき弁のパターン３０９は、弁座の孔のレジストパター
ン３０４ａを覆うように形成される。これは、フォトレ
ジストを露光するときのマスク１合せにより行なうこと
ができるため、目合せ精度か弁座と弁部材とを個別に作
り重ねる従来の方法より格段に向上するＯ また、弁部材のパターンの内、固定部３１１の下にはス
ペーサ３０６が無い。次に謁３１Ｎ（ｆ）に示すように
電鋳により弁部材３１２をニッケル鍍金する０このとき
の鍍金の厚さは、レジスト９３０ｇの厚さとは無関係で
良く、弁の順方向の流体抵抗値に応じて決めることがで
きる。−例としては、１０μｍ前後の値が選ばれる０最
後に導電層３０３、レジスト層３０４．３０８、および
スペーサ３０６を溶解して第３図（ｇ）のように弁素子
が得られる０導電層３０３はアルミニュウムで形成され
ており、水酸化す） ＩＪウムを用いて弁素子を構成し
ているニッケルと選択的に溶解することができる。また
レジスト層もニッケルを溶解せずレジストを溶解する溶
液を使用する。またこの工程においてスペーサ３０６の
表面がニッケル導電Ｒ３０７で覆われているため溶解が
進まない場合には、酸等を用い導電層３０７をエツチン
グし、取り除くことによりスペーサー３０６が表面に表
われ溶解することができる０ 次に第４図（ａ）、 （ｂ） 、（ｃ）を用いて本発に
よる第２の製造プロセスの実施例を説明するＯ同図は、
第１の製造プロセスの実施例とスペーサを形成する方法
が異なる。即ち第３図（ｂ＞図までは同様のプロセスに
て弁座の形成まで行なう。次にスペーサの形成はまず第
４図（ａ）に示すようにニッケル鍍金層３０５およびレ
ジスト層３０４の上面にアルミニニウム層４０１を蒸着
等により形成する。次に第４図（ｂ）のようにその上面
にフォトレジスト４０２によりスペーサを形成する部分
のパターンを形成するＯ さらにエツチングによりレジストパターン４０２の無い
部分のアルミニーラム層を取り除くと第４図（Ｃ）に示
すようにアルミニュウムよりなるスペーサ４０３が形成
される。このスペーサは導電性があるため次の工程とし
ては先の第１の製造プロセスで第３図（ｅ）に示した弁
、腕および固定部とからなる弁部材のパターンをフ、ト
レジスト１こより形成する工程に入ることができその後
の工程も同様に行なうことができる。この製造法では、
スペーサがアルミニーラムの蒸着膜からできているため
最終工程で、このスペーサを取り除くのは容易でありま
た、厚さが薄いため取り除いた抜弁や腕と弁座との間隙
はほとんど生じない０ この実施例ではアルミニニウム層のみの例を示したが後
の工程で弁部材のパターンを電鋳するときメッキ液によ
り腐蝕されるときは基板ｏｊ場合と同様アルミニュウム
層の上面にニッケル等の保良層を形成しても良い０ 以上のように本発明によれば、弁素子を構成する弁座＄
よび弁部材（弁、腕および固定部）がすべてフォトエレ
クトロフーミング１こより形成することができ、弁素子
の寸法積置が向上し、さらに弁座の微細孔と弁との位置
合せを、マスク１合せにより行なうことができるため位
置精度も向上する０ また、以上の説明では一つの弁素子について説明してき
たが一つの基板上に同一の弁素子を多数同時に形成する
ことが可能で寸法や位［Ｉｆ精凝が艮いため特性のそろ
った弁素子を犬−に製作可能となるＯ
第１図（ａ） Ｉ（ｂ） 、（ｃ）は、従来の７「ンク
ジーットヘッド用弁素子の概略図、第２図（ａ） 、
（ｂ）はこの発明による弁素子の１実施例を説明するた
めの概略図、第３図（ａ） 〜（ｇｌ ｂよび第４図（
ａｌ 、 （ｂ＋ ｅ （ｃ）は、この発明による弁素
子の製造法の第１および第２の実施例を説明するための
概略断面図である。 なお、図において、１０１および２０１はインク通路、
１０２および２０２は弁座、１０３および２０３は弁、
１０４および１０５は腕、１０５および２０５は円環状
固定部部分、】ｏ６および２０６は弁部材、３０１は基
板、３０２はカラス板、３０３は導電層、３０４はフォ
トレジスト層、３０４ａは弁座の微細孔のパターン、３
０５はフォトエレクトロフォーミングで形成された弁座
、３０６はスペーサ、３０７は導電層、３０８はフォト
レジスト層、３０９．３１０および３１１は、フォトレ
ジストによる弁、腕および固定部のパターン、３１２は
フォトエレクトロフォーミングで形成されだ弁部材、４
０１はアルミニーラム層、４０２はフォトレジストパタ
ーン、４０３はスペーサである。 第７図 第２図 ０３ 第３図 卓３図 案４図
ジーットヘッド用弁素子の概略図、第２図（ａ） 、
（ｂ）はこの発明による弁素子の１実施例を説明するた
めの概略図、第３図（ａ） 〜（ｇｌ ｂよび第４図（
ａｌ 、 （ｂ＋ ｅ （ｃ）は、この発明による弁素
子の製造法の第１および第２の実施例を説明するための
概略断面図である。 なお、図において、１０１および２０１はインク通路、
１０２および２０２は弁座、１０３および２０３は弁、
１０４および１０５は腕、１０５および２０５は円環状
固定部部分、】ｏ６および２０６は弁部材、３０１は基
板、３０２はカラス板、３０３は導電層、３０４はフォ
トレジスト層、３０４ａは弁座の微細孔のパターン、３
０５はフォトエレクトロフォーミングで形成された弁座
、３０６はスペーサ、３０７は導電層、３０８はフォト
レジスト層、３０９．３１０および３１１は、フォトレ
ジストによる弁、腕および固定部のパターン、３１２は
フォトエレクトロフォーミングで形成されだ弁部材、４
０１はアルミニーラム層、４０２はフォトレジストパタ
ーン、４０３はスペーサである。 第７図 第２図 ０３ 第３図 卓３図 案４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 流体が通る微細孔を有する弁座と、前記孔を覆う
弁と、前記弁を支え流体の圧力に応じて前記弁を変位さ
せる支持部と、前記支持部を前記弁座に取り付ける固定
部とからなる弁素子において、前記弁座をフォトエレク
トロフォーミングにより形成し、さらに前記弁、前記支
持部および前記固定部を前記弁座上にフォトエレクトロ
フォーミングにより形成することにより前記弁座、前記
弁、前記支持部および前記固定部を一体化したことを特
徴とする弁素子。 ２、流体が通る微細な孔を有する弁座と、前記孔を覆う
弁と、前記弁を支え流体の圧力に応じて前記弁を変位さ
せる支持部と、前記支持部を前記弁座に取り付ける固定
部とからなる弁素子を製造する方法において、少なくと
も表面に導電層を有する基板上に所定の厚さのフォトレ
ジストを塗布し、さらに鍍金する部分のレジストを取り
除くことにより微細孔を有する弁座のパターンを形成す
る工程と、前記レジストの無い部分を鍍金により概略前
記レジストと同じ厚さまで所定の金属にて埋めて弁座を
形成する工程と、前記弁座の表面に、前記弁および支持
部と前記弁座との間に位置し、少なくとも表面層が導電
性を有するスペーサを形成する工程と、前記スペーサが
形成された弁座上に前記弁座の微細孔を覆うように配置
されかつ前記微細孔より大きな所定の寸法形状を有する
弁と前記弁の支持部および固定部とからなる弁部材のパ
ターンをフォトレジストにより形成する工程と、前記弁
部材のパターンを所定の金属で鍍金し弁部材を形成する
工程と、前記基板、前記弁座パターンを形成したフォト
レジスト、前記弁部材パターンを形成したフォトレジス
トおよび前記スペーサを取り除く工程とからなることを
特徴とする弁素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57220593A JPS59110967A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 弁素子の製造方法 |
| EP19830307693 EP0112701B1 (en) | 1982-12-16 | 1983-12-16 | Valve element for use in an ink-jet printer head |
| DE8383307693T DE3376816D1 (en) | 1982-12-16 | 1983-12-16 | Valve element for use in an ink-jet printer head |
| US07/081,876 US4770740A (en) | 1982-12-16 | 1987-08-05 | Method of manufacturing valve element for use in an ink-jet printer head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57220593A JPS59110967A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 弁素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110967A true JPS59110967A (ja) | 1984-06-27 |
| JPH0450471B2 JPH0450471B2 (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=16753404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57220593A Granted JPS59110967A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 弁素子の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4770740A (ja) |
| EP (1) | EP0112701B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59110967A (ja) |
| DE (1) | DE3376816D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6175565U (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-21 | ||
| JP2008106889A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Kikuchiseisakusho Co Ltd | マイクロバルブ及びこれを用いたマイクロポンプ |
| JP2016002724A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、及び、液体噴射ヘッドの製造方法 |
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| JP4141523B2 (ja) | 1997-03-19 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | インク供給流路の弁装置 |
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-
1982
- 1982-12-16 JP JP57220593A patent/JPS59110967A/ja active Granted
-
1983
- 1983-12-16 DE DE8383307693T patent/DE3376816D1/de not_active Expired
- 1983-12-16 EP EP19830307693 patent/EP0112701B1/en not_active Expired
-
1987
- 1987-08-05 US US07/081,876 patent/US4770740A/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH0144861Y2 (ja) * | 1984-10-25 | 1989-12-25 | ||
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| JP2016002724A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、及び、液体噴射ヘッドの製造方法 |
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| US4770740A (en) | 1988-09-13 |
| JPH0450471B2 (ja) | 1992-08-14 |
| EP0112701A2 (en) | 1984-07-04 |
| EP0112701B1 (en) | 1988-06-01 |
| DE3376816D1 (en) | 1988-07-07 |
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