JPS59107675A - 時分割光交換機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は時分割光信号の交換制御を行なう光交換機に関
するものである。 光ファイバを伝送路とする光通信システムは高速・大容
量の信号伝送が可能であり、様々の伝送方式が実用化さ
れている。特に高速性を利用したデジタル信号の時分割
伝送方式は重要な方式の１つである。現在実用化されて
いる光通信システムでは、光信号は単に光フアイバ中を
伝送されるだけで信号の交換は一担電気信号に交換した
後に行なわれている。上記の如く、光信号を電気信号に
変換して交換する方法では、交換された信号を再び伝送
する場合には電気信号を再び光信号に変換する必要があ
るので装置が複雑になり、コストが高くなるという欠点
がある。また従来の電気信号の時分割交換機では百メガ
ビット／秒以上の高速信号を交換するのは難しいという
欠点もある。 上記欠点を解決する手段として、時分割光信号を光信号
のままで交換する光交換機が提案されている。この光交
換機は特許出願公伺公報昭５３−１１７３１１に述べら
れており、ＮｘＭの入出力端子をもつ複数のマトリック
ス状光スィッチの間を互いに異なる長さをもつ光フアイ
バ群で接続して構成される。 すなわち光ファイバを遅延線として用いるものである。 基本的には、光スィッチに入射した時分割光信号を、各
タイムスロット毎に異なるファイバに振分け、それぞれ
異なる時間遅延させた後次段の光スィッチで合成して信
号の時間順序を入換えるものである。しかし、このよう
な光フアイバ遅延線を用いる光交換機では、光ファイバ
の長さによって遅延時間が決定されてしまうととや長い
フレーム周期の信号を交換するだめには長い光ファイバ
を必要とするだめ装置が大型化する等の欠点があった。 まだ、単なる光伝送路の遅延時間の選択によって時分割
交換を行なっているので光スィッチと光フアイバ間の接
続部等で損失が生じ、入力光信号レベルに比べて出力光
信号レベルが大幅に低下するという欠点もあった。 本発明の目的は上記の従来の時分割光信号の交換機の欠
点を除き、交換すべきフレーム周期の長さを任意に設定
でき、装置の小型化が容易でかつ、高い出力光信号レベ
ルが容易に得られる時分割光交換機を提供することにあ
る。 本発明の時分割光交換機は、１つの入力端と複数の出力
端とを備えだ書込み用光スィッチと、前記出力端からの
出射光がレーザ共振器端面から入射するようにして各出
力端にそれぞれ１つづつ対応して設置された双安定動作
を示す半導体レーザと、前記半導体レーザからの出射光
が入射するように各々の半導体レーザにそれぞれ１つづ
つ対応する複数の入力端と１つの出力端とを備えた読み
出し用光スィッチと、前記各光スイッチの光スイツチ駆
動回路と、前記半導体レーザの電流駆動回路と、前記各
駆動回路のタイミングを制御する中央制御装置とから構
成されている。 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明するゎ第１図
は本発明による時分割光交換機の一実施例を示す図であ
る。第１図においてそれぞれ異なる情報をのせた４つの
タイムスロットからなる第１の時分割光信号１００を入
力するだめの入力光導波路３１０と第２の時分割光信号
１９０を出力するだめの出力光導波路３８０との間に、
入力端子を入力光導波路３１０に接続され出力端子を、
双安定動作を示す半導体レーザ３４０．　３５０．　３
６０．　３７０の入射端に導かれる光導波路３４１．３
５１．３６１．３７１にそれぞれ接続された書込み用１
×４光スイツチ３２０と、前記双安定半導体レーザの出
射端に導かれる光導波路３４２．３５２．３６２．３７
２にそれぞれ入力端子を接続され、出力端子を出力光導
波路３８０に接続された読出し用４×１光スイツチ３３
０が設置されている。光スィッチ３２０と３３０にはそ
れぞれ光スイツチ駆動回路３２１．３３１が接続されて
おり、双安定半導体レーザ３４０．３５０．３６０．３
７０にはそれぞれバイアス電流を注入するだめの電流駆
動回路３４５．３５５．３６５．３７５が接続されてい
る。 光スイツチ駆動回路３２１　、３３１と電流駆動回路３
４５、３５５．３６５．３７５は図示されていない中央
制御装置に接続されている。上記中央制御装置はタイミ
ング抽出回路、メモリ回路等によって構成され、上記光
スイツチ駆動回路や電流駆動回路を制御するだめの制御
信号を発生する。 上記電流駆動回路は上記中央制御装置の指令によって２
値の電流を発生する装置であシ、その簡単な一例が第２
図（ａ）に示されている。 この電流駆動回路は、トランジスタＴｒと２つの抵抗と
から成っている。トランジスタＴｒのコレクタは抵抗Ｒ
１を介し双安定半導体レーザに接続している。エラター
とコレクタは抵抗几、で接続されており、ベース端子が
制御信号の入力端子となっている。 第２図（ａ）においてトランジスタＴｒのベースに十分
な大きさの負電圧が印加されると、トランジスタＴｒは
オフとなるのでコレクタ側に直列に挿入された双安定半
導体レーザＬＤ、にけ電流ｉ　＝　ｉ　ｏ：　Ｖ／　（
Ｒ１＋　Ｒ２＋　ｒ＋　）が流れる。但しここでｒｌけ
双安定半導体レーザＬＤ、の抵抗である。 一方、トランジスタＴｒのベース電位がＯであるとＴｒ
はオンになり双安定半導体レーザＬＤ、の電流ｉけ＋＝
ｉ、＝ｖ／（均＋ｒＪ＋ｒ２）となる。但し、ここでｒ
、はトランジスタＴｒの抵抗であす、Ｒ２＞＞　ｒｔと
する。以上のように第２図（ａ）の回路によシ外部信号
によシ双安定半導体レーザＬＤ、に２値の電流を流すこ
とができる。 ここで、本実施例の書込み用１×４光スイツチ３２０と
読出し用４×１光スイツチの具体例、双安定半導体レー
ザ３４０．３５０．３６０．３７０の具体例を説明する
。 先ず第２図（ｂ）は貞込み用１×４光スイツチ３２０又
は読出し用４×１光スイツチ３３０として用いることが
できる方向性結合形光スイッチの例を示す。 強誘電体結晶又は半導体結晶基板２０上に形成した４個
の方向性結合形光スイッチ２１．２２．２３゜３０によ
って構成されている。例えばニオブ酸リチウム結晶上に
チタンを拡散して光導波路を作成し、互いに近接しだ光
導波路上に電極を設置することによって上記方向性結合
形光スイッチが得られる。 方向性結合形スイッチ３０は光導波路２４を通過する光
信号遮断するだめのスイッチである。光導波路２４を入
力用、光導波路２５．２６．２７．２８を出力用とする
とき書込み用１×４光スイツチとして用いることができ
、入出力を逆にしたときには読出し用４×１光スイツチ
として用いることができる。 寸だ前記光スイツチ駆動回路３２１．、３３１は前記中
央制御装置のコントロールにより光スィッチ３２０．３
３０の制御を行ガうための電気信号を発生するものであ
る。例えば光スイッチ３２０，３３０が前記第２図（ｂ
）に示しだ光スィッチの場合には２値の異なる電圧をそ
れぞれ方向性結合形光スイッチ２１．２２，２３．３０
に供給する機能を有するものである。上記の各方向性結
合形光スイッチ２１，２２２３．３０が印加電圧Ｏのと
きに一方の光導波路に入射した光波がそのまま入射光導
波路を通過し、電圧をＶ、としたとき入射光が近接した
他方の光導波路に移るものとしだとき、光スイツチ駆動
回路３２１、３３１は最も簡単には上記の各方向性結合
形光スイッチに対し、１つのトランジスタを用いた回路
で構成できる。 例えばトランジスタのコレクタを抵抗Ｒを通して電圧Ｖ
、の電源に接続し、エミッタを接地ｌ〜、ベースを制御
信号の入力端子とし、コレクタから出力電圧端子を出す
ことによって構成される。この回路で社制御信号の電圧
が０のとき出力電圧Ｖ、となシ制御信号電圧が正のとき
は出力電圧は０となる。 第３図（ａ）は双安定半導体レーザ３４０．３５０．３
６０゜３７０の具体例を示す断面図である。構造は通常
用いられる電流注入形の半導体レーザとほぼ同じであシ
、例えば、ＧａＡ、ＩＡｓ　／　ＧａＡｓやＩｎＧａＡ
ｓＰ　／ＩｎＰを材料とするダブルへテロ接合構造のレ
ーザである。但し、電極が一様ではなく、一部に電流の
注入されない部分が存在していることが通常の半導体レ
ーザとは異なっている。上記電流の非注入領域は可飽和
吸収体として働くので第３図（ａ）の双安定半導体レー
ザでは注入電流対光出力特性に双安定特性をもたせるこ
とができる。なお、電極を不均一にするかわりに、発光
領域である活性層の部分に不均一性をもたせ、一部に可
飽和吸収領域を設置することにより同様な双安定特性を
持たせることができる。これらの双安定半導体レーザで
は注入電流ｌを適当に選ぶことによって、外部からの注
入光に対する出射光の特性にも双安定特性が得られる。 とのような双安定半導体レーザの詳細は文献エレクトロ
ニクス・レター（Ｅｌ　ｅｃｔ　ｒｏｎｔｃｓ２　）　
２７２番に述べられている。 第３図（ｂ）＋　（ｃ）ｙ　（ｄ）は前記第３図（ａ）
の双安定半導体レーザの動作を説明するための図である
。第３図（ｂ）は入射光量Ｐｉｎ＝Ｏとした時の注入電
流１と出射光量Ｐｏｕｔの関係を示す図である。すなわ
ち注入電流量をｉ。から増加させたときには１＝Ｉａで
急激に出射光量Ｐｏｕ＋が増加し、逆に注入電流１をｉ
ｔかも減少させた場合には出射光量Ｐｏｕ　ｔは１＝ｉ
ｃで急激に減少するようなヒステリミス特性を示ｔ、１
＝ｌｂにおいて出射光ｉＰ。およびＰｌの２つの安定黒
人およびＢを有する。第３図（ｃ）は第３図（ｂ）にお
いて注入電流１＝ｉｂとした時の入射光量Ｐｉｎと出射
光量Ｐｏ＋ｚｔの関係を示す図である。すなわち出射光
景ＰＯＫｔ−Ｐｏの第１の安定点Ａにある時に入射光量
Ｐｉｎを０から増加させた場合は出射光量ＰＣ１ηｔは
ＰＩｎ−Ｐａで急激に増加し以降入射光量Ｐｉｎ＝’Ｐ
１から減少さぜた場合には出射光４１Ｐｏｃｘｔははと
んど減少せずに出射光ｉ　Ｐｏ　ｕｔ　＝　ＰＨの第２
の安定点Ｂに移る。第３図（ｃ）Ｋおける点Ａ、１３ｉ
よそれぞれ第３図（ｂ）における点Ａ、Ｂと同一の点を
表わす。第３図（ｄ）は注入１シ流ｉおよび入射光Ｐｉ
ｎに対する双安定半導体レーザの動作を表にして示しだ
ものである。注入電流ｌがＩｂで入射光Ｐｉｎが０であ
る場合には双安定半導体レーザは前に書き込まれたデー
タに応じて第３図（＋））におけるｅつの安定点Ａ、Ｂ
のいずれか一方に位１痘し、出射光量Ｐ、あるいは馬を
保守する。第３図（ｂ）　において双安定半導体レーザ
が一方の安定点Ｂ（出射光量Ｐ＋）を保持している時に
注入電流；を一度ｉｏとし再びＩｂに戻すと出射光量Ｐ
ｏｕｔけＢ−Ｄ−Ａの順に変化し以後他方の安定点Ａ（
出射光量Ｐ。）を保持する。すなわち双安定半導体レー
ザはリセットされる。また第３図（ｃ）において双安定
半導体レーザが安定点Ａ（出射光量Ｐ。）を保持してい
る時に入射光量を一度ｐｉとし再びＯＫ戻す〆出射光［
ＨＰｎｕｔはＡ−Ｅ−Ｈの順に変化し以後安定点Ｂ（出
射光量Ｐ＋　）を保持する。すなわち双安定半導体レー
ザはセットされる。さらに注入電流まがｉ。で入射光量
ＰｉｎがＰ

【である場合には出射光量Ｐｏｕｔは双安定
半導体レーザの特性に応じた値Ｐ、を示すが本発明では
直接この光量を使用しないので説明を省略する。 第４図は第１図に示した実施例の動作の中で特に双安定
半導体レーザ３４０の書き込み、読み出し動作を説明す
るためのタイムチャートである。第３図、第４図を参照
すれば第」図に示した先導波路３１０には時分割光信号
１ｏｏが導かれている。第４図の光信号４００は時分割
光信号１００の情報Ａ。 Ｂ、　Ｃ，Ｉ）をそれぞれ１ビツトのＮＲＺ信号とした
場合の具体例を示す。ここで信号ｏ、１としてそれぞれ
第３図に示す光量０．Ｐ【を必要とする。第１図におい
て双安定半導体レーザ３４０．３５０．３６０゜３７０
　Ｋはそれぞれ電流駆動回路３４５．３５５．３６５゜
３７５によって常時第３図に示す電流値都の電流が注入
されている。第２図（ａ）に示しだ電流駆動回路を用い
る場合はこの状態ではトランジスタＴｒけオンとなって
いる。まだ光導波路３４］　、　３５１　、３６１゜３
７１Ｌ光スイツチ３２０によって常時光導波路３１０か
ら切シ離されている。同様に光導波路３８０は光スィッ
チ３３０によって常時光導波路３４２．３５２　。 ３６２、３７２から切り離されている。光スィッチ３２
０．３３０が第２図（ｂ）に示した構成である場合には
このとき、方向性結合形光スイッチ３０には光スイツチ
駆動回路３２１又は３３１によシミ圧Ｖ、が印加され上
記方向性結合形光スイッチ３０は遮断状態にある。 第１図において双安定半導体レーザ３４０への時分割光
信号１００の情報Ａの書き込みは次のようにして行なわ
れる。すなわちまず時分割光信号１００の第１のタイム
スロット内の第１の期間において双安定半導体レーザ３
４０への注入電流１を第４図４１０に示す如く一度Ｉ。 に減じた後に再びｉｂに戻す。 これは例えば第２図（ａ）のトランジスタＴｒを一担オ
フにして再びオンに戻すことによって達成される。 この結果双安定半導体レーザ３４０の出射光量Ｐｏμｔ
は第４図４４０に示すように以前に光量Ｐ、を保持して
いても、前記注入電流パルス４１０の前縁４１１におい
てＰ。にリセットされる。次に時分割光信号１００の第
１のタイムスロット内の前記第１の期間に続く第２の期
間において光スィッチ３２０によって光導波路３１０を
光導波路３４１に接続する。第２図（ｂ）の構成の場合
には方向性結合形スイッチ３゜は電圧０，２１．２２は
電圧Ｖ、となっている。第４図４２０＃′ｉ：、光スィ
ッチ３２０に前記の接続動作を行なわせるだめに光スイ
ツチ駆動回路３２１から光スィッチ３２０に供給される
制御電圧を示す。例えば第２図（ｂ）の光スィッチの場
合、方向性結合形光スイッチ２１．２２への供給電圧を
示す。光スィッチ３２０は制御電圧４２０が■、の時の
み光導波路３］０と光導波路３４１とが接続ざ力る。 この結果双安定半導体レーザ３４０の入射端には第４図
４３０に示すように時分割光信号４００の第１のタイム
スロットのみを制御電圧４２０によって抽出した光信号
が得られる。これによって双安定半導体レーザ３４０の
出射光量４４０は、入射光量４３０がＰｔである場合に
は、入射光パルス４３０の前縁４３１においてＰ、に七
ツ）され、入射光量４３０がＯである場合にけ１】。を
保持する。このようにして双安定半導体レーザ３４０１
／Ｃは時分割光信号Ｚｏｏの情報Ａが書き込廿れる。同
様にし−Ｃ光スイッチ駆動回路３２１および電流駆動回
路３５５．３６５．３７５はそれぞれ光スィッチ３２０
°、双安定半導体レーザ３５０　、３６０　。 ３７０への注入電流を制御することによって時分割光信
号１００の情報Ｂ、Ｃ，Ｄをそれぞれ双安定半導体レー
ザ３５０．３６０．３７０に書き込んで行く。このよう
にし−Ｃ双安定半導体レーザ３４０に書き込まれた情報
Ａの時分割光信号１９０への読み出しは以下のようにし
て行なわれる。すなわち時分割光４６号１９０の例えば
第４のタイムスロットにおいて光スィッチ３３０によっ
て光導波路３４２を光導波路３８０に接続する。第４図
４５０は光スィッチ３３０に前記の接続動作を行なわせ
るだめに光スイツチ駆動回路３３】によって光スィッチ
３３０に供給される制御電圧を示す。ここで光スィッチ
３３０は制御電圧４５０がＶ、の時のみ光導波路３４２
と光導波路３８０とを接続するものとする。例えば第２
図（ｂ）の光スィッチを光スィッチ３３０として用いた
場合、制御電圧４５０は方向性結合形光スイッチ２１．
２２への印加電圧を示す。この結果光導波路３８０には
第４図４６０に示すように双安定半導体レーザ３４０の
出射光４４０を制御電圧４５０によって抽出した光信号
が得られる。同様にして光導波路３８０には更に時分割
光信号１９０の第１．第２．第３のタイムスロットにお
いてそれぞれ双安定半導体レーザ３７０゜３６０、３５
０に保持されていた情報り、Ｃ，Ｂが読み出される。こ
のようにして先導波路３８０に得られた時分割光信号１
９０においては時分割光信号１００の情報ＡＩ！：Ｄお
上びＢとＣの交換が行なわれる。 以上の第１図の実施例では交換される情報のフレーム周
期の長さは書込み及び読出し用光スィッチの制御により
任意に設定できかつ従来のように長尺の光ファイバを使
用しないので装置の小形化が容易である。まだ、出射光
レベルの高い双安定半導体レーザを用いることにより第
２の時分割光信号１００の光量を第１の時分割光信号１
９０よりも大きくすることが可能である。 第５図は第１図に示した実施例の動作の中で特に双安定
半導体レーザ３４０の書き込み、読み出し動作を説明す
るだめの他のタイムチャートである。 オ 第３図、第５図１参照すれば第１図に示した光導波路３
１０には時分割光信号１００が導かれている。 第５図の光信号５００は時分割光信号１００の情報Ａ。 Ｂ、Ｃ，Ｄをそれぞれ１ピツトのＮＲＺ信号とした場合
の具体例を示す。ここで信号０，１としてそれぞれ第３
図に示す光量０．Ｐｔを必要とする。第１図において双
安定半導体レーザ３４０．３５０，３６０゜３７０には
それぞれ電流駆動回路３４５，３５５．　３６５゜３７
５によって常時第３図に示す電流値ｉｂの電流が注入さ
れている。まだ光導波路３４１　、３５１　、３６１゜
３７１は光スィッチ３２０によって光導波路３１０から
切り離されている。同様に光導波路３８０は光スィッチ
３３０によって常時光導波路３４２，３５２．　３６２
゜３７２から切り離されている。第１図において双安定
半導体レーザ３４０への時分割光信号１００の情報Ａの
書き込みは次のようにして行なわれる。すなわち時分割
光信号１００の第１のタイムスロットにおいて光スィッ
チ３２０によって光導波路３１０を光導波路３４１に接
続する。第５図５１０は光スィッチ３２０に前記の接続
動作を行なわせるだめに光スイツチ駆動回路３２１から
光スィッチ３２０に供給される電圧を示す。ここで光ス
ィッチ３２０は制御電圧５１０がＶ、の時のみ光導波路
３１０と光導波路３４１とを接続するものとする。この
結果双安定半導体レーザ３４０の入射端には第５図５２
０に示すように時分割光信号５００の第１のタイムスロ
ットのみを制御電圧５１０によって抽出した光信号が得
られる。 とれと同時に電流駆動回路３４５によって双安定半導体
レーザ３４０への注入電流ｉを第５図５３０に示すよう
に入射光パルス５２０よシも狭いパルス幅で一度ｉ。に
減じた後に再び１ｂに戻す。これによって双安定半導体
レーザ３４０の出射光量５４０は、入射光量５２０が０
である場合には注入電流パルス５３０の前縁５３１でＰ
。にリセットされる。一方入射光量５２０がＰｔである
場合には注入電流５３０がＯとなる期間５３２において
は双安定半導体レーザ３４０の出射光量５４０は第３図
（ｄ）に示し九Ｐ、を示すが注入電流パルス５３０の後
縁５３３でＰｌにセットされる。このようにして双安定
半導体レーザ３４０には時分割光信号１００の情報Ａが
書き込まれる。同様にして光スイツチ駆動回路３２１お
よび電流駆動回路３５５゜３６５、３７５はそれぞれ光
スイッチ３２０．双安定半導体レーザ３５０．３６０．
３７０への注入電流を制御することによって時分割光信
号１００の情報Ｂ、Ｃ。 Ｄをそれぞれ双安定半導体レーザ３５０　、３６０　、
３７０に書き込んで行く。このようにして双安定半導体
レーザ３４０に書き込まれた情報Ａの時分割光信号１９
０への読み出しは以下のようにして行なわれる。 すなわち、時分割光信号１９０の例えば第４のタイムス
ロットにおいて光スィッチ３３０によって光導波路３４
２を光導波路３８０に接続する。第５図５５０は、光ス
ィッチ３３０に前記の接続動作を行なわせるために光ス
イツチ駆動回路３３１によって光スィッチ３３０に供給
される制御電圧を示す。ここで光スィッチ３３０は制御
電圧５５０が■、の時のみ光導波路３４２と光導波路３
８０とを接続するものとする。 この結果光導波路３８０には第５図５６０に示すように
双安定半導体レーザ３４０の出射光５４０を制御１電圧
５５０によって抽出した光信号が得られる。同様にして
光導波路３８０には更に時分割光信号１９０のｉｌｌ　
第ｚ＋　第３のタイムスロットにおいてそれぞれ双安定
半導体レーザ３７０．３６０　、３５０に保持されてい
た情報り、Ｃ，Ｂが読み出される。このようにして光導
波路３８０に得られた時分割光信号１９０　においては
時分割光信号１００の情報ＡとＤおよびＡとＣの交換が
行なわれる。 以上述べたように本発明によれば、交換すべきフレーム
周期の長さを任意に設定することが可能で、装置の小形
化が容易でしかも、高い出力光信号レベルが容易に得ら
れる時分割光交換機が得られる。 なお本発明は上述の実施例に限定されるものではない。 例えば第１図に示しだ実施例においては双安定半導体レ
ーザへの書き込みを周期的に行ない読み出しを交換すべ
き情報に応じて行なう例を示しだが双安定半導体レーザ
への書き込みを交換すべき情報に応じて行ない読み出し
を周期的に行なうことによっても全く同様な交換動作が
得られる。 また１タイムスロツトが゛ｎビット（ｎ≧２）で構成さ
れるような場合には本実施例に示した１つの双安定半導
体レーザのかわシにそれぞれｎ個の双安定半導体レーザ
を設は各タイムスロット内でｎ個の双安定半導体レーザ
の書き込み、読み出しを順次行なうことによってタイム
スロット間での交換を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による時分割光交換機の実施例を示す図
、第２図（ａ）は半導体レーザの電流駆動回路の一例を
示す図、第２図（ｂ）は本発明に用いることができる書
き込み用又は読出し用光スィッチの一例を示す図、第３
図（ａ）は双安定半導体レーザの一例を示す図、第３図
（ｂ）、　（ｃ）、　（ｄ）は双安定半導体レーザの動
作を示す図、第４図、第５図は光交換機の動作を説明す
るだめのタイムチャートである。 図において、３２０は書込み用の光スィッチ、３３０は
読出し用の光スィッチ、３４０．３５０．３６０．３７
０は双安定半導体レーザである。 ０、■人弁理士　内厚　　晋 ａｙ　　　Ｏ＞−Ｏｅ　　　Ｏ ｊ　　・−へ　　Ｃタ　　０　〔ｅ ｅ　　ｏご　３りｃ＞１ｌｆｆ ＯＮ　　　ＣＬ’タ　ＯＱＴ　　　ｅ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １つの入力端と複数の出力端とを備えた書込み用光スィ
   ッチと、前記出力端からの出射光がレーザ共振器端面か
   ら入射するようにして各出力端にそれぞれ１つづつ対応
   して設置された双安定動作を示す半導体レーザと、前記
   半導体レーザからの出射光が入射するように各々の半導
   体レーザにそれぞれ１つづつ対応する複数の入力端と１
   つの出力端とを備えだ読み出し用光スィッチと、前記各
   党スイッチの光スイツチ駆動回路と、前記半導体レーザ
   の電流駆動回路と、前記各駆動回路のタイミングを制御
   する中央制御装置とから構成されることを特徴とする時
   分割光交換機。