JPS59107675A - 時分割光交換機 - Google Patents

時分割光交換機

Info

Publication number
JPS59107675A
JPS59107675A JP21670882A JP21670882A JPS59107675A JP S59107675 A JPS59107675 A JP S59107675A JP 21670882 A JP21670882 A JP 21670882A JP 21670882 A JP21670882 A JP 21670882A JP S59107675 A JPS59107675 A JP S59107675A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
semiconductor laser
optical switch
switch
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP21670882A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0439837B2 (ja
Inventor
Mitsukazu Kondo
充和 近藤
Kunio Nagashima
長島 邦雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP21670882A priority Critical patent/JPS59107675A/ja
Priority to US06/555,927 priority patent/US4608682A/en
Priority to CA000442179A priority patent/CA1206633A/en
Priority to EP83111979A priority patent/EP0110388B1/en
Priority to DE8383111979T priority patent/DE3374040D1/de
Publication of JPS59107675A publication Critical patent/JPS59107675A/ja
Publication of JPH0439837B2 publication Critical patent/JPH0439837B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q11/00Selecting arrangements for multiplex systems
    • H04Q11/0001Selecting arrangements for multiplex systems using optical switching
    • H04Q11/0005Switch and router aspects
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q11/00Selecting arrangements for multiplex systems
    • H04Q11/0001Selecting arrangements for multiplex systems using optical switching
    • H04Q11/0005Switch and router aspects
    • H04Q2011/0007Construction
    • H04Q2011/002Construction using optical delay lines or optical buffers or optical recirculation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は時分割光信号の交換制御を行なう光交換機に関
するものである。 光ファイバを伝送路とする光通信システムは高速・大容
量の信号伝送が可能であり、様々の伝送方式が実用化さ
れている。特に高速性を利用したデジタル信号の時分割
伝送方式は重要な方式の1つである。現在実用化されて
いる光通信システムでは、光信号は単に光フアイバ中を
伝送されるだけで信号の交換は一担電気信号に交換した
後に行なわれている。上記の如く、光信号を電気信号に
変換して交換する方法では、交換された信号を再び伝送
する場合には電気信号を再び光信号に変換する必要があ
るので装置が複雑になり、コストが高くなるという欠点
がある。また従来の電気信号の時分割交換機では百メガ
ビット/秒以上の高速信号を交換するのは難しいという
欠点もある。 上記欠点を解決する手段として、時分割光信号を光信号
のままで交換する光交換機が提案されている。この光交
換機は特許出願公伺公報昭53−117311に述べら
れており、NxMの入出力端子をもつ複数のマトリック
ス状光スィッチの間を互いに異なる長さをもつ光フアイ
バ群で接続して構成される。 すなわち光ファイバを遅延線として用いるものである。 基本的には、光スィッチに入射した時分割光信号を、各
タイムスロット毎に異なるファイバに振分け、それぞれ
異なる時間遅延させた後次段の光スィッチで合成して信
号の時間順序を入換えるものである。しかし、このよう
な光フアイバ遅延線を用いる光交換機では、光ファイバ
の長さによって遅延時間が決定されてしまうととや長い
フレーム周期の信号を交換するだめには長い光ファイバ
を必要とするだめ装置が大型化する等の欠点があった。 まだ、単なる光伝送路の遅延時間の選択によって時分割
交換を行なっているので光スィッチと光フアイバ間の接
続部等で損失が生じ、入力光信号レベルに比べて出力光
信号レベルが大幅に低下するという欠点もあった。 本発明の目的は上記の従来の時分割光信号の交換機の欠
点を除き、交換すべきフレーム周期の長さを任意に設定
でき、装置の小型化が容易でかつ、高い出力光信号レベ
ルが容易に得られる時分割光交換機を提供することにあ
る。 本発明の時分割光交換機は、1つの入力端と複数の出力
端とを備えだ書込み用光スィッチと、前記出力端からの
出射光がレーザ共振器端面から入射するようにして各出
力端にそれぞれ1つづつ対応して設置された双安定動作
を示す半導体レーザと、前記半導体レーザからの出射光
が入射するように各々の半導体レーザにそれぞれ1つづ
つ対応する複数の入力端と1つの出力端とを備えた読み
出し用光スィッチと、前記各光スイッチの光スイツチ駆
動回路と、前記半導体レーザの電流駆動回路と、前記各
駆動回路のタイミングを制御する中央制御装置とから構
成されている。 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明するゎ第1図
は本発明による時分割光交換機の一実施例を示す図であ
る。第1図においてそれぞれ異なる情報をのせた4つの
タイムスロットからなる第1の時分割光信号100を入
力するだめの入力光導波路310と第2の時分割光信号
190を出力するだめの出力光導波路380との間に、
入力端子を入力光導波路310に接続され出力端子を、
双安定動作を示す半導体レーザ340. 350. 3
60. 370の入射端に導かれる光導波路341.3
51.361.371にそれぞれ接続された書込み用1
×4光スイツチ320と、前記双安定半導体レーザの出
射端に導かれる光導波路342.352.362.37
2にそれぞれ入力端子を接続され、出力端子を出力光導
波路380に接続された読出し用4×1光スイツチ33
0が設置されている。光スィッチ320と330にはそ
れぞれ光スイツチ駆動回路321.331が接続されて
おり、双安定半導体レーザ340.350.360.3
70にはそれぞれバイアス電流を注入するだめの電流駆
動回路345.355.365.375が接続されてい
る。 光スイツチ駆動回路321 、331と電流駆動回路3
45、355.365.375は図示されていない中央
制御装置に接続されている。上記中央制御装置はタイミ
ング抽出回路、メモリ回路等によって構成され、上記光
スイツチ駆動回路や電流駆動回路を制御するだめの制御
信号を発生する。 上記電流駆動回路は上記中央制御装置の指令によって2
値の電流を発生する装置であシ、その簡単な一例が第2
図(a)に示されている。 この電流駆動回路は、トランジスタTrと2つの抵抗と
から成っている。トランジスタTrのコレクタは抵抗R
1を介し双安定半導体レーザに接続している。エラター
とコレクタは抵抗几、で接続されており、ベース端子が
制御信号の入力端子となっている。 第2図(a)においてトランジスタTrのベースに十分
な大きさの負電圧が印加されると、トランジスタTrは
オフとなるのでコレクタ側に直列に挿入された双安定半
導体レーザLD、にけ電流i = i o: V/ (
R1+ R2+ r+ )が流れる。但しここでrlけ
双安定半導体レーザLD、の抵抗である。 一方、トランジスタTrのベース電位がOであるとTr
はオンになり双安定半導体レーザLD、の電流iけ+=
i、=v/(均+rJ+r2)となる。但し、ここでr
、はトランジスタTrの抵抗であす、R2>> rtと
する。以上のように第2図(a)の回路によシ外部信号
によシ双安定半導体レーザLD、に2値の電流を流すこ
とができる。 ここで、本実施例の書込み用1×4光スイツチ320と
読出し用4×1光スイツチの具体例、双安定半導体レー
ザ340.350.360.370の具体例を説明する
。 先ず第2図(b)は貞込み用1×4光スイツチ320又
は読出し用4×1光スイツチ330として用いることが
できる方向性結合形光スイッチの例を示す。 強誘電体結晶又は半導体結晶基板20上に形成した4個
の方向性結合形光スイッチ21.22.23゜30によ
って構成されている。例えばニオブ酸リチウム結晶上に
チタンを拡散して光導波路を作成し、互いに近接しだ光
導波路上に電極を設置することによって上記方向性結合
形光スイッチが得られる。 方向性結合形スイッチ30は光導波路24を通過する光
信号遮断するだめのスイッチである。光導波路24を入
力用、光導波路25.26.27.28を出力用とする
とき書込み用1×4光スイツチとして用いることができ
、入出力を逆にしたときには読出し用4×1光スイツチ
として用いることができる。 寸だ前記光スイツチ駆動回路321.、331は前記中
央制御装置のコントロールにより光スィッチ320.3
30の制御を行ガうための電気信号を発生するものであ
る。例えば光スイッチ320,330が前記第2図(b
)に示しだ光スィッチの場合には2値の異なる電圧をそ
れぞれ方向性結合形光スイッチ21.22,23.30
に供給する機能を有するものである。上記の各方向性結
合形光スイッチ21,2223.30が印加電圧Oのと
きに一方の光導波路に入射した光波がそのまま入射光導
波路を通過し、電圧をV、としたとき入射光が近接した
他方の光導波路に移るものとしだとき、光スイツチ駆動
回路321、331は最も簡単には上記の各方向性結合
形光スイッチに対し、1つのトランジスタを用いた回路
で構成できる。 例えばトランジスタのコレクタを抵抗Rを通して電圧V
、の電源に接続し、エミッタを接地l〜、ベースを制御
信号の入力端子とし、コレクタから出力電圧端子を出す
ことによって構成される。この回路で社制御信号の電圧
が0のとき出力電圧V、となシ制御信号電圧が正のとき
は出力電圧は0となる。 第3図(a)は双安定半導体レーザ340.350.3
60゜370の具体例を示す断面図である。構造は通常
用いられる電流注入形の半導体レーザとほぼ同じであシ
、例えば、GaA、IAs / GaAsやInGaA
sP /InPを材料とするダブルへテロ接合構造のレ
ーザである。但し、電極が一様ではなく、一部に電流の
注入されない部分が存在していることが通常の半導体レ
ーザとは異なっている。上記電流の非注入領域は可飽和
吸収体として働くので第3図(a)の双安定半導体レー
ザでは注入電流対光出力特性に双安定特性をもたせるこ
とができる。なお、電極を不均一にするかわりに、発光
領域である活性層の部分に不均一性をもたせ、一部に可
飽和吸収領域を設置することにより同様な双安定特性を
持たせることができる。これらの双安定半導体レーザで
は注入電流lを適当に選ぶことによって、外部からの注
入光に対する出射光の特性にも双安定特性が得られる。 とのような双安定半導体レーザの詳細は文献エレクトロ
ニクス・レター(El ect rontcs2 ) 
272番に述べられている。 第3図(b)+ (c)y (d)は前記第3図(a)
の双安定半導体レーザの動作を説明するための図である
。第3図(b)は入射光量Pin=Oとした時の注入電
流1と出射光量Poutの関係を示す図である。すなわ
ち注入電流量をi。から増加させたときには1=Iaで
急激に出射光量Pou+が増加し、逆に注入電流1をi
tかも減少させた場合には出射光量Pou tは1=i
cで急激に減少するようなヒステリミス特性を示t、1
=lbにおいて出射光iP。およびPlの2つの安定黒
人およびBを有する。第3図(c)は第3図(b)にお
いて注入電流1=ibとした時の入射光量Pinと出射
光量Po+ztの関係を示す図である。すなわち出射光
景POKt−Poの第1の安定点Aにある時に入射光量
Pinを0から増加させた場合は出射光量PC1ηtは
PIn−Paで急激に増加し以降入射光量Pin=’P
1から減少さぜた場合には出射光41Pocxtははと
んど減少せずに出射光i Po ut = PHの第2
の安定点Bに移る。第3図(c)Kおける点A、13i
よそれぞれ第3図(b)における点A、Bと同一の点を
表わす。第3図(d)は注入1シ流iおよび入射光Pi
nに対する双安定半導体レーザの動作を表にして示しだ
ものである。注入電流lがIbで入射光Pinが0であ
る場合には双安定半導体レーザは前に書き込まれたデー
タに応じて第3図(+))におけるeつの安定点A、B
のいずれか一方に位1痘し、出射光量P、あるいは馬を
保守する。第3図(b) において双安定半導体レーザ
が一方の安定点B(出射光量P+)を保持している時に
注入電流;を一度ioとし再びIbに戻すと出射光量P
outけB−D−Aの順に変化し以後他方の安定点A(
出射光量P。)を保持する。すなわち双安定半導体レー
ザはリセットされる。また第3図(c)において双安定
半導体レーザが安定点A(出射光量P。)を保持してい
る時に入射光量を一度piとし再びOK戻す〆出射光[
HPnutはA−E−Hの順に変化し以後安定点B(出
射光量P+ )を保持する。すなわち双安定半導体レー
ザはセットされる。さらに注入電流まがi。で入射光量
PinがP
【である場合には出射光量Poutは双安定
半導体レーザの特性に応じた値P、を示すが本発明では
直接この光量を使用しないので説明を省略する。 第4図は第1図に示した実施例の動作の中で特に双安定
半導体レーザ340の書き込み、読み出し動作を説明す
るためのタイムチャートである。第3図、第4図を参照
すれば第」図に示した先導波路310には時分割光信号
1ooが導かれている。第4図の光信号400は時分割
光信号100の情報A。 B、 C,I)をそれぞれ1ビツトのNRZ信号とした
場合の具体例を示す。ここで信号o、1としてそれぞれ
第3図に示す光量0.P【を必要とする。第1図におい
て双安定半導体レーザ340.350.360゜370
 Kはそれぞれ電流駆動回路345.355.365゜
375によって常時第3図に示す電流値都の電流が注入
されている。第2図(a)に示しだ電流駆動回路を用い
る場合はこの状態ではトランジスタTrけオンとなって
いる。まだ光導波路34] 、 351 、361゜3
71L光スイツチ320によって常時光導波路310か
ら切シ離されている。同様に光導波路380は光スィッ
チ330によって常時光導波路342.352 。 362、372から切り離されている。光スィッチ32
0.330が第2図(b)に示した構成である場合には
このとき、方向性結合形光スイッチ30には光スイツチ
駆動回路321又は331によシミ圧V、が印加され上
記方向性結合形光スイッチ30は遮断状態にある。 第1図において双安定半導体レーザ340への時分割光
信号100の情報Aの書き込みは次のようにして行なわ
れる。すなわちまず時分割光信号100の第1のタイム
スロット内の第1の期間において双安定半導体レーザ3
40への注入電流1を第4図410に示す如く一度I。 に減じた後に再びibに戻す。 これは例えば第2図(a)のトランジスタTrを一担オ
フにして再びオンに戻すことによって達成される。 この結果双安定半導体レーザ340の出射光量Poμt
は第4図440に示すように以前に光量P、を保持して
いても、前記注入電流パルス410の前縁411におい
てP。にリセットされる。次に時分割光信号100の第
1のタイムスロット内の前記第1の期間に続く第2の期
間において光スィッチ320によって光導波路310を
光導波路341に接続する。第2図(b)の構成の場合
には方向性結合形スイッチ3゜は電圧0,21.22は
電圧V、となっている。第4図420#′i:、光スィ
ッチ320に前記の接続動作を行なわせるだめに光スイ
ツチ駆動回路321から光スィッチ320に供給される
制御電圧を示す。例えば第2図(b)の光スィッチの場
合、方向性結合形光スイッチ21.22への供給電圧を
示す。光スィッチ320は制御電圧420が■、の時の
み光導波路3]0と光導波路341とが接続ざ力る。 この結果双安定半導体レーザ340の入射端には第4図
430に示すように時分割光信号400の第1のタイム
スロットのみを制御電圧420によって抽出した光信号
が得られる。これによって双安定半導体レーザ340の
出射光量440は、入射光量430がPtである場合に
は、入射光パルス430の前縁431においてP、に七
ツ)され、入射光量430がOである場合にけ1】。を
保持する。このようにして双安定半導体レーザ3401
/Cは時分割光信号Zooの情報Aが書き込廿れる。同
様にし−C光スイッチ駆動回路321および電流駆動回
路355.365.375はそれぞれ光スィッチ320
°、双安定半導体レーザ350 、360 。 370への注入電流を制御することによって時分割光信
号100の情報B、C,Dをそれぞれ双安定半導体レー
ザ350.360.370に書き込んで行く。このよう
にし−C双安定半導体レーザ340に書き込まれた情報
Aの時分割光信号190への読み出しは以下のようにし
て行なわれる。すなわち時分割光46号190の例えば
第4のタイムスロットにおいて光スィッチ330によっ
て光導波路342を光導波路380に接続する。第4図
450は光スィッチ330に前記の接続動作を行なわせ
るだめに光スイツチ駆動回路33】によって光スィッチ
330に供給される制御電圧を示す。ここで光スィッチ
330は制御電圧450がV、の時のみ光導波路342
と光導波路380とを接続するものとする。例えば第2
図(b)の光スィッチを光スィッチ330として用いた
場合、制御電圧450は方向性結合形光スイッチ21.
22への印加電圧を示す。この結果光導波路380には
第4図460に示すように双安定半導体レーザ340の
出射光440を制御電圧450によって抽出した光信号
が得られる。同様にして光導波路380には更に時分割
光信号190の第1.第2.第3のタイムスロットにお
いてそれぞれ双安定半導体レーザ370゜360、35
0に保持されていた情報り、C,Bが読み出される。こ
のようにして先導波路380に得られた時分割光信号1
90においては時分割光信号100の情報AI!:Dお
上びBとCの交換が行なわれる。 以上の第1図の実施例では交換される情報のフレーム周
期の長さは書込み及び読出し用光スィッチの制御により
任意に設定できかつ従来のように長尺の光ファイバを使
用しないので装置の小形化が容易である。まだ、出射光
レベルの高い双安定半導体レーザを用いることにより第
2の時分割光信号100の光量を第1の時分割光信号1
90よりも大きくすることが可能である。 第5図は第1図に示した実施例の動作の中で特に双安定
半導体レーザ340の書き込み、読み出し動作を説明す
るだめの他のタイムチャートである。 オ 第3図、第5図1参照すれば第1図に示した光導波路3
10には時分割光信号100が導かれている。 第5図の光信号500は時分割光信号100の情報A。 B、C,Dをそれぞれ1ピツトのNRZ信号とした場合
の具体例を示す。ここで信号0,1としてそれぞれ第3
図に示す光量0.Ptを必要とする。第1図において双
安定半導体レーザ340.350,360゜370には
それぞれ電流駆動回路345,355. 365゜37
5によって常時第3図に示す電流値ibの電流が注入さ
れている。まだ光導波路341 、351 、361゜
371は光スィッチ320によって光導波路310から
切り離されている。同様に光導波路380は光スィッチ
330によって常時光導波路342,352. 362
゜372から切り離されている。第1図において双安定
半導体レーザ340への時分割光信号100の情報Aの
書き込みは次のようにして行なわれる。すなわち時分割
光信号100の第1のタイムスロットにおいて光スィッ
チ320によって光導波路310を光導波路341に接
続する。第5図510は光スィッチ320に前記の接続
動作を行なわせるだめに光スイツチ駆動回路321から
光スィッチ320に供給される電圧を示す。ここで光ス
ィッチ320は制御電圧510がV、の時のみ光導波路
310と光導波路341とを接続するものとする。この
結果双安定半導体レーザ340の入射端には第5図52
0に示すように時分割光信号500の第1のタイムスロ
ットのみを制御電圧510によって抽出した光信号が得
られる。 とれと同時に電流駆動回路345によって双安定半導体
レーザ340への注入電流iを第5図530に示すよう
に入射光パルス520よシも狭いパルス幅で一度i。に
減じた後に再び1bに戻す。これによって双安定半導体
レーザ340の出射光量540は、入射光量520が0
である場合には注入電流パルス530の前縁531でP
。にリセットされる。一方入射光量520がPtである
場合には注入電流530がOとなる期間532において
は双安定半導体レーザ340の出射光量540は第3図
(d)に示し九P、を示すが注入電流パルス530の後
縁533でPlにセットされる。このようにして双安定
半導体レーザ340には時分割光信号100の情報Aが
書き込まれる。同様にして光スイツチ駆動回路321お
よび電流駆動回路355゜365、375はそれぞれ光
スイッチ320.双安定半導体レーザ350.360.
370への注入電流を制御することによって時分割光信
号100の情報B、C。 Dをそれぞれ双安定半導体レーザ350 、360 、
370に書き込んで行く。このようにして双安定半導体
レーザ340に書き込まれた情報Aの時分割光信号19
0への読み出しは以下のようにして行なわれる。 すなわち、時分割光信号190の例えば第4のタイムス
ロットにおいて光スィッチ330によって光導波路34
2を光導波路380に接続する。第5図550は、光ス
ィッチ330に前記の接続動作を行なわせるために光ス
イツチ駆動回路331によって光スィッチ330に供給
される制御電圧を示す。ここで光スィッチ330は制御
電圧550が■、の時のみ光導波路342と光導波路3
80とを接続するものとする。 この結果光導波路380には第5図560に示すように
双安定半導体レーザ340の出射光540を制御1電圧
550によって抽出した光信号が得られる。同様にして
光導波路380には更に時分割光信号190のill 
第z+ 第3のタイムスロットにおいてそれぞれ双安定
半導体レーザ370.360 、350に保持されてい
た情報り、C,Bが読み出される。このようにして光導
波路380に得られた時分割光信号190 においては
時分割光信号100の情報AとDおよびAとCの交換が
行なわれる。 以上述べたように本発明によれば、交換すべきフレーム
周期の長さを任意に設定することが可能で、装置の小形
化が容易でしかも、高い出力光信号レベルが容易に得ら
れる時分割光交換機が得られる。 なお本発明は上述の実施例に限定されるものではない。 例えば第1図に示しだ実施例においては双安定半導体レ
ーザへの書き込みを周期的に行ない読み出しを交換すべ
き情報に応じて行なう例を示しだが双安定半導体レーザ
への書き込みを交換すべき情報に応じて行ない読み出し
を周期的に行なうことによっても全く同様な交換動作が
得られる。 また1タイムスロツトが゛nビット(n≧2)で構成さ
れるような場合には本実施例に示した1つの双安定半導
体レーザのかわシにそれぞれn個の双安定半導体レーザ
を設は各タイムスロット内でn個の双安定半導体レーザ
の書き込み、読み出しを順次行なうことによってタイム
スロット間での交換を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による時分割光交換機の実施例を示す図
、第2図(a)は半導体レーザの電流駆動回路の一例を
示す図、第2図(b)は本発明に用いることができる書
き込み用又は読出し用光スィッチの一例を示す図、第3
図(a)は双安定半導体レーザの一例を示す図、第3図
(b)、 (c)、 (d)は双安定半導体レーザの動
作を示す図、第4図、第5図は光交換機の動作を説明す
るだめのタイムチャートである。 図において、320は書込み用の光スィッチ、330は
読出し用の光スィッチ、340.350.360.37
0は双安定半導体レーザである。 0、■人弁理士 内厚  晋 ay   O>−Oe   O j  ・−へ  Cタ  0 〔e e  oご 3りc>1lff ON   CL’タ OQT   e

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1つの入力端と複数の出力端とを備えた書込み用光スィ
    ッチと、前記出力端からの出射光がレーザ共振器端面か
    ら入射するようにして各出力端にそれぞれ1つづつ対応
    して設置された双安定動作を示す半導体レーザと、前記
    半導体レーザからの出射光が入射するように各々の半導
    体レーザにそれぞれ1つづつ対応する複数の入力端と1
    つの出力端とを備えだ読み出し用光スィッチと、前記各
    党スイッチの光スイツチ駆動回路と、前記半導体レーザ
    の電流駆動回路と、前記各駆動回路のタイミングを制御
    する中央制御装置とから構成されることを特徴とする時
    分割光交換機。
JP21670882A 1982-11-29 1982-12-10 時分割光交換機 Granted JPS59107675A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21670882A JPS59107675A (ja) 1982-12-10 1982-12-10 時分割光交換機
US06/555,927 US4608682A (en) 1982-11-29 1983-11-29 Optical time-division switching system employing optical bistable devices
CA000442179A CA1206633A (en) 1982-11-29 1983-11-29 Optical time-division switching system employing optical bistable devices
EP83111979A EP0110388B1 (en) 1982-11-29 1983-11-29 Optical time-division switching system employing optical bistable devices
DE8383111979T DE3374040D1 (en) 1982-11-29 1983-11-29 Optical time-division switching system employing optical bistable devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21670882A JPS59107675A (ja) 1982-12-10 1982-12-10 時分割光交換機

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59107675A true JPS59107675A (ja) 1984-06-21
JPH0439837B2 JPH0439837B2 (ja) 1992-06-30

Family

ID=16692670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21670882A Granted JPS59107675A (ja) 1982-11-29 1982-12-10 時分割光交換機

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59107675A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS617740A (ja) * 1984-06-22 1986-01-14 Nec Corp 光スイツチ回路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5518114A (en) * 1978-07-26 1980-02-08 Hitachi Ltd Analog-digital converter
JPS57158832A (en) * 1981-03-27 1982-09-30 Mitsubishi Electric Corp Image memory device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5518114A (en) * 1978-07-26 1980-02-08 Hitachi Ltd Analog-digital converter
JPS57158832A (en) * 1981-03-27 1982-09-30 Mitsubishi Electric Corp Image memory device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS617740A (ja) * 1984-06-22 1986-01-14 Nec Corp 光スイツチ回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0439837B2 (ja) 1992-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4608682A (en) Optical time-division switching system employing optical bistable devices
Suzuki et al. An experiment on high-speed optical time-division switching
JPH10511777A (ja) 導波型光クロスポイントスイッチ
US4822124A (en) Optical matrix switch
US4748630A (en) Optical memory device comprising a semiconductor laser having bistability and two injection current sources for individually controlling the bistability
EP0364162B1 (en) Optical device
JPS60254991A (ja) 時分割光交換機
JPS59107675A (ja) 時分割光交換機
JPH04280522A (ja) 光接続装置とその駆動方法
US4802175A (en) Opto-electric logic elements
JPH0634533B2 (ja) 時分割光交換機
JPS623231A (ja) 光信号シフト回路
JPH0228851B2 (ja)
JPH05119357A (ja) 光マトリクススイツチ
JPH07106548A (ja) 半導体光源装置とその駆動方法
Cheng et al. Smart pixels for two-dimensional arrays
JPH01144884A (ja) 広帯域信号結合装置
EP0282227A1 (en) Signal switching processor
KR100198936B1 (ko) 자체광전효과소자를 이용한 다단구조의 광 패킷 스위칭장치
JP2510589B2 (ja) 光ノ−ド用導波路型4×4光スイッチ
JPH0426086B2 (ja)
JP2762572B2 (ja) 光dフリップフロップ回路
Cheng et al. High-speed optical interconnect technology for a reconfigurable multiprocessor network
JPS60229387A (ja) 光情報記憶回路
JPH0666510B2 (ja) 光メモリ書き込み方式