JPS59104155A - 半導体ヒユ−ズ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路において、半導体素子を利用
したヒユーズに関する。

第１図に、従来の半導体ヒユーズの構成を示す。

１０１は、ヒユーズとして利用する半導体素子で、電流
を流すことによって熱を発生し溶解する。

１０２は、配線部で、ヒユーズ素子両端に接続し、これ
を用いてヒユーズを溶解するための電流を流す。１０３
は、絶縁膜であり、ヒユーズ材料と同一の材質なものを
他の素子部で使用する場合、配１− 線部と絶縁するために必要となる。１０４け保護膜であ
り、不純物質等の半導体集積回路内部への侵入を防ぐた
めに用いる。

従来のヒユーズの溶断工程は、第１図に示す様な状態、
すなわち、保護膜（１０４）形成後に行なわれているが
、ここで、従来のヒユーズ溶断工程の１例として、第１
図のヒユーズの溶断過程を簡単に説明する。

ＩＩ＋　　ヒユーズ素子（１０１）は、それ自身の温度
を溶解温度以上に上昇させると溶解を始める。

１２１　　次に、ヒユーズ素子（１０１）の膨張あるい
は熱がヒユーズ素子周辺の膜層（１０３）、（１０４）
に加わることによって膜層は破壊され、溶解したヒユー
ズ材料の多くは大気中に拡散する。

以上の如く、従来のヒユーズ溶断工程では、ヒユーズ（
１０１）が溶断すると同時に、保護膜（１０４）も破壊
されてしまう。一般に、保護膜の形成は半導体製造の最
終プロセスであるため、製品段階でも第２図の如く、保
護膜（２０４）は、破壊された−１１の状態である。保
護膜が破壊され２− た部分は、保護膜が無い状態と同じであり、不純物質等
が内部に侵入しやすく、回路素子の誤動作あるいけヒユ
ーズ素子の再導通の可能性も高くなる。

本発明は、かかる欠点を除去したもので、目的は、ヒユ
ーズ溶断後、ヒユーズ部周辺をヒユーズ部以外の部分と
同様に保護膜で覆うことによって不純物質の侵入を防ぎ
、信頼性の向上を図ることにある。

以下実施例に基づいて、本発明の詳細な説明する。第３
図は、本発明によるヒユーズ構成の１例を示す。第３−
【α）図は、ヒユーズ（３０１）溶断前のヒユーズ部周
辺の断面図、第３−１ｂ１図は、ヒユーズ（３０１）溶
断後、保護膜層（３０４）を形成したヒユーズ部周辺の
断面図である。第３図のヒユーズ構成は、ヒユーズ素子
（３０１）と保護膜層（３０４）及び配線部（３０２）
絶縁膜（３０３）からなっており、ヒユーズ溶断工程で
は、Ｃα１図の如く、保護膜層は無い状態となっている
。

ヒユーズ溶断後、保瞳膜層形成工程を経て１ｂ１図の３
一 様な最終製品となる。

このように、本発明はヒユーズ（３０１）溶断後に、保
護膜（３０４）を形成するため、ヒユーズ溶断時に破壊
された部分も保護膜で覆われ不純物質等の侵入を防ぎ、
経年後の信頼性の向上にすぐれた効果を有するものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ヒユーズ溶断工程における。従来のヒユーズ
構成図。第２図は、従来のヒユーズ溶断後のヒユーズ部
周辺の断面図。第３図は、本発明によるヒユーズ構成の
１例であり、１ａ）図は、ヒユーズ溶断工程におけるヒ
ユーズ構成図。１ｂ１図は、ヒユーズ溶断後、保護Ｈハ
形成したヒユーズ部周辺の断面図。 １０１　、２０１　、３０１・φヒユーズ素子１０２　
、２０２　、３０２・・配線部１０３　、２０３　、３
０３・・絶縁膜層ＨＪ４　、２０４　、３０４・・保物
膜層以　　　上 λａ／ 第２０ ３０／ 第３図し）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体集積回路において、ヒユーズとして用いる半導体
   素子及び保護膜層からなシ、ヒユーズ溶断後、保護膜層
   を形成することを特徴とする半導体ヒユーズ。