JPS59101938A - フエ−ジングシミユレ−タ - Google Patents

フエ−ジングシミユレ−タ

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JPS59101938A
JPS59101938A JP57211326A JP21132682A JPS59101938A JP S59101938 A JPS59101938 A JP S59101938A JP 57211326 A JP57211326 A JP 57211326A JP 21132682 A JP21132682 A JP 21132682A JP S59101938 A JPS59101938 A JP S59101938A
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JP
Japan
Prior art keywords
fading
signal
multipath
memory
simulator
Prior art date
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Pending
Application number
JP57211326A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidehiro Takahashi
英博 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS59101938A publication Critical patent/JPS59101938A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B17/00Monitoring; Testing
    • H04B17/0082Monitoring; Testing using service channels; using auxiliary channels
    • H04B17/0087Monitoring; Testing using service channels; using auxiliary channels using auxiliary channels or channel simulators
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B17/00Monitoring; Testing
    • H04B17/30Monitoring; Testing of propagation channels
    • H04B17/391Modelling the propagation channel
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B17/00Monitoring; Testing
    • H04B17/30Monitoring; Testing of propagation channels
    • H04B17/391Modelling the propagation channel
    • H04B17/3911Fading models or fading generators

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Monitoring And Testing Of Transmission In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 この発明は、マルチパスやフェージングの存在する伝送
路を伝搬した信号を模擬するフェージングシミュレータ
に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕フェージングシ
ミュレータは、無線変復調装置の評価試験、例えば移動
無線における特性試験等に用いられる。
従来のフェージングシミュレータおよびマルチパスの影
響を考隋したフェージングシミュレータについて第1図
およ−び第2図を参照して説明する。
まず、フェージングシばユレータは第1図に示す様な構
成である。即ち、入力端子[Hllに供給されたキャリ
アの一部は平衡変調器(121に供給し、他は90度移
相器0]1を介して平衡変調器(13)に供給する。
これら変調器Q21(131では、夫々独立な雑音発生
器(141(151から発生した各々のひずみ信号のう
ち夫々低域濾波器(1G+(17)を通過した信号によ
り前記キャリアを夫々平衡変調する。
さらに、各変調器(12+(+31の出力は加算器08
)で加算され、出力端子θ9)に模擬信号を得る構成に
なっている。
次に第1図のフェージングシミュレータを用いたマルチ
パスの影響を考慮した従来のフェージングシだユレータ
の構成は、第2図の通りである。
即ち、キャリアがフェージングの存在する6伝送路を径
て得られることを想定している。
凍ず入力端子(211)に供給されたキャリアは、予想
される多数の各伝送路の通路差による時間差に設定され
た複数個の遅延器(21)〜(2n)に供給して遅延し
た後、各遅延(M号は夫々対応して設けられたフェージ
ングシミュレータI、(11〜(3n)でフェージング
模擬信号を出力する。
この各フェージングシミュレータ畦〜(3n)出力信号
は、夫々の重み回路(41)〜(4n)により予め定め
られた媚、減衰した後、加算器(51)により加算され
、マルチパスの彫物を受けたフェージング波を出力端子
(52)に得る構成になっている。
雑音発生器(121(131から発生するひずみ信号を
変調信号とするフェージング模擬装置としては、例えば
特開昭55−37.047号公報に開示されているO 即ち、フェージング周期、レベルの確率分布等のパラメ
ータは、雑音発生器(+4)(151,!:低域iie
、j 波器(I[il Q71との定数によって決定し
ている。
しかしながら、上記装置によると、所望のフェージング
パラメータを実現する様なひずみ信号および江M波器の
定数を求めることは一般に困雑である。
また、特に低域濾波器(161(171はアナログ回路
で形成されることになり、十分な再現性が得られず、測
定では普遍的なデータを得られないとの欠点がある。
烙らに上記の様に、各伝送路に対応する装置を設置しな
ければならない。
以上の様なマルチパスの存在する除のフェージングシミ
ユし・−夕においては、前記フェージングシミュレータ
における欠点がそのままあてはまり、また第2図から明
らかなようにマルチパスブランチの数だけ、即ち、マル
チパスの存在する伝送路数だけ上記フェージングシミュ
レータを組み込む必要があるとの欠点がある。
さらに、マルチパスの各ブランチの重み回路(41)〜
(4n)のパラメータの決定法についても有効な方法は
未だ提案されていない。
〔発明の目的〕
この発明は上記欠点を改良したもので、所望のパラメー
タを持つマルチパスやフェージングの影響を受けた信号
の再現性、普遍性が極めて良好であり、また低コストの
フェージングシミュレータを提供するものである。
〔発明の概要」 入力信号およびその入力信号と900O’r相の異なる
16号の夫々に対して、マルチパスやフェージングの彫
物を受け7゛ヒ信+」を記tはしたメモリから得られる
ひずみ(m号で夫々振+p+4変i++4し〕と後、加
:tJ: t、てフェージング模&(N号をイ好るフェ
ージングシミュレータを得るものである。
〔発明の実施例〕
まず、この発明装随に用いるメモリ、例えばROIVI
に記憶でせるデータの抽出例を具体的に説明する。
このマルチパスやフェージングの影較を受けた信号を記
憶したメモリ、例えばROMは、前記信号を複素平面上
の直交2成分で表すことにより得られる。
即ち、マルチパスやフェージングの影剪を受ける前の被
変調波、例えばディジタル変調波の位相変調波、例えば
ディジタル変調波の位相変調波、例えばMS K (M
inimum 5hift Keeing )波におけ
る複素平面図は、第3図に示す通りである。
これは、複素平面−上の単位円を1タイムスロット当り
900回転して、その位置より情報を伝えている。
時刻、例えは任意の時刻(to)において、次のタイム
スロット(tI又は11)により位相が900進むか又
は90°遅れるかにより1ビツトのディジタル信号を表
す。
この様な信号波において、その軌跡は単位円と一致する
一方、任意の単一周波キャリアがフェージングの影響を
受けた信号を上記と同様に複素平面図で表すと第4図の
様な軌Vプ■・(tO′、t1′、t、′、t3′、・
・・・・・)となる。
次に、被変調波、例えば第3図に示す様なM S t<
波がフェージングを受けた後の信号の軌跡は、第3図に
示すIVI S K波の複素ベクトルと単一周波キャリ
アがフェージングを受けた後の信号の複素ベクトル、例
えば第4図に示ず複素ベクトルとを乗算したネジ素ベク
トルHSaP、5図に示す様なベクトル軌跡(tol/
、1.、//、t2it、t3”、・・・・・・)とな
る。
さらに、マルチパスの影響を受けた信号を複素平面上に
表す除は、第3図に示す様なNl5K波の襟素ベクトル
とマルチパスの存在する各通路ごとに皓フェージングの
影響を受けた信号、例えば単一周波数キャリアの複素ベ
クトルとを各々乗りする。
次に、この乗膳した後の各複素ベクトル軌跡から各伝送
路による時間差を考慮した各複素ベクトル軌跡をサンプ
ルした後、各加算合成して得られる。
以上の様にして、マルチパスやフェージングの影響を受
けたディジタル変調波を複素平面上の軌跡として得るこ
とができる。
即ち、任意の時系列内におけるマルチパスやフェージン
グの影響を受けた被変調波は、複素平面上の直交成分の
実軸および虚軸成分に投影することができる。
この投影により得られる実軸成分および虚軸成分を各々
独立々メモリ、例えばROMに記憶することによりマル
チパスやフェージングの影嚢を受けた被変調波を再現す
るメモリ例えはROMを得ることができる。
前記実地ii酸成分よび虚軸成分は、実際のでルチバス
やフェージングの影響を受けた被変調波を実軸および虚
軸に関して各同期検波して記録することにより得られる
また、この両成分は、計算機のシミュレーションによっ
て決定するととも可能である。
以下、との発明装置の一実施例を第6図を参照して説明
する。
ます、発&器、例えはキャリア発振器(61)により発
生したキャリアの一部は直接第1の振幅変調器、例えは
第1の平衡変調器(62)に供給し、他は90肛移相器
(63)によす110°移相した後、第2の振幅71周
器、し11えは紀2の平衡変E器(64)に供給して直
交変調をIrう。
一方、鎖1のメモリ、例えばi:toM(65)および
第2のメモリ、例え1111もOM(66)は、上記に
より秤られるマルチパスやフェージングの彫りを受けた
被変調波、例えはディジタル変調波の実軸成分および虚
軸成分か各データ、例えばディジタルデータとして記1
.へ塾れている。
各ディジタルデータl:J、 、共i11のクロソゲパ
ルス発生器(67)の発生するパルスにより順次、繰り
返してカ11み出された後、ディジタル/アナログ変換
器(6B)I/こよりアブログ捕となって第1および氾
2の十衡変1周器(62X64)のベースバンド入力と
して加えられる。
塙らに、前記第1および第2の平衡変調器(62)(6
4)の各出力信号は、加n f’ri (69)により
加算合成きれ出力端子(70)にフェージング模擬1C
号を出力する。
この様に、マルチパスやフェージングの影響を受けた信
号の実軸および虚軸両成分を夫々記憶した冴1】および
第2のメモ’) (65X66)により直交変調器のベ
ースバンド入力を一定のひずみ信号としで力[iえるこ
とか可能とAる。
以上m’rl [1lli Lだようにこの発明装置に
よれば、再明。
性、普納性が良いマルチパスやフェージングの影響を受
けたディジタル変調波を得ることができる。
さらに、前記紀1および第2のメモリ、例えばRO八へ
1の内容を計名′梠シミュレーションにより決定する際
は、フェージング周波数、レベルの確率分布の各パラメ
ータを任意に設定することが可能とン:;二 る。
乃゛お、上記賓施例では、メモリとしてテイジタルメモ
リを用いたが、アナログメモリでも可能であり、また+
’i−1記谷平衡変調器(62)(64)のベースバン
ド入力としてディジタル入力が可能な除は、各々ディジ
タル/アナログ変換器(68)を用いなくてよい0 また、前記キャリア発振器(61)の代りに変調送信機
、例えばディジタルデータ変調送信機を用い、さらに第
1および第2の各メモリ(65X66)の内容を単一周
波キャリアがフェージングの彫物を受けた信号、例えは
8A4図に示す様な信号の実軸および虚軸の各成分とす
る際は、マルチパスの考慮を必要とし女いフエージング
シごユレータとなる。
また、離れた場所においてこの発明装置を実施する際は
、直交変調器の形式を前記直交変騨器と一#させ、前記
第1および第2のメモリの内容を伝送することにより、
前記と同様のマルチパスやフェージングの影響を受けだ
信月を得ることができる。
即誂、この発明装置によりマルチパスやフェージングの
影響を受けた標準信号を設定することが可能となる。
また、あらかじめマルチパスやフェージングの影響を受
けた各種信号を各種メモリ、例えばROMに記慎させて
おくことにより、各メモリ、例えばROMを選択し各種
の俳号を容易に得ることができる。
〔発明の効果〕
この発明は、マルチパスやフェージングの影響を受けた
信号を極めて再現性、普遍性良く得ることができ、また
低コストで小形化が容易なフェージングシミュレータを
得ることかで傘る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来のフェージング7ミユレータ構成図、第
2図は、第1図のフェージングシミュレータを用いてマ
ルチパスの影響を考慮した際の従来のフエージングシば
ユレータ構成図、第3図は、この発明の実施例を一説明
するだめのディジタル位相変調信号の複素平面図、第4
図は、この発明実施π1!のフェージングの影響を受け
だ単一の周波キャリアの複素平面図、第5図は、第3図
と第4図の複素ベクトルを乗算したフェージングの影響
を受けだディジタル位相変調信号の複素平面図、第6図
は、第5図の内容を配憶したメモリを用いたフェージン
グシミュレータの一実施例の構成図である0 11.63・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・移相器14.15・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・雑音発生器12.13.62.
64・・・・・・平衡変調器18.51.69・・・・
・・・・・・・・・・・加算合成器16.17・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・低域端波器
21〜2n・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・遅延器31〜3n・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・ フェージングシミュレータ4
1〜4n・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・重み回路61・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・キャリア発振器6
5.66・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ メモリ(ROM)67・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ クロ
ックパルス発生器68・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・;r・  ディジタル
/アナログ変換器10、加・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・入力端子19.52.7
0・・・・・・・・・・・・・・・出力端子代理人弁理
士 則 近 憲 佑 外1名第  1 図 第  2 図 第  4 図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  入力信号およびその入力信号と90°位相の
    異なる信号に対して各々ひずみ信号で夫々振幅変調した
    後混合する装置において、前記ひずみ信号はメモリから
    得ることを特徴とするフェージングシミュレータ。
  2. (2)  メモリは、マルチパス若しくはフェージング
    の影響を受けだ信号が記憶されたものであることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載のフェージングシミュ
    レータ。
  3. (3)  メモリは、単一周波キャリアがフェージング
    を受けだ信号若しくはデジタル変調されたキャリアがマ
    ルチパスを受けだ信号のうち少なくとも一方の信号の等
    価ベースバンド信号の直交2成分信号が記憶されたもの
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフ
    ェージングシミュレータ。
JP57211326A 1982-12-03 1982-12-03 フエ−ジングシミユレ−タ Pending JPS59101938A (ja)

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