JPS59101856A - 半導体封止用モ−ルド樹脂 - Google Patents
半導体封止用モ−ルド樹脂Info
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- JPS59101856A JPS59101856A JP21084582A JP21084582A JPS59101856A JP S59101856 A JPS59101856 A JP S59101856A JP 21084582 A JP21084582 A JP 21084582A JP 21084582 A JP21084582 A JP 21084582A JP S59101856 A JPS59101856 A JP S59101856A
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はダイオード、トランジスタ、ＩＣ（集積回路
）、ＬＳＩ（大規模集積回路）などの半導体及び電子部
品を封止するために使用する半導体封止用モールド樹脂
に関するもので、特にリード部あるいは金型面に出る樹
脂パリの流出防止を行なっているものである。
）、ＬＳＩ（大規模集積回路）などの半導体及び電子部
品を封止するために使用する半導体封止用モールド樹脂
に関するもので、特にリード部あるいは金型面に出る樹
脂パリの流出防止を行なっているものである。
封止樹脂の成形性の間融に関するものに樹脂パリがある
。このような樹脂パリが発生すると、素子を組立てて使
用する場合、素子の組立てのじゃまになったシ、電気特
性を防害したシ、メッキの場合にはメッキの付きが悪く
、リードが腐食する原因となっていた。従って、このよ
うな樹脂パリを止める場合、第１の方法としてモールド
樹脂構成物の１つである充てん剤を適轟な粒度分布にし
たシ、第２の方法として硬化促進剤を増したシ、第３の
方法として樹脂粘度の大きいものを使用したシ、第４の
方法として混練を十分すぎるほどしたシしていた。
。このような樹脂パリが発生すると、素子を組立てて使
用する場合、素子の組立てのじゃまになったシ、電気特
性を防害したシ、メッキの場合にはメッキの付きが悪く
、リードが腐食する原因となっていた。従って、このよ
うな樹脂パリを止める場合、第１の方法としてモールド
樹脂構成物の１つである充てん剤を適轟な粒度分布にし
たシ、第２の方法として硬化促進剤を増したシ、第３の
方法として樹脂粘度の大きいものを使用したシ、第４の
方法として混練を十分すぎるほどしたシしていた。
しかし、上記した第１の方法であるモールド樹脂構成物
の１つである充てん剤を適轟な粒度分布にする場合は、
通常平均粒径の大きな光てん剤（約４０μ）と、小さな
光てん剤（約１０μ）の組合せをしているが、小さな光
てん剤を多く使用すると樹脂の粘度が上昇し、ＩＣ，Ｌ
ＳＩに使用する金線の変形（ワイヤ流）が生じるという
欠点がある。ここで、ワイヤ流とけ樹脂の注入により半
導体ペレットとリード間に樹脂されるワイヤが押し流さ
れることである。このワイヤ流により隣接するワイヤが
接触してしまったシ、リードフレームに接触したシ、ペ
レットに接触してしまうという障害が生じる。一方、大
きな充てん剤を使用すると樹脂パリが大きくなるという
欠点がある。また、小さな光てん剤と大きな充てん剤と
が両立するように使用すると、許容以上樹脂パリが発生
するという欠点がある。また、上記した第２の方法であ
る硬化促進剤を増す場合であるが、この場合にはワイヤ
流の発生及び耐湿性の劣化につながるという欠点がある
。さらに、上記した第３の方法である樹脂粘度の犬のも
のを使用した場合にもワイヤ流の発生及び耐湿性劣化を
生じるという欠点がある。また、上記した第４の方法で
ある混線を十分すぎるほど行なった場合にもワイヤ流の
発生及び１１１−１湿性の劣化を生じるという欠点があ
った。
の１つである充てん剤を適轟な粒度分布にする場合は、
通常平均粒径の大きな光てん剤（約４０μ）と、小さな
光てん剤（約１０μ）の組合せをしているが、小さな光
てん剤を多く使用すると樹脂の粘度が上昇し、ＩＣ，Ｌ
ＳＩに使用する金線の変形（ワイヤ流）が生じるという
欠点がある。ここで、ワイヤ流とけ樹脂の注入により半
導体ペレットとリード間に樹脂されるワイヤが押し流さ
れることである。このワイヤ流により隣接するワイヤが
接触してしまったシ、リードフレームに接触したシ、ペ
レットに接触してしまうという障害が生じる。一方、大
きな充てん剤を使用すると樹脂パリが大きくなるという
欠点がある。また、小さな光てん剤と大きな充てん剤と
が両立するように使用すると、許容以上樹脂パリが発生
するという欠点がある。また、上記した第２の方法であ
る硬化促進剤を増す場合であるが、この場合にはワイヤ
流の発生及び耐湿性の劣化につながるという欠点がある
。さらに、上記した第３の方法である樹脂粘度の犬のも
のを使用した場合にもワイヤ流の発生及び耐湿性劣化を
生じるという欠点がある。また、上記した第４の方法で
ある混線を十分すぎるほど行なった場合にもワイヤ流の
発生及び１１１−１湿性の劣化を生じるという欠点があ
った。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
は樹脂パリが発生せずに、しかも耐湿性の向上に対して
も劣化させないような半導体封止用モールド樹脂を提供
することにある。
は樹脂パリが発生せずに、しかも耐湿性の向上に対して
も劣化させないような半導体封止用モールド樹脂を提供
することにある。
樹脂構成物と光てん剤構成物とからなる半導体封止用モ
ールド樹脂において、モールド樹脂の組成の０．１〜５
％の範囲内で樹脂構成物を予め硬化させたものの微粉を
モールド樹脂の組成の一部として使用することによりモ
ールド樹脂を硬化させる際に上記微粉を中心に硬化が進
むようにする。そして、硬化反応の核が大きな所よシ始
まシ、分離しに＜〈シて、成形圧をかけた時微小なすき
間からパリとして樹脂がもれ逐いようにしている。
ールド樹脂において、モールド樹脂の組成の０．１〜５
％の範囲内で樹脂構成物を予め硬化させたものの微粉を
モールド樹脂の組成の一部として使用することによりモ
ールド樹脂を硬化させる際に上記微粉を中心に硬化が進
むようにする。そして、硬化反応の核が大きな所よシ始
まシ、分離しに＜〈シて、成形圧をかけた時微小なすき
間からパリとして樹脂がもれ逐いようにしている。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
牛導体刊止用モールド樹脂は、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、（ブロム化フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂）等の樹脂構成物と、溶融シリカ等のフェノー
ル樹脂光てん削よシなる充てん剤構成物とからなるもの
で、この発明においては樹脂構成物をモールド樹脂の組
成の０．１〜５％の範囲内で樹脂構成物を予め硬化させ
たものの微粉を半導体対土用モールド樹脂の組成の一部
としている。まず、充てん剤（溶融シリカ）を７３部、
三酸化アンチモンを１．５部、カーボンブラックを０．
３部をジャケット付ミキサー中に均一に混合し、カップ
リング剤（ｒ−グリシドオキングロビルトリメトキシラ
ン）を処理しておく。次に、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２２０ ） ヲ１４．５部、
ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２７０）を２．０部、硬化剤としてフェノールノ
ボラック樹脂（水酸基５敬１０５）を８．０部、硬化促
進剤としてヘプタデシルイミダゾールを０．２部、上記
処理済の充てん剤、難燃剤及び着色剤並びに離形剤とし
てカルナバワックスを０．３部ミキサー中に十分混合し
ておき、この中にエポキシ樹脂とフェノール樹脂を反応
硬化させたものの微粉砕したものを１％加えて、さらに
十分混合後、熱ロールによる溶融混合処理をして成形材
料、つまりタブレット化している。
エポキシ樹脂、（ブロム化フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂）等の樹脂構成物と、溶融シリカ等のフェノー
ル樹脂光てん削よシなる充てん剤構成物とからなるもの
で、この発明においては樹脂構成物をモールド樹脂の組
成の０．１〜５％の範囲内で樹脂構成物を予め硬化させ
たものの微粉を半導体対土用モールド樹脂の組成の一部
としている。まず、充てん剤（溶融シリカ）を７３部、
三酸化アンチモンを１．５部、カーボンブラックを０．
３部をジャケット付ミキサー中に均一に混合し、カップ
リング剤（ｒ−グリシドオキングロビルトリメトキシラ
ン）を処理しておく。次に、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２２０ ） ヲ１４．５部、
ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２７０）を２．０部、硬化剤としてフェノールノ
ボラック樹脂（水酸基５敬１０５）を８．０部、硬化促
進剤としてヘプタデシルイミダゾールを０．２部、上記
処理済の充てん剤、難燃剤及び着色剤並びに離形剤とし
てカルナバワックスを０．３部ミキサー中に十分混合し
ておき、この中にエポキシ樹脂とフェノール樹脂を反応
硬化させたものの微粉砕したものを１％加えて、さらに
十分混合後、熱ロールによる溶融混合処理をして成形材
料、つまりタブレット化している。
このようにして、タブレット化したこの発明に係るモー
ルド樹脂を用いて半導体素子を樹脂封止する場合には第
１図に示すような工程で行なわれていた。っまシ第１図
は低圧トランスファ成形法と呼ばれる樹脂封止法を示す
図である。
ルド樹脂を用いて半導体素子を樹脂封止する場合には第
１図に示すような工程で行なわれていた。っまシ第１図
は低圧トランスファ成形法と呼ばれる樹脂封止法を示す
図である。
まず、第１図（４）に示すように、あらかじめ一定温度
に加熱しておいた金型に封止すべき半導体素子組立品１
１を下型のキャビティ１２にセットし金型を閉じておく
。次に、第１図（Ｂ） Ｋ示すようにタブレット状にし
たこの発明に係る半導体封止用樹脂１３を金型内での流
動を良く′するために高周波プレヒータ（図示せず）で
予備加熱したものをポット１４に入れる。次に、第１図
（Ｃ）に示すように、プランジャ１５を動作させて、樹
脂１３をランナ１６、ゲート１７を通してキャビティ１
２ＶＣ注入して加圧し成形する。
に加熱しておいた金型に封止すべき半導体素子組立品１
１を下型のキャビティ１２にセットし金型を閉じておく
。次に、第１図（Ｂ） Ｋ示すようにタブレット状にし
たこの発明に係る半導体封止用樹脂１３を金型内での流
動を良く′するために高周波プレヒータ（図示せず）で
予備加熱したものをポット１４に入れる。次に、第１図
（Ｃ）に示すように、プランジャ１５を動作させて、樹
脂１３をランナ１６、ゲート１７を通してキャビティ１
２ＶＣ注入して加圧し成形する。
そして、第１図（Ｄ）に示すようにモールドされた半導
体素子１３が完成する。
体素子１３が完成する。
なお、上記実施例においてはエポキシ樹脂とフェノール
樹脂を反応硬化させたものの微粉砕したものを１％加え
たが、０．１〜５チの範囲内であれば同等の効果は失わ
れない。
樹脂を反応硬化させたものの微粉砕したものを１％加え
たが、０．１〜５チの範囲内であれば同等の効果は失わ
れない。
また、樹脂構成物を予め硬化させるのはエポキシ樹脂と
フェノール樹脂を反応させて微粉砕したものの他［、Ｐ
Ｐ５（ポリフェニレンサルファイド）等の他の樹脂を微
粉砕して加えたものを０．１〜５％の範囲内でモールド
樹脂の組成としても良い。
フェノール樹脂を反応させて微粉砕したものの他［、Ｐ
Ｐ５（ポリフェニレンサルファイド）等の他の樹脂を微
粉砕して加えたものを０．１〜５％の範囲内でモールド
樹脂の組成としても良い。
以上詳述したようにこの発明によれば、パリの発生を極
力弁えることができるので、パリ取シもいらなく半導体
組立工程の合理化がなされる。また、これは安く半導体
製品を製造できるという結果を生む。さらに、パリの発
生を防止できるので、メッキする場合の妨害にならない
ので、リードの腐食がなぐなシ半導体素子を安全に使用
することができる。
力弁えることができるので、パリ取シもいらなく半導体
組立工程の合理化がなされる。また、これは安く半導体
製品を製造できるという結果を生む。さらに、パリの発
生を防止できるので、メッキする場合の妨害にならない
ので、リードの腐食がなぐなシ半導体素子を安全に使用
することができる。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の一実施例に
より作られた半導体対土用モールド樹脂のタブレットを
用いて樹脂封止する工程図である。 Ｉ２・・・キャビティ、１３・・・樹脂、１４・・・ポ
ット、１６・・・ランナ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
より作られた半導体対土用モールド樹脂のタブレットを
用いて樹脂封止する工程図である。 Ｉ２・・・キャビティ、１３・・・樹脂、１４・・・ポ
ット、１６・・・ランナ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 樹脂構成物と充てん剤構成物とからなる半導体対と用モ
ールド・樹脂において、上記モールド樹脂の組成の０，
１〜５％の範囲内で上記樹脂構成物を予め硬化させたも
のの微粉を上記モールド樹脂の組成の一部としたことを
、特徴とする半導体封止用モールド樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21084582A JPS59101856A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体封止用モ−ルド樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21084582A JPS59101856A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体封止用モ−ルド樹脂 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101856A true JPS59101856A (ja) | 1984-06-12 |
| JPH0316784B2 JPH0316784B2 (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16596060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21084582A Granted JPS59101856A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体封止用モ−ルド樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024002844A1 (de) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Transfermoldverfahren zum umspritzen eines elektronischen bauteils, moldeinrichtung zum ausführen des transfermoldverfahrens |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP21084582A patent/JPS59101856A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024002844A1 (de) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Transfermoldverfahren zum umspritzen eines elektronischen bauteils, moldeinrichtung zum ausführen des transfermoldverfahrens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316784B2 (ja) | 1991-03-06 |
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