JP3672386B2 - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP3672386B2
JP3672386B2 JP20173896A JP20173896A JP3672386B2 JP 3672386 B2 JP3672386 B2 JP 3672386B2 JP 20173896 A JP20173896 A JP 20173896A JP 20173896 A JP20173896 A JP 20173896A JP 3672386 B2 JP3672386 B2 JP 3672386B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
resin
weight
formula
curing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP20173896A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1045874A (ja
Inventor
賢 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP20173896A priority Critical patent/JP3672386B2/ja
Publication of JPH1045874A publication Critical patent/JPH1045874A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3672386B2 publication Critical patent/JP3672386B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、流動性に優れ、これを用いて封止した半導体デバイスの反りが小さく、特にQFPやボール・グリッド・アレイ(以下、BGAという)用に最適の半導体封止用樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
IC本体を機械的、化学的作用から保護するために、半導体封止用樹脂組成物(以下、樹脂組成物という)が開発、生産されてきた。半導体デバイスが進歩するに従い、樹脂組成物に対する要求特性は変化しつつある。
半導体デバイスの中でも、マイクロプロセッサに代表されるロジックICは、非常な勢いで進歩しつつあり、それに適用されるパッケージに関しても、従来のQFPに加えて、BGAのような特殊な構造のものが注目されている。これらの大型、薄型、多ピン、及びハイパワーのパッケージにおいては、樹脂組成物に対する、従来の要求特性に加えて、以下の要求特性がクローズアップされてきている。
大型、薄型のパッケージは反り易いため、反りを低減できる樹脂組成物
大型、薄型、多ピン化のため、流動性の高い樹脂組成物
ハイパワー化のため、高温になり易いので、熱安定性に優れた樹脂組成物
しかし、現在までこれらの問題を解決できる樹脂組成物は得られていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、流動性に優れ、これを用いて封止した半導体デバイスは、反り特性、更に高温保管特性に優れた樹脂組成物を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、(A)下記式(1)〜(3)の内から選ばれる1種以上のエポキシ樹脂、(B)下記式(4)及び/又は式(5)のフェノール樹脂硬化剤、(C)下記式(6)〜(8)の内から選ばれる1種以上の硬化促進剤、及び(D)無機充填材からなり、全樹脂組成物中に硬化促進剤(C)を0.05〜1.0重量%含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
【化4】
Figure 0003672386
【0005】
【化5】
Figure 0003672386
【0006】
【化6】
Figure 0003672386
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明で用いられるエポキシ樹脂は、式(1)に示されるトリフェノールメタン型エポキシ樹脂、式(2)、式(3)に示されるナフタレン型エポキシ樹脂であり、単独でも混合して用いてもよい。トリフェノールメタン型のエポキシ樹脂は、主鎖が剛直で屈曲性がないので成形品のガラス転移点(以下、Tgという)が高くなる。又、ナフタレン型のエポキシ樹脂は、分子同士が重なっており分子運動が抑制され、成形品のTgが高くなる。成形品のTgが高くなると、大型、薄型パッケージにおいては、反りが大幅に低減し、熱安定性も大幅に改善される。従って、式(1)〜(3)のエポキシ樹脂を樹脂組成物に適用することによって、反りと耐熱性の問題が改善される。
式(1)中の官能基R1は、水素、メチル基、又はターシャリ−ブチル基であり、これらは同一でも異なっていてもよい。
式(1)、式(3)のnは、1≦n≦20で、より好ましくは1≦n≦10であり、20を越えると成形時の流動性が劣る。
これらのエポキシ樹脂の平均分子量、エポキシ当量は特に限定しないが、信頼性向上のため、イオン性不純物は極力少ないことが望ましい。
更に、式(1)〜(3)以外のエポキシ樹脂を、全エポキシ樹脂中に、50重量%未満使用してもよい。しかし、50重量%を越えると、Tgが低下し、反り特性と高温保管特性が低下するので望ましくない。併用されるエポキシ樹脂としては、特に限定しないが、例えば、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、その他シリコーン変性エポキシ樹脂等が挙げられる。
【0008】
本発明で用いられるフェノール樹脂硬化剤は、式(4)に示されるトリフェノールメタン型フェノールノボラック樹脂、式(5)に示されるナフタレン型フェノール樹脂であり、これらは単独でも混合して用いてもよい。エポキシ樹脂と同様に、トリフェノールメタン型やナフタレン型の主鎖をもつフェノール樹脂硬化剤は、高いTgを有する成形品を得ることができる。
式(4)中の官能基R2は、水素、メチル基、又はメトキシ基であり、これらは同一でも異なっていてもよい。
式(4)、式(5)のnは、1≦n≦20で、より好ましくは1≦n≦10であり、20を越えると成形時の流動性が劣る。
これらのフェノール樹脂硬化剤の分子量、水酸基当量は特に限定されないが、信頼性向上のため、イオン性不純物は極力少ないことが望ましい。
更に、式(4)、式(5)以外のフェノール樹脂硬化剤を、全フェノール樹脂硬化剤中に、50重量%未満使用してもよい。しかし、50重量%を越えると、Tgが低下し、反り特性と高温保管特性が低下するので望ましくない。併用されるフェノール樹脂硬化剤としては特に限定しないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ビスフェノールA型樹脂、ビスフェノールF型樹脂、そしてこれらのシリコーン変性フェノール樹脂等が挙げられる。
エポキシ樹脂やフェノール樹脂硬化剤の添加量は、特に限定しないが、エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の合計量は、全樹脂組成物中に、5〜30重量%が好ましい。5重量%未満だと流動性が得られず、30重量%を越えると耐湿信頼性が劣る。
【0009】
本発明で用いられる硬化促進剤は、式(6)〜(8)に示されるテトラフェニルホスホニウム・テトラ有機酸ボレート塩であり、これらは単独でも混合して用いてもよい。
式(6)〜(8)の硬化促進剤は、エポキシ基/水酸基の硬化反応の触媒作用において、大きな温度依存性を有することが特徴であり、触媒活性点であるリン原子の非共有電子対に高温を印加されない限り触媒活性が発現しないので、低温では触媒活性が低く、高温では触媒活性が高い。従って、樹脂組成物の混練時の温度(100℃前後)では、エポキシ基/水酸基の反応は起こらない。そのため、流動性に優れた低粘度の樹脂組成物を得ることができるので、大型、薄型のパッケージにも問題なく充填できる。一方、成形時(175℃程度)には素早く硬化反応が起こるので、優れた成形性を示す。
式(6)中のR3、式(7)中のR4、及び式(8)中のR5は、前記した通りである。
更に、式(6)〜(8)以外の硬化促進剤を、全硬化促進剤中に、80重量%未満使用してもよい。しかし、80重量%を越えると、流動特性が低下するので望ましくない。なお、併用される硬化促進剤は、エポキシ基/水酸基の反応を促進させるものであればよく、特に限定しないが、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラボレート塩、トリフェニルホスホニウム・トリハイドロボレート、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等が挙げられる。
硬化促進剤の添加量は、全樹脂組成物中に、0.05〜1.0重量%が好ましい。0.05重量%未満だと硬化が遅く、良好な成形品が得られない。1.0重量%を越えると硬化が速すぎ、同様に良好な成形品が得られない。
【0010】
本発明で用いられる無機充填材は、特に限定しないが、例えば、溶融シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、2次凝集シリカ粉末、アルミナ等が挙げられる。特に、コスト、信頼性、及び流動性の点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。なお、この無機充填材は、シランカップリング剤や、チタネートカップリング剤、その他の表面処理剤によって予め表面処理されていてもよい。又、平均粒径、最大粒径、粒度分布、比表面積に関しても特に制限はない。又、耐湿信頼性向上のため、イオン性不純物は極力少ないことが望ましい。
本発明における無機充填材の配合量は、全樹脂組成物中に、65〜93重量%が好ましい。
【0011】
本発明の樹脂組成物は、(A)〜(D)成分の他、必要に応じて、カーボンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム、各種ゴム成分等の低応力成分、シランカップリング剤等を添加することができる。
本発明の樹脂組成物は、(A)〜(D)成分、その他の添加剤等をミキサーで常温混合し、ロール、押し出し機等の一般混練機を用いて混練し、冷却後粉砕し成形材料とすることができる。
【0012】
【実施例】
実施例1
エポキシ樹脂(E−1) 10.60重量部
【化7】
Figure 0003672386
【0013】
フェノール樹脂硬化剤(H−1) 6.10重量部
【化8】
Figure 0003672386
【0014】
硬化促進剤(C−1) 0.50重量部
【化9】
Figure 0003672386
【0015】
球状溶融シリカ(平均粒径15μm) 79.70重量部
カーボンブラック 0.30重量部
臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂 1.00重量部
三酸化アンチモン 1.00重量部
エポキシシランカップリング剤 0.50重量部
カルナバワックス 0.30重量部
を、ミキサーで常温混合し、100℃で二軸ロールを用いて混練し、冷却後粉砕し成形材料とした。得られた成形材料の反り特性、高化式粘度、及び高温保管特性を評価した。
【0016】
評価方法
高化式粘度:フローテスター((株)島津製作所・製CFT−500)を用いて、175℃、圧力10kgf/cm2、キャピラリー径0.5mmで測定した。単位はポイズ。
反り特性:ビスマレイミド・トリアジン(ガラス基板)積層板1と前記成形材料を175℃、2分間で一体成形し、図1に示す形状の成形品を得、175℃、8時間のポストキュアを行った後、常温に戻し、図2に示す要領で、反り量(mm)を測定した。
高温保管特性:リードフレームにICチップをマウントし、金線をボンディングした後に、DIPパッケージを成形した。得られた成形品をポストキュアした。その後、185℃で1000時間処理し、内部のICチップの電気抵抗を測定した。通常0.6Ωである電気抵抗の回路が、劣化して電気抵抗1Ω以上となった場合を不良と見なし、8パッケージ中の不良個数を測定した。
結果を表1に示す。
【0017】
実施例2〜9
表1の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形材料を得、同様に評価した。実施例6で用いたエポキシ樹脂は、式(3)でn=1.9のものである。結果を表1に示す。
比較例1〜4
表2の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形材料を得、同様に評価した。結果を表2に示す。
実施例、比較例で用いた各成分の構造について、下記に示す。
【化10】
Figure 0003672386
【0018】
【化11】
Figure 0003672386
【0019】
【化12】
Figure 0003672386
【0020】
【表1】
Figure 0003672386
【0021】
【表2】
Figure 0003672386
【0022】
【発明の効果】
本発明の樹脂組成物は、流動性に優れ、これを用いることにより、反り特性及び高温保管特性に優れた半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 積層板と成形材料を一体成形した成形品の模式図。
【図2】 一体成形品の反り量を示す模式図。
【符号の説明】
1 積層板
2 硬化物
a 126.0mm、b 10.0mm、c 0.8mm、d 0.4mm

Claims (1)

  1. (A)下記式(1)〜(3)の内から選ばれる1種以上のエポキシ樹脂、(B)下記式(4)及び/又は式(5)のフェノール樹脂硬化剤、(C)下記式(6)〜(8)の内から選ばれる1種以上の硬化促進剤、及び(D)無機充填材からなり、全樹脂組成物中に硬化促進剤(C)を0.05〜1.0重量%含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
    Figure 0003672386
    Figure 0003672386
    Figure 0003672386
JP20173896A 1996-07-31 1996-07-31 半導体封止用樹脂組成物 Expired - Fee Related JP3672386B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20173896A JP3672386B2 (ja) 1996-07-31 1996-07-31 半導体封止用樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20173896A JP3672386B2 (ja) 1996-07-31 1996-07-31 半導体封止用樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1045874A JPH1045874A (ja) 1998-02-17
JP3672386B2 true JP3672386B2 (ja) 2005-07-20

Family

ID=16446126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20173896A Expired - Fee Related JP3672386B2 (ja) 1996-07-31 1996-07-31 半導体封止用樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3672386B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004067717A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US20040166241A1 (en) * 2003-02-20 2004-08-26 Henkel Loctite Corporation Molding compositions containing quaternary organophosphonium salts
JP4957884B2 (ja) * 2005-03-24 2012-06-20 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5167587B2 (ja) * 2006-01-31 2013-03-21 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5899498B2 (ja) * 2011-10-13 2016-04-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1045874A (ja) 1998-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7622515B2 (en) Composition of epoxy resin, phenolic resin, silicone compound, spherical alumina and ultrafine silica
JP4773151B2 (ja) 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置
JP2006233016A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4736506B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3672386B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP2004018803A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4710200B2 (ja) エリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法及びエリア実装型半導体装置
KR20130064000A (ko) 전자 부품 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 사용하는 전자 부품이 장착된 장치
JP3365725B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004018790A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH1167982A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4950010B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法および半導体装置の製造方法
JPH11130936A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002241581A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3608930B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4759994B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002012654A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH09143345A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP3844098B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004018786A (ja) 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置
JP3074155B2 (ja) 半導体装置
JPH1192631A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4379977B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4014307B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP2012111844A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて封止した半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050412

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050419

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050419

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130428

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130428

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees