JPS5899836U - 大電力半導体素子の爆発破片飛散防止装置 - Google Patents

大電力半導体素子の爆発破片飛散防止装置

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JPS5899836U
JPS5899836U JP19726381U JP19726381U JPS5899836U JP S5899836 U JPS5899836 U JP S5899836U JP 19726381 U JP19726381 U JP 19726381U JP 19726381 U JP19726381 U JP 19726381U JP S5899836 U JPS5899836 U JP S5899836U
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JP
Japan
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power semiconductor
semiconductor devices
prevention device
scattering prevention
debris scattering
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Pending
Application number
JP19726381U
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English (en)
Inventor
迫田　春喜
浜田　速雄
森川　憲一
Original Assignee
東立通信工業株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のトランジスタの一例を示す斜視図、第２
図はこの考案が適用されるトランジスタの一例を示す斜
視図、第３図、笹４図はこの考案に係わる大電力半導体
素子の爆発破片飛散防止装置の一実施例を示すもので、
第３図は分解斜視図、第４図は上面図である。 ２１、・・・モールドパッケージ形トランジスタ、２２
・・・ヒートシンク、２４・・・モールドパッケージ、
３１・・・防護部材。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. モー゛ルドパッケージ形大電力半導体素子のモールドパ
    ッケージから所定間隔離して防護部材を設けたことを特
    徴とする大電力半導体素子の爆発破片飛散防止装置。
JP19726381U 1981-12-26 1981-12-26 大電力半導体素子の爆発破片飛散防止装置 Pending JPS5899836U (ja)

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JPS5899836U true JPS5899836U (ja) 1983-07-07

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020070899A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 株式会社 東芝 半導体パッケージ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020070899A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 株式会社 東芝 半導体パッケージ
JPWO2020070899A1 (ja) * 2018-10-05 2021-09-02 株式会社東芝 半導体パッケージ
EP3863388A4 (en) * 2018-10-05 2022-06-15 Kabushiki Kaisha Toshiba SEMICONDUCTOR HOUSING

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