JPS5896255A - 電界センサ− - Google Patents

電界センサ−

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JPS5896255A
JPS5896255A JP19501581A JP19501581A JPS5896255A JP S5896255 A JPS5896255 A JP S5896255A JP 19501581 A JP19501581 A JP 19501581A JP 19501581 A JP19501581 A JP 19501581A JP S5896255 A JPS5896255 A JP S5896255A
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JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
electric field
light
crystal panel
sensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP19501581A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadaichi Kurobe
黒部貞一
Yoshihiko Ogawa
小川吉彦
Yoshiaki Sugano
菅野芳章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Communication Equipment Co Ltd
Original Assignee
Toyo Communication Equipment Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Communication Equipment Co Ltd filed Critical Toyo Communication Equipment Co Ltd
Priority to JP19501581A priority Critical patent/JPS5896255A/ja
Publication of JPS5896255A publication Critical patent/JPS5896255A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/08Measuring electromagnetic field characteristics
    • G01R29/0864Measuring electromagnetic field characteristics characterised by constructional or functional features
    • G01R29/0878Sensors; antennas; probes; detectors
    • G01R29/0885Sensors; antennas; probes; detectors using optical probes, e.g. electro-optical, luminescent, glow discharge, or optical interferometers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光学的な電界センサーとしては、従来よりポッケルス効
果による電気光学結晶の電界印加に対する屈折率変化の
異方性を用いたものが知られている。しかしこれは動5
作特性が加工槽[K大きく依存し、製造時における結晶
軸に対する切出面の角度の高精度の選定および研!!!
l!−行わねばならない等の欠点がある。1九、検出感
度の調整は光の透過距離t−変えることにより行うため
、高感&?狙りたものでは透過損失により検出光強度が
低下し、光ファイバ等のように小開口、拡散性の光ガイ
ドを使用する時に光ガイドと電気光学結晶との結合が困
難になる欠点がある。さらに、電気光学定数が比較的大
きいLiTa01  、LiN10g等を用いるときで
社それらの複屈折特性の温度依存性が非常に大きく、屈
折率OS度変化管補償するため構造が複雑化する欠点が
ある。以上のよう力欠点があるため、電気光学結晶管用
いた電界センサは低感度にとどマリ、製造コストの高い
ものとなっている。
本発明は現在、卓上電子計算機のディスプレイ用等に広
く使用されているものと同程度の品質OW晶パネルを用
いてセンサーを構成し、高感度の電界センサーを安価に
供給することを目的とする。これら液晶パネルでは従来
性われてい友結晶の研磨等精度t1!する作業を必要と
しないO 現在量も一般的でおるTN形液晶パネル(偏光板を設は
九ものを指す)を例にとって実験するKtIi晶セルで
電極間隔10声mのものに2vの直流電圧全印加すると
90−の光透過率の変化が得られる。これに反し、電気
光学結晶の一つであるADP を用いたポッケルスセル
(半波長電圧Vf=104V、厚さ1■)に同じ強度の
電界管加えた時の透過率変化は0.1%である。これよ
り、液晶パネルを用いた電界センサは電気光学結晶によ
るセンナに比べはゐかに高感度であることがわかる、こ
の高感度は使用光源強度の変動及び検出後の電気釣針1
11に対する要求を大幅に緩和する。上記に加えて液晶
パネルでは偏光板t−接着した状態でありてもパネルの
厚さtIW程度にすることができ、入射光、透過光の光
ファイバによる結合が容易となる。
本発明のセンサの場合は、液晶パネルの厚さ方向の構造
だけで動作特性が決まる九め、ビーム断面積の小さな入
射光管用いて、センサ一部分を極めて小形化できる。さ
らに後述するように液晶パネルの一方の外面に設けられ
た反射鏡を使りて入射光と反射光″Ik液晶パネルの片
面のみから送受するときは外形が非常にコンパクトなプ
ローブ状となる。それは周囲電界の乱を少くできること
を意味する。
第1図に本センサの構造の一例金示す。w、1図aは第
1図すのセンサ一部分10の拡大断面図である。ここで
は、液晶パネルの一方の外面にガラス等で作られ九レン
ズ状透明体6に誘電体多層膜または金属蒸着管筒した反
射膜7t−持つ反射鏡tW!着しである。このし/ズ状
透明体6と反射膜7により作られる凹面鏡は入出射州党
ファイバ11.12の結合管目的としている。
凹mo形状は、例えば光ファイバー11,12の端面と
反射膜中央部までの距離r’6半径とする球lとする。
入射光はファイバ11より入射して拡散しながら液晶2
を透過するが凹面鏡は光管集束して出射光ファイバ12
の端面に反射すl!は光が液晶パネルを厚さ方向で直進
すればよくレンズ、ミラーを用いる別種の党略の構成も
可能である。液晶パネルは通常の卓上電子計算機のディ
スプレイ用パネルと同様の構造を持つTNy#液晶パネ
ルであり、2枚のガラス板1、ガラス板間に刺入された
液晶セル2、とガラス板0外面に接着された互いの偏光
方向を直交する偏光板5により構成される。液晶の材質
はTN効果を示すtのであれば何であってもよく、材質
によるパネル動作O閾値電圧の違いt−洞用して本セン
ナの感ft−調整することが可能である。第1図すで光
源LED、検出器FDを含む電気的部分は長尺の光ファ
イバ11.12によシセンサ部10と結ばれている。こ
の構成は被l1lJ定電界の乱れを抑え、または強電界
から電気的装置と観III者を保護し、遠隔−短管可能
にし、光ガイド部分の空間占有率の減少に効果がある。
光ファイバ11.12と液晶パネルは第1図8に示すよ
うに、ファイバ補強#9を用いて被覆接着し、一体化し
ている。補強材は不透明な絶縁材料(例えば黒色館林を
含むエポキシ樹脂等)で作り、ファイバ結合部およびパ
ネルの連光を゛行う。必要なときは、更に上記光源検出
l!PD、LED等の周囲を塗装、を九は樹脂モールド
等によp補強、遮光を強化してもよい。
第2図はTN形液晶パネルO印加電圧−透過率特性の例
である。一般的な1110Jtnのセルの幅を時つ’I
’Nil晶パネルでは閾値電圧vth”=IJ(V)、
飽和電圧vsat−2V程度であるため、これでa20
00V/mtでの電界強度が測定可能である。
光源は単色光である必ll!はなく、液晶のねじれのピ
ッチに比べ十分小さい波長を有効成分とするものであり
、且出力強度の安定しているものであれば何でも良く、
例えばこの図のようにLHDが使用できる。ただし、反
射膜7に誘電体多層膜を使用する場合は反射膜の分光特
性に光源のスペクシラムを合わせる必要がある。
ポッケルス効果を用いた光学的電界センサは光源が単色
光でなければならずレーザーまたは狭帯竣な波長フィル
ターの使用が必要であるといった欠点があるのに対し、
本センサーではLBD1白熱ランプ等各種の光源が使用
できるという大きな特qIk管もつ。
なお、TN形液晶パネルの印加電界に対する透過光強度
の時間的応答は、DC,ステップ状パルス電圧で立上り
、立下)時間とも数百Hat〜数十票減でToす、交流
電界印加時の分子配向は電界の絶対値の平均に比例する
従って交流の時の透過率は直流11におけるものと数K
Hzまで同等である。透過率の変化を電界の変化に追随
させたいときゃ検出後の増幅を容易にするためKは光源
を適尚な周波数(例えば10KHz)で強度変調して目
的を達成する。
検出器は上記の光源の変調周波数に追従できるか、を走
は光源強度一定の場合はステップ状電界印加に対する液
晶パネルの応答に追随できる亀のであれは棗い。
光源と検出器は互に大きく離れた位置に置かれても良い
が、第1図は光源と検出器が近接して置れ九場合で、し
かも光源出方の一部を取や出して検出部に導き検出光と
直接比較を行うものを示している。
tた、第2図に見られるように、印加電圧−透過率特性
は一定の閾値を持つため既述のTN形液晶の材料の選針
τ蘭値調整を行うことで、センサー自体にレベル検出の
機能を持たせることができ、用途によっては検出後の電
気回路によるレベル検出を省略して一定値以上の電界の
存在管直ちに有効に検知できる。導電体の周囲の電界を
検出して、その導電体の電位を非接触で一定するような
場合は、(上記液晶材料による感flllII整の他K
)センサーと被測定導体の相対位置t−変えて感度およ
び閾値レベルを調整することができる。
以上により、本センサーが従来のポッケルス効果による
光学的電界セフfに比べ、製造が容易でToり、小形、
かつ高感であり、さらに闇値特性管持つことより、電界
および電圧の測定のみでなく、一定値以上の電界強度の
有無の検出でit特に有効であり液晶パネルの片面のみ
から光の入出射を行う九め外形がコンパクトとかりセン
サーの設置が容易となることを示した。
本センサの応用としては、電力分野での強電界01jJ
足および電圧の非接触測定を高絶縁、高インピーダンス
で安全にIII定するといった従来の光学的電界センサ
ーとまったく同様に使える。
高感度であるため、数KV以下の配電線の活線か非油I
lを遠方から容易にIII定できることが挙げられる。
小形であるため、検出部を移動しながら空間電界のIl
l定を行うことや、狭い場所へ挿入してIIJ定するこ
と等にも有効に使用できる工業上有益な発明ということ
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(b)は本発明の電界センサーの実施例の構成を
示す図。 第1図(1)はその検出部の拡大断WI図。 II!2図はTN形液晶パネルの印加電圧−透過率特性
の図。 第3図(1)は本発明の実施例の検出状況の図。 第3図(b)はその検出特性のグラフ。 1、 ガラス板 2、液晶 3、 封着剤 4、 スペーサー 5、 偏光板 6、  レンズ状透明体 7、 反射膜 8、  補強板 9.  補強材(II!i装またはモールド)10、 
 センサ一部 11、  入射光ファイバー 12、   出射光7アイパー P、D、  フォトダイオード LED、  発光ダイオード 14、  比較器 D   分配器 OUT 、   出  力 ■tb、関値電正 値電圧t、  飽和電圧 8iPD、  シリコンフォトダイオードd、  鋼線
と液晶パネルの間隔 特許出願人  東洋?信機株式会社 手続補正書(大成・) 1、事件の表示 昭和り年   n針 願第 19夕oif号2、ンop
の名称 亀1しサー 3、補正をする者 事件との関係   出願人 郵便番号 253−01    電話 0467−74
−1131 (代表)5、補正により増加する発明の数
 0 6、補正の対象 明細あの、!!7I&7め勘ψを跣Vβ−探。 7、補正の内容

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)  電界強度に対応して光の透過率または反射率
    量変化する素子を用いた光学的電界センサにおいて、検
    出素子としてTN形液晶パネルを用い、腋箪晶パネルの
    液晶をはさむ2つの偏光板のうちの一方の外面に反射鏡
    を設け、他方O偏光板の外面から元鍵の党を元ファイバ
    等のライトガイドで導き、該液晶を透過し該反射鏡で反
    射されて再度該液晶を透過した光を該他方の偏光板の外
    面がら骸ライトガイドまた社他のライトガイドで受けて
    光検出器に導き、咳光源の光強度と諌光検出器の検出光
    強度の比較によシ該液晶パネルの透過率を求めることK
    より、液晶パネル設置位置の電界強度t−111定する
    こと1に41gl1.とする電界センサーO (り 諌光榔の光が一定強度そある第1項記載の電界セ
    ンサー。 (3)#光源の光が、検出後の電気的増幅にそなえて、
    強度変調されている第1項記載の電界センサー。
JP19501581A 1981-12-02 1981-12-02 電界センサ− Pending JPS5896255A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663657A (en) * 1994-09-26 1997-09-02 University Of South Florida Determining long minority carrier diffusion lengths
US6512384B1 (en) 2000-06-29 2003-01-28 Semiconductor Diagnostics, Inc. Method for fast and accurate determination of the minority carrier diffusion length from simultaneously measured surface photovoltages
KR100845425B1 (ko) * 2007-01-05 2008-07-10 전남대학교산학협력단 광센서 프로브 및 이를 이용한 검출방법
JP2009058391A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Shimadzu Corp 反応容器プレート及び反応処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4837097A (ja) * 1971-09-11 1973-05-31
JPS4841905A (ja) * 1971-10-04 1973-06-19

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