JPS5895691A - 半導体引上機における引上軸横振れ防止装置 - Google Patents
半導体引上機における引上軸横振れ防止装置Info
- Publication number
- JPS5895691A JPS5895691A JP19474281A JP19474281A JPS5895691A JP S5895691 A JPS5895691 A JP S5895691A JP 19474281 A JP19474281 A JP 19474281A JP 19474281 A JP19474281 A JP 19474281A JP S5895691 A JPS5895691 A JP S5895691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulling
- shaft
- guide
- pulling shaft
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、チ璽りツルス中−法による半導体引上機に係
Ｊ）、４Ｉに引上軸としてワイヤを九はげ一ドチェーン
などの可とうａ材料を用ｉたものの引上軸の横振れ防止
装置に関するｔのである・ 半導体引上機は、引上げられ九単結晶インｆッ）Ｏ１ｌ
素濃度および比抵拭Ｏ分布＊＊を十分満足させるため、
引上軸を所定遮寂で一転畜せる必要があろ、とζろが、
飾１１ｅＯように可とう性材料の引上軸を用いた場食は
、引上軸〇−転が引上軸Ｏ長名によるＷＡ′４Ｉ！績勤
歇に影響壜れ、ある回転数ＯＩ！囲で共振を起こして横
振れを生する丸め、所望０＠転数ｔで上げることがで亀
な一欠点が６９え。
Ｊ）、４Ｉに引上軸としてワイヤを九はげ一ドチェーン
などの可とうａ材料を用ｉたものの引上軸の横振れ防止
装置に関するｔのである・ 半導体引上機は、引上げられ九単結晶インｆッ）Ｏ１ｌ
素濃度および比抵拭Ｏ分布＊＊を十分満足させるため、
引上軸を所定遮寂で一転畜せる必要があろ、とζろが、
飾１１ｅＯように可とう性材料の引上軸を用いた場食は
、引上軸〇−転が引上軸Ｏ長名によるＷＡ′４Ｉ！績勤
歇に影響壜れ、ある回転数ＯＩ！囲で共振を起こして横
振れを生する丸め、所望０＠転数ｔで上げることがで亀
な一欠点が６９え。
本実−は、前述したような欠点を解決し、可とうＩｋ＃
科かもなる引上軸０共振などにょる横纏れを小壜〈押え
、所望０速度で安定した回転を行なわせ、良好な引上け
を行なａ得るようにしえ牛尋体引上機における引上軸機
振れ防止装置を蝿供するにある― 以下、本発明の一実施例を示す第１図ないし篇暴−につ
−てｉＩ！明する・１に１図にお匹て、ｌｌは引上機本
体で、密閉可能な構造になされ、下Ｓ紘ルツ＃Ｊ Ｉｋ
よび図示しない加熱装置などを内蔵し九りｌ熟チャンΔ
ｉｏｎを形成し、上−はルツが１１内Ｏ融液１１かも単
結晶−インゾｙ）ＪＪｔ＃ＩＪ、げる九め０！ｌ？４ｙ
ｘｌｏｂを形成している０本体Ｌｊの上部には、巻上装
置１４が取付けられて匹る・巻上装置１４の７レームＩ
Ｊはそれ自身が前記本体ユ１に回転可能に取付けられ、
その下部に固着され九ｆ９１−により、引上軸回転モー
タ１ｒからベルトｌＩＫよｐ回転を与えるように１に−
）ている・前記７レームＩＩＫはワイヤまたはピートチ
翼−ンなどの可とう性を有する引上軸１＃を巻上げるた
め０＠上ドツム１＃が設けられ、引上モータ２１にて回
転を与えられるようになりでいる。
科かもなる引上軸０共振などにょる横纏れを小壜〈押え
、所望０速度で安定した回転を行なわせ、良好な引上け
を行なａ得るようにしえ牛尋体引上機における引上軸機
振れ防止装置を蝿供するにある― 以下、本発明の一実施例を示す第１図ないし篇暴−につ
−てｉＩ！明する・１に１図にお匹て、ｌｌは引上機本
体で、密閉可能な構造になされ、下Ｓ紘ルツ＃Ｊ Ｉｋ
よび図示しない加熱装置などを内蔵し九りｌ熟チャンΔ
ｉｏｎを形成し、上−はルツが１１内Ｏ融液１１かも単
結晶−インゾｙ）ＪＪｔ＃ＩＪ、げる九め０！ｌ？４ｙ
ｘｌｏｂを形成している０本体Ｌｊの上部には、巻上装
置１４が取付けられて匹る・巻上装置１４の７レームＩ
Ｊはそれ自身が前記本体ユ１に回転可能に取付けられ、
その下部に固着され九ｆ９１−により、引上軸回転モー
タ１ｒからベルトｌＩＫよｐ回転を与えるように１に−
）ている・前記７レームＩＩＫはワイヤまたはピートチ
翼−ンなどの可とう性を有する引上軸１＃を巻上げるた
め０＠上ドツム１＃が設けられ、引上モータ２１にて回
転を与えられるようになりでいる。
引上軸１ｐの下端にはシー１１を取付は九シードチャッ
クｊＪが取付けられておｐ１該引上軸１９０上端伺は７
レームＩＩＫ設は九固定ガイＶ１４ＫＪ：Ｄｆｌｌ下位
置を定められている会引上チャンΔ１０ｂ内には、互い
に回転可能に係合された外筒ｘｔｉおよび内筒ｘｇが引
上軸１９と平行に―下され、両者Ｏ下端には対ｔ−なす
７−４１ｒ、ＩＩが固着されている。これらのアームｘ
ｖ＊ｚ、Ｉｔは、第４１１ｉＫ示すように、外筒Ｉ５と
内筒２００相対的１に回転にょつで開閉可−に＆され、
引上軸ｘｐｐｃあらかじめＢ＠ｉ！″ＩＥＫ係食されて
いるガイド１＃（第５図参照）を着脱可能に把持するよ
うに１にりている。
クｊＪが取付けられておｐ１該引上軸１９０上端伺は７
レームＩＩＫ設は九固定ガイＶ１４ＫＪ：Ｄｆｌｌ下位
置を定められている会引上チャンΔ１０ｂ内には、互い
に回転可能に係合された外筒ｘｔｉおよび内筒ｘｇが引
上軸１９と平行に―下され、両者Ｏ下端には対ｔ−なす
７−４１ｒ、ＩＩが固着されている。これらのアームｘ
ｖ＊ｚ、Ｉｔは、第４１１ｉＫ示すように、外筒Ｉ５と
内筒２００相対的１に回転にょつで開閉可−に＆され、
引上軸ｘｐｐｃあらかじめＢ＠ｉ！″ＩＥＫ係食されて
いるガイド１＃（第５図参照）を着脱可能に把持するよ
うに１にりている。
前記外筒２１および内筒１＃は、上端が第１ｍＫ示すよ
うに、図示しない真空シールを介して引上チャンＡ１０
ｂの上方へ突出してシシ、外筒２Ｉがペア９ｙダＪＯを
介してグレート１１Ｋｍ転自在に取付けられ、円筒２６
は外筒２ＪＫ−転Ｏみ可＊Ｈに支持されている・ｆｖ−
）ａｌには送〕めねじ３Ｓが亀付けられ、へこＯ過多め
ねじ１１は、外筒１１および内筒２σと平行に款けられ
九゛送シねじＪｌに係合されている。ζｏｍ＊ねじ１ｌ
ｔｔ鑓転可能に支持してい為上下の取付９１４．１１０
間には、咳送ｐねじＩＪと平行に、第２図に示すように
、２本のｊイド軸Ｊ６．３＃が固設され、これらのガイ
ｒ＠ｚｉ、ｚｉに前記グレート３１が移動可能に係合さ
れている。
うに、図示しない真空シールを介して引上チャンＡ１０
ｂの上方へ突出してシシ、外筒２Ｉがペア９ｙダＪＯを
介してグレート１１Ｋｍ転自在に取付けられ、円筒２６
は外筒２ＪＫ−転Ｏみ可＊Ｈに支持されている・ｆｖ−
）ａｌには送〕めねじ３Ｓが亀付けられ、へこＯ過多め
ねじ１１は、外筒１１および内筒２σと平行に款けられ
九゛送シねじＪｌに係合されている。ζｏｍ＊ねじ１ｌ
ｔｔ鑓転可能に支持してい為上下の取付９１４．１１０
間には、咳送ｐねじＩＪと平行に、第２図に示すように
、２本のｊイド軸Ｊ６．３＃が固設され、これらのガイ
ｒ＠ｚｉ、ｚｉに前記グレート３１が移動可能に係合さ
れている。
前記外筒ｊＪと内筒２σＯ上端には、第３図に示すよう
に、対ｔなす駆動側アームＪ７゜Ｊｌが固着されている
。躯動匈アーム８１゜ＺａＯ先端寄りにはそれぞれめね
じＳＩｌ、４０が係合されている。これらｏｋｔ）ねじ
Ｊｌ、４０は、駆動側アームｌｒ、Ｉｌに対して回転は
せずに、第３閣において左右方向へ移動可能に係合され
ｔかクビン４１．４１を中６にｍ動し得るように職付け
られている。これらのめねじＪｌｅＪ１１Ｆは、ねじ軸
４８に設けられている左ねじ＠４４と右ねじ部４１ｆｔ
それぞれ係合して匹る・ねじ軸４１はアーム開閉屑篭−
夕４＃によ〕正逆間転を与えられ、前記めねじＪｌ。
に、対ｔなす駆動側アームＪ７゜Ｊｌが固着されている
。躯動匈アーム８１゜ＺａＯ先端寄りにはそれぞれめね
じＳＩｌ、４０が係合されている。これらｏｋｔ）ねじ
Ｊｌ、４０は、駆動側アームｌｒ、Ｉｌに対して回転は
せずに、第３閣において左右方向へ移動可能に係合され
ｔかクビン４１．４１を中６にｍ動し得るように職付け
られている。これらのめねじＪｌｅＪ１１Ｆは、ねじ軸
４８に設けられている左ねじ＠４４と右ねじ部４１ｆｔ
それぞれ係合して匹る・ねじ軸４１はアーム開閉屑篭−
夕４＃によ〕正逆間転を与えられ、前記めねじＪｌ。
４＃を介して駆動側アームａｒ、ｘａを開閉す為ように
Ｉｋ５でいる。
Ｉｋ５でいる。
前記送）ねじＪｌは、下方ＯＩＲ付ｆＪＪ上に設けられ
た昇降用毫−タ４ＰＫよｐｆ−リａ ａ。
た昇降用毫−タ４ＰＫよｐｆ−リａ ａ。
ベルト４＃、ｆ−リ５０を介して正逆１転を与えられ、
送夛めねじＪｊ、グレート１１．ベアリングＩｌｔ介し
て外筒２ｊおよび内筒１−ｆ：昇降させるようになうて
いる。なお、内筒２−には、引上チャンバｔａｂの下部
に取付けられて上方へ伸びる振止め軸Ｊ１が摺動可動可
能に係合されている。
送夛めねじＪｊ、グレート１１．ベアリングＩｌｔ介し
て外筒２ｊおよび内筒１−ｆ：昇降させるようになうて
いる。なお、内筒２−には、引上チャンバｔａｂの下部
に取付けられて上方へ伸びる振止め軸Ｊ１が摺動可動可
能に係合されている。
を九、第２１１に示すように、取付板５４゜１５の間に
はガイド軸Ｉｌｌ〒行にラック５Ｉが取付けられ、この
９ＦりｉｓＫ％ｊＩｓ図に示すように、プレートＪ１に
取付けられたボテフシ。メータなどＯ位置検出器ｊＪが
ビニオン１−を介して捩絖堪れ、グレー）３７と一体的
に昇降す為アーム１ｒｅｘａＤ高さ位置を検出し＊；ｈ
ｘうＫ ｌｋ ｘ ？ Ｖｈ ｈ ｅ次いで本装置Ｏ作
用にクーて説明する曇引上は開始時には、１１１１＠ｒ
Ｃ示すように、外筒１５および内１１！−を下ＷＩＩ＃
隈位置に置き、引上軸１＃に１ｈｂかじめ偽金されてい
：ｂｙイド２９をアームｘｒ、ｚａにて把持する０次い
で、シー１１をルツ＃１１内Ｏ融液ｘｚＶｃＩＩｅ触さ
せ、引上軸■転峰−タ１１によｐ７レーム１５を回転基
せて引上軸１＃を回転させ、単結晶インプット１２を育
成して−（。
はガイド軸Ｉｌｌ〒行にラック５Ｉが取付けられ、この
９ＦりｉｓＫ％ｊＩｓ図に示すように、プレートＪ１に
取付けられたボテフシ。メータなどＯ位置検出器ｊＪが
ビニオン１−を介して捩絖堪れ、グレー）３７と一体的
に昇降す為アーム１ｒｅｘａＤ高さ位置を検出し＊；ｈ
ｘうＫ ｌｋ ｘ ？ Ｖｈ ｈ ｅ次いで本装置Ｏ作
用にクーて説明する曇引上は開始時には、１１１１＠ｒ
Ｃ示すように、外筒１５および内１１！−を下ＷＩＩ＃
隈位置に置き、引上軸１＃に１ｈｂかじめ偽金されてい
：ｂｙイド２９をアームｘｒ、ｚａにて把持する０次い
で、シー１１をルツ＃１１内Ｏ融液ｘｚＶｃＩＩｅ触さ
せ、引上軸■転峰−タ１１によｐ７レーム１５を回転基
せて引上軸１＃を回転させ、単結晶インプット１２を育
成して−（。
引上軸ｌ＃は、単結晶インゴット１１の成長に連れて巻
上ドラム２＃によ〕徐々に引上げられて−（、このと龜
、引上軸１＃の引上げに連動畜せて、昇降用モータ４ｒ
を駆動し、送りねじＪＪｔ回転畜せる・この過多ねじ３
ｊの回転によｐ、送ｐめねじ１２．グレー）Ｊｌおよび
ペアリンダＳＯを介して外筒Ｊ１および円筒ｘｉが上昇
し、アームＩｔ’ｌｌを介してＩイドｉｓを引上軸１ｇ
と連動して上昇させる。
上ドラム２＃によ〕徐々に引上げられて−（、このと龜
、引上軸１＃の引上げに連動畜せて、昇降用モータ４ｒ
を駆動し、送りねじＪＪｔ回転畜せる・この過多ねじ３
ｊの回転によｐ、送ｐめねじ１２．グレー）Ｊｌおよび
ペアリンダＳＯを介して外筒Ｊ１および円筒ｘｉが上昇
し、アームＩｔ’ｌｌを介してＩイドｉｓを引上軸１ｇ
と連動して上昇させる。
このガイド１９の高名は、プレー）ＪＪ４Ｄ上昇に伴り
てラデク５Ｊとビ１オｙｉａＫよ）ｍ１転畜れる位置検
出器１１にようて検出器れ、閣示しな一制御装置によｐ
制御されて前記引上軸ｌ＃と連動するように制御されゐ
・ そζて、本装置によれば、引上軸５ｅｔ）１１４振れ方
向に対して該引上軸ｌｆｔ保持するガイドｊ＃とシード
チャック２Ｊｔ″ｅ０引上軸１１０長さは常に一定に保
たれ、引上開始においても腋長さは非常に短かく押えら
れ為。
てラデク５Ｊとビ１オｙｉａＫよ）ｍ１転畜れる位置検
出器１１にようて検出器れ、閣示しな一制御装置によｐ
制御されて前記引上軸ｌ＃と連動するように制御されゐ
・ そζて、本装置によれば、引上軸５ｅｔ）１１４振れ方
向に対して該引上軸ｌｆｔ保持するガイドｊ＃とシード
チャック２Ｊｔ″ｅ０引上軸１１０長さは常に一定に保
たれ、引上開始においても腋長さは非常に短かく押えら
れ為。
なお、引上軸１９０共振同波数ｆを表わす下式の４は、
前記ガイド２＃からシードチャックｓａｔでの実際の引
上軸１１０１に畜でなく、Ｉイド２＃からシードチャッ
ク１１、シード１１および単結晶インプットｌＪをも含
め九重心位置Ｇオでの距離となる。
前記ガイド２＃からシードチャックｓａｔでの実際の引
上軸１１０１に畜でなく、Ｉイド２＃からシードチャッ
ク１１、シード１１および単結晶インプットｌＪをも含
め九重心位置Ｇオでの距離となる。
、、、１．／３ｒ ・・・（１）２Ｈ
ｔ えにし、厘は重力加速度である。
ｔ えにし、厘は重力加速度である。
そこで、＃Ｉｅｉ［離ｔは、単結晶インゴット１１が威
長し、引上長１Ｋが増加するにしたがりて増加すゐ九め
、この共振周波数ｆに和尚する引上軸１９０許容回転数
は、第６図に曲線ムで示すように変化し、引上開始時に
最も高い回転数Ｎ、盲で共振を起こさず、引上長さが増
加するにしたがりで低下してい〈・ 他方、前記ガイド２＃がなく、単に上方０ｌｉ１定ガイ
ド１４０みにて引上軸１すを保持する場合には、距離り
が前記の場合よシ相轟長くなるのでこのときの許容回転
数は第６図の曲線Ｂで示すようになる。なお、この場合
は、固定ガイｒ、ｔ ｔｏ位置は一定であｐ、単結晶イ
ンｆ、トＺＪＩとの重心位置は引上けが進むに連れて上
昇するため、前記距離ｔは引上開始時が最も長く、引上
けが進むに連れて次第に短かくなる。
長し、引上長１Ｋが増加するにしたがりて増加すゐ九め
、この共振周波数ｆに和尚する引上軸１９０許容回転数
は、第６図に曲線ムで示すように変化し、引上開始時に
最も高い回転数Ｎ、盲で共振を起こさず、引上長さが増
加するにしたがりで低下してい〈・ 他方、前記ガイド２＃がなく、単に上方０ｌｉ１定ガイ
ド１４０みにて引上軸１すを保持する場合には、距離り
が前記の場合よシ相轟長くなるのでこのときの許容回転
数は第６図の曲線Ｂで示すようになる。なお、この場合
は、固定ガイｒ、ｔ ｔｏ位置は一定であｐ、単結晶イ
ンｆ、トＺＪＩとの重心位置は引上けが進むに連れて上
昇するため、前記距離ｔは引上開始時が最も長く、引上
けが進むに連れて次第に短かくなる。
そζで前記５ｍ１ｔで示すように、許容回転数は引上開
始時が最も低−Ｍｌとな夕、引上げが進むに連れて許容
回転数は上外す為、しかしながら、夷＠に採用で龜る回
転数は、最も低い許容回転数Ｎ、であるため、こＯ許容
回転数Ｎ、と比較すれば、前記曲線ムで示されて匹る本
１置の許ＩＦ回転数は十分高くと〕得ることが４１１ｊ
−する・ しかして、本装置によれば、従来のように引上軸１９０
横振れによってその回転数を低く押えられゐことなく、
育成堪れる単結晶インプラ） Ｉ Ｊ（Ｄ酸素濃度およ
び比抵抗の分布特性を満足畜せみなどの引上条件に最も
好ましい回転数で引上軸１ｇを回転基せるヒとができ、
嵐野な単結晶インゴットｉｓが得られる。
始時が最も低−Ｍｌとな夕、引上げが進むに連れて許容
回転数は上外す為、しかしながら、夷＠に採用で龜る回
転数は、最も低い許容回転数Ｎ、であるため、こＯ許容
回転数Ｎ、と比較すれば、前記曲線ムで示されて匹る本
１置の許ＩＦ回転数は十分高くと〕得ることが４１１ｊ
−する・ しかして、本装置によれば、従来のように引上軸１９０
横振れによってその回転数を低く押えられゐことなく、
育成堪れる単結晶インプラ） Ｉ Ｊ（Ｄ酸素濃度およ
び比抵抗の分布特性を満足畜せみなどの引上条件に最も
好ましい回転数で引上軸１ｇを回転基せるヒとができ、
嵐野な単結晶インゴットｉｓが得られる。
ζうして所定長さの単結晶イアｆットＩＪが育成された
ならば、引上げを停止し、アーム開閉用モータ４０ｔ−
作動させてねじ軸４Ｓを逆転させる・このねじ軸４Ｊの
逆転によｐめねじ＃＃、４ｅｔ介して駆動側７−ｂｓｒ
、ｓａが閉じる方向へ旋回して外＠ｘｉと内筒２σとを
！Ｖ％に進方向へ一転させ、アーム１１．１１を−（・
ζうしてガイド２＃をアームｚｒ、ｚａかｂ外し先後、
単結晶インプットＩＪをルツが１１から引上チャンバ１
０ｂ内へ引上げ、加熱チャｙ ＡＪ ＠ ＠と引上チャ
ンバ１０ｂの間の図示し＠ｅｅｌ”−）バルブを閉じて
両チャンバ間をし中断し、引上チャンＡ１１Ｊ１１Ｉの
図示しない開閉扉をｌＩ−て単結晶インプットＩＩＩを
取出し、１１ＩＯ引上げを終了する。
ならば、引上げを停止し、アーム開閉用モータ４０ｔ−
作動させてねじ軸４Ｓを逆転させる・このねじ軸４Ｊの
逆転によｐめねじ＃＃、４ｅｔ介して駆動側７−ｂｓｒ
、ｓａが閉じる方向へ旋回して外＠ｘｉと内筒２σとを
！Ｖ％に進方向へ一転させ、アーム１１．１１を−（・
ζうしてガイド２＃をアームｚｒ、ｚａかｂ外し先後、
単結晶インプットＩＪをルツが１１から引上チャンバ１
０ｂ内へ引上げ、加熱チャｙ ＡＪ ＠ ＠と引上チャ
ンバ１０ｂの間の図示し＠ｅｅｌ”−）バルブを閉じて
両チャンバ間をし中断し、引上チャンＡ１１Ｊ１１Ｉの
図示しない開閉扉をｌＩ−て単結晶インプットＩＩＩを
取出し、１１ＩＯ引上げを終了する。
前述した実施例は、ガイド２ｇを引上軸１＃Ｏ引上けに
連動して上昇させるようにし九例を示し九が、これに限
らず、ガイド２ｇを引上げＯ初期には下限に近い位置に
停止させておき、引上げが進んでシードチャック２３が
ガイド１りに近付いた時点からガイド２９を引上軸１＃
と連動させて上昇させるようにしてもよい。
連動して上昇させるようにし九例を示し九が、これに限
らず、ガイド２ｇを引上げＯ初期には下限に近い位置に
停止させておき、引上げが進んでシードチャック２３が
ガイド１りに近付いた時点からガイド２９を引上軸１＃
と連動させて上昇させるようにしてもよい。
この場合、引上軸１９０許容回転数は、第６図に一点鎖
線で示す曲線Ｃのようになる。また、ガイド２＃は引上
軸ｌ＃の引上げに応じて間欠的に所定距離ずつ上昇させ
るようにしてもよく、この場合Ｏ許容回転数は第＊＊に
点−で示す−纏りのようになる・ さらに１九、前述した実施例は、あらかじめ引上軸１＃
に偽金されていｈガイド２ｐをアームｚｒ、ｚａＫで着
脱可能に保持するようにし九例を示したが、アームｚｒ
、ｘａをガイドとしてこれらによ）直接引上軸ｌ−を回
転可能に包囲するようにしてもよく、畜らにまた、帥記
ガイド２＃のようなガイドを単に引上軸ｌ＃と連続的な
いしは間欠的に連動して移動するように設けてもよい等
、種々変更し得ることは貫うまでもない。
線で示す曲線Ｃのようになる。また、ガイド２＃は引上
軸ｌ＃の引上げに応じて間欠的に所定距離ずつ上昇させ
るようにしてもよく、この場合Ｏ許容回転数は第＊＊に
点−で示す−纏りのようになる・ さらに１九、前述した実施例は、あらかじめ引上軸１＃
に偽金されていｈガイド２ｐをアームｚｒ、ｚａＫで着
脱可能に保持するようにし九例を示したが、アームｚｒ
、ｘａをガイドとしてこれらによ）直接引上軸ｌ−を回
転可能に包囲するようにしてもよく、畜らにまた、帥記
ガイド２＃のようなガイドを単に引上軸ｌ＃と連続的な
いしは間欠的に連動して移動するように設けてもよい等
、種々変更し得ることは貫うまでもない。
以上述べたように本発明によれば、可とう性材料からな
る引上軸の共振などによる横振れを引上開始時から終了
時までのすべて０間にお−でよ〕小さく押えることがで
き、引上軸を所望の速度で安定して回転させゐことがで
きるため、嵐好な引上けを行ない得る効果が得られる。
る引上軸の共振などによる横振れを引上開始時から終了
時までのすべて０間にお−でよ〕小さく押えることがで
き、引上軸を所望の速度で安定して回転させゐことがで
きるため、嵐好な引上けを行ない得る効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す一部破断概Ｉ！閤、第
２閣は第１ａ１１０ｚ矢視による部分右側■膳、嬉ｓｓ
は第１図の璽一層線による断面図、籐４■は纂Ｉ ＷＡ
ＩＤ’ｌｌ −Ｗ曽による断ｍ図、第５閣は第４図０Ｖ
−Ｖ線による部分拡大断面図、ｍ５ｓｉは引上長１と引
上軸の許容回転数との関係を示す−纏図である・ １０・・・引上機本体ｓ ｌｅａ・・・加熱チャンバ、
１０％・・・引上チャンΔ、１１・・・ルツー、ＩＪ・
・・単結晶インプット、１４・・・巻上装置、１９・・
・引上軸、２１・・・シード％１１・・・シードチャッ
ク、２Ｊ・・・外筒、２６・・・内筒、ｚｖ、ｚｓ・・
・アーム１１９・・・ガイド、Ｊｌ・・・プレート、３
２・・・送シめねじ、ｊ３・・・送シねじ、１６・・・
ガイド軸、３１゜１８・・・鳳動儒アーム、１９ｅ４０
・・・めねじ、４Ｊ・・・ねじ軸、４Ｃ・・・アーム開
閉用モータ、４ｒ・・・昇降用モータ、５２・・・ラッ
ク、５Ｓ・・・位置検出器％１４・・・ビニオｙ。 出願人代理人 弁層士 鈴 江 武 ｌ第３図 δＩＬ長２→ 第１頁の続き ０発 明 者 長谷部等 山形県西置賜郡小国町大字小国 町り７８東芝セラミックス株式会 社小国製造所内 ０発 明 者 江原徹 山形県西置賜郡小国町大字小国 町り７８東芝セラミックス株式会 社小国製造所内 ■出 願 人 東芝セラミックス株式会社東京都新宿区
西新宿１丁目２幡 ２号
２閣は第１ａ１１０ｚ矢視による部分右側■膳、嬉ｓｓ
は第１図の璽一層線による断面図、籐４■は纂Ｉ ＷＡ
ＩＤ’ｌｌ −Ｗ曽による断ｍ図、第５閣は第４図０Ｖ
−Ｖ線による部分拡大断面図、ｍ５ｓｉは引上長１と引
上軸の許容回転数との関係を示す−纏図である・ １０・・・引上機本体ｓ ｌｅａ・・・加熱チャンバ、
１０％・・・引上チャンΔ、１１・・・ルツー、ＩＪ・
・・単結晶インプット、１４・・・巻上装置、１９・・
・引上軸、２１・・・シード％１１・・・シードチャッ
ク、２Ｊ・・・外筒、２６・・・内筒、ｚｖ、ｚｓ・・
・アーム１１９・・・ガイド、Ｊｌ・・・プレート、３
２・・・送シめねじ、ｊ３・・・送シねじ、１６・・・
ガイド軸、３１゜１８・・・鳳動儒アーム、１９ｅ４０
・・・めねじ、４Ｊ・・・ねじ軸、４Ｃ・・・アーム開
閉用モータ、４ｒ・・・昇降用モータ、５２・・・ラッ
ク、５Ｓ・・・位置検出器％１４・・・ビニオｙ。 出願人代理人 弁層士 鈴 江 武 ｌ第３図 δＩＬ長２→ 第１頁の続き ０発 明 者 長谷部等 山形県西置賜郡小国町大字小国 町り７８東芝セラミックス株式会 社小国製造所内 ０発 明 者 江原徹 山形県西置賜郡小国町大字小国 町り７８東芝セラミックス株式会 社小国製造所内 ■出 願 人 東芝セラミックス株式会社東京都新宿区
西新宿１丁目２幡 ２号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 可とう性材料を引上軸として用−る半導体引
上機において、シードチャックの上方に位置して引上軸
を包囲するガイドと、同ガイドを引上軸と平行に移動可
能に保持する案内部と、振れ防止装置・ ０） 態動手段が、ガイｒを引上軸の引上速度量・ （２）態動す段が、ガイドを引上軸の引上げに主装置。 （４） ガイドが、案内部に沿うて移動する開閉れ防
止装置。 横振れ防止装置・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19474281A JPS5895691A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 半導体引上機における引上軸横振れ防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19474281A JPS5895691A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 半導体引上機における引上軸横振れ防止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895691A true JPS5895691A (ja) | 1983-06-07 |
| JPH0138079B2 JPH0138079B2 (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=16329467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19474281A Granted JPS5895691A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 半導体引上機における引上軸横振れ防止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895691A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100542538B1 (ko) * | 2001-09-11 | 2006-01-11 | 주식회사 포스코 | 언로더 버켓 흔들림 방지장치 |
-
1981
- 1981-12-03 JP JP19474281A patent/JPS5895691A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100542538B1 (ko) * | 2001-09-11 | 2006-01-11 | 주식회사 포스코 | 언로더 버켓 흔들림 방지장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0138079B2 (ja) | 1989-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6113686A (en) | Single crystal growing method and apparatus | |
| US8691009B2 (en) | Crystal pulling apparatus and method for the production of heavy crystals | |
| JPS5895691A (ja) | 半導体引上機における引上軸横振れ防止装置 | |
| JPH10182279A (ja) | 結晶構造とチョクラルスキー式結晶成長システムの結晶引 上げのための方法及び装置 | |
| JP3400312B2 (ja) | 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法 | |
| JP4363078B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| US5254319A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
| US4371502A (en) | Crystal growing furnace pulling head | |
| JP3635694B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2007204305A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP3076488B2 (ja) | 半導体単結晶育成装置 | |
| JPS63315588A (ja) | 単結晶製造方法及びその装置 | |
| JP2012218984A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JP3288786B2 (ja) | シリコン単結晶の冷却方法および冷却装置 | |
| KR102678229B1 (ko) | 실리콘 잉곳 제조장치 | |
| JP4113283B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| JPH07196398A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH111389A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JPH06263586A (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
| JP3633205B2 (ja) | 単結晶の成長方法及び装置 | |
| JPH09249487A (ja) | 単結晶引上装置の上軸支持構造 | |
| JPS63303888A (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JPS5895692A (ja) | 半導体結晶引上機の引上装置 | |
| JPH11255595A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JPS62216996A (ja) | 化合物半導体単結晶の育成装置 |