JPS5895301A - レ−ザ−全反射鏡 - Google Patents
レ−ザ−全反射鏡Info
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- JPS5895301A JPS5895301A JP56193893A JP19389381A JPS5895301A JP S5895301 A JPS5895301 A JP S5895301A JP 56193893 A JP56193893 A JP 56193893A JP 19389381 A JP19389381 A JP 19389381A JP S5895301 A JPS5895301 A JP S5895301A
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- JP
- Japan
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- layer
- total reflection
- laser
- substrate
- film
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
- G02B5/085—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal
- G02B5/0858—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal the reflecting layers comprising a single metallic layer with one or more dielectric layers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
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- G02B5/00—Optical elements other than lenses
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- G02B5/085—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal
- G02B5/0875—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal the reflecting layers comprising two or more metallic layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明１は、赤外線レーザー用の全反帽鏡に関するもの
であＪ、一般にレーザー共振器内部及び外部で用いられ
る全反射岬は、高反射率であってしかも化学的、物理的
安定性に富む性能を具備していなければならない。中で
も、化学的には酸、アルカリ、有機溶媒に対する安定性
が、物理的には耐摩耗性が重要視される。更には、全反
射鏡表面が種々の外的雰囲気により汚染を受けた場合に
は、容易（Ｃ表面洗浄が可能であって、繰り返し再生使
用に供されるべき性質を具備している事も肝要である。
であＪ、一般にレーザー共振器内部及び外部で用いられ
る全反射岬は、高反射率であってしかも化学的、物理的
安定性に富む性能を具備していなければならない。中で
も、化学的には酸、アルカリ、有機溶媒に対する安定性
が、物理的には耐摩耗性が重要視される。更には、全反
射鏡表面が種々の外的雰囲気により汚染を受けた場合に
は、容易（Ｃ表面洗浄が可能であって、繰り返し再生使
用に供されるべき性質を具備している事も肝要である。
中高出力レーザー用全反射鏡にあっては２反射率はレー
ザー光照射損傷しきい値に、化学的。
ザー光照射損傷しきい値に、化学的。
物理的安定性は寿砒にそれぞれ直接的影響を与える特性
因子であるが故に、これら緒特性は一般的に最重要祝さ
れる。
因子であるが故に、これら緒特性は一般的に最重要祝さ
れる。
従来の全反射鏡は、第１図および第２図に示す如く、全
反射層２として金、銀、銅の群から選ばれた一つが基板
１上に形成されており、全反引層面が直接外部雰囲気に
曝される構造、あるいは全反射層２が赤外線に対して透
明なフッ素化合物で代表される誘電体物質保護力負３を
付着させた構造のものであった。この様にして、全反射
層２が直接外気に曝露されている全反射鏡にては、外部
雰囲気による化学的攻撃や機械的接触による表面損傷を
顕著に受けやすく、また、誘電体保護物３を有する構造
の全反射鏡においてＩｄ、全反射層２との間の低密着性
や誘電体自身の脆さを原因とするクラックや剥離を生じ
やすいと言う欠点があった。
反射層２として金、銀、銅の群から選ばれた一つが基板
１上に形成されており、全反引層面が直接外部雰囲気に
曝される構造、あるいは全反射層２が赤外線に対して透
明なフッ素化合物で代表される誘電体物質保護力負３を
付着させた構造のものであった。この様にして、全反射
層２が直接外気に曝露されている全反射鏡にては、外部
雰囲気による化学的攻撃や機械的接触による表面損傷を
顕著に受けやすく、また、誘電体保護物３を有する構造
の全反射鏡においてＩｄ、全反射層２との間の低密着性
や誘電体自身の脆さを原因とするクラックや剥離を生じ
やすいと言う欠点があった。
このだめ、全反射鏡の取り扱いには、細心の注意をもっ
てなされる事が強いられ、特に表面汚染物除去のための
洗浄は非常に困難であった。
てなされる事が強いられ、特に表面汚染物除去のための
洗浄は非常に困難であった。
本発明の目的を４、これらの欠点を解決し、高安定性で
かつ容易に洗浄再生が可能なレーザー全反射鏡を提供す
る事にある。
かつ容易に洗浄再生が可能なレーザー全反射鏡を提供す
る事にある。
以下その一実施例を説明する。第３図は第１の実施例を
示し、基板１上にクロム、タングステン。
示し、基板１上にクロム、タングステン。
ニッケルのうちのいずれか一つからなる密着性増強層４
を、次いで金、銀、銅のうちのいずれか一つからなるレ
ーザー光反射層２を、更に前記反射層の保護膜として１
００から８００オングストロームの範囲内の厚さの硬質
金属であるところのタングステン層６を、真空蒸着法（
スパッタリング法、イオンブレーティング法をも含む、
以下真空蒸着法と略す）により順次形成してなる。
を、次いで金、銀、銅のうちのいずれか一つからなるレ
ーザー光反射層２を、更に前記反射層の保護膜として１
００から８００オングストロームの範囲内の厚さの硬質
金属であるところのタングステン層６を、真空蒸着法（
スパッタリング法、イオンブレーティング法をも含む、
以下真空蒸着法と略す）により順次形成してなる。
第４図に本発明のレーザー全反射鏡の他の実施例を示す
。基板６として、それ自身が高反射率を有するダイヤモ
ンド切削銅基板等を用い、筒反射率基板６土に直接に保
護膜として１００から８００オングストロームの範囲内
の厚さのタングステン膜６を、真空蒸着法により形成し
たものである。
。基板６として、それ自身が高反射率を有するダイヤモ
ンド切削銅基板等を用い、筒反射率基板６土に直接に保
護膜として１００から８００オングストロームの範囲内
の厚さのタングステン膜６を、真空蒸着法により形成し
たものである。
本発明は、レーザー光反射面を外部雰囲気による化学的
、物理的攻撃から防ぎ、加えて有機性あるいは無機性物
質の付着により汚染を受けた反射鐘表面を容易にして且
適当なる洗浄液にて除去再生する事が可能な構造を特徴
とする全反射鏡を提供するものであって、基板の種類、
構造等によって限定されるものではないので、以下第３
図の構造のレーザー全反射鏡について詳細に説明する。
、物理的攻撃から防ぎ、加えて有機性あるいは無機性物
質の付着により汚染を受けた反射鐘表面を容易にして且
適当なる洗浄液にて除去再生する事が可能な構造を特徴
とする全反射鏡を提供するものであって、基板の種類、
構造等によって限定されるものではないので、以下第３
図の構造のレーザー全反射鏡について詳細に説明する。
第３図において、硬質金属薄膜であるところのタングス
テン保護膜６の表面は５機械的衝撃や摩擦に対して大な
る耐性を有［２、ひび割れ、剥離。
テン保護膜６の表面は５機械的衝撃や摩擦に対して大な
る耐性を有［２、ひび割れ、剥離。
キズを原因とするレーザー全反射鏡の損傷には極めて効
果的に作用する。また、耐薬品性も良好であるため１反
射鏡表面は作業中に汚染を受けた際にも、トリクレン、
アセトン等の有機溶媒やアル干ルベンゼンスルホン酸塩
等の界面活性剤を主成分とする洗浄液にて、容易に洗浄
再生することができる。一方、タングステン保護膜６は
、共振器内部で生成される化鴬的活性種（例えばＣＯ，
Ｏ・。
果的に作用する。また、耐薬品性も良好であるため１反
射鏡表面は作業中に汚染を受けた際にも、トリクレン、
アセトン等の有機溶媒やアル干ルベンゼンスルホン酸塩
等の界面活性剤を主成分とする洗浄液にて、容易に洗浄
再生することができる。一方、タングステン保護膜６は
、共振器内部で生成される化鴬的活性種（例えばＣＯ，
Ｏ・。
ＮＯｘ 、その他）に対しても、極めて優れた耐性を得
る事ができる。
る事ができる。
光学的には、前記のととく１ｏｏ〜８００オングストロ
ームの範囲にタングステン保護膜６の厚さが限定される
結果、炭酸ガスレーザーの発振中心波長１０．６ミクロ
ンメートルに対しては、十分なる透明性が保たれ、レー
ザー光反射面上にこの保護膜６が形成される事によって
、全反射鏡自身の反射率の低下を引き起こす事は殆どな
い。この場合の反射率とタングステン保護膜の厚さの関
係を、第５図に示した。反射層２が金より成る時、銀及
び銅より成る時の特性を、夫々実線、破線を用いて表わ
した。前者における全自身の表面反射率９８．８％及び
後者における銀及び銅自身の表面反射率９９．２％は、
タングステン保護膜６の厚さの増大と伴に漸次低下して
行き、約７００オングストローム以上の厚さにては、両
者の反射率の膜厚依存性は同一となる。第６図は、タン
グステン保護膜６の厚さが８００オングストローム以下
に限定されるなら、全反射鏡の反射率低下は殆ど認めな
いか、あるいは微少であり実用上問題がない事を示して
いる。また、タングステン保護膜５の厚さが１００オン
グストローム以下の膜厚にあっては、一般に機械的衝撃
に対する耐性が不十分となり、レーザー光反射層２をな
している金、銀及び銅表面にキズを生じやすいので、実
用的でない。
ームの範囲にタングステン保護膜６の厚さが限定される
結果、炭酸ガスレーザーの発振中心波長１０．６ミクロ
ンメートルに対しては、十分なる透明性が保たれ、レー
ザー光反射面上にこの保護膜６が形成される事によって
、全反射鏡自身の反射率の低下を引き起こす事は殆どな
い。この場合の反射率とタングステン保護膜の厚さの関
係を、第５図に示した。反射層２が金より成る時、銀及
び銅より成る時の特性を、夫々実線、破線を用いて表わ
した。前者における全自身の表面反射率９８．８％及び
後者における銀及び銅自身の表面反射率９９．２％は、
タングステン保護膜６の厚さの増大と伴に漸次低下して
行き、約７００オングストローム以上の厚さにては、両
者の反射率の膜厚依存性は同一となる。第６図は、タン
グステン保護膜６の厚さが８００オングストローム以下
に限定されるなら、全反射鏡の反射率低下は殆ど認めな
いか、あるいは微少であり実用上問題がない事を示して
いる。また、タングステン保護膜５の厚さが１００オン
グストローム以下の膜厚にあっては、一般に機械的衝撃
に対する耐性が不十分となり、レーザー光反射層２をな
している金、銀及び銅表面にキズを生じやすいので、実
用的でない。
なお、１ｏ、ｅミクロンメートル波長での銀及び銅蒸着
膜ｉＩｎの反射率はほぼ同一であり、図中破線で例示さ
れるような同一特性を示す結果となった。
膜ｉＩｎの反射率はほぼ同一であり、図中破線で例示さ
れるような同一特性を示す結果となった。
このような全反射鏡を製造するには、第一段階として、
清浄にされた基板１表面上にタングステン、クロムある
Ｉ八はニッケルのうちのいずれか一つヲ、真空蒸着法に
よって６０オングストロ一ム以上の厚さに蒸着形成する
事である。この蒸着膜４は密着性増強層として働く。但
し、基板１とレーザー光反射層２との間の密着性が優れ
る場合にては、当該第一段階は省略される。第二段階は
、この密着性増強層４」二に真空蒸着法にて、レーザー
光反射層２となるべき金、銀、銅のうちのいずれか一つ
を、８００オングストロ一ム以上の厚さで形成する事で
ある。第三段階は、前記レーザー光反射層２」二に保護
膜となるべきタングステン薄ｔ［ｔｓを、１ｏｏから８
ｏ○オングストロームの範囲の厚さに、同様にして真空
蒸着法を用い形成する事である。
清浄にされた基板１表面上にタングステン、クロムある
Ｉ八はニッケルのうちのいずれか一つヲ、真空蒸着法に
よって６０オングストロ一ム以上の厚さに蒸着形成する
事である。この蒸着膜４は密着性増強層として働く。但
し、基板１とレーザー光反射層２との間の密着性が優れ
る場合にては、当該第一段階は省略される。第二段階は
、この密着性増強層４」二に真空蒸着法にて、レーザー
光反射層２となるべき金、銀、銅のうちのいずれか一つ
を、８００オングストロ一ム以上の厚さで形成する事で
ある。第三段階は、前記レーザー光反射層２」二に保護
膜となるべきタングステン薄ｔ［ｔｓを、１ｏｏから８
ｏ○オングストロームの範囲の厚さに、同様にして真空
蒸着法を用い形成する事である。
以下に具体的実施例を説明する。
〔実施例１〕
第３図の構造のレーザ全反射鏡についてのべる。
一つの表面が光学的鏡面に研摩されたカニゼン基板（鋼
上に無電解ニッケルメツ千を施した基板）またはシリコ
ン基板１上に、密着性増強層となるヘキタングステン薄
膜４を８０オングストロームの厚さで、次いでレーザー
光反射層２となるべき金膜を２５００オングストローム
の厚さで、最後に保護膜となるべきタングステン薄膜６
を３００オングストロームの厚さで、順次電子ビーム蒸
着法を用い蒸着形成し、た。蒸着条件（は、真空度６
Ｘ１０ ｍｍＨｇ 、基板回転数５ ｒｐｍ 、基板温
度２６℃である。この場合の１ｏ、６ ミクロンメート
ル波長の光に対する反射率は９８．２％であった。
上に無電解ニッケルメツ千を施した基板）またはシリコ
ン基板１上に、密着性増強層となるヘキタングステン薄
膜４を８０オングストロームの厚さで、次いでレーザー
光反射層２となるべき金膜を２５００オングストローム
の厚さで、最後に保護膜となるべきタングステン薄膜６
を３００オングストロームの厚さで、順次電子ビーム蒸
着法を用い蒸着形成し、た。蒸着条件（は、真空度６
Ｘ１０ ｍｍＨｇ 、基板回転数５ ｒｐｍ 、基板温
度２６℃である。この場合の１ｏ、６ ミクロンメート
ル波長の光に対する反射率は９８．２％であった。
〔実施例２〕
レーザー光反射層２が膜厚１６００オンゲス）ｏ−ムの
銅蒸着膜からなる事を除いて、実施例１に記載の如き真
空蒸着法を用い、レーザー全反射鏡が形成された。′Ｉ
６、この際の反射率は９８．６％であった。
銅蒸着膜からなる事を除いて、実施例１に記載の如き真
空蒸着法を用い、レーザー全反射鏡が形成された。′Ｉ
６、この際の反射率は９８．６％であった。
〔実施例３〕
レーザー光反射層が膜厚２０００オングストロームの銅
蒸着膜からなる事を除いて、実施例１に記載の如き真空
蒸着法を用い、レーザー全反射鏡が形成された。なお、
この際の反射率は９７．６％であった。
蒸着膜からなる事を除いて、実施例１に記載の如き真空
蒸着法を用い、レーザー全反射鏡が形成された。なお、
この際の反射率は９７．６％であった。
以上の説明で明らかにしたように１本発明はレーザー全
反射鏡が硬質のタングステン保護膜を設けたものであり
、その厚さは１００から８ｏｏオングストロームの範囲
内に限定される。本発明によるレーザー全反射鏡は１
レーザー光反射層上に緻密で膜厚の均一なタングステン
保護膜を有する事によって、高反射率の優れた光学的性
質、耐薬品性に優れると言う化学的安定性及び引っ掻＠
ヤズがつきにくいと言う物理的安定性を同時に兼ね備え
ている事、更には表面に汚染を受けた場合でも容易に洗
浄再生が可能であるというさまざまな利点を有する。従
って、本発明のレーザー全反射鏡は、長時間に亘る苛酷
条件での使用には特にその性能を発揮し、実用的にきわ
めて有用なものである。
反射鏡が硬質のタングステン保護膜を設けたものであり
、その厚さは１００から８ｏｏオングストロームの範囲
内に限定される。本発明によるレーザー全反射鏡は１
レーザー光反射層上に緻密で膜厚の均一なタングステン
保護膜を有する事によって、高反射率の優れた光学的性
質、耐薬品性に優れると言う化学的安定性及び引っ掻＠
ヤズがつきにくいと言う物理的安定性を同時に兼ね備え
ている事、更には表面に汚染を受けた場合でも容易に洗
浄再生が可能であるというさまざまな利点を有する。従
って、本発明のレーザー全反射鏡は、長時間に亘る苛酷
条件での使用には特にその性能を発揮し、実用的にきわ
めて有用なものである。
第１図および第２図は従来の全反射鏡の縦断面図１１第
３図及び第４図は本発明の一実施例におけるレーザー全
反射鏡の縦断面図、第６図は本発明によるレーザー全反
射鏡の反射率とタングステン保護膜の厚さとの間の関係
を示す図である。 。 １・・・・・・基板、２・・・・・・レーザー光反射層
、３・・・・・・誘電体保護臆、４・・・・・・密着性
増強層、６・・・・・・タングステン保護膜、６・・・
・・・高反射率基板。
３図及び第４図は本発明の一実施例におけるレーザー全
反射鏡の縦断面図、第６図は本発明によるレーザー全反
射鏡の反射率とタングステン保護膜の厚さとの間の関係
を示す図である。 。 １・・・・・・基板、２・・・・・・レーザー光反射層
、３・・・・・・誘電体保護臆、４・・・・・・密着性
増強層、６・・・・・・タングステン保護膜、６・・・
・・・高反射率基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）高反射率を有するレーザー光反射層とその上に形
成さたれ保護膜とを少なくとも有し、レーザー光反射層
として金属膜、誘電体多層膜のうちのいずれか一方を、
保護膜として耐薬品性。 耐摩耗性を有する硬質金属膜を用いたことを特徴とする
レーザー全反射鏡。 ？） レーザー光反射層が、少なくとも一つの表面が光
学的に超精密加工された基板上に形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレーザー全反射
鏡。 （３）基板とレーザー光反射層との間に密着性増強層が
形成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第２頌
記載のレーザー全反射鏡。 （４）レーザー光反射層が、少なくとも一つの表面が光
学的に超精密加工された基板であることを特徴とする特
許請求の範囲第１だ記載のレーザー全反射鏡。 （６）硬質金属ｊ館がタングステン膜からなり、その膜
厚が１００から８００オングストロームの範囲内である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第４項のい
ずれかに記載のレーザー全反射鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56193893A JPS5895301A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | レ−ザ−全反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56193893A JPS5895301A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | レ−ザ−全反射鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895301A true JPS5895301A (ja) | 1983-06-06 |
Family
ID=16315487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56193893A Pending JPS5895301A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | レ−ザ−全反射鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895301A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144304A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Toshiba Corp | レ−ザ用金属ミラ−及びその製造方法 |
| EP1123988A1 (en) * | 2000-02-08 | 2001-08-16 | Ga-Tek Inc., d.b.a. Gould Electronics Inc. | Method of forming chromium coated copper for printed circuit boards |
| US6489035B1 (en) | 2000-02-08 | 2002-12-03 | Gould Electronics Inc. | Applying resistive layer onto copper |
| WO2003002782A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Energenius, Inc. | Method of making a nickel-coated copper substrate and thin film composite containing the same |
| US6622374B1 (en) | 2000-09-22 | 2003-09-23 | Gould Electronics Inc. | Resistor component with multiple layers of resistive material |
| US6649930B2 (en) | 2000-06-27 | 2003-11-18 | Energenius, Inc. | Thin film composite containing a nickel-coated copper substrate and energy storage device containing the same |
| KR100963735B1 (ko) | 2006-07-06 | 2010-06-14 | 파나소닉 전공 주식회사 | 하지(下地)재료에 전기은도금처리를 실시함으로써 형성되는은막 |
| JP2013528275A (ja) * | 2010-05-23 | 2013-07-08 | フォースト・フィジックス・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 熱およびエネルギー交換 |
-
1981
- 1981-12-01 JP JP56193893A patent/JPS5895301A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144304A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Toshiba Corp | レ−ザ用金属ミラ−及びその製造方法 |
| EP1123988A1 (en) * | 2000-02-08 | 2001-08-16 | Ga-Tek Inc., d.b.a. Gould Electronics Inc. | Method of forming chromium coated copper for printed circuit boards |
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| US6489034B1 (en) | 2000-02-08 | 2002-12-03 | Gould Electronics Inc. | Method of forming chromium coated copper for printed circuit boards |
| US6649930B2 (en) | 2000-06-27 | 2003-11-18 | Energenius, Inc. | Thin film composite containing a nickel-coated copper substrate and energy storage device containing the same |
| US6622374B1 (en) | 2000-09-22 | 2003-09-23 | Gould Electronics Inc. | Resistor component with multiple layers of resistive material |
| US6771160B2 (en) | 2000-09-22 | 2004-08-03 | Nikko Materials Usa, Inc. | Resistor component with multiple layers of resistive material |
| WO2003002782A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Energenius, Inc. | Method of making a nickel-coated copper substrate and thin film composite containing the same |
| KR100963735B1 (ko) | 2006-07-06 | 2010-06-14 | 파나소닉 전공 주식회사 | 하지(下地)재료에 전기은도금처리를 실시함으로써 형성되는은막 |
| JP2013528275A (ja) * | 2010-05-23 | 2013-07-08 | フォースト・フィジックス・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 熱およびエネルギー交換 |
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