JPS589432A - 論理回路 - Google Patents
論理回路Info
- Publication number
- JPS589432A JPS589432A JP56106499A JP10649981A JPS589432A JP S589432 A JPS589432 A JP S589432A JP 56106499 A JP56106499 A JP 56106499A JP 10649981 A JP10649981 A JP 10649981A JP S589432 A JPS589432 A JP S589432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- boosted
- voltage
- transistor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＭＯＳ ）ランジスメによって構成される論理
回路の改良に関する。従来、リード・ライト可能なＲＡ
Ｍ （ランダム・アクセス・メモリ）ＲＯＭ （リード
・オンリー・メモリ）等の半導体メモリでは、スイッチ
ングトランジスタの転送効率の向上、あるいは消費電力
低減の為、出力段バッファの負荷トランジスタをエンハ
ンスメント型（以下Ｅ型）とし、且つ″″１１出力レベ
ルを充分出すといった目的で、出力段に昇圧回路を有す
る論理回路が良く用いられていた。しかし従来、この昇
圧電圧を保持する手段がなく、一定時間後には、昇圧端
子に接続されるＰ−Ｎ接合等のリーク電流により、昇圧
された電圧が電源電圧又はそれ以下に下がってしまうと
いう問題があった。
回路の改良に関する。従来、リード・ライト可能なＲＡ
Ｍ （ランダム・アクセス・メモリ）ＲＯＭ （リード
・オンリー・メモリ）等の半導体メモリでは、スイッチ
ングトランジスタの転送効率の向上、あるいは消費電力
低減の為、出力段バッファの負荷トランジスタをエンハ
ンスメント型（以下Ｅ型）とし、且つ″″１１出力レベ
ルを充分出すといった目的で、出力段に昇圧回路を有す
る論理回路が良く用いられていた。しかし従来、この昇
圧電圧を保持する手段がなく、一定時間後には、昇圧端
子に接続されるＰ−Ｎ接合等のリーク電流により、昇圧
された電圧が電源電圧又はそれ以下に下がってしまうと
いう問題があった。
第１図（、）〜（ｃ）にこの種の従来の回路を示す。
第１図（、）は出力に昇圧電圧を得る一般的な論理回路
で、デコーダ出力またはロジック信号がパッファＢ１の
入力端Ａに接続され、その出力端Ｂには、インバーター
１．Ｉ、を通してキャパシタ自が接続される。この回路
では、端子Ａが０”から１＃に変わると、端子Ｂが“０
″から１１＃となシ、インバーター１＋Ｉ２による一定
遅延時間後、キャパシタＣ１によシＢの１”ンペルが昇
圧される。この昇圧された出力Ｂは、スイッチング・ト
ランジスタのダート又は、半導体メモリにおける行線等
へ供給される。
で、デコーダ出力またはロジック信号がパッファＢ１の
入力端Ａに接続され、その出力端Ｂには、インバーター
１．Ｉ、を通してキャパシタ自が接続される。この回路
では、端子Ａが０”から１＃に変わると、端子Ｂが“０
″から１１＃となシ、インバーター１＋Ｉ２による一定
遅延時間後、キャパシタＣ１によシＢの１”ンペルが昇
圧される。この昇圧された出力Ｂは、スイッチング・ト
ランジスタのダート又は、半導体メモリにおける行線等
へ供給される。
第１図（ｂ）には、他の従来例を示す。これは、遅延回
路部１と、昇圧回路部２より構成された信号発生回路で
、遅延回路部１はＮチャネル型（以下に示すトランジス
タは全てＮチャネル型トスる）トランジスタＴ０１〜Ｔ
６４からなシ、昇圧回路部２はトランジスタＴ１〜Ｔ５
よシなる。
路部１と、昇圧回路部２より構成された信号発生回路で
、遅延回路部１はＮチャネル型（以下に示すトランジス
タは全てＮチャネル型トスる）トランジスタＴ０１〜Ｔ
６４からなシ、昇圧回路部２はトランジスタＴ１〜Ｔ５
よシなる。
この回路は、信号φ が１１”、信号φｌが″０”の状
態で端子Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、出力Ｇがそれぞれ″Ｑ ＃
、 Ｉｌｌ ｌ ＃、″′１”、０”、″０”となって
いる。次に信号φ、が０＃となった後、入力φ１が“１
”となると、まずトランジスタＴ１を通して信号φｌに
よ多端子Ｇが″１＃レベルとなるが、この時まだ端子り
が１＃のための端子Ｆは０＃である。次に遅延回路１を
通して、信号φ１が遅れて端子りに到達し、端子りが１
０＃となると、端子ＥがトランジスタＴ２を通して＠
ＯＭ＋となυ、トランジスタＴ１がオフすると同時に、
トランジスタＴ５がオフとなるため端子Ｆが“１″とｆ
ｒ、シ、キャパシタＣ２によ多出力Ｇが昇圧される。
態で端子Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、出力Ｇがそれぞれ″Ｑ ＃
、 Ｉｌｌ ｌ ＃、″′１”、０”、″０”となって
いる。次に信号φ、が０＃となった後、入力φ１が“１
”となると、まずトランジスタＴ１を通して信号φｌに
よ多端子Ｇが″１＃レベルとなるが、この時まだ端子り
が１＃のための端子Ｆは０＃である。次に遅延回路１を
通して、信号φ１が遅れて端子りに到達し、端子りが１
０＃となると、端子ＥがトランジスタＴ２を通して＠
ＯＭ＋となυ、トランジスタＴ１がオフすると同時に、
トランジスタＴ５がオフとなるため端子Ｆが“１″とｆ
ｒ、シ、キャパシタＣ２によ多出力Ｇが昇圧される。
第１図（ｃ）には別の従来例を示す。これは、デコーダ
等に良く用いられる回路で、トランジスタＴ６〜ＴＩＯ
からなる。この回路はデコーダＤ１が選択されて出力Ｉ
が“０”から１”となると、端子ＪもトランジスタＴ６
を通して０＃から″１”となるが、端子Ｋが１＃のため
トランジスタＴＩＯがオンして端子りはまだ０＃である
。次にインパータエ３による一定遅延時間後、端子Ｋが
″０”となると、端子りが“１”となシ、キャパシタＣ
３によ多端子Ｊが昇圧される。この時、トランジスタＴ
６はカットオフする。従ってトランジスタＴ７は３極管
動作となシ、端子りには充分″″１″１″レベルされる
。ここで端子しけ半導体メモリの行線等へ接続される。
等に良く用いられる回路で、トランジスタＴ６〜ＴＩＯ
からなる。この回路はデコーダＤ１が選択されて出力Ｉ
が“０”から１”となると、端子ＪもトランジスタＴ６
を通して０＃から″１”となるが、端子Ｋが１＃のため
トランジスタＴＩＯがオンして端子りはまだ０＃である
。次にインパータエ３による一定遅延時間後、端子Ｋが
″０”となると、端子りが“１”となシ、キャパシタＣ
３によ多端子Ｊが昇圧される。この時、トランジスタＴ
６はカットオフする。従ってトランジスタＴ７は３極管
動作となシ、端子りには充分″″１″１″レベルされる
。ここで端子しけ半導体メモリの行線等へ接続される。
しかしながら第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｅ）図
においては、昇圧端子Ｂ、Ｇ、Ｊの昇圧電圧はそこに接
続されるＰ−Ｎ接合等のリーク電流により、一定時間後
には下がってしまい、充分な動作が出来なくなるという
欠点があった。
においては、昇圧端子Ｂ、Ｇ、Ｊの昇圧電圧はそこに接
続されるＰ−Ｎ接合等のリーク電流により、一定時間後
には下がってしまい、充分な動作が出来なくなるという
欠点があった。
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、その目的とす
るところは、上記昇圧端子に１他の定常的に昇圧された
電圧を供給する事によシ、リーク電流による上記論理回
路の昇圧電圧の低下を防ぐものである。
るところは、上記昇圧端子に１他の定常的に昇圧された
電圧を供給する事によシ、リーク電流による上記論理回
路の昇圧電圧の低下を防ぐものである。
第２図に本発明の一実施例を示す。この第２図は第１図
（、）を改良したものであるから、相対応する個所には
同一符号を付して説明を省略する。即ち出力端Ｂにディ
プレッジ冒ン型トランジスタＴ１１（以下り型と称す）
のソースが接続され、ドレインがスイッチング・トラン
ジス５− タとしてのＤ型トランジスタＴ１２と同じくトランジス
タＴ１３のソース接続点Ｍに接続され、トランジスタＴ
１２のドレインが、定常的に昇圧電圧（例えばＳＶ）を
供給する端子Ｈに接続され、トランジスタＴ１３のドレ
インが電源ｖｃに接続され、トランジスタＴｌｌ、Ｔ１
２のダートはインバータＩ２の出力端０に、トランジス
タＴ１３のダートがインパータエ１の出力端Ｎに接続さ
れる。上記トランジスタＴｌｌ〜Ｔ１３によシ昇圧電圧
供給回路３が設けられるものである。
（、）を改良したものであるから、相対応する個所には
同一符号を付して説明を省略する。即ち出力端Ｂにディ
プレッジ冒ン型トランジスタＴ１１（以下り型と称す）
のソースが接続され、ドレインがスイッチング・トラン
ジス５− タとしてのＤ型トランジスタＴ１２と同じくトランジス
タＴ１３のソース接続点Ｍに接続され、トランジスタＴ
１２のドレインが、定常的に昇圧電圧（例えばＳＶ）を
供給する端子Ｈに接続され、トランジスタＴ１３のドレ
インが電源ｖｃに接続され、トランジスタＴｌｌ、Ｔ１
２のダートはインバータＩ２の出力端０に、トランジス
タＴ１３のダートがインパータエ１の出力端Ｎに接続さ
れる。上記トランジスタＴｌｌ〜Ｔ１３によシ昇圧電圧
供給回路３が設けられるものである。
この回路では、まず始めに端子Ａが“０＃の時、端子Ｂ
、Ｏは＠０”、端子Ｎが１１′となっているため、トラ
ンジスタＴ１ＢとＴｌ１０ｇｍ比を充分大きくとってお
けば、接続点Ｍはｔ１！は電源ＶＣ（５ｖ）電位となシ
、トランジスタＴ１２のダート電圧（ここでは出力端Ｏ
の電位）をｖｏ、閾値電圧をＶ□、２としてｖｏ−ｖ□
１□＜ｖｃの関係を満たせば、トランジスタＴ１２はカ
ットオフし、トランジスタＴ１２を通して昇圧電６− 位が下がる事はガい。次に端子Ａが″１”となシ、端子
Ｂも“１”となると、インパータエ１の遅延時間後端子
Ｎが“０＃となシ、トランジスタＴ１３がカットオフし
、次にインパータエ２の遅延時間後端子Ｏが′ｌ＃とな
シ、キャノｅシタＣ１によって出力端Ｂの″′１ルベル
が昇圧されると同時に、トランジスタＴ１２がオンし、
昇圧端子Ｈは、トランジスタＴ１２．Ｔｌｌを通して出
力端Ｂと接続される。端子Ｈは定常的に昇圧電圧を供給
出来るので、端子ＢのＰ−Ｎ接合リーク電流等をおぎな
う程度の電流供給能力があれば、出力端Ｂは、定常的に
昇圧電圧を得られる。ここで重要なのは、通常昇圧電圧
を発生する回路の電流供給能力は非常に小さいため、端
子Ｂが″０＃の時、トランジスタＴ１２はカットオフ又
は、導通抵抗が充分大きくなければ、昇圧端子Ｈの電位
が下がってしまうことである。
、Ｏは＠０”、端子Ｎが１１′となっているため、トラ
ンジスタＴ１ＢとＴｌ１０ｇｍ比を充分大きくとってお
けば、接続点Ｍはｔ１！は電源ＶＣ（５ｖ）電位となシ
、トランジスタＴ１２のダート電圧（ここでは出力端Ｏ
の電位）をｖｏ、閾値電圧をＶ□、２としてｖｏ−ｖ□
１□＜ｖｃの関係を満たせば、トランジスタＴ１２はカ
ットオフし、トランジスタＴ１２を通して昇圧電６− 位が下がる事はガい。次に端子Ａが″１”となシ、端子
Ｂも“１”となると、インパータエ１の遅延時間後端子
Ｎが“０＃となシ、トランジスタＴ１３がカットオフし
、次にインパータエ２の遅延時間後端子Ｏが′ｌ＃とな
シ、キャノｅシタＣ１によって出力端Ｂの″′１ルベル
が昇圧されると同時に、トランジスタＴ１２がオンし、
昇圧端子Ｈは、トランジスタＴ１２．Ｔｌｌを通して出
力端Ｂと接続される。端子Ｈは定常的に昇圧電圧を供給
出来るので、端子ＢのＰ−Ｎ接合リーク電流等をおぎな
う程度の電流供給能力があれば、出力端Ｂは、定常的に
昇圧電圧を得られる。ここで重要なのは、通常昇圧電圧
を発生する回路の電流供給能力は非常に小さいため、端
子Ｂが″０＃の時、トランジスタＴ１２はカットオフ又
は、導通抵抗が充分大きくなければ、昇圧端子Ｈの電位
が下がってしまうことである。
第３図は第１図（ｂ）の改良されたもので、第１図（ｂ
）に第２図と同様な昇圧電圧供給回路３を設けたもので
ある。トランジスタＴｌｌのソースを昇圧電圧出力端Ｇ
に接続し、トランジスタＴ１３のダートは、遅延回路出
力端りに、またトランジスタＴｌｌ 、Ｔ１２のダート
は端子Ｆに、それぞれ接続する。この回路では、信号φ
Ｐが“ｌ＃、信号φ１が“０＃の時、端子りが“１＃。
）に第２図と同様な昇圧電圧供給回路３を設けたもので
ある。トランジスタＴｌｌのソースを昇圧電圧出力端Ｇ
に接続し、トランジスタＴ１３のダートは、遅延回路出
力端りに、またトランジスタＴｌｌ 、Ｔ１２のダート
は端子Ｆに、それぞれ接続する。この回路では、信号φ
Ｐが“ｌ＃、信号φ１が“０＃の時、端子りが“１＃。
端子Ｆ、Ｇが′Ｏ＃であシ、トランジスタＴ１３がオン
し、接続点Ｍが略ｖｅ電位となシ、トランジスタＴ１２
がカットオフする。次に信号φＰが″″Ｏ″、信号φ１
が″１＃となると、トランジスタＴ１を通して端子Ｇが
′１＃となシ、遅延回路１による遅延時間後端子りが″
０”となると、端子Ｅも″Ｏ＃となシ、トランジスタＴ
１がカットオフすると同時に、端子Ｆが“１”となシ、
端子Ｇの“１”レベルが昇圧され、またトランジスタＴ
１２がオンしてトランジスタ１２、Ｔｌｌを通して昇圧
端子Ｈが出力端Ｇと接続され、出力端Ｇの昇圧電位を保
持する。
し、接続点Ｍが略ｖｅ電位となシ、トランジスタＴ１２
がカットオフする。次に信号φＰが″″Ｏ″、信号φ１
が″１＃となると、トランジスタＴ１を通して端子Ｇが
′１＃となシ、遅延回路１による遅延時間後端子りが″
０”となると、端子Ｅも″Ｏ＃となシ、トランジスタＴ
１がカットオフすると同時に、端子Ｆが“１”となシ、
端子Ｇの“１”レベルが昇圧され、またトランジスタＴ
１２がオンしてトランジスタ１２、Ｔｌｌを通して昇圧
端子Ｈが出力端Ｇと接続され、出力端Ｇの昇圧電位を保
持する。
第４図は第１図（ｃ）を改良したもので、第２図。
第３図とは別な昇圧電圧供給回路を用いた例である。第
４図において、昇圧出力端Ｊと昇圧端子Ｈとの間に、ス
イッチング・トランジスタとしてのエンハンスメント型
トランジスタ（以下Ｅ型）Ｔ１５が接続され、このトう
／ジメタＴ１５のｒ−）端子Ｐと、デコーダ出力端！と
の間にＥ型トランジスタＴＪ４が接続され、そのダート
は電源Ｖ。に接続される。また、端子Ｐと発振回路１０
の出力端ＯＳＣとの間にキャパシタＣ４が接続される。
４図において、昇圧出力端Ｊと昇圧端子Ｈとの間に、ス
イッチング・トランジスタとしてのエンハンスメント型
トランジスタ（以下Ｅ型）Ｔ１５が接続され、このトう
／ジメタＴ１５のｒ−）端子Ｐと、デコーダ出力端！と
の間にＥ型トランジスタＴＪ４が接続され、そのダート
は電源Ｖ。に接続される。また、端子Ｐと発振回路１０
の出力端ＯＳＣとの間にキャパシタＣ４が接続される。
これら発振回路１０．キャパシタＣ４，トランジスタＴ
１４．Ｔ１５によシ昇圧電圧供給回路４を構成する。
１４．Ｔ１５によシ昇圧電圧供給回路４を構成する。
第５図のタインングチャートに従って第４図の動作を説
明する。発振回路１ｏが発振して出力端Ｏ８Ｃには一定
の発振出力が得られる◎このとき端子Ｈは昇圧電圧（約
８ｖ）が供給されている。デコーダＤ１が非選択で出力
Ｉが１０”でちると、トランジスタＴ１４．Ｔ６を通し
て端子Ｐ、Ｊは″０＃、またトランジスタＴＩＯがオン
し、端子りも１０”となる。トランジスタＴ１５はオフ
となシ、端子ＨとＪは切シ離される。次に、デコーダＤ
Ｉが選択されて、端子工が″１”となると、トランジス
タＴ ６．Ｔ１４を通してＪ、Ｐは１１”レベルとなシ
、インバータＩ３の遅延時間後端子Ｌカー１１となシ、
端子Ｊの″１ルベルは昇圧される。一方、トランジスタ
Ｔ１４によシ″１ルベル（約４Ｖ）に充電された端子Ｐ
１は、キャノｌシタＣ４にょシ昇圧され、端子ＯＳＣの
発振周波数に合わせて、昇圧電圧（約８ｖ）と低″″ｌ
＃レベル（４ｖ）との間を振動する。従って端子Ｊの昇
圧電圧がＰ−Ｎ接合リーク等によって下がってくると、
トランジスタＴ１５は、Ｐが昇圧されている期間オンし
、端子Ｊに昇圧電圧を供給し、その他の時はオフしてい
る。
明する。発振回路１ｏが発振して出力端Ｏ８Ｃには一定
の発振出力が得られる◎このとき端子Ｈは昇圧電圧（約
８ｖ）が供給されている。デコーダＤ１が非選択で出力
Ｉが１０”でちると、トランジスタＴ１４．Ｔ６を通し
て端子Ｐ、Ｊは″０＃、またトランジスタＴＩＯがオン
し、端子りも１０”となる。トランジスタＴ１５はオフ
となシ、端子ＨとＪは切シ離される。次に、デコーダＤ
Ｉが選択されて、端子工が″１”となると、トランジス
タＴ ６．Ｔ１４を通してＪ、Ｐは１１”レベルとなシ
、インバータＩ３の遅延時間後端子Ｌカー１１となシ、
端子Ｊの″１ルベルは昇圧される。一方、トランジスタ
Ｔ１４によシ″１ルベル（約４Ｖ）に充電された端子Ｐ
１は、キャノｌシタＣ４にょシ昇圧され、端子ＯＳＣの
発振周波数に合わせて、昇圧電圧（約８ｖ）と低″″ｌ
＃レベル（４ｖ）との間を振動する。従って端子Ｊの昇
圧電圧がＰ−Ｎ接合リーク等によって下がってくると、
トランジスタＴ１５は、Ｐが昇圧されている期間オンし
、端子Ｊに昇圧電圧を供給し、その他の時はオフしてい
る。
Ｋ６図には第４図の昇圧供給回路４の別な変形例を第１
図（、）に接続したものを示す、即ち第１図（、）の出
力端ＢとバッファＢ１の出力端Ｂ′との間にＥ型トラン
ジスタＴ１Ｂを設け、そのダートは電源ｖｃに接続する
。トランジスタＴ１６のｆｆ−）端Ｑとキャパシタ出力
端Ｐとの間にＥ型トランジスタＴＪ７を接続し、そのゲ
ートを端子Ｐに接続する。端子ＱとＢ′との間にＥ型ト
ランジスタＴ１６を設け、ダートを電源ｖ０に接続する
。トランジスタＴ１４を端子Ｐと８７間に接続し、ダー
トを電源ｖ０に接続する。
図（、）に接続したものを示す、即ち第１図（、）の出
力端ＢとバッファＢ１の出力端Ｂ′との間にＥ型トラン
ジスタＴ１Ｂを設け、そのダートは電源ｖｃに接続する
。トランジスタＴ１６のｆｆ−）端Ｑとキャパシタ出力
端Ｐとの間にＥ型トランジスタＴＪ７を接続し、そのゲ
ートを端子Ｐに接続する。端子ＱとＢ′との間にＥ型ト
ランジスタＴ１６を設け、ダートを電源ｖ０に接続する
。トランジスタＴ１４を端子Ｐと８７間に接続し、ダー
トを電源ｖ０に接続する。
この回路では、端子Ａがｌ１ｘｊｌとな！’、”ＩＢが
′１″となシ、インバータＩｌ＋Ｉ２の遅延時間後端子
Ｂが昇圧される一方、端子Ｐには第５図の端子Ｐの波形
と同様な波形が得られ、トランジスタＴ１７によシ整流
され、端子Ｑには一定の昇圧された電圧が得られる為、
端子Ｂの昇圧電圧が下がると同時にトランジスタＴ１５
がオンし、端子Ｈから昇圧電圧が供給される。
′１″となシ、インバータＩｌ＋Ｉ２の遅延時間後端子
Ｂが昇圧される一方、端子Ｐには第５図の端子Ｐの波形
と同様な波形が得られ、トランジスタＴ１７によシ整流
され、端子Ｑには一定の昇圧された電圧が得られる為、
端子Ｂの昇圧電圧が下がると同時にトランジスタＴ１５
がオンし、端子Ｈから昇圧電圧が供給される。
第７図には、一般的な、昇圧電圧Ｈを得る回路を示す。
この回路は５段のインバータＩｌｌ〜１１１１を有した
発振回路５と、端子Ｓ、Ｓの２相による４段の昇圧部６
１〜６４を有した昇圧回路６よシ成る。ここでＣ１ｌ”
”Ｃｌｌ５はキャパシタ。
発振回路５と、端子Ｓ、Ｓの２相による４段の昇圧部６
１〜６４を有した昇圧回路６よシ成る。ここでＣ１ｌ”
”Ｃｌｌ５はキャパシタ。
Ｔ２１〜Ｔ２ｓｔｄ、エンハンスメン） 型） ５ンジ
スタである。この回路は、第８図に示きれる如く発振回
路５の発振出力端Ｓ、Ｓでの出力波形によシ、昇圧回路
６の端子ａ −＝ ｄに段々に上昇する電圧波形が得ら
れ、昇圧電圧供給端Ｈの電圧が徐々に上昇していき、最
終的には例えば８Ｖで落ちつくことになるが、この電圧
振幅は、昇圧部６１〜６４の段数が多くなる＃１ど上昇
させることができる。又、発振出力端Ｓ、Ｓでの出力波
形のかわシに、おのおの“１”レベルが重なシ合わない
様なノ’？ルス信号を用いても効率良く昇圧出来る。
スタである。この回路は、第８図に示きれる如く発振回
路５の発振出力端Ｓ、Ｓでの出力波形によシ、昇圧回路
６の端子ａ −＝ ｄに段々に上昇する電圧波形が得ら
れ、昇圧電圧供給端Ｈの電圧が徐々に上昇していき、最
終的には例えば８Ｖで落ちつくことになるが、この電圧
振幅は、昇圧部６１〜６４の段数が多くなる＃１ど上昇
させることができる。又、発振出力端Ｓ、Ｓでの出力波
形のかわシに、おのおの“１”レベルが重なシ合わない
様なノ’？ルス信号を用いても効率良く昇圧出来る。
なお、本発明は上記実施例のみに限定されるものではな
く、例えば昇圧電圧出力端間をつなぐ接続手段（トラン
ジスタＴ１２．Ｔ１５等）としてのスイッチング・トラ
ンジスタの代シに、昇圧電圧出力端Ｈの電位が下らぬほ
どの高抵抗を用いてもよい等、種々の応用が可能である
。
く、例えば昇圧電圧出力端間をつなぐ接続手段（トラン
ジスタＴ１２．Ｔ１５等）としてのスイッチング・トラ
ンジスタの代シに、昇圧電圧出力端Ｈの電位が下らぬほ
どの高抵抗を用いてもよい等、種々の応用が可能である
。
以上説明した如く本発明によれば、電源電圧以上に昇圧
された“１”レベルを出力する昇圧電圧出力端に、他の
定常的に昇圧された電圧を供給するから、リーク電流に
よる昇圧電圧の低下を防止できる論理回路が提供できる
ものである。
された“１”レベルを出力する昇圧電圧出力端に、他の
定常的に昇圧された電圧を供給するから、リーク電流に
よる昇圧電圧の低下を防止できる論理回路が提供できる
ものである。
第１図（、）ないしくＣ）は従来の昇圧回路を有する論
理回路図、第２図は本発明の一実施例を示す回路図、第
３図、第４図は本発明の異なる実施例を示す回路図、第
５図は第４図の回路動作を示すタイミング波形図、第６
図の本発明の更に異なる実施例を示す回路図、第７図は
昇圧電圧を得る一例の回路図、第８図は同回路の動作を
示すタイミング波形図である。 １・・・遅延回路、２・・・昇圧回路、３．４．４’・
・・昇圧電圧供給回路、５・・・発振回路、６・・・昇
圧回路、Ｔ１２．ＴｌＢ・・・スイッチング・トランジ
スタ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−・１．３− 第１図 （ａ） （ｂ） ｒ−−□−ｍ ｒ’ −□−−□−
−］第２図 （Ｃ） ｃ 第３図 ００ 品 譜 ０社 Ｏｒ−０ 〉 の 工 −ＣＬ Ｍ
理回路図、第２図は本発明の一実施例を示す回路図、第
３図、第４図は本発明の異なる実施例を示す回路図、第
５図は第４図の回路動作を示すタイミング波形図、第６
図の本発明の更に異なる実施例を示す回路図、第７図は
昇圧電圧を得る一例の回路図、第８図は同回路の動作を
示すタイミング波形図である。 １・・・遅延回路、２・・・昇圧回路、３．４．４’・
・・昇圧電圧供給回路、５・・・発振回路、６・・・昇
圧回路、Ｔ１２．ＴｌＢ・・・スイッチング・トランジ
スタ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−・１．３− 第１図 （ａ） （ｂ） ｒ−−□−ｍ ｒ’ −□−−□−
−］第２図 （Ｃ） ｃ 第３図 ００ 品 譜 ０社 Ｏｒ−０ 〉 の 工 −ＣＬ Ｍ
Claims (4)
- （１）電源電圧以上に昇圧された″″１＃１＃レベルす
る第１の昇圧手段と、電源電圧以上の昇圧電圧を保持す
る第２の昇圧手段と、前記第１の昇圧手段の昇圧電圧出
力端と前記第２の昇圧手段の昇圧電圧出力端とを接続す
る接続手段とを具備したことを特徴とする論理回路。 - （２）前記接続手段は、抵抗成分を有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の論理回路。 - （３）前記抵抗成分は、スイッチング・トランジスタよ
り成ることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の
論理回路。 - （４）前記スイッチング・トランジスタは、前記第１の
昇圧手段の昇圧電圧出力が昇圧前のレベルにある時オフ
状態でかつ昇圧後のレベルにある時オン状態に制御され
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の論理
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56106499A JPS589432A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 論理回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56106499A JPS589432A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 論理回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589432A true JPS589432A (ja) | 1983-01-19 |
| JPH0322102B2 JPH0322102B2 (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=14435122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56106499A Granted JPS589432A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 論理回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4555644A (en) * | 1982-12-17 | 1985-11-26 | Sgs-Ates Componenti Elettronici Spa | Output interface for a three-state logic circuit in an integrated circuit using MOS transistors |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4998954A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-09-19 | ||
| JPS5194746A (ja) * | 1975-02-19 | 1976-08-19 | ||
| JPS54153565A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-03 | Nec Corp | Semiconductor circuit using insulation gate type field effect transistor |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP56106499A patent/JPS589432A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4998954A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-09-19 | ||
| JPS5194746A (ja) * | 1975-02-19 | 1976-08-19 | ||
| JPS54153565A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-03 | Nec Corp | Semiconductor circuit using insulation gate type field effect transistor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4555644A (en) * | 1982-12-17 | 1985-11-26 | Sgs-Ates Componenti Elettronici Spa | Output interface for a three-state logic circuit in an integrated circuit using MOS transistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322102B2 (ja) | 1991-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5126590A (en) | High efficiency charge pump | |
| US5521547A (en) | Boost voltage generating circuit | |
| US5029282A (en) | Voltage regulator circuit | |
| US4954731A (en) | Wordline voltage boosting circuits for complementary MOSFET dynamic memories | |
| US5841703A (en) | Method and apparatus for removal of VT drop in the output diode of charge pumps | |
| US4438346A (en) | Regulated substrate bias generator for random access memory | |
| JPH05298885A (ja) | 電荷ポンプ回路 | |
| JPS61126686A (ja) | 半導体メモリのためのワ−ド線クロツク・ブ−スト回路 | |
| US5675279A (en) | Voltage stepup circuit for integrated semiconductor circuits | |
| EP0632456B1 (en) | Voltage generator circuit generating negative potential | |
| US4952863A (en) | Voltage regulator with power boost system | |
| US6225853B1 (en) | Booster circuit | |
| US4716303A (en) | MOS IC pull-up circuit | |
| US6812774B2 (en) | Method and apparatus for generating a high voltage | |
| US4488061A (en) | Drive circuit | |
| JPS589432A (ja) | 論理回路 | |
| JPH11111946A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS595488A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03283182A (ja) | 半導体昇圧回路 | |
| JP4746380B2 (ja) | チャージポンプ回路 | |
| KR0170286B1 (ko) | 반도체 메모리장치의 전압 승압회로 | |
| US5638023A (en) | Charge pump circuit | |
| JP2868789B2 (ja) | 半導体駆動回路 | |
| JP2868860B2 (ja) | 昇圧出力回路 | |
| JP2797837B2 (ja) | ブースト電位発生回路 |