JPS5892260A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5892260A JPS5892260A JP56191157A JP19115781A JPS5892260A JP S5892260 A JPS5892260 A JP S5892260A JP 56191157 A JP56191157 A JP 56191157A JP 19115781 A JP19115781 A JP 19115781A JP S5892260 A JPS5892260 A JP S5892260A
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- JP
- Japan
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- layer
- function
- active layer
- image sensor
- analog
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は同一基板上に複数の活性層を有する積層構造
を有する半導体装置に関するものである。
を有する半導体装置に関するものである。
以下、図に従って本発明の構成、動作について説明する
。
。
図において、(1) 、 (3) 、 (fi) 、
(7)は各種半導体素子が集積化された活性層を意味し
、各活性層間の(2)。
(7)は各種半導体素子が集積化された活性層を意味し
、各活性層間の(2)。
(4) 、 (6)は2つの活性層、例えば(1)と(
3)を電気的に分離絶縁する絶縁層である。
3)を電気的に分離絶縁する絶縁層である。
さて、このような複数の活性層(1) * (a) #
(6) * (7)及び上下2つの活性層、例えば(
1)と(3)を電気的化分離絶縁する絶縁層(2)から
なる積層構造に構築した半導体装置において、最上位の
第1層(1)の機能を画像9文字などのイメージセンサ
とする。この場合、このイメージセンサ機能は、可視光
領域のみならず、赤外領域において動作する。このよう
な光領域でのイメージセンサ−動作は、例えばシリコン
を用いたCCD型イメージセンサ、 MO8型イメージ
センサ等各種デバイス構造、あるいはメタル、例えば白
金のショットキーデバイスを用いて実現可能であること
は知られている。このような画像センサーデバイスから
の電気信号は多くの場合アナログ信号であり、各種論理
回路、記憶回路を用いて画像処理を行なう場合には、ア
ナログ信号をデジタル信号に変換することが不可欠であ
る。
(6) * (7)及び上下2つの活性層、例えば(
1)と(3)を電気的化分離絶縁する絶縁層(2)から
なる積層構造に構築した半導体装置において、最上位の
第1層(1)の機能を画像9文字などのイメージセンサ
とする。この場合、このイメージセンサ機能は、可視光
領域のみならず、赤外領域において動作する。このよう
な光領域でのイメージセンサ−動作は、例えばシリコン
を用いたCCD型イメージセンサ、 MO8型イメージ
センサ等各種デバイス構造、あるいはメタル、例えば白
金のショットキーデバイスを用いて実現可能であること
は知られている。このような画像センサーデバイスから
の電気信号は多くの場合アナログ信号であり、各種論理
回路、記憶回路を用いて画像処理を行なう場合には、ア
ナログ信号をデジタル信号に変換することが不可欠であ
る。
従って、この発明においては、画像センサー機能を有す
る活性層(1)の下の活性層(3)に、絶縁層(2)を
介してアナログ信号をデジタル信号に変換する回路を組
込む。これにより、第1の活性層(1)から送られる大
量のアナログ信号を十分に処理することが出来る。
る活性層(1)の下の活性層(3)に、絶縁層(2)を
介してアナログ信号をデジタル信号に変換する回路を組
込む。これにより、第1の活性層(1)から送られる大
量のアナログ信号を十分に処理することが出来る。
次に、この活性層(3)テデジタル化された画像信号は
絶縁層(4)及び(6)を介して形成された、例えば論
理回路用活性層(5)及び記憶回路用活性層(7)に転
送され論理処理及び記憶処理される。
絶縁層(4)及び(6)を介して形成された、例えば論
理回路用活性層(5)及び記憶回路用活性層(7)に転
送され論理処理及び記憶処理される。
このような構造により、図に示した如き積層構造の半導
体装置は、画像センサ機能、アナログ。
体装置は、画像センサ機能、アナログ。
デジタル変換機能、論理回路機能、記憶回路機能を同一
基板上に有機的に組込み、一つのシステムとして動作す
ることが可能となる。
基板上に有機的に組込み、一つのシステムとして動作す
ることが可能となる。
図は本発明の一実施例の半導体装置の概念図である。
(i) e (a)e (5) p (7)は活性層、
(2) 、 (4) # (6)は絶縁層代理人 葛野
信−
(2) 、 (4) # (6)は絶縁層代理人 葛野
信−
Claims (3)
- (1)同一基板上に形成された、複数の活性層を有する
ものにおいて、最上位の層に可視光領域あるいは赤外領
域の波長で動作する画像センサ機能を有することを特徴
とする積層構造の半導体装置。 - (2)最上位の画像センサ機能を有する層の下にアナロ
グ・デジタル変換回路を組込んだ層を設けることを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の半導体装置。 - (3)アナログ・デジタル変換回路機能層の下の複数の
層に論理回路層のいずれか一方または両方を組込んだこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56191157A JPS5892260A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56191157A JPS5892260A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5892260A true JPS5892260A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16269847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56191157A Pending JPS5892260A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5892260A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61131474A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 積層型半導体装置 |
JPS63174356A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 画像処理用半導体装置 |
WO2006006398A1 (ja) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Sony Corporation | 撮像装置、撮像素子の集積回路及び撮像結果の処理方法 |
WO2006022077A1 (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Sony Corporation | 撮像装置、撮像結果の処理方法及び集積回路 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS503787A (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-16 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56191157A patent/JPS5892260A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS503787A (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-16 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS61131474A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 積層型半導体装置 |
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US7936376B2 (en) | 2004-07-13 | 2011-05-03 | Sony Corporation | Image pickup device, integrated circuit of image pickup element, and image pickup result processing method |
WO2006022077A1 (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Sony Corporation | 撮像装置、撮像結果の処理方法及び集積回路 |
JPWO2006022077A1 (ja) * | 2004-08-23 | 2008-05-08 | ソニー株式会社 | 撮像装置、撮像結果の処理方法及び集積回路 |
JP4640338B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2011-03-02 | ソニー株式会社 | 撮像装置、撮像結果の処理方法及び集積回路 |
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