JPS589221A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

不発、明は磁気ディδり等磁気記録媒体の製造り法Ｋ１
１１し、＃ＰＬ＜は、高田縦−気紀緻媒体の成襄程 １櫓で発生する鍼性膜欠陥をなくし、ｌｌｌ１造歩留り
□ を改善した磁気ｊｋ！縁媒体の製造７Ｐ法に関する。。 情＠１６Ｈ１装置の２アイルメ方りと９て使用される磁
気ディスク等の記−媒体は、情報量の増ｍお工び装置と
してのコストパフオニアンスを向上させる几め、益々４
１！Ｆ直化か要求声れると共に高−Ｍ頼性１４！求され
る。。 ｊ１６９！ＦＩＩｔ記録媒体を実現させるたやには、媒
体材料として、憾堺的脣性（ＩＩ４保砿力化、嶋砿束竺
〆化を角１性等）の同上を図ると共に媒体の薄膜化か必
要でるる。これら要求に対して、従来の履布履媒体に代
り、薄膜化、峰気的％性のａｌｌｉｌｌが容易でるり、
更に耐食性、耐摩耗性に優れた反応スパッタリング等で
作成声れる戚化物連続薄ｍｓ性媒体が開発され、　４？
！ＦＪ［配縁媒体として良好な特性が得られて−る・ しかし、高！！装置磁気記録媒体は１ビット当りの紀嫌
面ＩＦが微小化し、更に媒体の厚さがａｉ、Ｉｍ根［Ｋ
極薄化する仁とが必要となり、従ってこれら媒体を成膜
欠陥がなく１安定Ｋｌ＆造することは非常に厳しくなっ
て−る。 本発明はＩＩｔ属欠陥の発生原因をくわしく観察した結
果、　Ｊｔｖｓ出されたものであり、以下戚化物連続薄
Ｊｌ［媒体（以下酸化吻媒体と−う］例にとりて説明す
る。 戚化吻媒体の成膜工程−１例えば配縁材料としてｒｅ−
Ｏｏ系會＊を用−１真空装置円のチャンバー（気密１１
）Ｋアルゴン〔ＡＩ〕とｇｍ票

〔０〕を含む混曾ガスを
導入し几戚化１１囲気で反応スパッタリング管行−１対
向に設置されたムを合金ｊ１嶺にａ−Ｆ＠、Ｏｓ＠　１
７ｔはｇｇ分圧を調整しＦ・８０４等の酸化膜を所定の
厚−ｇ＃Ｃ形成させ、その後、α−Ｐａ、０３農の場合
は、水素等の瀘元雰囲気でＰｅ１０４属とし、更に空気
中で熱ｌ＆層し、ｒ−Ｐ＠＊ｏ［酸化膜がｌ１ｌｌｓ−
の如く形成される。この績化膜は基板との密着性も良好
である。 このＩＩＱ成膜成膜工作成した戚化智媒体を工２−試！
ａｆＩＡで試験すると、成る一体にお−てｉｆｓ媒体上
の微小部分に欠陥がるり記録特性を阻害している。 この原因をｔｉｐｍｔｃｒｔｔｉ察すると、■基板の平
担性（基板ａ由の７ラサ、クネリ等）に基因するもの１
■基板の素材の濶析吻等に基因するもの、０基徹洗浄が
不十分でＴｏす、＃ａ磁性膜密層！！１か悪く剥離して
−るもの、■成膜工程でゴＺ、ホコリ等５ｑｘｔが付着
し、ａｉＳ図（−の如く磁性膜厚か減少して−るもの中
、ｔたは１４−の脱落に１９薦Ｓ鵬ｂ）の如＜ａ性膜か
剥離して−るもの等がＦｈ轡に成編過楊でのＳ智の付着
にする磁性膜欠陥の依存−が大き一仁とかわかりた◎ 成膜工種でのｓＩｗｌＦの付着は、チャンバー円での膜
形成時において、ＪＲは＊Ｘさせ几−基板のみに付着す
るのではなく、ｊ６＆を保持する油臭、るるｉはチャン
バーの内壁などあらゆる部分に付着する。これら基板以
外に付着した裏は次第に堆積し。 一部ははがれ基板ｓＰ１び基板上に形成され九蝿性麟上
に付着し、成ＪＩ後の欠陥を発生させて−る。 従りて、Ｊｌ！ｌ付物−よる成膜久ｍを少なくするには
チャンバー円の６らゆ層部分ｔ１１に付着物のな一状履
に保つ仁とか必要である。しかし、このことは！ｊＩ際
上不可ＩＩＩ！に近く、ま几仮にこのような環境ｔ＊ｚ
うとすると長期間、装置の＊ｍｔ停止させてしまうもの
で製造性を看しく直下させて好ましくなめ。 本発明は１ｌｌｌｅ間雇点に織みなされたものであって
、その目的とするところは、異物の付着による成膜後の
欠陥を少くシ１歩留りが良＾磁気記録媒体の製造７Ｊｆ
ｆｉを提供することにめるＯ上記目的連成のため本発明
の４値は一憾気紀縁用材料を真空基円ある―はガス等を
導入したチャンバー円で基板上に連続薄膜として形成す
る成膜工程管含む磁気記録媒体の製造７Ｊｆ＆にお−で
、―配属属工１１！ｆ：；４Ｉ叙回に分割することにあ
る。以下本発明の実施ＩＰＩｔ−１−を参照して説明す
る・−ｇｓａｉ乃至第７図は本発明の磁気記録媒体の展
進】法を工程順に示しｔＷＲ−図である・１１８図に示
す基板ｌの表面に磁性膜Ｓ（−所定の膜厚１例えば１０
（Ｎ）ＡＫ対し、ａ分割して成膜する。ｖ”　＊　＊本
発明の例として、５ｅｅＡづつ、　４１ｍに分けて成Ｊ
ＩＫを行う場合＃Ｃ′）ｖ％で＃！嘴する・！ず第８図
にか−で、薦１−目の成膜を基板１の表１に膜厚５ＯＯ
Ａの厚さＫｌｌ性ｍｓｔ形成する・仁の場合％基板に付
着して％Ａた異物、ま几は属属工機中Ｋａｍ性膜Ｓの表
１に＾物畠が飛釆し付着する・ξのように磁性膜ｓ２）
表−に付着した異物８を除去工１１に！りて取ｐ除（、
＃去工橿は轟圧ガスで吹飛ばす刀沫、−転すＪ基板の直
置にスポンジ４ｐ＃ＩＪＩｍ布等を轟てて拭き七ゐ連成
、更にチャンバー円１）４！り出し、スポンジ響を用ｉ
で清浄な水！＃！しなから仁すり洗−する７Ｊ法、また
洗浄液を用−てディラグにより洗い落す：ｈ法があるが
、確実に除去するためには脱腫剤で脱膚し１次−で純水
で洗浄し、フレオンにディプ１して異＊を除去し・最後
に７Ｌ／オ″蒸気−１９洗浄し乾燥する方法か行なわれ
る。 第４ｖＩＡは藺起除去工橿に１９異物を除去し几断向で
異物を一去恰たるとに凹み４が生ずる。しかし、この１
うな異物を除去して生じた凹み４は次のＩｉＬｊｇ工程
で次ｇＫ馴らされ殆んど影響のな一状膳となる。 ｊｇｓ−はｓＩ配ｇ１回目の成膜、異物除去工程を経た
憾性膜よに縞Ｓ−目の成膜８′を１し几断−図で纂１ｍ
ｌ目に成膜しｔ上向に存置５００Ａの躾か形成される。 この場合におｉても前述の膜形ＭｔＱと同様＾豐８′が
付着する４Ｇが増えられる・ｓ６−は前述ｇｓ−の磁性
層８′上に付着した鴎。 ６　Ｓ　／を前述除去７Ｊ法と一様にして異物ａｌｔ除
去したーで凹み４′を示して―る・ この１うにして系畠凶・纂４幽とそれぞれ６００Ａづつ
の＃ｌ性勇管形属することに１）謳７−に示す如（４層
の磁性ｊ［１１，ｉｌ’ｌ’、１１”　１ｆｃＬ−ｚて
所定膜厚ｍｏｏｏ人の磁性ＩＩＩが形成される。なお、
磁性層の分割数は多ｉ機その効果か大１！ｉことは轟然
で＝るが製造性が低下するため可及的１分＠数が少１に
一７Ｆが好まし―。しかし１分割数を多くすると、１回
轟りの成膜される磁性層が搏〈なり。 このため成ＩＩＩ＆時に発生する基板の′＠装上昇が低
くなるため成膜時の電力ｔよげ底裏速度を早める利点は
ある・ ＪＩｓ図お１び購９Ｉ！！ｌｌは本発明にかかる磁気配
録上述の実施例に６りては複数の成膜工種の間に異物除
去工Ｓを介挿したものを説明したか、ＪＩ４智除去工楊
を介挿せずともある機［Ｏ効果が期待で自る・ りｔ９％異物除去工ｓｒ省略し、気雪槽円で単に磁気膜
ＮＩＩｔ−分割した場合は、舖妃−一した嫌に異物除去
工程を介挿ｇ属した場合に軟ぺ、その結果は減少するが
、単層膜１り効果がめることは不発＠看等に１９４Ｉｉ
−されそ−る・−ち・感８−に示す１うにスパッタリン
グ、鵬着等気９２Ｆｌ１１円で成膜する場合、異物等の
付着ｔａけるための基板ｌを上にし、ターゲット（原着
源）５を下にする配置とし、　ＩＩ！４Ｃ基板に付着さ
れる磁気膜の膜厚４１性均−化を−るためｊｌｉｍを図
示の如く一転させる。 このような構成におｉ″ｃＩｉｔ属工程を分割すること
に工り先に付着した異物か、即ち、成膜休止状−で自＃
ａ落下等に１９除去される＠ この１うなｊｉ＠の配置は異物付着を避ける几めの１豪
である。 薦９−は基板を装置内にお−て画直に支持し。 これを−転させる場合を□示してφる・仁の例も第８−
と同一の効果を期待できる・なお画−中６はに仮ホルダ
ーでるる。ちなみに、仁の１うな異物の付着を避ける配
＊ｔ−採りても従来の如く単一層で一往Ｊ１１Ｉｔ−形
成しｔ場合、基板珈る＾は禰性膜上に付着したｌＩｋ吻
は自然除去されに〈−１仁れに対して本発明の如＜５ｃ
ａａ工楊を分割し、自然落乍させ、その成膜で落下後の
凹みｔｍめることＫＬ９成績人噛を大幅に減少させる仁
とがで龜る。 薦１０１１１１１は不発＃１４勇法によｐ得られｔ峰気
記録媒体の効果を示したもので従来の単層膜と北壁した
・即ち、この場合はＩＩＭＩＫ分割し−ＩＵした媒体を
エラー試−機で磁性膜欠陥を試験したもので。 平均再生出力電圧を１００とし、スフイスレベルを変え
た時の媒体−１Ｊａｉｎの磁性層の欠陥数（（ツクング
エツー数）と、直ｔｌｌｆｆｉｉａｉ＆ｏ再生出力電圧
１ｏとし、それ以上に発生するパルスをスライスレベル
を変え、ＥＩ尚）の欠陥数（工中ストツエラー数）とし
示したもので、　ｆＩＮｌは主ＫＪＩ［厚贋−に依存し
、後者は凹み、ピンホール等に主に依存するｔのでめる
・ 同一から明らかなＬ５に、本発明により一往屓の欠陥は
大幅に諷少し、その効果か大でるることがわかる・なお
、ｓａ配威明は反応ス／（ツメリングで形成される威化
豐媒体が＃ＩｃｊＩｌ［工１１を分割し、その間に異物
除去工１１Ｍを介挿することで行９ｔか、これら０Ｉｔ
ｈ崩は、気密槽（チャｙＩ（−）円で行なわれる他Ｏ薄
Ｊｌｌｌ形成沫１例えば蒸着、イオングレーテング、Ｏ
ＶＤ法等にクーでも、また金属−！！１感体にり＾ても
１本目的と同じでｈｆＬば同１１７Ｊ法で行なうことが
できる。　　　　　　　　　　　　　１以上説明した１
５に本発明の成襄工根を複数回に分割すること、ｊｌ！
にはまたそれらの間に異物除去を行なう工ｍｅ介挿する
ことによりて磁性ＩＩ！に付着した異物を除去し、蝿性
編欠陥を減少させ。 磁気記録媒体の製造時における歩留りを大幅に同上する
ことかで１１１その効果＃ｉ徳めて大である。

【図面の簡単な説明】

＄１ｍは従来の反応スパッタリングで形成され九単層属
の媒体を示す断ｒｊｊｉ図、１４１図（−お１び（ｂＪ
はａ性膜に異ＩＩＢが付清し、−性膜欠陥となることを
示した従来の媒体の断面図、第＊＊乃至第７．−は本発
明の磁気記録媒体の製造方法を工楊願に示す断面図。 Ｉ＃！８図は１回、目の平膜による異物性！を示す断Ｅ
ｋＩ図、第４−は薦８図に示す異物を除去工種にＬり取
９除パ盪の断１１〒５図はＳ−目の成膜と＾書付ｓＩｔ
示す断面図、第６−は４５−の真愉を除去１根に１り取
９除−た餞の断Ｅ１［１図、薦７−はＩｋ＃１４ＩＩｉ
ＪｏＩｉｔ躾後の新−一を示す−である。纂８図１票９
図は本発明の他の実施例を示す図である・★た纂１０図
は本発明の詳細な説明するための媒体と同一条件で試験
した試験結果を示ナダ２）である。 −において、ｌは基板１ｍ、ｉｉ’−ピ拳Ｓ″は磯性襄
、［ｉ′・８＃・８″は成膜時に付着した異物。 ４拳４’ｍ４’ａ４”は異物を除去して生じた凹みｔ示
す・ 」１１１　目 ＩｔＯｔＪ スライス　レベル（％〕 湊　３　目 勝　４　目 簿８図　　　　　　　３Ｉｔ１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１スパッタ装置ある匹は蒸層装置等内に＊持さｆ’
   Ｌ九基板上に連続する構気記録用憾性膜を形成する磁気
   記録媒体の製造７Ｊ法におい、、て、上記基板に対する
   スパッタリング工程める４は蒸着工程をａａ＊回に分割
   してなることを脣値とする磁気記録媒体の製造７Ｊ法。 （２１４許晴求の１ｉＩ！囲第１撫紀−の婦気紀縁媒体
   の製造７Ｊ法にお−で、上記基板は上紀練置円で―直に
   床持さｎて−ることｔ″臀韻する磁気記録媒体の製造方
   法０′：″ （３）　　Ｅｆ＃ｆｆ請求の範囲第１積紀−の磁気ｍｌ
   味、媒体の製造７１法にお−て、上記基板は上記装置内
   で圓転して−る・ことをｑ＃値とする憾気ｌｋ！−媒体
   の製造方法。　　　　　　　・　　　　　　　、（４）
   　　特許請求の範囲第１項紀−の磁気記録媒体のＪｌｉ
   ｌｊｉ！７Ｆ法にお一□て、複数回に分割された上記ス
   程 パッタリングエ寝ある％Ａｌｆｉ蒸庸工橿の各工程の闇
   に基板上に付着する異物を除去するための典吻除去工ｍ
   會介挿してなることを脣徴とする磁気記録媒体のＩＩＩ
   ！４々法。　　　　。 （５）　　特許請求の範囲Ｉｌ！４項紀蛎の磁気記録媒
   体の製造７ｙ法において、上記＾、ψ除去除去上程上記
   装−円に設置され次異物除去手段により行われる−こと
   を４１轍とする磁気記録媒体の製造方法。　　。