JPS5891063A - Sic質セラミツクス焼結体の製造法 - Google Patents
Sic質セラミツクス焼結体の製造法Info
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- JPS5891063A JPS5891063A JP56189207A JP18920781A JPS5891063A JP S5891063 A JPS5891063 A JP S5891063A JP 56189207 A JP56189207 A JP 56189207A JP 18920781 A JP18920781 A JP 18920781A JP S5891063 A JPS5891063 A JP S5891063A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度5IC(炭化珪素)質−セラミックス焼
結体の製造法に関するものである。
結体の製造法に関するものである。
炭化珪素(SiO)は従宋より硬度が高く、耐摩耗性I
Cすぐれ、熱膨張率が小さく、また分解温度が高く、酬
酸化性が大きく、化学的に安定でかつ一般にかなシの電
気伝導性を有する有用なセラミックス材料として知られ
ている。この炭化珪素の高密度焼結体は」二記の件質1
(加え、強度が高温捷で大きく、耐熱衝撃性にすぐれ、
高温構造材料として有望とされ、ガスタービン用をはじ
めとして種々の用途にその応用か試みられている。
Cすぐれ、熱膨張率が小さく、また分解温度が高く、酬
酸化性が大きく、化学的に安定でかつ一般にかなシの電
気伝導性を有する有用なセラミックス材料として知られ
ている。この炭化珪素の高密度焼結体は」二記の件質1
(加え、強度が高温捷で大きく、耐熱衝撃性にすぐれ、
高温構造材料として有望とされ、ガスタービン用をはじ
めとして種々の用途にその応用か試みられている。
炭化珪素焼結体はホットプレス焼結、常圧焼結、反応焼
結、再結晶、化学的蒸着などの方法によって作製される
。これらの方法のなかで工業的に壷も有利な方法は常圧
焼結法と考えられる。常圧焼結法ンこよればセラミック
ス材料の成形に一般に用いらfするプレス法、泥漿搗込
法、押出成形法、射出成形法などの方法により成形゛す
ることができ複雑形状品、犬十法品、肉厚品を最も容易
に、生産性良く製造することができる。しかもこの方法
による製品には反応焼結、再結晶法による製品に比べ高
性能が期待できる。
結、再結晶、化学的蒸着などの方法によって作製される
。これらの方法のなかで工業的に壷も有利な方法は常圧
焼結法と考えられる。常圧焼結法ンこよればセラミック
ス材料の成形に一般に用いらfするプレス法、泥漿搗込
法、押出成形法、射出成形法などの方法により成形゛す
ることができ複雑形状品、犬十法品、肉厚品を最も容易
に、生産性良く製造することができる。しかもこの方法
による製品には反応焼結、再結晶法による製品に比べ高
性能が期待できる。
しかし、炭化珪素は共有結合性の強い化合物であるため
常圧焼結法の場合、ホットプレス焼結法の場合も同様で
あるが単独では焼結が困難であり、高智度の焼結体を得
るためには何らかの焼結助剤の添加が必要である。ホッ
トプレス焼結法の場合に焼結助剤としてはホウ素あるい
tよホウ素化ば物−まだ#ゴ、アルミニウムあるいはア
ルミニウム化合物などが知られている。また、常圧焼結
法の場合にはこれらにさらに炭素を添加することにより
、高密度焼結体が得られることが知られている。
常圧焼結法の場合、ホットプレス焼結法の場合も同様で
あるが単独では焼結が困難であり、高智度の焼結体を得
るためには何らかの焼結助剤の添加が必要である。ホッ
トプレス焼結法の場合に焼結助剤としてはホウ素あるい
tよホウ素化ば物−まだ#ゴ、アルミニウムあるいはア
ルミニウム化合物などが知られている。また、常圧焼結
法の場合にはこれらにさらに炭素を添加することにより
、高密度焼結体が得られることが知られている。
しかし、常圧焼結法の場合このような焼結助剤を加えて
も通常の方法によシ良好な高性能高密度焼結体を得るこ
とは難しい。特に焼結の過程で、炭化珪素粒表面に存在
するシリカ層全完全に除去することが困難で、このため
に成形体が充分に緻密化しないことが問題となる。この
問題は、小さな試料成形体を作る場合もそうであるが、
複雑形状品、大寸法品、肉厚品を均質な高密度品として
しかも生産性良く製造しようとする時、特1で大きな問
題となる。
も通常の方法によシ良好な高性能高密度焼結体を得るこ
とは難しい。特に焼結の過程で、炭化珪素粒表面に存在
するシリカ層全完全に除去することが困難で、このため
に成形体が充分に緻密化しないことが問題となる。この
問題は、小さな試料成形体を作る場合もそうであるが、
複雑形状品、大寸法品、肉厚品を均質な高密度品として
しかも生産性良く製造しようとする時、特1で大きな問
題となる。
この点に関して、現在炭化珪素質セラミックス焼結体の
製造法において典型的な1つの方法としてよく知られて
いる硼素−炭素系添加剤の場合を例にとって説明する。
製造法において典型的な1つの方法としてよく知られて
いる硼素−炭素系添加剤の場合を例にとって説明する。
焼結助剤としての硼素(B)#:分は、焼結過程中)C
炭化珪素に固溶し、粒界エネルギーを減少さぜる、緻密
化を抑制する低韓での表面拡散の進行を抑える、同時に
加える炭素と反応して硼素−炭素化合物層を形成し、炭
化珪素粒を固溶−析出さぎるなどの効果を有し、緻密化
に寄与するのではないかといわ几ている。
炭化珪素に固溶し、粒界エネルギーを減少さぜる、緻密
化を抑制する低韓での表面拡散の進行を抑える、同時に
加える炭素と反応して硼素−炭素化合物層を形成し、炭
化珪素粒を固溶−析出さぎるなどの効果を有し、緻密化
に寄与するのではないかといわ几ている。
しかしながら、硼素のこのような効果にもかかわらず、
硼素のみの添加によシ高密度焼結体を得ることは難かし
い。即ち、炭化+lミ素原料微粉末には通常10%程度
までの表面シリカが存在し、とのシリカの存在が焼結促
進を抑制する。
硼素のみの添加によシ高密度焼結体を得ることは難かし
い。即ち、炭化+lミ素原料微粉末には通常10%程度
までの表面シリカが存在し、とのシリカの存在が焼結促
進を抑制する。
そこで、緻密化のためにはこの表面シリカを除去するこ
とが必要となシ、このために炭素成分が添加される。炭
素はシリカを次の反応により還元し、除去することが知
られている。
とが必要となシ、このために炭素成分が添加される。炭
素はシリカを次の反応により還元し、除去することが知
られている。
SiO2+30−+ SiO+ 2 C0このように、
炭化珪素質セラミックス焼結体の製造法において、炭素
の添加が有効であるか、これとていまた十分満足できる
までIcは至っていないことが分り、本発明者らVユ、
この炭素によるシリカの還元をさらに十分にできn 1
−i−、或rよこれにかわる方法かみいだせれば、より
筒密度かつ高強度の焼結体を得られるのではないかに着
目し、種々研究?重ねたところそのような理由にもとづ
くものと思われる効果をもたらしうるに至ったのである
。。
炭化珪素質セラミックス焼結体の製造法において、炭素
の添加が有効であるか、これとていまた十分満足できる
までIcは至っていないことが分り、本発明者らVユ、
この炭素によるシリカの還元をさらに十分にできn 1
−i−、或rよこれにかわる方法かみいだせれば、より
筒密度かつ高強度の焼結体を得られるのではないかに着
目し、種々研究?重ねたところそのような理由にもとづ
くものと思われる効果をもたらしうるに至ったのである
。。
即ち本発明h:、sic質成形体ケ900〜1700℃
の昌度域で水素ガスを含む非酸化性雰囲気中にさらし、
ついで1900〜2300℃の温度域で非酸化性雰囲気
中で焼成する特許請求の範囲第1項記載の製造法ケ要旨
とするものである。
の昌度域で水素ガスを含む非酸化性雰囲気中にさらし、
ついで1900〜2300℃の温度域で非酸化性雰囲気
中で焼成する特許請求の範囲第1項記載の製造法ケ要旨
とするものである。
ここでこの本発明は、高密度かつ高強度の炭化珪素(E
]i0 )質焼結体を得るためには原料である炭化」゛
13素粉末の表1頂に生成する5102 の還元をも
たらす効果をより促進しようとするのがねらいであるた
め、炭素質成分を添加することの廂無にtよ本質的PC
は関係なく、この種炭化珪素質焼結体の製法全てにお・
い−Cそれなりの効果全もたら゛すものである。従って
、炭素質成分以外の焼結助剤を使用しない炭化珪素質焼
結体の製法或は炭素質成分以外の焼結助剤のみを使用す
る焼結体の製法に対しても、勿論炭素成分と炭素質成分
以外の焼結助剤を同時に使用した場合に較べれば得られ
る密度は低いものであめが、そ1.なりに効果をもたら
すものである。
]i0 )質焼結体を得るためには原料である炭化」゛
13素粉末の表1頂に生成する5102 の還元をも
たらす効果をより促進しようとするのがねらいであるた
め、炭素質成分を添加することの廂無にtよ本質的PC
は関係なく、この種炭化珪素質焼結体の製法全てにお・
い−Cそれなりの効果全もたら゛すものである。従って
、炭素質成分以外の焼結助剤を使用しない炭化珪素質焼
結体の製法或は炭素質成分以外の焼結助剤のみを使用す
る焼結体の製法に対しても、勿論炭素成分と炭素質成分
以外の焼結助剤を同時に使用した場合に較べれば得られ
る密度は低いものであめが、そ1.なりに効果をもたら
すものである。
一方、本発明方法の適用において、焼結助剤としては、
とnまで1でよく知られている添加剤か同時に好ましく
使用できるのであって、こnらのなかでも前述した如く
、硼素或はアルミニラム系t:jlI(盟約なものであ
る。
とnまで1でよく知られている添加剤か同時に好ましく
使用できるのであって、こnらのなかでも前述した如く
、硼素或はアルミニラム系t:jlI(盟約なものであ
る。
例えばイ11.素成、う)としては、元素状硼素であっ
ても炭化硼素、悩化硼素でめつ′Cも或は酸化硼素II
どであってもよく、さらにPiij嘔のような化合物の
形で使用することもできる。同、これらの硼素数分の場
合その1史月割合rコニ通常炭化珪素100市址部に対
して01〜5部特に−102〜20部で十分である。
ても炭化硼素、悩化硼素でめつ′Cも或は酸化硼素II
どであってもよく、さらにPiij嘔のような化合物の
形で使用することもできる。同、これらの硼素数分の場
合その1史月割合rコニ通常炭化珪素100市址部に対
して01〜5部特に−102〜20部で十分である。
また、アルミニウム成分としても、元素状アルミニウム
で必っても、炭化物、窒化物などの非酸化物であっても
或1よ酸化アルミニウム(A40A )などであっても
よく、さらには水酸化アルミニウムのような化合物の形
でβつでもよい。
で必っても、炭化物、窒化物などの非酸化物であっても
或1よ酸化アルミニウム(A40A )などであっても
よく、さらには水酸化アルミニウムのような化合物の形
でβつでもよい。
同、これらのアルミニウム成分の11合、その使用割合
r−J:通常炭化珪素100重−4部に約して()1へ
−5@1+、竹に4105〜6部で十分である。
r−J:通常炭化珪素100重−4部に約して()1へ
−5@1+、竹に4105〜6部で十分である。
その龍の焼結助141iとしてよく知らノ′しているも
のにはベリリウム成分などかある。
のにはベリリウム成分などかある。
本発明で使用さノ′シる炭化iI紫(SiO:)原料と
して(−Lα形、β形いずれの結晶形のものも使用でき
る。純度r1.98%以」二のものが好ましいか。
して(−Lα形、β形いずれの結晶形のものも使用でき
る。純度r1.98%以」二のものが好ましいか。
90〜98係のものも不動に使用できる。粒度は極微粒
の1易含、・Y均粒径よりも比表内偵で表わすことが適
当であり、一般にl’J’、 5 tn、”/′?以上
好丑しく1つ、10 rn2/′f以上のものを使用す
ることで必る。
の1易含、・Y均粒径よりも比表内偵で表わすことが適
当であり、一般にl’J’、 5 tn、”/′?以上
好丑しく1つ、10 rn2/′f以上のものを使用す
ることで必る。
また、本発明で添v[」シても差支えない或は場合によ
って1J、加えることが壱利である炭素質成分として汀
、これもこれまでよく知られているいずれもか使用でき
るのであるか、粉末形jルとして炭化珪素粉末に均等に
分数せしめることに(づ、困難であシ、通常爾後の焼成
で炭素に熱分解される炭素質有(長比合物の溶液として
導入することが多く炭素質有機化合物としては例えはフ
ェノールーポルムアルテヒド縮合物であるフェノール樹
脂が典型的であシ、ポリフェニレンなどの炭化水素重合
体や炭化水素重合体力らの詩碑体力lたよ< 夕1+ら
れでいる。勿論、分散性をよくする自己1、・′東を1
扛はカーボンフ゛ラックなとの炭素質粉末の防用も有効
で惠・る。
って1J、加えることが壱利である炭素質成分として汀
、これもこれまでよく知られているいずれもか使用でき
るのであるか、粉末形jルとして炭化珪素粉末に均等に
分数せしめることに(づ、困難であシ、通常爾後の焼成
で炭素に熱分解される炭素質有(長比合物の溶液として
導入することが多く炭素質有機化合物としては例えはフ
ェノールーポルムアルテヒド縮合物であるフェノール樹
脂が典型的であシ、ポリフェニレンなどの炭化水素重合
体や炭化水素重合体力らの詩碑体力lたよ< 夕1+ら
れでいる。勿論、分散性をよくする自己1、・′東を1
扛はカーボンフ゛ラックなとの炭素質粉末の防用も有効
で惠・る。
同、本発明にお・いて1吏用するj場合の炭素質]氏分
の配合割合6、通常使用されている配合計が適当でしり
、大体炭化珪素100重欧部罠対して炭素(0)として
換算して02〜10部であり、使用1゛る炭化珪素原料
の種類などにもよるか、多くの場合好1シ<1.05〜
5部で十分である。
の配合割合6、通常使用されている配合計が適当でしり
、大体炭化珪素100重欧部罠対して炭素(0)として
換算して02〜10部であり、使用1゛る炭化珪素原料
の種類などにもよるか、多くの場合好1シ<1.05〜
5部で十分である。
これに、炭素成分が多すきると、焼結体中rこ炭素粒と
して残存し、焼結体の欠陥となり性能低下をもたらずな
どのため好ましくないからである。
して残存し、焼結体の欠陥となり性能低下をもたらずな
どのため好ましくないからである。
本発明では、原料的には必要に応じて加える炭素質成分
とそれ以外の焼結助剤のほかは残部が実質的に炭化珪素
からなる混合物を調整・することか望1しく、1だそれ
で十分目的のものが得られるのが1つの特徴でもあるか
、勿論例えば炭化珪素原料中r(不El避的rこ不純1
勿として含1れる又に粉砕過程で混入する少量の他の成
分が含1jでいても差し支えなく、目的からして酸化シ
リコンなどの1部の成分で4比・咬的多く含量れても差
支えないのも1だ一面では利点である。
とそれ以外の焼結助剤のほかは残部が実質的に炭化珪素
からなる混合物を調整・することか望1しく、1だそれ
で十分目的のものが得られるのが1つの特徴でもあるか
、勿論例えば炭化珪素原料中r(不El避的rこ不純1
勿として含1れる又に粉砕過程で混入する少量の他の成
分が含1jでいても差し支えなく、目的からして酸化シ
リコンなどの1部の成分で4比・咬的多く含量れても差
支えないのも1だ一面では利点である。
成形方法としてij、 普通セラミックスの成形に使用
される方法かすべて使用できる。即ち、プレス成形、泥
漿鋳込IJに形、射出成形、押出成形などが適当である
。
される方法かすべて使用できる。即ち、プレス成形、泥
漿鋳込IJに形、射出成形、押出成形などが適当である
。
本発明は、このようにして得られた炭化珪素質成形体を
焼成する過程で大きな特徴ケもってい2)ものでアシ、
この焼成条件Vこついて以下説明する。
焼成する過程で大きな特徴ケもってい2)ものでアシ、
この焼成条件Vこついて以下説明する。
まず、本発明の焼成含、件とじて最も重要なことV′i
尤の焼成温度及びその雰囲気の調整でしり、具体的に1
1それt少くとも2段階で実姉するということである。
尤の焼成温度及びその雰囲気の調整でしり、具体的に1
1それt少くとも2段階で実姉するということである。
′l:η當、炭化珪累質センミックスの焼結体を焼成す
るycは成形体を焼成炉に導入し、炉温を常温から一定
速度で昇温し最終の目的と゛j;6焼結温度VCなQは
、当該温度でS定時間保持して、ついで炉をとめ常i2
! ’fで徐々に/!〃却していくことの一般的な方θ
÷が行わ扛ていえ)。
るycは成形体を焼成炉に導入し、炉温を常温から一定
速度で昇温し最終の目的と゛j;6焼結温度VCなQは
、当該温度でS定時間保持して、ついで炉をとめ常i2
! ’fで徐々に/!〃却していくことの一般的な方θ
÷が行わ扛ていえ)。
これに対し、本発明e−[、最終焼結幅mに至る途中の
過程即ち焼成過程の一つの段階のilF、A I&、即
ち本発明の目的とするセラミックス焼結体の最終焼成温
度と対比ずれは極めて低編に織する焼成温度で特定の雰
囲気に一時的Vこ成形体の焼成を積極的に維持せしめる
ことを特徴とJ゛るのである。
過程即ち焼成過程の一つの段階のilF、A I&、即
ち本発明の目的とするセラミックス焼結体の最終焼成温
度と対比ずれは極めて低編に織する焼成温度で特定の雰
囲気に一時的Vこ成形体の焼成を積極的に維持せしめる
ことを特徴とJ゛るのである。
いいかえれば、ある温度及びネY定雰囲気での焼R7維
持を、最終焼成温度(最終焼成温度)のほかに、より低
温域で少くとも1段階」ブ上行なうということであり、
最終焼成を後段階焼成とすれkま前段階にて特定の焼成
維持荀行なうということであ乙)。
持を、最終焼成温度(最終焼成温度)のほかに、より低
温域で少くとも1段階」ブ上行なうということであり、
最終焼成を後段階焼成とすれkま前段階にて特定の焼成
維持荀行なうということであ乙)。
より具体的fここの条件についでいえば、前段階焼成維
持温度i1: 900〜1700℃の漉度威でわり、後
段階での最高;庶J戎温展へ、1900〜2500℃の
昌度域でりる。
持温度i1: 900〜1700℃の漉度威でわり、後
段階での最高;庶J戎温展へ、1900〜2500℃の
昌度域でりる。
この低輻瓦即ち900〜1700℃での前段階の焼J戊
温度域にお・ける維持時1口」としては、設定Jる維持
副m′によっても“\−゛や異なるが通常05時間(3
0分)以−上6望−チしくは必要であυ、一方長すぎて
も効果がある程m以上eJ゛同じとなるので最長10時
間g度で十分でシる。柿々の実験1(よれ−1000〜
1600℃での維持が最も効果的でおることか確かめら
れでおり、維持時間も2時−1以上5時間程度が最良で
ある。
温度域にお・ける維持時1口」としては、設定Jる維持
副m′によっても“\−゛や異なるが通常05時間(3
0分)以−上6望−チしくは必要であυ、一方長すぎて
も効果がある程m以上eJ゛同じとなるので最長10時
間g度で十分でシる。柿々の実験1(よれ−1000〜
1600℃での維持が最も効果的でおることか確かめら
れでおり、維持時間も2時−1以上5時間程度が最良で
ある。
また後段階焼成(最高焼成)維持温度は1900〜25
00℃であり、この斌爪4温度〜゛、よF)好菫しく
F: 195o〜21QO℃である。温反が1900℃
よシ低いと緻密化が充分進まず高密度、焼結体か得られ
ず2300℃より高いと成形体が分解し過ぎ多孔化しま
た粒成長が1ずみすぎisましくない力・らである。冑
、時間は通常1〜24時間必要でより好ましく1−12
〜10時間である。こ1上に時間が短か過きると緻密化
せず、また緻密化しても光分な強度が生ゼす、長過きる
と分解し過ぎ多孔化しまた粒成長かすすみすき好ましく
ないことが多いからである。
00℃であり、この斌爪4温度〜゛、よF)好菫しく
F: 195o〜21QO℃である。温反が1900℃
よシ低いと緻密化が充分進まず高密度、焼結体か得られ
ず2300℃より高いと成形体が分解し過ぎ多孔化しま
た粒成長が1ずみすぎisましくない力・らである。冑
、時間は通常1〜24時間必要でより好ましく1−12
〜10時間である。こ1上に時間が短か過きると緻密化
せず、また緻密化しても光分な強度が生ゼす、長過きる
と分解し過ぎ多孔化しまた粒成長かすすみすき好ましく
ないことが多いからである。
つき艮と才しらの焼成過程における焼成条件として必要
な他の要件はその雰囲気であり、常に非1眩化性界囲気
にしておくことはこの揮炭化珪素質セラミックス焼結体
の焼成、として必要とさ扛るととと同(永でるる。具体
的に11−アルゴン、−素、−・リウムなどの不活性雰
囲気が適当であり、CO(−酸化炭素)などの還元性雰
囲気でもよいし、これらの減圧雰囲気でもよい。
な他の要件はその雰囲気であり、常に非1眩化性界囲気
にしておくことはこの揮炭化珪素質セラミックス焼結体
の焼成、として必要とさ扛るととと同(永でるる。具体
的に11−アルゴン、−素、−・リウムなどの不活性雰
囲気が適当であり、CO(−酸化炭素)などの還元性雰
囲気でもよいし、これらの減圧雰囲気でもよい。
これらの雰囲気について特定の温度域で異なるものとl
〜で検討したところ、特に前段階の焼成温度域での焼成
雰囲気を水素ガス(H2)を含む雰囲気で行なうと望ま
しいことが見い出されたわけでるる。この場合の水素ガ
スを含む雰囲気とは雰囲気全体を水素ガスのみにするこ
とも勿論よいが、通常は非酸化性特には不活性雰囲気中
に水素ガス分圧を与えておけはよく具1体的な分圧とし
て水素ガス分圧として50 mmHg 程朋以」二あ
れば十分効果か得らf′Lるようでらる。
〜で検討したところ、特に前段階の焼成温度域での焼成
雰囲気を水素ガス(H2)を含む雰囲気で行なうと望ま
しいことが見い出されたわけでるる。この場合の水素ガ
スを含む雰囲気とは雰囲気全体を水素ガスのみにするこ
とも勿論よいが、通常は非酸化性特には不活性雰囲気中
に水素ガス分圧を与えておけはよく具1体的な分圧とし
て水素ガス分圧として50 mmHg 程朋以」二あ
れば十分効果か得らf′Lるようでらる。
ここで、このような雰囲気中での焼成抑;件か本発明の
効果を伺故にもたら“j”かrこついで考えてみるとそ
の理由に1屋かでないが次のようなことが考えられる。
効果を伺故にもたら“j”かrこついで考えてみるとそ
の理由に1屋かでないが次のようなことが考えられる。
即ち、本発明の焼成条件か、SiO表面表面化成してい
る5i02 の還元作用を顕著に促進するからと考え
られ、具体的には、 5i02+H2→SiO↑+)工20↑と して反応が
進み、これが900〜1700℃特に1000〜160
0℃の温度域ですすみ易いからと考えられる。
る5i02 の還元作用を顕著に促進するからと考え
られ、具体的には、 5i02+H2→SiO↑+)工20↑と して反応が
進み、これが900〜1700℃特に1000〜160
0℃の温度域ですすみ易いからと考えられる。
伺、この場合、雰囲気全体を水素ガスを含むものとして
、減圧状態rこし、SiOやH2oガスの揮発を助長せ
しめることも有効である。lた、水素ガスケ静止状態で
なく流動状態となるよう一定量づつ通気することも同僚
の理由で好ましい。
、減圧状態rこし、SiOやH2oガスの揮発を助長せ
しめることも有効である。lた、水素ガスケ静止状態で
なく流動状態となるよう一定量づつ通気することも同僚
の理由で好ましい。
尚、本発明において、焼成過程でのが6形体の水素雰囲
気中での保持は、いわゆる常圧焼結でも十分なものか伯
ら扛るもので、この点が一つの利点でもめるが、勿7i
iat械的圧力下にふくいわゆるホットプレスにも適用
できるものでh7)。
気中での保持は、いわゆる常圧焼結でも十分なものか伯
ら扛るもので、この点が一つの利点でもめるが、勿7i
iat械的圧力下にふくいわゆるホットプレスにも適用
できるものでh7)。
不発明りこのように5j−02の還元を顕著に促進じ、
それも原料処理工程を複雑化する炭素質数分を必ずしも
心やとすることなく或eよ処理を容易とする少量の配合
でも、よシ高密度かつ高強度の炭化什累質セラミックス
焼結体を得ることに成功したものであって、その工業的
4価値は太きいものである。
それも原料処理工程を複雑化する炭素質数分を必ずしも
心やとすることなく或eよ処理を容易とする少量の配合
でも、よシ高密度かつ高強度の炭化什累質セラミックス
焼結体を得ることに成功したものであって、その工業的
4価値は太きいものである。
伺、本発明医より得られる焼結体の具体的な強度として
6、次のようなものである。
6、次のようなものである。
即ち、常温曲り強度として40 Kg/′tran2は
容易であり、望ましいものとしてi−J 50 Kg/
′mm2以上のものも可能であるし、高温曲げ強度とし
ては従来より特によいものか得られ易く、例えば無加圧
焼結でも1400℃の強度として45Ky/瀧12以上
のものは容易であシ、特に−:55に&/′ffi#l
”以上のものも可能である。
容易であり、望ましいものとしてi−J 50 Kg/
′mm2以上のものも可能であるし、高温曲げ強度とし
ては従来より特によいものか得られ易く、例えば無加圧
焼結でも1400℃の強度として45Ky/瀧12以上
のものは容易であシ、特に−:55に&/′ffi#l
”以上のものも可能である。
本発明を実施例にてさらに説明する。
実施例及び比較例
純度98N前チ以上、比表面積13m”71以上のIあ
るいはα型炭化珪素粉末に第1表に示すような添加剤を
加え、充分混合した。この混合粉末を2000%の圧力
にて液圧成形し、約40x20x15胡の成形体を侍だ
。この成形体を次に記すような学績条件にて焼結した。
るいはα型炭化珪素粉末に第1表に示すような添加剤を
加え、充分混合した。この混合粉末を2000%の圧力
にて液圧成形し、約40x20x15胡の成形体を侍だ
。この成形体を次に記すような学績条件にて焼結した。
室温 〜1000℃ 列禍速序゛600℃/h
Arガス辿気気1000〜1600℃ 列席茫噌多−2
00℃/h H2ガス通気1600−2050℃
〃 600℃/h Arrガス1ffi20
50℃ 保持1h この結果併られた焼結体の密度を第1表に示す0 第°1表 注 1)徐加剤のCはフェノール樹脂として給加した。
Arガス辿気気1000〜1600℃ 列席茫噌多−2
00℃/h H2ガス通気1600−2050℃
〃 600℃/h Arrガス1ffi20
50℃ 保持1h この結果併られた焼結体の密度を第1表に示す0 第°1表 注 1)徐加剤のCはフェノール樹脂として給加した。
祭加剤量は51c1ool<前部に対する割合2)6そ
は比較例 (17) (16)
は比較例 (17) (16)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1− SiO質成形体を最高焼成温度で・焼成する前
段階である低温度焼成域において、該成形体を水素ガス
を含む非酸化性雰囲気中にさらすことを特徴とするSi
C質セラミックス焼結体の製造法。 2、 8iC質成形成形900〜1700℃の温度域で
水素ガスを含む非酸化性雰囲気中((さらし、ついで1
900〜2300℃の温度域で非酸化性雰囲気中で焼成
する特許請求の範囲第1項記載の製造法。 6 水素ガスを含む雰囲気での低温焼成温度を1000
〜1600℃とする特許請求の範囲第2項記載の製造法
。 4、 水素ガスを含む不活性雰囲気中で低温度焼成を行
なう特許請求の範囲第1項乃至第3項いずnか記載の製
造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56189207A JPS5891063A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | Sic質セラミツクス焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56189207A JPS5891063A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | Sic質セラミツクス焼結体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5891063A true JPS5891063A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16237320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56189207A Pending JPS5891063A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | Sic質セラミツクス焼結体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5891063A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11034624B2 (en) | 2017-03-17 | 2021-06-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Manufacturing method of silicon carbide-based honeycomb structure |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56189207A patent/JPS5891063A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11034624B2 (en) | 2017-03-17 | 2021-06-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Manufacturing method of silicon carbide-based honeycomb structure |
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