JPS6153166A - 無加圧炭化珪素焼結体の製造方法 - Google Patents

無加圧炭化珪素焼結体の製造方法

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JPS6153166A
JPS6153166A JP59176100A JP17610084A JPS6153166A JP S6153166 A JPS6153166 A JP S6153166A JP 59176100 A JP59176100 A JP 59176100A JP 17610084 A JP17610084 A JP 17610084A JP S6153166 A JPS6153166 A JP S6153166A
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silicon carbide
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sintering
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敬造 尾谷
幹雄 酒井
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、炭化珪素粉末を無加圧の状態で焼結する無
加圧炭化珪素焼結体の製造方法に関する。
(従来技術) 従来の無加圧炭化珪素焼結体の製造方法とじては、特開
昭56−92167号公報に示されているように、 ■ 原料秤量 ■ !@濁分散 ■乾 燥 ■成 形 ■焼 結 の手順で行われる。■原料秤量工程では、天秤等により
、SiC粉末硼素含有添加剤、炭素質添加剤等を所定の
量だけ秤量する、硼素含有添加剤としては、硼素粉末も
しくは、炭化硼素粉末のいづれかを選ぶのが一般的であ
る。炭素添加剤としてはレゾール型もしくはノボラック
型のフェノール樹脂、コールタールピッチ、ポリスエニ
レンのヨウな焼結開始時に炭素状態で存在する各種有機
物質あるいは、カーボンブラック、アセチレンブラック
のような熱分解炭素が用いられる。これら、硼素及び炭
素の効果について、定説はないが、この助剤系により、
初めてβ−8iCQ高密度常圧焼結に成功したProc
hazkaらによれば、炭化珪素粉末が難焼結性である
のは、粒界エネルギーと表面エネルギーの比(γgb/
γsv >が熱力学的な制限値4よυも大きいためであ
り、硼素及び炭素の働きにより、粒界エネルギーは減少
し表面エネルギーは増大するため、この制限値以下にな
り、熱力学的にち密化が生じる様になると主張されてい
る。この場合、0.2%未満では効果がなく、又0.3
%以上添加しても高価になるだけであまシ効来がなく多
過ぎるとかえって得られる焼結体の強度が低下する。さ
らに炭素については、炭化珪素粒子は常温で常にシリカ
膜で被覆されており、このシリカ膜のために、炭化珪素
粉の自己焼結が阻害されるので、前記シリカ膜を還元除
去して、炭化珪素粒子間の焼結性を高める効果も考えら
れている。添加量としては、0.1%〜1.0チが好ま
しく、少ないと前記効果が無く、多すぎても焼結体の強
度が低下する。
■懸濁分散工程では、ボールミル等の分散装置を用いて
、■で秤量した原料を、分散溶媒中へ懸濁分散する。分
散溶媒としては、アセトンもしくはエタノールが一般的
であるSiCは、ビッカース硬度で2800と、非常に
硬質であるため、分散混合時に、分散装置を形成する容
器あるいはボール等の損耗が激しく、この摩耗粉がIv
iffi液に混入し、■の焼結工程において支障をきた
す。そのため、分散装置の懸濁液に接する部分は、超硬
材質(タングステンカーバイド)とするのが一般的であ
る。
■の乾燥工程は、懸FA液中の分散溶媒を、乾燥除去し
、最終的に、原料成分が均一に混合された混合粉末を得
る工程であり、工業的には、スプレードライヤーを用い
て、熱気流中へ、懸濁液を噴霧して乾燥粉を得るのが一
般的である、使用する分散溶媒によっても異なるが、こ
の工程中、材料(懸濁液から乾燥粉にいたるまで)は、
100℃ないし200°Cの温度に加熱される。
■の成形工程は、工業的に次の2つに大別される。
(1)静水圧プレス成形(CIP成形)(2)射出成形 CIP成形は、比較的単純形状の部品を成形する際、用
いる成形法であシ、■で得られた乾燥粉を、ゴム製に充
填し、これに・工ないし2t/iの静水圧をかけ、目的
形状に成形する方法である。
又、射出成形は、複雑形状の部品を成形する際、用いる
成形法であり、■で得られた混合粉と、熱可胆性プラス
チック、ワックス等で構成されるノくインダー成分とを
、混練したものを粉砕し、これを、通常プラスチックで
行なわれている射出成形と同様の方法で、成形する方法
である。このようにして得た成形体は、■の焼結を行な
う以前に、熱処理を施し、バインダー成分を分解除去す
る。
いずれの成形法についても、粉末成形体の理論密度比は
、59wt%以下である。
■の焼結工程では、■で得た成形°体を、Arガス気流
中もしくは、真空中の非酸化性雰囲気にて。
1650℃迄は毎分5℃の割合で昇温し、1650℃で
30分保持した後、再び毎分5℃の割合で昇温して21
00℃に達したら30分保持して、以下冷却する温度プ
ログラムにて、焼成し、ち密化させる。構造用セラミッ
クスとしては、十分な機械的強度を得るため、理論密度
の95%以上のち密化が必要である。
前記焼成温度条件のうち、1650°Cの温度で30分
間保持する意図は、ち密化開始(約1750℃以上)以
前に、 (1)添加した硼素を、炭化珪素粉末表面へ、均一に拡
散させる。
(2)炭素による、炭化珪素表面の7リ力還元を促進さ
せる。
である。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このような従来の無加圧炭化珪素焼結体
の製造方法にあっては、懸濁装置を形成する超硬部材の
損耗によシ混入するタングステンが、添加した硼素と反
応してβ−WBもしくは、W、B5なる化合物を生成し
、焼結助剤として添加したホウ素を浪費するばかシでな
く、粉末成形体の密度が十分でなかったため、Q、3W
tチ未溝の硼素添加量では、構造用セラミックスとして
要求される理論密度比90 wt 1以上の焼結体は得
られないという問題点があった。
(問題点を解決するための手段) この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たもので炭化珪素粉末に、硼素成分および炭素成分を含
む焼結助剤粉末を加えてなる原料粉末を分散装置を用い
て分散媒質中に懸濁させて混合した後、分散媒質を除去
してなる混合物を成形した後、非酸化性雰囲気にて焼結
する無加圧炭化珪素焼結体の製造方法において、分散装
置からのタングステン混入を100 ppm以下とし、
硼素の浪費を防止すると共に、焼結以前の粉末成形体の
理論密度比を60 wt 1以上とすることにより、上
記問題点を解決することを目的としている。
さらに、焼結する工程において、焼結収縮開始以前に、
前記成形体を焼結収縮開始温度以下の温度で、下式で計
算される時間以上加熱するようにすることが好ましい。
t:加熱保持時間(時間) ρB=添加硼素の密度(P/、−i) γB:添加硼素の平均粒径(cm ) ρo:粉末成形体の密度(5’/cr71)WB:硼素
の添加量(重量%) T:加熱温度(0K) (作用) 1、 タングステン混入量低減による作用添加したホウ
素と、混入したタングステンが化合し、β−WBもしく
は、W、B、なる化合物を生成し、焼結助剤として添加
した硼素を浪費する。(X線回析により、確認した) そのため、タングステン混入量を低減すると浪費される
硼素量が少なくなり、その結果本実施例における0、3
wt%未満の低硼素添加量ヤも、十分ち密な焼結体が得
られるものと考える。
2 成形体の理論密度比を60チ以上とすることによる
作用 成形体中における、硼素粉末間の距離x0(1次粒子と
して存在するとして)は、次式で示され、当然のことな
がら、硼素添加量が少なくなればなる程その距離は、長
くなる。
但し、記号内容は(1)式に同じ 成形体密度を向上させることにより、(2)式における
ρの値が犬きくなシ、結果として、Xo。
値が小さくなる。そのためホウ素拡散に要する時間も。
が短縮される。
さらに、粉末成形体を生成するに際し、成形圧(静水圧
)を高くしたため、従来圧力で破壊されなかった、原料
成分の2次凝集体が破壊され、拡散しやすくなるものと
思われる。
3、 焼結収縮前の熱処理の作用 無加圧炭化珪素焼結において、添加したホウ素を、焼結
収縮を開始する以前に、粉末成形体中で、炭化珪素粉表
面に均一に拡散させておくことが、ち密化を均一に起こ
させ、到達密度の高い焼結体を得る上で1重量であると
考える。
成形体中における硼素粉末間の距離は前述のように(2
)式で表わされる。
一万、成形体中におけるホウ素の表面拡散係数−zDと
すると、温度T(’K)で、t(秒)保持した時の拡散
距離Xは、次式で近似される。
X中f5’T−・・・・・・・・・(3)、・、tキx
2/ D  ・・・・・・・・・(3)′従って、ホウ
素添加量が少なくなる程、均一に拡散させるための熱処
理時間は長くなる。
以上のことから、焼結収縮開始以前に、硼素拡散のため
焼結収縮開始以前以下で、焼結収縮開始以前200°C
よυは高い温度、好ましくは、焼結収縮開始温度以下1
00℃での熱処理を施こしたものは、硼素の拡散が促進
され、その結果、0.3wt %未満(実施例ではQ、
2wt係)の低硼素添加量でも十分ち密な焼結体が得ら
れるものと考える。
(1)式は、成形体中におけるホウ素の表面拡散係数り
を、 ・ で近似し、(2)式及び(4)式を(3y式に代入し、
さらに、本実験結果から得た補正係数を乗じた経験式で
ある。
4、 凍結乾燥法の作用 凍結乾燥法は、その乾燥原理から、従来のスプレードラ
イヤー等による加熱乾燥法に比して、懸濁分散液中にお
ける原料成分の分散均一性を害さずして、分散溶媒を乾
燥除去できる。そのため、乾燥粉末中における焼結助剤
(特に硼素)の分散状態は、スプレードライヤ等に比較
して、均一であると考える。従って、同一焼結温度プロ
グラムで焼結を行った場合、拡散による硼素の分布は、
より均一になると考える。
又、本性によれば、懸濁液乾燥時の雰囲気は、低温、低
酸素分圧であるため、前記した、硼素の酸化浪費も、低
減できるものと考える。これに対し、スプレードライヤ
ーによる乾燥を行つた場合雰囲気は、常圧でしかも、温
度が180℃と、高いことから、添加硼素が酸化浪費さ
れるため、0.3wt%未満の硼素添加でのち密化は困
難になるものと思われる。
(実施例) 第1表に示す如く硼素添加4fl 、タングステン混入
量、粉末成形体の理論密度比、スラリーの乾燥条件(乾
燥雰囲気の温度及び酸素分圧)、焼結雰囲気の酸素分圧
、硼素の拡散処理条件(温度及び保持時間)を変化させ
て、常圧焼結炭化珪素焼結体を得て、その重量及び体積
の測定から、各焼結体の理論密度比を求めた。
その結果を同じく第1表に示す。
焼成は次の工程で行なった。
■ 原料秤量 ■ ボールミルで、原料粉末を分散溶媒中に懸濁し、ス
ラリー作成 ■ スラリー乾燥 ■ 乾燥粉末をゴム型に充填 ■ 静水圧でプレス成形 ■ 焼結前熱処理 ■ 焼結 ■工程においては、炭化珪素粉末として、イビデン■の
β−ランダム(ウルトラファイン)、硼素成分として、
セラック■の硼素粉末、炭素成分トシて、住友テュレツ
(421のレゾール型フェノール樹脂PR50404を
用いた。
■工程においては、炭化珪素粉末、硼素粉末および前記
フェノール樹脂(以上を原料という)の総量を100 
P、分散媒質として1,4−ジオキサy200ccを容
110.7 Aのボールミルのポットに入れ、  7 
Q r、p、mで25時間混合した。ボールは+10m
mφで250個用いた。尚、タングステン混入量を変え
るために、ボールとして、超硬ポール(タングステンカ
ーバイド)及び炭化珪素ポールの2種類を混合して用い
ており、その混合比率によシタングステン混入量を調節
した。
前記条件においては、超硬ポールの混合比率とタングス
テン混入量との関係を予備実験で求めたところ、10%
で22ppm、15チで40ppm。
20チで47pT)m、25チで69ppm、30チで
109 ppmという結果を得たので、この結果を基に
して、所定のタングステン混入量に設定した。
■の乾燥工程では、実施例13.14.15゜25.2
6.27については凍結乾燥法を用い、その他の実施例
については、真空加熱乾燥法を用いる、真空加熱乾燥方
法は、通常の真空加熱乾燥話中にスラリーを放置して、
分散溶媒(1,4−ジオキサン)の乾燥除去を行った。
この時の真空度は、約1m1Hv−(酸素分圧で0.2
 mz HP)である。
凍結乾燥法は、−たんスラリーを凍結させ、この凍結体
を減圧下に置き、分散溶媒(1,4−ジオキサン)を、
昇華乾燥させる凍結乾燥法を用いて、乾燥を行った。こ
の場合の乾燥雰囲気は温度10℃、真空度13y+zH
fi’(酸素分圧で2.7 mrx H5’ )である
■の工程では、直径30韮の球状のゴム型内に、■工程
を終了した乾燥粉末10ンを充填した後、密封した。
■の静水圧でのプレス工程においては静水圧力の大きさ
により、成形体の理論密度比を調節した。
あらかじめ、静水圧力と、成形体の理論密度比との関係
を予備実験で求めたところ、成形静水圧力1t/c71
では56.5%、2t/fflでは59.1 %、3t
/cr7tでは60.3 %、4t/dでは61チでら
り、この静水圧力をもって、成形体の理論密度比を調節
した。
■焼結前前処理の工程においては、成形体を、高周波誘
導加熱焼結炉中で、真空度5 X 10−” mxH5
1−ノ雰囲気にて、温度1650℃迄、5°C/分の割
合で昇温し、1650℃で所定時間保持した後、降温し
た。尚、予備実験で、焼結収縮開始温度は1800°C
であることを確認した。
本実施例においては、(1)式で求めた1oは、WB=
 0.25 %として、toは3.1時間となる。した
かって、実施例1では、保持時間(1)が0.5時間で
、1/10は16.1チとなる。
■の焼結工程においては、高周波誘導加熱焼結   5
炉付帯の真空排気系(油拡散ポンプ−メカニカルブース
ター油回転真空ポンプ)中の油拡散ポンプの油温をコン
トロールすることにより、焼結中の真空度を調節した。
焼結温度は2100℃30分で2100℃までは5℃/
分で昇温した。
比較例1〜6 タングステン混入量を増した以外は実施例と同様にして
焼結体を作成し、抗折強度を測定し、その結果を第2表
に示した。
比較例7 成形体の理論密度比を59係とした以外は実施例と同様
にして焼結体を作成し、抗折強度を測定し、その結果を
第2表に示した。
第1表および第2表のデータかられかるように、乾燥後
の混合粉体中のタングステン混入量が1100ppを超
えると、得られる焼結体の理論密度比は、90%未満と
なった。
又、タングステン混入量は、少ない程、到達理論密度比
は向上し、抗折強度も向上する傾向が認められる。塘た
、粉末成形体の理論密度比が60チ未満では、タングス
テン混入量t−100ppm以下としても、得られる焼
結体の理論密度比は90係未満となった。
又、粉末成形体の理論密度比は、高い程、焼結体の理論
密匿比は向上し、抗折強度も向上する傾向が認められる
又、成形体を、焼結収縮開始温度以下の温度で長く処理
すると抗折強度が上が9、スラリーから分散媒質を除去
する際に、凍結乾燥法を用いると、一層抗折強度が向上
することがわかる。
(効果) 以上述べてきたように、本発明においては、無加圧炭化
珪素焼結体の製造方法において、原料粉末へのタングス
テンの混入量を100 ppm以下に制御すると共に、
該原料粉末から成形体をつくる際、理論密度比が60重
量%以上となるようにし  −だので、強度の高い焼結
体を得ることができる。
さらに、成形体を焼結する前に、焼結収縮開始温度以下
の温度で前記式(1)で計算される時間以上熱処理する
と一層強度の高い焼結体が得られる。
又、分散媒質中に原料粉末を分散させたスラリーから、
分散媒質を除去する際、凍結乾燥法を用   ゛いると
、一層高強度の焼結体を得ることができる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)炭化珪素粉と、少なくとも0.2wt%以上0.
    3wt%未満の硼素成分及び0.1wt%以上1.0w
    t%以下の炭素成分を含む焼結助剤とからなる原料粉末
    を分散装置を用いて分散媒質中に懸濁させて混合した後
    、前記分散媒質を除去してなる混合物を成形した後、非
    酸化性雰囲気にて、焼結する無加圧炭化珪素焼結体の製
    造方法において、前記原料成分の分散媒質中への懸濁に
    際し、原料成分中へのタングステンの混入量を100p
    pm以下に制御すると共に、得られた混合物を理論密度
    比60重量%以上になるように成形することを特徴とす
    る無加圧炭化珪素焼結体の製造方法。
  2. (2)焼結する工程は、焼結収縮開始以前に、前記成形
    体を焼結収縮開始温度以下の温度で、下式で計算される
    時間以上加熱することを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の無加圧炭化珪素焼結体の製造方法。 t_0=83.6×(ρ_Bγ_B/ρ_GW_B)^
    2^/^3/exp[−(31900/T)]但し、t
    :加熱保持時間(時間) ρ_B:添加ホウ素の密度(g/cm^3)γ_B:〃
    の平均粒径(cm) ρ_G:粉末成形体の密度(g/cm^3)W_B:ホ
    ウ素の添加量(重量%) T:加熱温度(°K)
  3. (3)懸濁混合液より分散媒質を除去する際、凍結乾燥
    法を用いることを特徴とする特許請求範囲第(1)項又
    は第(2)項記載の無加圧炭化珪素焼結体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6360157A (ja) * 1986-09-01 1988-03-16 イビデン株式会社 β形炭化けい素焼結体の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6360157A (ja) * 1986-09-01 1988-03-16 イビデン株式会社 β形炭化けい素焼結体の製造方法

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