JPS5890725A - 気相成長装置用基板ホルダ− - Google Patents
気相成長装置用基板ホルダ−Info
- Publication number
- JPS5890725A JPS5890725A JP18832981A JP18832981A JPS5890725A JP S5890725 A JPS5890725 A JP S5890725A JP 18832981 A JP18832981 A JP 18832981A JP 18832981 A JP18832981 A JP 18832981A JP S5890725 A JPS5890725 A JP S5890725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate holder
- substrate
- crystal
- growth
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本托明は気相成長装置用基板ホルダーに係る。
本発明ｒｉｍ板結晶上にＳｉ、Ｇｅ、 （ｒａＡｓ、
ＧａＰ。
ＧａＰ。
ＩｎＡｓ 等θ午ｎｓ結晶や、５ｉｆｔ、 ＡｔｘＯｓ
ｌＭｇＯ−１４０ｓ等の杷−４Ｊ質の非晶質及び結晶を
気相成長させる釦１こ便用する基板ホルダー（基板結晶
を保持するための保持手段）に関する。従来の気相成長
装置では、第１凶に示したように、基板ホルダー１上に
基板結晶２忙保持し、そして目的の結晶材料を気相成長
させて込る。この気相成長の癲、結晶材料は基板表面上
のみならず基板ホルダーにも析出し、その析出量従って
析出の厚みは成長時間と共に増大する。この析出物は通
常多結晶又は非晶質で６１．結晶粒の形状は様々であり
、そして表面積が非常に大きくて油性なものである。
ｌＭｇＯ−１４０ｓ等の杷−４Ｊ質の非晶質及び結晶を
気相成長させる釦１こ便用する基板ホルダー（基板結晶
を保持するための保持手段）に関する。従来の気相成長
装置では、第１凶に示したように、基板ホルダー１上に
基板結晶２忙保持し、そして目的の結晶材料を気相成長
させて込る。この気相成長の癲、結晶材料は基板表面上
のみならず基板ホルダーにも析出し、その析出量従って
析出の厚みは成長時間と共に増大する。この析出物は通
常多結晶又は非晶質で６１．結晶粒の形状は様々であり
、そして表面積が非常に大きくて油性なものである。
こうした結晶材料の基板ホルダー上における析出は、次
のような気相成長に対する不都合を生じさせる。
のような気相成長に対する不都合を生じさせる。
１、結晶成長時に基板ホルダーから析出した結晶材料が
剥離して基板結晶や成長相中に混入し、異′に成長の核
となり、あるいはそれ自身がイレギエラーを成す。
剥離して基板結晶や成長相中に混入し、異′に成長の核
となり、あるいはそれ自身がイレギエラーを成す。
２、 Ａ板ホルダーに析出した結晶材料の′ａ面が活
性なので、成長終了後の基板結晶交ｊ１＃の大気接触に
よって水分、酸素等の有害物質を成層し、次の結晶成長
に悪影響を与える。
性なので、成長終了後の基板結晶交ｊ１＃の大気接触に
よって水分、酸素等の有害物質を成層し、次の結晶成長
に悪影響を与える。
こうした基板ホルダー上の析出物の基板結晶への作用は
、一般的には基板結晶の周辺部において大きく、時にそ
の内部まで達し、いずれにせよ製品の歩留りを低下させ
る。
、一般的には基板結晶の周辺部において大きく、時にそ
の内部まで達し、いずれにせよ製品の歩留りを低下させ
る。
本！Ａ明の目的はこうした従来技術における基板ホルダ
ーに伴う不都せを除去することにある。
ーに伴う不都せを除去することにある。
そして、本発明に、基板ホルダー上の基板結晶株持碩域
のみを凸形の台座とすることによってこの目的を達成す
る。
のみを凸形の台座とすることによってこの目的を達成す
る。
すなわち、第２図のように、基板ホルダー１の基板結晶
保持領域のみが台座となって藝るので、先行する気相成
長によって析出した基板ホルダー上の結晶材料等に罰し
て層板結晶が遠く離れて位置するようになり、七の鯖釆
ヤの析出物による急岐４Ｉは基板結晶に及ばない。この
場合、本発明の特有の切米を発揮するためには、台座の
高さと基板結晶の４さとの和が少なくとも１ｍ以上とす
ることが好ましい。
保持領域のみが台座となって藝るので、先行する気相成
長によって析出した基板ホルダー上の結晶材料等に罰し
て層板結晶が遠く離れて位置するようになり、七の鯖釆
ヤの析出物による急岐４Ｉは基板結晶に及ばない。この
場合、本発明の特有の切米を発揮するためには、台座の
高さと基板結晶の４さとの和が少なくとも１ｍ以上とす
ることが好ましい。
次に、基板結晶を基板ホルダー（台座）上に保持するに
当って、台座に凹部を形成して固定することが有利でる
る。凸部の形成は、基板結晶を起重した１合にｉ微結晶
表面が凹部の最上部よりも高い泣直になるようにし、又
凹部の突出部への結晶材料の析出が最少量に々るように
することが好ましい。さらｉｃ、８３図に示したように
、基板ホルダーのうち台座部分のみを分離可能に形成す
ることがｕＪ能であり、これは操作上好ましｈｏなお、
基板ホルダーの材質としては、石英、カーボン、アルミ
ナ、窒化ボロン、モリブデン、タングステン等の高融点
、低蒸気圧の物質が好んで用いＧ）ｔ′Ｌ−ｃへ勾以下
、例によって本発明を更ｖｃＩ？ｐ細に説明するっ例１ 従来形の基板ボルダ−（第１図参照）を用いてＭｇＯ・
Ａｔ１Ｏｓ ｔ−気相成長させた。第４図を＃照すると
、三帯域抵抗加熱炉ｌＯにお＾て、基板ホルダー５ｌｏ
ｔ １１ ＆ｃ載装しりｓｉ ｊ＆板ｍ晶１２０基板Ｌ
Ｉ１１Ｉｆを９００℃、ＭｇＣ４区科１３の温度を８０
０℃、ムを試料１４（２）４度を５５Ｃ１Ｋｐ＆定し、
ライン１５ｊｔ）山を５ん蕩で、ライン１６よＱＨｌを
５θ毎そしてＨＣｌを５〜１５に為で、 ライン１７！
ＤＨｔを２０θ毎そしテｃｏ、をｌｏｏ〜５ｏ。
当って、台座に凹部を形成して固定することが有利でる
る。凸部の形成は、基板結晶を起重した１合にｉ微結晶
表面が凹部の最上部よりも高い泣直になるようにし、又
凹部の突出部への結晶材料の析出が最少量に々るように
することが好ましい。さらｉｃ、８３図に示したように
、基板ホルダーのうち台座部分のみを分離可能に形成す
ることがｕＪ能であり、これは操作上好ましｈｏなお、
基板ホルダーの材質としては、石英、カーボン、アルミ
ナ、窒化ボロン、モリブデン、タングステン等の高融点
、低蒸気圧の物質が好んで用いＧ）ｔ′Ｌ−ｃへ勾以下
、例によって本発明を更ｖｃＩ？ｐ細に説明するっ例１ 従来形の基板ボルダ−（第１図参照）を用いてＭｇＯ・
Ａｔ１Ｏｓ ｔ−気相成長させた。第４図を＃照すると
、三帯域抵抗加熱炉ｌＯにお＾て、基板ホルダー５ｌｏ
ｔ １１ ＆ｃ載装しりｓｉ ｊ＆板ｍ晶１２０基板Ｌ
Ｉ１１Ｉｆを９００℃、ＭｇＣ４区科１３の温度を８０
０℃、ムを試料１４（２）４度を５５Ｃ１Ｋｐ＆定し、
ライン１５ｊｔ）山を５ん蕩で、ライン１６よＱＨｌを
５θ毎そしてＨＣｌを５〜１５に為で、 ライン１７！
ＤＨｔを２０θ毎そしテｃｏ、をｌｏｏ〜５ｏ。
ｃｃ／分でそれぞれ込っ九。
成長したＭｇ Ｏ−１４０ｍ表面に、 基板ホルダーか
らのアウトガス及び基板ホルダー上に析出した多結晶Ｍ
ｇ０−Ａｔ＊Ｏｓによる汚染が砿祭された。汚染は？ｂ
ｘ長結晶のうらガス流上は惰では胸辺部かり内匈へ幻３
〜５■の暢、そして成長結晶の側方部は圧石とも約１〜
３閣の幅であった。基板ホルタ−を連続便用し友場合汚
染の幅はさらに拡大した。例えば、基板ホルダーに成長
した淘０−Ａｌｔｏｓをエツチングして除去することな
く同一の基板ホルダーを使用して気相成長を―シ返した
場合、４回の成長によって上ｆＩｔｉｌｌＩＦｉ約７〜
１５■の幅そして一方部は約５〜ｌＯＷの輪の汚染がｗ
４察された。
らのアウトガス及び基板ホルダー上に析出した多結晶Ｍ
ｇ０−Ａｔ＊Ｏｓによる汚染が砿祭された。汚染は？ｂ
ｘ長結晶のうらガス流上は惰では胸辺部かり内匈へ幻３
〜５■の暢、そして成長結晶の側方部は圧石とも約１〜
３閣の幅であった。基板ホルタ−を連続便用し友場合汚
染の幅はさらに拡大した。例えば、基板ホルダーに成長
した淘０−Ａｌｔｏｓをエツチングして除去することな
く同一の基板ホルダーを使用して気相成長を―シ返した
場合、４回の成長によって上ｆＩｔｉｌｌＩＦｉ約７〜
１５■の幅そして一方部は約５〜ｌＯＷの輪の汚染がｗ
４察された。
例２
本発明による口座ｔ−設けた基板ホルダー（第２凶及び
第り図＃照）を用いて例１と同じ操作を繰り返した。−
回の気相成長においては、ＭｇＯ・Ａ４０ｓ成長表囲に
は殆ど汚染が見られず、連続便用による４回目の成長に
よっても上流側で約２〜３■の暢、側方部でｆＪ１〜２
■の汚染が戚察さｔＩｆｃ友けでおったっ 汐１１３ 上記２つの例ではいずれも肉眼で観察を行なつたが、さ
らに電子顕微鏡（ＳＥＭ）で１Ｉ４１１Ｌ、、た。
第り図＃照）を用いて例１と同じ操作を繰り返した。−
回の気相成長においては、ＭｇＯ・Ａ４０ｓ成長表囲に
は殆ど汚染が見られず、連続便用による４回目の成長に
よっても上流側で約２〜３■の暢、側方部でｆＪ１〜２
■の汚染が戚察さｔＩｆｃ友けでおったっ 汐１１３ 上記２つの例ではいずれも肉眼で観察を行なつたが、さ
らに電子顕微鏡（ＳＥＭ）で１Ｉ４１１Ｌ、、た。
その結果、結晶表面の異常成長は上記の肉眼での観察に
よる汚染幅よりも実際には大きく、しかも、肉眼−祭に
よる汚染幅が大きかったものはと一ノー内１１４１まで
異常が見られた。このことから、気相成長による製品の
歩留り向上を図るためには、こうした汚染の減少が極め
て重要であるとめえる。
よる汚染幅よりも実際には大きく、しかも、肉眼−祭に
よる汚染幅が大きかったものはと一ノー内１１４１まで
異常が見られた。このことから、気相成長による製品の
歩留り向上を図るためには、こうした汚染の減少が極め
て重要であるとめえる。
例４
Ｓｌの気相成長において従来の基板ホルダーと本発明に
よる基板ホルダーとを比較した。従来の平板のペデスタ
ルで成長を線り返し行ない、ペデスタル上に成長したＳ
ｌが数μ肩以上となったり、ヒゲ結晶ができると、８１
工ビ！中シヤルＩｉ長表面に異常成長が多く見られた。
よる基板ホルダーとを比較した。従来の平板のペデスタ
ルで成長を線り返し行ない、ペデスタル上に成長したＳ
ｌが数μ肩以上となったり、ヒゲ結晶ができると、８１
工ビ！中シヤルＩｉ長表面に異常成長が多く見られた。
これに対し、本発明による台座形基板ホルダーを用いて
、これらの異常成長？！−減少させることが可能であっ
た。
、これらの異常成長？！−減少させることが可能であっ
た。
第１図は従来技術における基板ホルダー、第２図は本発
明に依る基板ホルダー、 第３図は本発明に依る基板ホルダーの別の態様、第４因
μ本発明の効果の確認に使用した気相成ｆｋ装置の概略
を示す。 １．１１： 基板ホルダー、 ２．１２： 基板結
晶、１３： ＭｇＣ４、１４：Ａｔ、 １５〜１７： フィン、 １８： 加熱抵抗。 軸針出願人 冨士通株式会社 丑計出−代理人 升理士胃木 朗 ９ｔ−理士西髄和之 弁理士 内 １）辛 男 弁理士 山 口 餡 之
明に依る基板ホルダー、 第３図は本発明に依る基板ホルダーの別の態様、第４因
μ本発明の効果の確認に使用した気相成ｆｋ装置の概略
を示す。 １．１１： 基板ホルダー、 ２．１２： 基板結
晶、１３： ＭｇＣ４、１４：Ａｔ、 １５〜１７： フィン、 １８： 加熱抵抗。 軸針出願人 冨士通株式会社 丑計出−代理人 升理士胃木 朗 ９ｔ−理士西髄和之 弁理士 内 １）辛 男 弁理士 山 口 餡 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ、基板ホルダー上の基板結晶保持領域のみを凸形の台
座としたことを特徴とする気相成長ｆｔ１用基板ホルダ
ー。 ２、＠配合座上ＶＣ着板結晶を保持するために凹部を設
けた特許請求の範囲第１項記載の基板ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18832981A JPS5890725A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 気相成長装置用基板ホルダ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18832981A JPS5890725A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 気相成長装置用基板ホルダ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890725A true JPS5890725A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16221698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18832981A Pending JPS5890725A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 気相成長装置用基板ホルダ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890725A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271171A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-14 | Matsushita Electronics Corp | Production of epitaxial wafer |
| JPS52133884A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-09 | Hitachi Ltd | Gas phase chemical reactor |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP18832981A patent/JPS5890725A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271171A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-14 | Matsushita Electronics Corp | Production of epitaxial wafer |
| JPS52133884A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-09 | Hitachi Ltd | Gas phase chemical reactor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4121555B2 (ja) | Ｃｖｄによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法 | |
| JP4733485B2 (ja) | 炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法、炭化珪素単結晶成長用種結晶、炭化珪素単結晶の製造方法、および炭化珪素単結晶 | |
| CN102337587A (zh) | SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶 | |
| JP3092801B2 (ja) | 薄膜成長装置 | |
| JPH09268096A (ja) | 単結晶の製造方法及び種結晶 | |
| JP2012140328A (ja) | ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶基板 | |
| CN107190322B (zh) | 一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法 | |
| US5985026A (en) | Seed crystal for producing monocrystals and method for producing SiC monocrystals or monocrystalline SiC layers | |
| JPH1045499A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法およびそれに用いる種結晶 | |
| JP6653660B2 (ja) | マルチゾーン可変電力密度ヒーター、そのヒーターを含む装置及びそのヒーターを使用する方法 | |
| KR100632454B1 (ko) | 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법 | |
| JPS5890725A (ja) | 気相成長装置用基板ホルダ− | |
| WO2008117564A1 (ja) | 窒化物単結晶の製造方法 | |
| JP3541789B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣの育成方法 | |
| JP3848446B2 (ja) | 低抵抗ＳｉＣ単結晶の育成方法 | |
| JPH08245299A (ja) | 炭化ケイ素の結晶成長方法 | |
| KR100625823B1 (ko) | 기상 성장 장치 | |
| JPH09235190A (ja) | 単結晶の製造装置および製造方法 | |
| RU2369669C2 (ru) | Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия | |
| von Ehrenwall et al. | Growth mechanism of silicon deposited by atmospheric pressure chemical vapor deposition on different ceramic substrates | |
| JPH1179896A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPS6152120B2 (ja) | ||
| JP2004284869A (ja) | 窒化物単結晶の製造方法およびその製造装置 | |
| JP2000044396A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP2000044394A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 |