JPS5888931A - スイツチング回路 - Google Patents

スイツチング回路

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Publication number
JPS5888931A
JPS5888931A JP18748881A JP18748881A JPS5888931A JP S5888931 A JPS5888931 A JP S5888931A JP 18748881 A JP18748881 A JP 18748881A JP 18748881 A JP18748881 A JP 18748881A JP S5888931 A JPS5888931 A JP S5888931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
source
gate
field effect
transistor
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18748881A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Miyake
裕之 三宅
Makoto Yasuda
誠 安田
Chukichi Mukai
向井 忠吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP18748881A priority Critical patent/JPS5888931A/ja
Publication of JPS5888931A publication Critical patent/JPS5888931A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本Ji明は電界効果トランジスIを411曙し九スイッ
チング園賂に係る。
一般にこの穏スイッチング回路は電界効果トランジスj
16ゲート・ソース間を入力とし’jL)I’S/イン
・ソース間を出力として喝いているがスイッチング動作
をし大型にドレイン・ソース間に高電圧が印加されこの
高電圧がゲーF・ソース聞Kll導されて再度スイッチ
ング動作する轟れがToゐので、ゲーF−y−ス聞に低
抵抗を接続して震導を防止していえ。
面して1紀の低抵抗を接続したものであると。
電界効果トランジス!をスイッチング動作させる丸めの
入力電流が増加し、一段に増巾−等が必要となる恐れ4
ありた。
本発明は1紀の−な点に鍾み、電界効果トランV工Iが
スイッチング動作した際Kt/l/イン・ソース間に高
電圧が印加されても誤動作することを少くすると共に電
界効果トランジスタをスイッチyダ動fwさせ為丸めの
入力電流を小さくす為ことを間約とし九ものである。
以下本発明を一実施例として掲げた図11に基づいて説
明すると、入力端子1.1′に抵抗翼及び接合トラン$
FXJl?のベース・コレクタを夫々並列接続し、さら
にこの接合)ツyシスターのエミッIに電界効果トラン
sF X # ?JTのゲートを接続すると共に接合ト
ランジス!のコVりpK電犀効果トトラシスp FiC
Tのソースを接続し、ヒの電算効果トツンジヌタFIT
のドレイン・ソースを出力端子意、1′に接続し°〔b
る。さらに電界効果FランVスタFffi’l”のゲー
F・ソースKm電圧〆イ才−ドを接続している。
而してこの動作状態を説明すると、入力端予電、鵞′に
電圧が印加されるとこの電圧がダイオードDを介して電
界効果トランジスタr鳶T□ゲート・ソース間に印加さ
れ電界効果トランジスI F鳶’rがスイッチング動作
をする。尚、この際入力端子意、黛′に高電圧が印加さ
れ丸鳩舎には宵電圧ダイす一ドZDKよりタリッグされ
電界効果トヲyapスIFITが保ll畜れることとな
る。ま九電鼻効果トツンtlxpF鳶Tがスイッチング
自作しえ■にとレイン・ソースIIK高電圧が印加され
丸鳩舎にはこの高電圧が−4されてゲート・ソース間に
電圧が印加されることとなるが、接合トランt)xlT
のエミッタ・ペースと抵抗翼とを介してペース電流が流
れ為ので接合トランt)xpTのコVり#−!(11間
が**状履とな艶電犀効果トッンνスJFfのゲート・
ソース間の電圧を抑制して誤動作を賭止するのである。
尚、抵抗8は接金トランνヌタ!のベース電流を流すも
のであるから高い抵抗値のものでよい。
かように本発明は、入力端子1.1′に抵抗翼及び接合
トランジスI!のベース・ツレフタを夫々並列接続し、
さらに−記接合)ランジスI!のペース・エミッIIK
仁のベース・エミッIと逆方向を肉〈ダイす一ドDf並
列接続し、而も前記接合トランジスタ!のエミッタに電
界効果トランジスJI FICTのゲーFを接続すると
共に接合トランジスj1!のコVり!に電界効果トツン
νスタFW?のソースを接続して、この電界効果トラン
ジスIのドレイン・ソース間を出力とし九ので、電界効
果FランジスJI FffiTがスイッチング動作した
際にドレイン・ソース間に高電圧が印加されても接合ト
ランジスI!が動作してゲージ・ソース間の電圧を抑制
するので誤動作を少く出来、さらに電界効果トランジス
71 FMlff’をスイッチング自作させる為の入力
端子1,1′からの入力電流は電界効果トランジス!r
ffiTのゲート及び抵抗IK流れゐこととなるが、抵
抗8は接金トランジス!!のベース電流を流すものであ
るので高い抵抗値のものでよいから、入力端子1 、1
’からの入力電流は小さく出来る効果がある。
t  IIIEIの簡革な説明 図面第111!は本発明のスイッチング囲路の一実施例
を示す図絡図である。
1 、1’−一入力端子、意、!′・−・出力端子、1
・・・抵抗、!・・・接★トツンジスI、D−・ダイt
−y。
FIT・・・電界効果Fフンジス/ 、 ZD−・・走
電圧ダイイード、C−・コンデンす。
特許出願人 松下電工株式会社 代場人弁場士  竹 元 緻 丸 (はb!名) 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 力 入力端子に抵抗及び接合トランジス!のベース・コ
    レクIを夫々並列接続し、さらに前記接合トランジスタ
    のベース・エミッ!にこのペース°ヱ這、iと逆方向を
    向くダイt−ドを並列接続し、面%曽記接金トヲンνス
    Iの工(ツIK電界効果トッンNXJのゲートを接続す
    ると共Kl!舎トツンνスIのコVりJK電界効果トヲ
    ン1xlのソースを接続して、この電界効果トランvX
    Iのドレイン・ソース間を出力としたスイッチング回路
JP18748881A 1981-11-20 1981-11-20 スイツチング回路 Pending JPS5888931A (ja)

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JP18748881A JPS5888931A (ja) 1981-11-20 1981-11-20 スイツチング回路

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JPS5888931A true JPS5888931A (ja) 1983-05-27

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ID=16206939

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JP18748881A Pending JPS5888931A (ja) 1981-11-20 1981-11-20 スイツチング回路

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61150415A (ja) * 1984-12-24 1986-07-09 Nec Corp プツシユプル出力集積回路
JPS61162143U (ja) * 1985-03-29 1986-10-07
JPS62269419A (ja) * 1986-05-19 1987-11-21 Fuji Electric Co Ltd 電圧変換回路
US5006736A (en) * 1989-06-13 1991-04-09 Motorola, Inc. Control circuit for rapid gate discharge
US6008687A (en) * 1988-08-29 1999-12-28 Hitachi, Ltd. Switching circuit and display device using the same

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