JPS5888683A - シンチレ−タ製造方法 - Google Patents
シンチレ−タ製造方法Info
- Publication number
- JPS5888683A JPS5888683A JP18882481A JP18882481A JPS5888683A JP S5888683 A JPS5888683 A JP S5888683A JP 18882481 A JP18882481 A JP 18882481A JP 18882481 A JP18882481 A JP 18882481A JP S5888683 A JPS5888683 A JP S5888683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- light
- reflecting material
- light reflecting
- organic binder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はゲルマニウム酸ビスマス、タングステン酸亜鉛
、タングステン酸カドミウムなどの酸化物シンチレータ
の表面に光反射材を塗布し性能を向上させ、かつ取り扱
いを容易にするためのシンチレータの製造方法に関する
。
、タングステン酸カドミウムなどの酸化物シンチレータ
の表面に光反射材を塗布し性能を向上させ、かつ取り扱
いを容易にするためのシンチレータの製造方法に関する
。
７７ ｆ ｔ／ −タＫ ｕ ゲルマニウム酸ビスマス
。
。
タングステン酸カドミウムなどの無機結晶シンチレータ
その他にガラスンンチレータ、プラスチツクンンチレー
タなどかある。これらのシンチレータはいずれもＸ線、
γ線さらには荷電粒子なとの放射線を照射すると発光し
、この光量全光電子増倍管て測定して、その出力から放
射線の強さを測定する。シンチレータは現在では放射線
測定に関する研究、最近では医療機器にも応用されてい
る。
その他にガラスンンチレータ、プラスチツクンンチレー
タなどかある。これらのシンチレータはいずれもＸ線、
γ線さらには荷電粒子なとの放射線を照射すると発光し
、この光量全光電子増倍管て測定して、その出力から放
射線の強さを測定する。シンチレータは現在では放射線
測定に関する研究、最近では医療機器にも応用されてい
る。
放射線検出用のシンチレータ用材料は３通常透明であり
１発光光を光電子増倍管で効果的に検出できるよう、光
電子増倍管との接合面のほかは光反射材を塗布し９光が
シンチレータの外側に逃げないような構成をしている。
１発光光を光電子増倍管で効果的に検出できるよう、光
電子増倍管との接合面のほかは光反射材を塗布し９光が
シンチレータの外側に逃げないような構成をしている。
光反射材はＢ ａ ８０４ 、 Ｔ ＋ ０２などの粉
末を少量の有機バインダで混合した状態で塗布されてい
る。有機バインダを含む光反射材はスプレー、はけ、印
刷法などによって０．１〜１關程度の厚みに塗布される
。有機バインダを多く合む場合には光反射材はシンチレ
ータからはがれにくいが２反面光電子増倍管からの出力
が小さい。これはシンチレータからの光が有機バインダ
で吸収されるためである。他方、有機バインダを少なく
した場合には、光電子増倍管からの出力が大きいが光反
射材がはがれ易い欠点がある。
末を少量の有機バインダで混合した状態で塗布されてい
る。有機バインダを含む光反射材はスプレー、はけ、印
刷法などによって０．１〜１關程度の厚みに塗布される
。有機バインダを多く合む場合には光反射材はシンチレ
ータからはがれにくいが２反面光電子増倍管からの出力
が小さい。これはシンチレータからの光が有機バインダ
で吸収されるためである。他方、有機バインダを少なく
した場合には、光電子増倍管からの出力が大きいが光反
射材がはがれ易い欠点がある。
本発明ｔゴシンナレータ用材料の表面に光反射材を生布
する場合において、集光効率すなわち出力が大きく、か
つ強固な光反射材の層を設けた構造のシンチレータの製
造方法を提供すること全目的とするものである３、 以ドシンチレータの原理を図面により説明する。第１図
はシンチレータとぞの光醋ケ測定するためのｙＣ電子増
倍管全示す。第１ トノＩにおいて。
する場合において、集光効率すなわち出力が大きく、か
つ強固な光反射材の層を設けた構造のシンチレータの製
造方法を提供すること全目的とするものである３、 以ドシンチレータの原理を図面により説明する。第１図
はシンチレータとぞの光醋ケ測定するためのｙＣ電子増
倍管全示す。第１ トノＩにおいて。
■はシンチレータ、２は光反射材ｊ−９３は光電子増倍
管であり、シンチレータ１と光？ｉ子増倍管３の接合面
５ ＶＣは光結合グリースが冷られている。このような
構成で、放射線４が入射するとシンチレータ内部で発光
し、その光はへのようｖｃ／ンチレータ端而で面射する
か唸たば１部光が外部にもれても再びシンチレータにも
どって、最終的には光電面に到達し−て、光電子増倍管
で′屯気蓋に変換される。
管であり、シンチレータ１と光？ｉ子増倍管３の接合面
５ ＶＣは光結合グリースが冷られている。このような
構成で、放射線４が入射するとシンチレータ内部で発光
し、その光はへのようｖｃ／ンチレータ端而で面射する
か唸たば１部光が外部にもれても再びシンチレータにも
どって、最終的には光電面に到達し−て、光電子増倍管
で′屯気蓋に変換される。
第２図にシンチレータ表面の反射制の歯布状悪を拡大し
てそ゛の原理を示す。第２図において。
てそ゛の原理を示す。第２図において。
１０リ−シンチレータ、１１はシンチレータ表面。
１２は光反射１′；ｆ粒子、１３は有機バインダである
。有機バインダケ多く含む光反射材でに１発光光１４は
シンチレータ衣［ｆＩｉｌｌで１部反射して、おのよう
にシンチレータ側にもどってくるが、光反射材層Ｖこ入
射した発光光１４の１部は光反射材で反射されＣのよう
ｖＣ丙ひシンチレータ２０中にもとるか−またはＤのよ
うに進行（２て有機バインダ１３に吸収される。
。有機バインダケ多く含む光反射材でに１発光光１４は
シンチレータ衣［ｆＩｉｌｌで１部反射して、おのよう
にシンチレータ側にもどってくるが、光反射材層Ｖこ入
射した発光光１４の１部は光反射材で反射されＣのよう
ｖＣ丙ひシンチレータ２０中にもとるか−またはＤのよ
うに進行（２て有機バインダ１３に吸収される。
これに対して、有機バインダが少者の場合には、第３図
のように、光反射材２２は少量の有機バインダ２４で固
められているため、光反射材２２０粒子間は空隙２３と
なり、光反射材ノー内での光吸収はほとんとなく、さら
に光反射材２２の密朋が高いため、光は内部へ侵入する
ことなく反射されてシンチレータ２０側へもとってくる
。なお第３図において２１はシンチレータ表面ある。こ
のような光反射材では、光反射材の結合が弱い。
のように、光反射材２２は少量の有機バインダ２４で固
められているため、光反射材２２０粒子間は空隙２３と
なり、光反射材ノー内での光吸収はほとんとなく、さら
に光反射材２２の密朋が高いため、光は内部へ侵入する
ことなく反射されてシンチレータ２０側へもとってくる
。なお第３図において２１はシンチレータ表面ある。こ
のような光反射材では、光反射材の結合が弱い。
示゛
本発明は光反射材の表面に防湿夷あり、かつ。
接着力の大きい合成樹脂層を設けて上記欠点を解〆肖し
ようとするものである。
ようとするものである。
本発明はシンチレータ用材料の表面に光反射＠を塗布し
、乾燥した後合成樹脂ケスプレー噴霧９乾燥して固着す
るシンチレータの製造方法に関する。
、乾燥した後合成樹脂ケスプレー噴霧９乾燥して固着す
るシンチレータの製造方法に関する。
なお本発明において光反射材は１３ａｓ（，４、ＴｌＯ
２＋Ａｔ２０． 、 ＭｇＯ等が使用され、また合成樹
脂は。
２＋Ａｔ２０． 、 ＭｇＯ等が使用され、また合成樹
脂は。
防湿性と接着力の大きいものであればよく９例えばエボ
キン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹このシンチレータ
３０の狭面に６刀曜ざ０．２ ｎｒｍの光反射材３１が
塗布され、かつ、その外側にはエポギシコート層３２で
採機されている。これらは接合前３４ｉ介して光電子増
倍管３３に結合されて検出器となる。
キン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹このシンチレータ
３０の狭面に６刀曜ざ０．２ ｎｒｍの光反射材３１が
塗布され、かつ、その外側にはエポギシコート層３２で
採機されている。これらは接合前３４ｉ介して光電子増
倍管３３に結合されて検出器となる。
以下実施例により本発明を簡明する。
シンチレータにば１５Ｘ２０Ｘ３０＋ｏ＋寸法のゲルマ
ニウム酸ビスマスを使用し、この表面に。
ニウム酸ビスマスを使用し、この表面に。
平均粒径０．５μの硫酸バリウムとエチルセル口５−
−スを第１衣に示す割合で混合し、ついでこの混合物１
００Ｍ量部に対しチルビイ、オールを４０重量部混合し
て得られた混合物を印刷法によって塗布した。なお、光
反射材層の厚さは１５０μであり、印刷乾燥（２３０℃
）をくり返して膜厚を厚くした。この光反射材は乾燥す
るとテルピネオールは分解蒸発し、有機バインダはエチ
ルセルロースたけとなる。
００Ｍ量部に対しチルビイ、オールを４０重量部混合し
て得られた混合物を印刷法によって塗布した。なお、光
反射材層の厚さは１５０μであり、印刷乾燥（２３０℃
）をくり返して膜厚を厚くした。この光反射材は乾燥す
るとテルピネオールは分解蒸発し、有機バインダはエチ
ルセルロースたけとなる。
第１表には前記の方法で製造したシンチレータについて
、光′成子増倍管からの出力および光反射材の膜の接看
状態ケも併せて示した。第１表から明らかなように、エ
チルセルロースが少なくなると出力が大きくなるが、膜
強さが弱くなる峨向を示し、特にエチルセルロースが３
貞Ｊｉｔ％以下でｉｆ極めてもろい。この中、出力が相
対値９０以上で、エチルセルロースが１０重目係以下の
光反射材全塗布したシンチレータについて１表面にエポ
キシ樹脂コートに行ない１強固な光反射材の層を設けた
。方法はエポキン樹脂をシンナーにとかシー、噴霧法に
よって、光反６− 封材表面にスプレーした（ｚ、１５ｏ℃で硬化した。こ
の時のエポキシ樹脂コートの厚さは約１０μであった。
、光′成子増倍管からの出力および光反射材の膜の接看
状態ケも併せて示した。第１表から明らかなように、エ
チルセルロースが少なくなると出力が大きくなるが、膜
強さが弱くなる峨向を示し、特にエチルセルロースが３
貞Ｊｉｔ％以下でｉｆ極めてもろい。この中、出力が相
対値９０以上で、エチルセルロースが１０重目係以下の
光反射材全塗布したシンチレータについて１表面にエポ
キシ樹脂コートに行ない１強固な光反射材の層を設けた
。方法はエポキン樹脂をシンナーにとかシー、噴霧法に
よって、光反６− 封材表面にスプレーした（ｚ、１５ｏ℃で硬化した。こ
の時のエポキシ樹脂コートの厚さは約１０μであった。
この方法によれ＆；Ｊ： 、光反射材はいずれも強固Ｖ
こシンチレータ表面（／Ｃ固看きれ。
こシンチレータ表面（／Ｃ固看きれ。
取扱い甲ＶＣはがれることは全＜ ｌｘ ＜ １．ｉつ
だ。盪だエポキシ樹脂コートし／（／ンチレータの出力
は処理前後では変らなかった。
だ。盪だエポキシ樹脂コートし／（／ンチレータの出力
は処理前後では変らなかった。
第 １ 表
以上述べたように、シンチレータの出力を最大にするた
めの光反射４］の重布において、有機バインタ全少すく
シたとき、光反射材の強度が小さくなるが、これにエボ
キン樹脂をコートして、 ２１輪構造ケ構成し、内ノー
は主と１〜て光反射効果を、外層で接着をもたせたシン
チレータ構造は、実用的にも極めて有効である。
めの光反射４］の重布において、有機バインタ全少すく
シたとき、光反射材の強度が小さくなるが、これにエボ
キン樹脂をコートして、 ２１輪構造ケ構成し、内ノー
は主と１〜て光反射効果を、外層で接着をもたせたシン
チレータ構造は、実用的にも極めて有効である。
本発明はンンチ１／−夕の表面に屈折率が大きい光反射
材を塗布し、乾燥した後合成樹脂をスプレー噴霧、乾燥
して固着し／てので光反射材中に含捷れる有機バインダ
の蓋が少なくても光反射材がシンチレータからはがれず
強固に固着することができ、かつ光電子増倍管からの出
力が大きい／ンチレータを製造することができる。
材を塗布し、乾燥した後合成樹脂をスプレー噴霧、乾燥
して固着し／てので光反射材中に含捷れる有機バインダ
の蓋が少なくても光反射材がシンチレータからはがれず
強固に固着することができ、かつ光電子増倍管からの出
力が大きい／ンチレータを製造することができる。
第１図はシンチレータとその亢奮全測定するための光電
子増倍管の断面側面図、第２図はシンチレータ表面近傍
の反射状態を示す拡大図。 第３図は有機バインダが少量の場合のシンチレータ表面
近傍奮示す断面側面図、第４図は光電子増倍管と本発明
の実施例になるシンチレータを示す断面側面図である。 符号の説明 １ ・・シンチレータ ２・・・光反射Ｉ層３・・
・光電子増倍管 ４・・・放射線５・・・接合面
１０・・・シンチレータ１１・・・シンチレー
タ表面１２・・・光反射拐粒子１３・・・有機バインダ
１４・・・発光光２０・・・シンチレータ ２１
・・シンチレータ表面２２・・・光反射材 ２３
・・・空隙２４・・・有機バインダ ３０・・シンチ
レータ３１・・・光反射材 ３２・・・エボギン
コート層３３・・・光′醒子瑣倍管 ３４・・接合面
９− 茅 ｌ 区 子２ 口 遁 ３ 図
子増倍管の断面側面図、第２図はシンチレータ表面近傍
の反射状態を示す拡大図。 第３図は有機バインダが少量の場合のシンチレータ表面
近傍奮示す断面側面図、第４図は光電子増倍管と本発明
の実施例になるシンチレータを示す断面側面図である。 符号の説明 １ ・・シンチレータ ２・・・光反射Ｉ層３・・
・光電子増倍管 ４・・・放射線５・・・接合面
１０・・・シンチレータ１１・・・シンチレー
タ表面１２・・・光反射拐粒子１３・・・有機バインダ
１４・・・発光光２０・・・シンチレータ ２１
・・シンチレータ表面２２・・・光反射材 ２３
・・・空隙２４・・・有機バインダ ３０・・シンチ
レータ３１・・・光反射材 ３２・・・エボギン
コート層３３・・・光′醒子瑣倍管 ３４・・接合面
９− 茅 ｌ 区 子２ 口 遁 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 シンチレータ用材料の表面に光反射材を塗布し、
乾燥した後合成樹脂をスプレー噴霧。 乾燥して固着することを特徴とするシンチレータの製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18882481A JPS5888683A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | シンチレ−タ製造方法 |
| US06/443,034 US4543485A (en) | 1981-11-24 | 1982-11-19 | Scintillator for radiation detection and process for producing the same |
| NLAANVRAGE8204539,A NL185540C (nl) | 1981-11-24 | 1982-11-22 | Werkwijze ter vervaardiging van een scintillator. |
| US06/640,569 US4687683A (en) | 1981-11-24 | 1984-08-14 | Scintillator for radiation detection and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18882481A JPS5888683A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | シンチレ−タ製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888683A true JPS5888683A (ja) | 1983-05-26 |
Family
ID=16230458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18882481A Pending JPS5888683A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | シンチレ−タ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888683A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002173629A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-21 | Murata Mfg Co Ltd | マーキングペースト及び電子部品の製造方法 |
| US7754339B2 (en) | 2000-10-03 | 2010-07-13 | Corob S.P.A. | Reflective paint and a method for its use |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP18882481A patent/JPS5888683A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7754339B2 (en) | 2000-10-03 | 2010-07-13 | Corob S.P.A. | Reflective paint and a method for its use |
| JP2002173629A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-21 | Murata Mfg Co Ltd | マーキングペースト及び電子部品の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4687683A (en) | Scintillator for radiation detection and process for producing the same | |
| US5149971A (en) | Scintillator assembly for alpha radiation detection and method of making the assembly | |
| US4720426A (en) | Reflective coating for solid-state scintillator bar | |
| TWI301798B (en) | Functional film having functional layer and article provided with the functinal layer | |
| US4658141A (en) | Inorganic scintillator crystal having a highly reflective surface | |
| KR20110065369A (ko) | 디지털 방사선 검출기 및 디지털 방사선 검출기 형성 방법 | |
| JPS5770476A (en) | Radiation detector | |
| JPH0575991B2 (ja) | ||
| WO2016167334A1 (ja) | 放射線像変換スクリーン、フラットパネルディテクタ、放射線検出装置、及びシンチレータ | |
| JPH0746196B2 (ja) | 透過型投写スクリ−ンおよびその製造方法 | |
| JPS5888683A (ja) | シンチレ−タ製造方法 | |
| EP0231553B1 (en) | Transmission projection screen and method of manufacturing same | |
| JP3104696B2 (ja) | 放射線検出器およびそれを用いた放射線ｃｔ装置 | |
| JPS63129304A (ja) | 発光効率の高いシンチレ−タ−フアイバ− | |
| JPH08190000A (ja) | 放射線像変換パネル | |
| US4263061A (en) | Process for forming a high resolution X-ray intensifying screen with antireflecting substrate | |
| JP3228252B2 (ja) | 放射線ｃｔ装置用放射線検出器およびそれを用いた放射線ｃｔ装置 | |
| JPH10288698A (ja) | 放射線像変換パネルの製造方法および積層シート | |
| JPS5888685A (ja) | 放射線検出器 | |
| JPS6134106B2 (ja) | ||
| JPS6114474B2 (ja) | ||
| JP2001516888A (ja) | シンチレーション検出器、シンチレータ用屈折コーティング、および該コーティングの製造プロセス | |
| JPH0660960B2 (ja) | 放射線画像変換パネル | |
| JPH0133891B2 (ja) | ||
| CN212894558U (zh) | 一种改进型非晶硅平板探测器组件用背贴封装胶带 |