JPS5887894A - 薄膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この究明は、半導体、絶縁物あるいは金属からなる基体
又は薄膜上に、所望の薄膜を形成する方法に関するもの
である。

従来、高分子フィルム等の絶縁物の上に、金属配線をは
とこす場合、第１図（Ａ）［Ｆ］）（Ｃ）に小ブような
工程で形成されていｔこ。（１）は高分子フィルムであ
り、その上に蒸右法で金ｍｔｈ’ＩＱ　（２１をデポジ
ットし、与與製版技術を用い゛Ｃ１金属膜の所望の配線
パターンを形成する。しかし、高分子フィルム等の上に
蒸着法で）１５成した金属ｊ換は、密着性か悪く、形成
された配線パターンが、容易にはく離するという現象が
生じＣいた。密着性を改善する方法とし°ｒ、ｉｓ法の
代イつりに、スパッタリングでデポジットする方法が提
案されている。スパッタリングでは、デポジットされる
金属分子が運動エネルギーを持っているため、高分子フ
ィルムの内部へある相貫進入し、密着性を向上させる役
割を果す。

しかしなから、金属分子の運動エネルギーか、十分に大
きくないため、＠脂性の向−ヒには、限界があった。

この発明は、従来の蒸着法あるいは、スパッタリンク法
では、不十分であったデホジツション膜の密着性を向上
させる薄膜形成法を提供することを目的としている。

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第２図（ト）に示す篩分子フィルム（１）の表面に、同
図（［３）に示すようにあらかじめ、Ｆ９丁望の金属イ
オン（３）を、イオン注入する。イオン注入する金ｊｐ
、は、形成すべき金ｊ＾薄膜と向−の種類の金塊でも良
いし、あるいは、形成すべき金属薄膜と結合力の強い他
の種類の金属であっても良い。イオン注入する金属の高
分子フィルム内での深さ方向分布は、イオン注入エネル
ギーで決まる。例えは、アルミニューム・イオンなどを
１００〜４００　ｋｅＶに加速して、高分子フィルムに
注入すると、約０５〜２０μｍｉｔ度の深さに達する。

また、イオン注入された金属（３′）の表面濃度は、イ
オン注入開で決まるか、密着性を改善させるには　１０
２１〜１ｏ”／ｃ虜ｙ度の高濃度であることが望ましい
。

しかる後に、第２図（Ｃ）に示すように所望の金属（２
）を、蒸着法又はスパッタリング法でデポジットし、写
真製版技術で、所望の配線パターンを形成する。

さらに、イオン注入された金属原子と、デポジットされ
た金属薄膜との結合を強化するため、熱処理をほどこす
。

こうして、形成された金属薄膜の配線パターンは下地基
板との界面から、ある深さに渡って、金塊物質が存在し
ているため、顕著に、密着性が向上する。

なお上記実施例では、基体表面の全面に渡ってイオン注
入するとしたが、実際には、金属配線パターンを形成す
る領域にのみホト・レジスト等のマスクを用いて、選択
的に注入してもよい。

また、上記実施例では、基体として高分子フィルムを、
デポジットする膜として金属を用い°Ｃ説明したか、半
導体、絶縁物、金属等、いずれの物質の組み合せでも、
上記実施例と同様の効果を災することは、いうまでもな
い。

以上のように、本発明によれば、デボレットされる薄膜
と同−又は、結合力の強い物質をイオン注入してから、
薄膜をデポジットすることにより、密着性の非常に優れ
た薄膜を形成することができる。　　５

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）のよ）は、従来の薄膜形成法の工程を示す
断面図、第２図（イ）〜の）は、本発明の一実施例によ
る薄膜形成法の工程を示す断面図である。 図中、（１〕は高分子フィルム基体、（２）は金属薄膜
、（３）は金属イオン、（８’）はイオン注入された金
属原子をボす。 なお、図中、ｈ−符カは同−又は相当部分をボす。 代理人　　為　野　信　− 第１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体、絶縁物あるいは、金りから成る基体ま１
   こは薄膜上に、所望の物質をイオン注入し、しかる後に
   、イオン注入した物質と同一または、その物質と結合力
   の強い物質を蒸島法、スパッタリンク法あるいは、ＣＶ
   Ｄ法により、デポジットすることを特徴とする薄膜形成
   法。
2. （２）基体として、高分子材料を用い、金属イオンをイ
   オン注入し、その上に、金属薄族を形成することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成法。