JPS5887828A - Ｓｉウエ−ハの加工方法 - Google Patents
Ｓｉウエ−ハの加工方法Info
- Publication number
- JPS5887828A JPS5887828A JP56186394A JP18639481A JPS5887828A JP S5887828 A JPS5887828 A JP S5887828A JP 56186394 A JP56186394 A JP 56186394A JP 18639481 A JP18639481 A JP 18639481A JP S5887828 A JPS5887828 A JP S5887828A
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- Japan
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- wafer
- oxide film
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- etching
- aqueous solution
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-
- H10P50/00—
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- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｓｉウェーハ製造ゾロセスにおけるＳｉウェ
ーハの加工方法の改良に関する。
ーハの加工方法の改良に関する。
従来、Ｓｌウェーハは第１図に示すようなグロセスで製
造されている。すなわら、チョクラルスキー法（ＣＺ法
）やフローティングゾーン法（Ｆ′Ｚ法）等で形成され
ｆｃ Ｓ ｌのインゴットの外径を研削によシ整え（工
程１）、ざらにインク９ツト側面に決められた方位と１
Ｉｌｔｌｌ′？ｆ：持っ而（オリエンテーションフラッ
ト〕が現われるようインコゝット側面全研削（工程２）
する。次いで、インゴットを蝕刻（工程３）したのち、
適当なｊ卑さにスライシング（工程４）してウェーハ累
月ヲ得る。このウェーハ素材を洗浄（工程５）したのち
、その両面をラッピング（工程６）する。
造されている。すなわら、チョクラルスキー法（ＣＺ法
）やフローティングゾーン法（Ｆ′Ｚ法）等で形成され
ｆｃ Ｓ ｌのインゴットの外径を研削によシ整え（工
程１）、ざらにインク９ツト側面に決められた方位と１
Ｉｌｔｌｌ′？ｆ：持っ而（オリエンテーションフラッ
ト〕が現われるようインコゝット側面全研削（工程２）
する。次いで、インゴットを蝕刻（工程３）したのち、
適当なｊ卑さにスライシング（工程４）してウェーハ累
月ヲ得る。このウェーハ素材を洗浄（工程５）したのち
、その両面をラッピング（工程６）する。
次に、ウェーハ素材のエツジを丸く削シ（工程″７）、
続いてウェーハ累月を蝕刻（工程８）する。次に、ウェ
ーハ素材の表面をボリシング（工程９．１０）ｌ、たの
ち、該表面を洗浄（工程１１）してＳｉウェーハが製造
される。かくして製造されたＳｉウェーハは所定の検査
が施されたのち出荷（工程１２）されることになる。
続いてウェーハ累月を蝕刻（工程８）する。次に、ウェ
ーハ素材の表面をボリシング（工程９．１０）ｌ、たの
ち、該表面を洗浄（工程１１）してＳｉウェーハが製造
される。かくして製造されたＳｉウェーハは所定の検査
が施されたのち出荷（工程１２）されることになる。
ところで、Ｓｌデバイスの製作に際しては、繰り返し熱
処理によるウェーハ周辺ナラピングや周辺加工残存歪に
ょるコリンｆ ％が生じ、これらが製作歩留りの低下に
つながる。この低下を防止する目的として、Ｓｉウェー
ハ製造時にウェーハ周辺の丸め加工、つ葦）前記工程７
が行われているのである。一方、集積回路の高集積化お
よび高密度化に伴って、Ｓｉウェーハにはよシ高い精度
で安定した外径が要求されると共に、写真蝕刻に際する
感光剤塗布時における周辺膜圧安定化のために正確で安
定した形状が望まれる。しかし、前記工程７で正確なエ
ツジラウンディングを行ったとしても、工程８でのエツ
チングおよび工程９，１０でのボリシングによシＳ五ウ
ェーハの蝕刻がｌＯ〜１００〔μｍ〕程度生じるため、
該ウェーハの外形が変化する。したがって、Ｓｉウェー
ハの寸法および形状を正確で安定に保持することはでき
なかった。このように、形状の安定性を望む面からすれ
ば蝕刻深さは浅い方が良いが、研削の残存歪や残存価等
を減少せしめる必要性からすれば蝕刻深さは深い方が良
く、両者の要望を共に満足することは困難であった。
処理によるウェーハ周辺ナラピングや周辺加工残存歪に
ょるコリンｆ ％が生じ、これらが製作歩留りの低下に
つながる。この低下を防止する目的として、Ｓｉウェー
ハ製造時にウェーハ周辺の丸め加工、つ葦）前記工程７
が行われているのである。一方、集積回路の高集積化お
よび高密度化に伴って、Ｓｉウェーハにはよシ高い精度
で安定した外径が要求されると共に、写真蝕刻に際する
感光剤塗布時における周辺膜圧安定化のために正確で安
定した形状が望まれる。しかし、前記工程７で正確なエ
ツジラウンディングを行ったとしても、工程８でのエツ
チングおよび工程９，１０でのボリシングによシＳ五ウ
ェーハの蝕刻がｌＯ〜１００〔μｍ〕程度生じるため、
該ウェーハの外形が変化する。したがって、Ｓｉウェー
ハの寸法および形状を正確で安定に保持することはでき
なかった。このように、形状の安定性を望む面からすれ
ば蝕刻深さは浅い方が良いが、研削の残存歪や残存価等
を減少せしめる必要性からすれば蝕刻深さは深い方が良
く、両者の要望を共に満足することは困難であった。
本発明は上記事情を考慮して々されたもので、その目的
とするところは、Ｓｌウエーノ・の製造プロセスにおい
て該ウェーハを加工するに際し、８１ウエーハの寸法お
よび形状を正確安定にかつ高精度に保持することができ
、しかも蝕刻深さを十分深くし得るＳｉウェーハの加工
方法を提供することにある。
とするところは、Ｓｌウエーノ・の製造プロセスにおい
て該ウェーハを加工するに際し、８１ウエーハの寸法お
よび形状を正確安定にかつ高精度に保持することができ
、しかも蝕刻深さを十分深くし得るＳｉウェーハの加工
方法を提供することにある。
まず、本発明の詳細な説明する。本発明の骨子は、アル
カリ水浴液に対するＳ＋とＳｔＯ□との蝕刻厚み差が極
めて大なることを利用したことにある。すなわち、アル
カリ水浴液に対するＳｉおよびＳｉＯ２の各蝕刻速度ｅ
よ次の第１％に示す通りである。
カリ水浴液に対するＳ＋とＳｔＯ□との蝕刻厚み差が極
めて大なることを利用したことにある。すなわち、アル
カリ水浴液に対するＳｉおよびＳｉＯ２の各蝕刻速度ｅ
よ次の第１％に示す通りである。
第１表
したがって、両者の蝕刻厚み比は次の第２表に示す通り
になる。
になる。
第 ２ 表
つまｐ、コリン水溶液に対するＳｌ と５ＩＯ２との蝕
刻厚み比は最低でも３２９：１である。すなわち、Ｓｉ
を３０〔μｍ〕蝕刻する場合、Ｓｉウェーノ・の形状寸
法を保持すべき部分に９００［、ｊ、：ｌのＣＶＤ膜を
被着しておけは、上記形状寸法を保持すべき部分は蝕刻
されないことになる。さらに、熱酸化膜であれば約ｓｓ
ｏ［Ｘ］でよい。また、ＮａＯＨに対ｔ、テはＣＶＤ１
で１２５００ ［Ｘ］、熱酸化膜で５ｏｏｏ［Ｘｌ被看
しておけばよい。
刻厚み比は最低でも３２９：１である。すなわち、Ｓｉ
を３０〔μｍ〕蝕刻する場合、Ｓｉウェーノ・の形状寸
法を保持すべき部分に９００［、ｊ、：ｌのＣＶＤ膜を
被着しておけは、上記形状寸法を保持すべき部分は蝕刻
されないことになる。さらに、熱酸化膜であれば約ｓｓ
ｏ［Ｘ］でよい。また、ＮａＯＨに対ｔ、テはＣＶＤ１
で１２５００ ［Ｘ］、熱酸化膜で５ｏｏｏ［Ｘｌ被看
しておけばよい。
本発明はこのような点に着目し、Ｓｌウエーノ・の形状
寸法全保持すべき部分に酸化膜を被着せしめたのち、ア
ルカリ水溶液若しくはアルカリ水溶液に微粉末全混入し
てなる研摩剤を用いてＳｉウェーハの表面を蝕刻若しく
は鏡面研摩し、次いで酸化膜をＨＦ処理によシ除去する
ようにした方法である。したがって本発明によれは、Ｓ
ｉウェーハに十分な蝕刻および研摩等を施しても、該ウ
ェーハの寸法形状を保持すべき部分は何ら変化しないの
で、前記した目的を達成することができる。
寸法全保持すべき部分に酸化膜を被着せしめたのち、ア
ルカリ水溶液若しくはアルカリ水溶液に微粉末全混入し
てなる研摩剤を用いてＳｉウェーハの表面を蝕刻若しく
は鏡面研摩し、次いで酸化膜をＨＦ処理によシ除去する
ようにした方法である。したがって本発明によれは、Ｓ
ｉウェーハに十分な蝕刻および研摩等を施しても、該ウ
ェーハの寸法形状を保持すべき部分は何ら変化しないの
で、前記した目的を達成することができる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第２図は本発明の一実施例に係わるＳｉウェーハ製製造
コロセス示す図である。この実施例が前記第１図に示し
た従来方法と異なる点は、前記工程７と工程８との間で
８１ウエーノ・に酸化膜を被着する工程２１を行うと共
に、前記工程１１の代りにＨＦ処理を含む洗浄工程２２
を行うようにしたことである。すなわち、工程２１では
前記工程３，９．ｌｏにおいて蝕刻および研摩されるＳ
ｉ深さを想定して、Ｓｌウェーハの寸法形状を保持すべ
き部分、例えば周辺部にＣＶＤ膜若しくは熱酸化膜を被
着する。そして、工程２２ではＳｉウェーハ表面を洗浄
処理すると共に、希弗酸音用いて上ｍ１ＣＶＤ膜着しく
け熱酸化膜を除去する。なお、実際に使用されている洗
浄工程では希弗酸を使用することが多いので、このよう
な場合希弗酸処理時間を少し延長すればよい。
コロセス示す図である。この実施例が前記第１図に示し
た従来方法と異なる点は、前記工程７と工程８との間で
８１ウエーノ・に酸化膜を被着する工程２１を行うと共
に、前記工程１１の代りにＨＦ処理を含む洗浄工程２２
を行うようにしたことである。すなわち、工程２１では
前記工程３，９．ｌｏにおいて蝕刻および研摩されるＳ
ｉ深さを想定して、Ｓｌウェーハの寸法形状を保持すべ
き部分、例えば周辺部にＣＶＤ膜若しくは熱酸化膜を被
着する。そして、工程２２ではＳｉウェーハ表面を洗浄
処理すると共に、希弗酸音用いて上ｍ１ＣＶＤ膜着しく
け熱酸化膜を除去する。なお、実際に使用されている洗
浄工程では希弗酸を使用することが多いので、このよう
な場合希弗酸処理時間を少し延長すればよい。
かくして形成されたＳｌウェーハは、工程７においてエ
ツジラウンディングされたときとその外径はほとんど変
わらず、高々２０００［ｉ］の変化であった。したがっ
て、前記工程７においてＳｉウェーハの寸法形状全正確
に定めておけば、最終的に得られるＳｉウェーハの寸法
形状を正確安定に保持することができる。
ツジラウンディングされたときとその外径はほとんど変
わらず、高々２０００［ｉ］の変化であった。したがっ
て、前記工程７においてＳｉウェーハの寸法形状全正確
に定めておけば、最終的に得られるＳｉウェーハの寸法
形状を正確安定に保持することができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記Ｓｉウェーハに被着する酸化膜の厚さ
は、該酸化膜の櫨類および必要とするＳｔ蝕刻深さ等の
条件に応じて、適宜定めればよい。さらに、前記蝕刻お
よびポリシング時に使用する溶剤はＮａＯＨｒコリンに
限定されるものではなく、アルカリ水溶液であればよい
。
い。例えば、前記Ｓｉウェーハに被着する酸化膜の厚さ
は、該酸化膜の櫨類および必要とするＳｔ蝕刻深さ等の
条件に応じて、適宜定めればよい。さらに、前記蝕刻お
よびポリシング時に使用する溶剤はＮａＯＨｒコリンに
限定されるものではなく、アルカリ水溶液であればよい
。
また、Ｓｉウェーハの製造プロセス時の春に限らず、Ｓ
ｌウェーハを加工する場合に適用することが可能である
。その他、本発明の要旨全逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
ｌウェーハを加工する場合に適用することが可能である
。その他、本発明の要旨全逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
第１図は従来の８１ウエーハ製造プロセスを示す図、第
２図は本発明の一実施例に係わるｓｉウェーハ製造プロ
セス〒示す図である。
２図は本発明の一実施例に係わるｓｉウェーハ製造プロ
セス〒示す図である。
Claims (2)
- （１） Ｓｔウェーハ全力目工するに際し、該ウェー
ハの形状寸法全保持すべ＠部分に酸化膜全被着せしめた
のち、アルカリ水浴液を用いて上記Ｓ１ウェーハを蝕刻
、或いはアルカリ水溶液に微粉末ｆｆ１Ｕ人してなる研
厚剤を用いて上記Ｓｔウェーハ全鏡面イａ＋摩し、しか
るのちＨＦ’処理によシ前記酸化膜全除去することを特
徴とするＳｉウェーハの加工方法。 - （２） 前記アルカリ水溶液として、コリン水溶液を
使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
Ｓｉウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186394A JPS5887828A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | Ｓｉウエ−ハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186394A JPS5887828A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | Ｓｉウエ−ハの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887828A true JPS5887828A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16187624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186394A Pending JPS5887828A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | Ｓｉウエ−ハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887828A (ja) |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56186394A patent/JPS5887828A/ja active Pending
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