JPS5887735A - 含浸型陰極の製法 - Google Patents
含浸型陰極の製法Info
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- JPS5887735A JPS5887735A JP18586081A JP18586081A JPS5887735A JP S5887735 A JPS5887735 A JP S5887735A JP 18586081 A JP18586081 A JP 18586081A JP 18586081 A JP18586081 A JP 18586081A JP S5887735 A JPS5887735 A JP S5887735A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は含浸型陰極の製法に係わる。
従来一般の陽極線管における一極は、一般に、（Ｂａ、
８ｒ、Ｃａ −） Ｕの三元素酸化物が、鳩等の還元剤
を含んだ基体金属上に被着されたアルカリ土類金属酸化
物層陰極が用いられる。ところがこの種の陰極は、陰極
から大きな電子流をとり出した場合、表面に露出して酸
化物が管体内の残留ガスイオンや、電極表面からスパッ
タされたイオン等によって表面が逆にスパッタされたり
溶融したり、飛散したりして損傷を受は短時間でエミッ
ション能力が低下するしその寿命は比較的短い。
８ｒ、Ｃａ −） Ｕの三元素酸化物が、鳩等の還元剤
を含んだ基体金属上に被着されたアルカリ土類金属酸化
物層陰極が用いられる。ところがこの種の陰極は、陰極
から大きな電子流をとり出した場合、表面に露出して酸
化物が管体内の残留ガスイオンや、電極表面からスパッ
タされたイオン等によって表面が逆にスパッタされたり
溶融したり、飛散したりして損傷を受は短時間でエミッ
ション能力が低下するしその寿命は比較的短い。
これに比し、含浸Ｗｌｉｌｋ極は、熱電子放射＃すなわ
ちエミツタ材としてのＢａＣＯ３，ＣａＣＯ３，Ａｌ２
Ｏ３を予め水素雰囲気中で溶融し、ＢａＯ−ＣａＯ−Ａ
ε２０３の安定な化合物の形に変えた後、このエミツタ
材を基体金属としてのタングステンＷの多孔質焼結体中
に溶融含浸させたものであるので、上述したような、イ
オン衝撃や、ガス被毒にも強く、Ｗとの還元反応で生成
した自由Ｂａが、電気抵抗の小さなＷ焼結体中の細孔を
電極表面に同って移動するので安定した電子流で、且つ
高い電子放射密度を得ることができる。
ちエミツタ材としてのＢａＣＯ３，ＣａＣＯ３，Ａｌ２
Ｏ３を予め水素雰囲気中で溶融し、ＢａＯ−ＣａＯ−Ａ
ε２０３の安定な化合物の形に変えた後、このエミツタ
材を基体金属としてのタングステンＷの多孔質焼結体中
に溶融含浸させたものであるので、上述したような、イ
オン衝撃や、ガス被毒にも強く、Ｗとの還元反応で生成
した自由Ｂａが、電気抵抗の小さなＷ焼結体中の細孔を
電極表面に同って移動するので安定した電子流で、且つ
高い電子放射密度を得ることができる。
このような含浸型陰極を得る方法としては、例え！ｆａ
ｌ１図に示すよ５１Ｃ，例えばモリブデンＭ。
ｌ１図に示すよ５１Ｃ，例えばモリブデンＭ。
より成るボート＋１）内に、含浸物としてのエミツタ材
（２）をのせたタングステンＷ多孔質焼結体より成る陰
極基体（３）を配し、このボート（夏）を、高周ｔ＆誘
導加熱手段、すなわち高周波コイル或いはヒーター等の
加熱手段＜５Ｊを具備する加熱炉（４）中に配置し、エ
ミッタ＃（２）を溶融させ、基体（３）に含浸吸収させ
る方法がある。この場合、量産性を考慮すると基体ｔ３
Ｊとして、最終的に得る陰極の複数個分に相幽する大径
のものを用いて、これに上述したエミツタ材の含浸を行
い、後に、この基体（３）を、所望の形状の複数個の陰
極に切り出す方法が採られる。
（２）をのせたタングステンＷ多孔質焼結体より成る陰
極基体（３）を配し、このボート（夏）を、高周ｔ＆誘
導加熱手段、すなわち高周波コイル或いはヒーター等の
加熱手段＜５Ｊを具備する加熱炉（４）中に配置し、エ
ミッタ＃（２）を溶融させ、基体（３）に含浸吸収させ
る方法がある。この場合、量産性を考慮すると基体ｔ３
Ｊとして、最終的に得る陰極の複数個分に相幽する大径
のものを用いて、これに上述したエミツタ材の含浸を行
い、後に、この基体（３）を、所望の形状の複数個の陰
極に切り出す方法が採られる。
ところがこの場合、この基体（３）を夫々所望の形状の
例えば円板状に切り出す作業は着しく面倒であり、また
、不良品の発生率を高める原因となる。
例えば円板状に切り出す作業は着しく面倒であり、また
、不良品の発生率を高める原因となる。
また、他の含浸方法としては、例えば、１に２図に示す
ように、同様に高周波コイル、或いはヒータ等より成る
加熱手段品を有する縦型の加熱炉室内Ｋ、エミツタ材（
２）が収容され、このエミツタ材（２）中Ｋ、基体（３
）を浸漬させた加熱容器（りを配して、エミツタ材（２
）を加熱溶融させて、これを基体（３）Ｋ含浸させる方
法も知られている。ところが、この場合基体（３）の表
面に過剰のエミツタ材が付着されるので、これを除去す
る面倒な作業を必要とするという欠点が生じる。
ように、同様に高周波コイル、或いはヒータ等より成る
加熱手段品を有する縦型の加熱炉室内Ｋ、エミツタ材（
２）が収容され、このエミツタ材（２）中Ｋ、基体（３
）を浸漬させた加熱容器（りを配して、エミツタ材（２
）を加熱溶融させて、これを基体（３）Ｋ含浸させる方
法も知られている。ところが、この場合基体（３）の表
面に過剰のエミツタ材が付着されるので、これを除去す
る面倒な作業を必要とするという欠点が生じる。
本発明は、上述した諸欠点を回避し、陽極基体として、
最終的に得る隘極個々の形状、大きさに底置された基体
を用い、これにエミツタ材を過不足なく適量をもって均
一に含浸させることのできる含浸瀝陰極の製法な提供す
るものである。
最終的に得る隘極個々の形状、大きさに底置された基体
を用い、これにエミツタ材を過不足なく適量をもって均
一に含浸させることのできる含浸瀝陰極の製法な提供す
るものである。
以下本発明による含浸型陰極の製法を、これに用いる装
置と共に詳細に説明する。
置と共に詳細に説明する。
本発明においては、例えば第３図に示すように、高周波
コイルＱ（Ｉを具備する例えば石英容器より成る縦置の
加熱炉αυを設ける。そしてとの加熱炉Ｕυ中に、声熱
性を有し且つ所要の電気伝導度を有する例えばモリブデ
ンＭＯより成る車輪状の加熱担体（Ｉ′Ｊを配置する。
コイルＱ（Ｉを具備する例えば石英容器より成る縦置の
加熱炉αυを設ける。そしてとの加熱炉Ｕυ中に、声熱
性を有し且つ所要の電気伝導度を有する例えばモリブデ
ンＭＯより成る車輪状の加熱担体（Ｉ′Ｊを配置する。
この加熱担体０は、菖４図及び第５図に示すよ５Ｋ、円
形リング状の外輪部崗と、この外輪部０の中心軸上に配
される中心ｓＯ（と、これら外輪部αＪと中心部α尋と
を機械的に連結する、いわゆる車輪の１や″に相轟して
中心部α尋から外輪部Ｑ３に亘って放射状に設けられた
複数の幅部αＳとが、全体として一体に設けられ【成る
。そして、この加熱担体０の外輪部住３の上面には、そ
の円周方間に所要の間隔を保持して複数の凹部αＧが配
列して設けられる。これら各凹部ａｅには、菖６図に示
すようＫ、最終的に得る個々の陰極に対応する陽極基体
（３）が、これの上に圧縮エミッタ酸化物（２）が載せ
られて収容配置される。各回ｌ５Ｑｅは、これに収容さ
れる基体（３）の外形状に対応した円形状の例えば円形
をなし、゛その内径りと深さｄとは、基体（３）の直径
Ｄｏと、基体（３）及び圧縮エミツタ材（２）の厚さの
和に応じて選ばれる。この場合凹部回内において、基体
（３）があまり自由に移動することｋよってエミツタ材
（２）が、基体（３）上より脱落することがないように
、その内径りは基体（３）の径Ｄｏの２倍以下の１、Ｉ
Ｄｏ〜１，３ Ｄｏに選定される。例えば、基体（３
）は、その外径ＤＯが１．５Ｍに、厚さｔｏが０．５〜
０．９ ｖｘａ Ｋ選ばれるとき、凹部αｅの内径りは
１．７ｍ＋深さｄも１．７ｍｍに選び得る。
形リング状の外輪部崗と、この外輪部０の中心軸上に配
される中心ｓＯ（と、これら外輪部αＪと中心部α尋と
を機械的に連結する、いわゆる車輪の１や″に相轟して
中心部α尋から外輪部Ｑ３に亘って放射状に設けられた
複数の幅部αＳとが、全体として一体に設けられ【成る
。そして、この加熱担体０の外輪部住３の上面には、そ
の円周方間に所要の間隔を保持して複数の凹部αＧが配
列して設けられる。これら各凹部ａｅには、菖６図に示
すようＫ、最終的に得る個々の陰極に対応する陽極基体
（３）が、これの上に圧縮エミッタ酸化物（２）が載せ
られて収容配置される。各回ｌ５Ｑｅは、これに収容さ
れる基体（３）の外形状に対応した円形状の例えば円形
をなし、゛その内径りと深さｄとは、基体（３）の直径
Ｄｏと、基体（３）及び圧縮エミツタ材（２）の厚さの
和に応じて選ばれる。この場合凹部回内において、基体
（３）があまり自由に移動することｋよってエミツタ材
（２）が、基体（３）上より脱落することがないように
、その内径りは基体（３）の径Ｄｏの２倍以下の１、Ｉ
Ｄｏ〜１，３ Ｄｏに選定される。例えば、基体（３
）は、その外径ＤＯが１．５Ｍに、厚さｔｏが０．５〜
０．９ ｖｘａ Ｋ選ばれるとき、凹部αｅの内径りは
１．７ｍ＋深さｄも１．７ｍｍに選び得る。
加熱担体ａ３の支持は、例えば第５図に示すようｋ、良
熱伝導性を有する例えば鋼Ｃｕより成る菖１の支持パイ
プ（１７）の上端に、同様に熱遮断性を有するセラミッ
ク、例えばアルミナＡｌ ２０３より成る！２の支持パ
イプ賭が嵌挿支持された支持体０を設け、パイプａ８上
に担体ａ３をその中心部α尋が当接するように載せこの
状態で、中心部α４に穿設された中心孔■とパイプＱ８
の中心孔とに差し渡って、１１！５（２１ａ）を有する
ビン（２１１を中心部α４上より挿入することによって
行い得る。
熱伝導性を有する例えば鋼Ｃｕより成る菖１の支持パイ
プ（１７）の上端に、同様に熱遮断性を有するセラミッ
ク、例えばアルミナＡｌ ２０３より成る！２の支持パ
イプ賭が嵌挿支持された支持体０を設け、パイプａ８上
に担体ａ３をその中心部α尋が当接するように載せこの
状態で、中心部α４に穿設された中心孔■とパイプＱ８
の中心孔とに差し渡って、１１！５（２１ａ）を有する
ビン（２１１を中心部α４上より挿入することによって
行い得る。
そして、ここに加熱担体Ｑ２は、後述するように高周波
誘導電流によってその加熱がなされるが、この場合これ
か、適度に加熱され、且つ急冷されるよ５に各部の寸法
が選定される。すなわち外輪部α３の暢Ｗ１は各部にお
ける熱が均一化されるためＫある程度大なる幅を必要と
するが）（ワーの間ＩＩを考慮して、基体（３）の径Ｄ
ｏの２倍以上の３倍前後、例えば４〜５−に選定し得る
。また、幅部ＱＳの幅Ｗ２は、外輪部ａ３の各部の均熱
化の上からＷ２ （Ｗｔとするが、機械的強度の上から
ＩＩＩＩ［Ｄ以上、例えば１〜２閣とする。また外輪部
αｙの厚さｔは、均熱と、熱効率と、強度とを考慮して
基体（３）の厚さｔ。の１．５〜２倍の例えば２ｍに選
定する。
誘導電流によってその加熱がなされるが、この場合これ
か、適度に加熱され、且つ急冷されるよ５に各部の寸法
が選定される。すなわち外輪部α３の暢Ｗ１は各部にお
ける熱が均一化されるためＫある程度大なる幅を必要と
するが）（ワーの間ＩＩを考慮して、基体（３）の径Ｄ
ｏの２倍以上の３倍前後、例えば４〜５−に選定し得る
。また、幅部ＱＳの幅Ｗ２は、外輪部ａ３の各部の均熱
化の上からＷ２ （Ｗｔとするが、機械的強度の上から
ＩＩＩＩ［Ｄ以上、例えば１〜２閣とする。また外輪部
αｙの厚さｔは、均熱と、熱効率と、強度とを考慮して
基体（３）の厚さｔ。の１．５〜２倍の例えば２ｍに選
定する。
本発明においては１例えばこのような装置によって基体
（３）中にエミツタ材（２）を含浸させるものであり、
この場合、前述したよ５に、加熱担体＠の外輪部α３の
凹部ｕｅ内に、プレスされたエミツタ材（２）を載置し
た基体（３）を収容し、高周波コイルＱ（ＩＫ、例えば
４００〜５００ ｋＨｚの高周波電流を通ずる。このよ
５にすると、加熱担体ａｚの主としてリング状の外輪部
（２１１に誘導電流が生じ、これが発熱する。
（３）中にエミツタ材（２）を含浸させるものであり、
この場合、前述したよ５に、加熱担体＠の外輪部α３の
凹部ｕｅ内に、プレスされたエミツタ材（２）を載置し
た基体（３）を収容し、高周波コイルＱ（ＩＫ、例えば
４００〜５００ ｋＨｚの高周波電流を通ずる。このよ
５にすると、加熱担体ａｚの主としてリング状の外輪部
（２１１に誘導電流が生じ、これが発熱する。
この熱くよって基体［３１及びエミツタ材（２）が加熱
され、これがその融点例えば１５５０ Ｃ以上に加熱さ
れて溶融すると、これが多孔質基体（３）中に毛細管構
象によって含浸吸収される。この含浸作業は、炉αυ中
を真空排気して行う。この場合の真空度は、１（１”Ｌ
’ｏｒｒ 〜ＩＱ−６Ｔｏｒｒとして加熱中に酸化が生
じないようにする。またこの加熱は、１６００〜１９０
０Ｃ１望ましくは１８００〜１８５０ Ｕで３０秒間行
い、その後は、コイルｕａへの通電を断つ。この時担体
−、したがって基体（３）は急冷され、エミツタ材が過
不足なく含浸された含浸型陽極が得られることになる。
され、これがその融点例えば１５５０ Ｃ以上に加熱さ
れて溶融すると、これが多孔質基体（３）中に毛細管構
象によって含浸吸収される。この含浸作業は、炉αυ中
を真空排気して行う。この場合の真空度は、１（１”Ｌ
’ｏｒｒ 〜ＩＱ−６Ｔｏｒｒとして加熱中に酸化が生
じないようにする。またこの加熱は、１６００〜１９０
０Ｃ１望ましくは１８００〜１８５０ Ｕで３０秒間行
い、その後は、コイルｕａへの通電を断つ。この時担体
−、したがって基体（３）は急冷され、エミツタ材が過
不足なく含浸された含浸型陽極が得られることになる。
このようにして得られた複数個の含浸機陰極は、全陰極
に関して均一の特性なＭし、且つ各基体（３）に関して
その厚さ方向に関するエミツタ材の含浸撮度が均一に行
われる。これは加熱担体ａ２の、特に基体（３）が配置
される部分が閉じた形状、すなわちリング状をなす外輪
部ａ３であること、そしてこの閉じた形状の外輪部α３
の全域に亘って共通に流れる誘導電ｆｉｋよって、その
加熱がなされるので、前述したようにその幅部α９を含
めた寸法、形状等を適当に選定するととＫよって各部一
様の温度で、しかも所要の温度に加熱でき、その後は急
冷できることＫよって均一の濃度をもってその含浸を行
うことができるものと思われる。
に関して均一の特性なＭし、且つ各基体（３）に関して
その厚さ方向に関するエミツタ材の含浸撮度が均一に行
われる。これは加熱担体ａ２の、特に基体（３）が配置
される部分が閉じた形状、すなわちリング状をなす外輪
部ａ３であること、そしてこの閉じた形状の外輪部α３
の全域に亘って共通に流れる誘導電ｆｉｋよって、その
加熱がなされるので、前述したようにその幅部α９を含
めた寸法、形状等を適当に選定するととＫよって各部一
様の温度で、しかも所要の温度に加熱でき、その後は急
冷できることＫよって均一の濃度をもってその含浸を行
うことができるものと思われる。
尚、基体（３）へのエミツタ材（２）の含浸りための温
度プログラミングは、１１７図に示すようにエミツタ材
（２）の溶融温度以上の高温の含浸温度Ｔｓに所要の時
間ａｔ＝ｍｚ（以下これをキープ時間という）に保持し
て後、急冷する態様をとる。第８図は、含浸条件、すな
わち含浸温度Ｔｓ、及びキープ時間と、含浸態様との関
係を示すもので、第８図中各線＠及び（ハ）を含みこれ
らに挾まれる領域Ｂにおいて適正の含浸がなされ、第８
図において直１ｍノより下方の領域Ａでは、エミツタ材
（２）の残留が生じ、直線■より上方の領域Ｃでは、エ
ミツタ材（２）の蒸発が大となることを確かめた。第９
図は、本発明装置によって含浸処理を行った場合のＸ線
マイクロアナライザーによって、多孔質タングステン１
体（３）中におけるＢａの分布を測定した結果を示し、
横軸に、タングステン基体のエンツタ材が載置される側
の面（表面）から、これとは反対側の裏面迄の厚さ方向
の距離をとったものである。
度プログラミングは、１１７図に示すようにエミツタ材
（２）の溶融温度以上の高温の含浸温度Ｔｓに所要の時
間ａｔ＝ｍｚ（以下これをキープ時間という）に保持し
て後、急冷する態様をとる。第８図は、含浸条件、すな
わち含浸温度Ｔｓ、及びキープ時間と、含浸態様との関
係を示すもので、第８図中各線＠及び（ハ）を含みこれ
らに挾まれる領域Ｂにおいて適正の含浸がなされ、第８
図において直１ｍノより下方の領域Ａでは、エミツタ材
（２）の残留が生じ、直線■より上方の領域Ｃでは、エ
ミツタ材（２）の蒸発が大となることを確かめた。第９
図は、本発明装置によって含浸処理を行った場合のＸ線
マイクロアナライザーによって、多孔質タングステン１
体（３）中におけるＢａの分布を測定した結果を示し、
横軸に、タングステン基体のエンツタ材が載置される側
の面（表面）から、これとは反対側の裏面迄の厚さ方向
の距離をとったものである。
同図中、各線（２）、（ハ）及び（至）は夫々第８図に
示した各領域Ａ、Ｂ及びＣの条件でその含浸を行った場
合を示している。曲線（ハ）から明らかなように、含浸
条件な菖８図の領域Ｂの適正領域に選ぶときは、高く且
つ平坦なりａ濃度分布が得られる。
示した各領域Ａ、Ｂ及びＣの条件でその含浸を行った場
合を示している。曲線（ハ）から明らかなように、含浸
条件な菖８図の領域Ｂの適正領域に選ぶときは、高く且
つ平坦なりａ濃度分布が得られる。
尚１ｇｘｏ図は多孔質タングステン基体（３）に対する
エミツタ材の実用上望ましい含浸量を、空孔率に対応し
て示したもので、この実用上望ましい範罪は、各線□□
□及び（至）上を含め、これら関に８当することが確め
られた。
エミツタ材の実用上望ましい含浸量を、空孔率に対応し
て示したもので、この実用上望ましい範罪は、各線□□
□及び（至）上を含め、これら関に８当することが確め
られた。
尚同図中曲線四は、最も適正な状態を得る場合の含浸量
−空孔率の関係を示し、曲線（（０１は比較的良好な状
態を得る場合の含浸量−空孔率の関係を示す。すなわち
、エミツタ材の含浸量は、これが基体（３）の空孔を埋
込むほど多量であることも、また余り少量であることも
良好なエミッタ特性を得る上で望ましくない。
−空孔率の関係を示し、曲線（（０１は比較的良好な状
態を得る場合の含浸量−空孔率の関係を示す。すなわち
、エミツタ材の含浸量は、これが基体（３）の空孔を埋
込むほど多量であることも、また余り少量であることも
良好なエミッタ特性を得る上で望ましくない。
上述した本発明製法により製造したカソードを陰極線管
に組み込み活性化させるためのベーキングないしはエー
ジング時間は従来のものに比べ大幅に短縮化で館だ、こ
れは次のような現象によるものと思われる。すなわち１
本発明製法においては、エミツタ材の基体（３）への炉
中における含浸作業は、炉中を真空排気しつつ行うもの
であるので真空排気に伴って、エミッタ材料中の蒸発し
易い物質、例えばＢａは、これが排除され易く、これが
ため、実際に含浸されるもののうち蒸発し易いものの割
合がエミッション特性を低下させない程度に少くなるか
らと思われる。因みに、従来方法においてその含浸作業
を真空中で行ったとしても、従来方法による場合、過剰
のエミッタ物質が存在していることによってこのような
蒸発し易い物質の排除の効果は生じてこない。また、上
述の本発明方法による陰極は、そのカソード物質、すな
わちエミッタ材料が多孔質基体（３） Ｋ、必要且つ十
分な量だけ均一に含浸され、基体（３）の熱電子放出側
の表面から裏面側にかけて実質的に貫通する孔が残存す
る程度の空孔ができているので、実質的表面積が大とな
りエミッション効率の向上となる。またこの実質的な貫
通空孔の存在により、蒸発し鳥い物質の含浸量が小とさ
れていることと相俟って、ベーキングないしエージング
の時間と一手間の省略をはかることができる。すなわち
、従来方法による場合、含浸後に基体表面に残った過剰
のエミッタ物質を研磨して削り去るものであるが、この
場合、その手間もさることながらこの場合％Ｗ多孔質基
体の表面の孔がその研磨によってつぶされて閉塞ないし
は小孔となり、蒸発し易い物質の蒸発を阻害するために
、その活性化処理時間、すなわちエージングは、１日〜
１週間にも及ぶ大幅な長時間を要していた。ところが、
上述の本発明方法によれば、この処理時間は２時間程度
で、そのエミッション特性は、これの最高値の８０〜９
０％のものとすることができた。また、このようＫして
得た陰極は従来の長時間活性条件と比較して何らの遜色
もなかった。
に組み込み活性化させるためのベーキングないしはエー
ジング時間は従来のものに比べ大幅に短縮化で館だ、こ
れは次のような現象によるものと思われる。すなわち１
本発明製法においては、エミツタ材の基体（３）への炉
中における含浸作業は、炉中を真空排気しつつ行うもの
であるので真空排気に伴って、エミッタ材料中の蒸発し
易い物質、例えばＢａは、これが排除され易く、これが
ため、実際に含浸されるもののうち蒸発し易いものの割
合がエミッション特性を低下させない程度に少くなるか
らと思われる。因みに、従来方法においてその含浸作業
を真空中で行ったとしても、従来方法による場合、過剰
のエミッタ物質が存在していることによってこのような
蒸発し易い物質の排除の効果は生じてこない。また、上
述の本発明方法による陰極は、そのカソード物質、すな
わちエミッタ材料が多孔質基体（３） Ｋ、必要且つ十
分な量だけ均一に含浸され、基体（３）の熱電子放出側
の表面から裏面側にかけて実質的に貫通する孔が残存す
る程度の空孔ができているので、実質的表面積が大とな
りエミッション効率の向上となる。またこの実質的な貫
通空孔の存在により、蒸発し鳥い物質の含浸量が小とさ
れていることと相俟って、ベーキングないしエージング
の時間と一手間の省略をはかることができる。すなわち
、従来方法による場合、含浸後に基体表面に残った過剰
のエミッタ物質を研磨して削り去るものであるが、この
場合、その手間もさることながらこの場合％Ｗ多孔質基
体の表面の孔がその研磨によってつぶされて閉塞ないし
は小孔となり、蒸発し易い物質の蒸発を阻害するために
、その活性化処理時間、すなわちエージングは、１日〜
１週間にも及ぶ大幅な長時間を要していた。ところが、
上述の本発明方法によれば、この処理時間は２時間程度
で、そのエミッション特性は、これの最高値の８０〜９
０％のものとすることができた。また、このようＫして
得た陰極は従来の長時間活性条件と比較して何らの遜色
もなかった。
また陰極中に蒸発し易い物質が多く残存する場合活性化
処理によって蒸発したこの物質が、陰極線管において、
この陰極と対向して配置される例えば菖１グリッド電極
に付着し、この第１グリツド電極のビーム透過孔の寸法
に狂いを生じさせたり、陽極−グリッド間の短絡中さら
Ｋ、この付着物質からのいわゆるストレージエミッショ
ンの発生などの不都合を招来する。ところが本発明によ
れば上述したように蒸発し易い物質の含浸量を少量とす
ることができるので、このような不都合を回避できる。
処理によって蒸発したこの物質が、陰極線管において、
この陰極と対向して配置される例えば菖１グリッド電極
に付着し、この第１グリツド電極のビーム透過孔の寸法
に狂いを生じさせたり、陽極−グリッド間の短絡中さら
Ｋ、この付着物質からのいわゆるストレージエミッショ
ンの発生などの不都合を招来する。ところが本発明によ
れば上述したように蒸発し易い物質の含浸量を少量とす
ることができるので、このような不都合を回避できる。
尚、上述した装置において、更にその含浸処理を安定に
行うために１例えば３１１１図及び第１２図に示すよう
に、加熱担体ＵＫおける凹部ａｅのみが設けられていな
い車輪状り量体ｉを設け、これを加熱担体α３上に凹部
四を閉塞するよ５に載せることもできる。この蓋体αｂ
の各部の加熱担体Ｉの各部に対応する部分には同一符号
にダッシュ記考１″を符して重複説明を省略する。そし
て、この場合特に蓋体ａ６はその幅部ａ６が、丁度加熱
担体υの幅部Ｑ５間の中央に位置するよ５に、図示の例
では加熱担体σ２に対し４５°囲転させて配置する。こ
のよ５にするときは、加熱担体α２のｌ！Ｉ＃に外輪部
αコの加熱がその全周に亘って、より均一化され、凹部
ｒＡｅが閉蓋されたことと相俟って、より安定、均一な
含浸処理を行うことができる。
行うために１例えば３１１１図及び第１２図に示すよう
に、加熱担体ＵＫおける凹部ａｅのみが設けられていな
い車輪状り量体ｉを設け、これを加熱担体α３上に凹部
四を閉塞するよ５に載せることもできる。この蓋体αｂ
の各部の加熱担体Ｉの各部に対応する部分には同一符号
にダッシュ記考１″を符して重複説明を省略する。そし
て、この場合特に蓋体ａ６はその幅部ａ６が、丁度加熱
担体υの幅部Ｑ５間の中央に位置するよ５に、図示の例
では加熱担体σ２に対し４５°囲転させて配置する。こ
のよ５にするときは、加熱担体α２のｌ！Ｉ＃に外輪部
αコの加熱がその全周に亘って、より均一化され、凹部
ｒＡｅが閉蓋されたことと相俟って、より安定、均一な
含浸処理を行うことができる。
第１図及び第２図は夫々従来の含浸Ｍ陰極の製造装置の
路線的断面図、第３図は本発明製法を実施する装置の一
例の路線的断面図、第４図はその加熱担体の一例の平面
図、嬉５図はそのＡ−Ａ線上の断面図、菖６図は第４図
のＢ−Ｂ線上の要部の断面図、１１７図は加熱プログラ
ミング図、菖８図は含浸条件の説明図、諺９図は淡度分
布図、第１０図は空孔率と含浸率の関係を示す図、第１
１図は本発明を実施する装置の一例の蓋体を載せた状態
の平面図、Ｉ！１２図はその断面図である。 （２）はエミツタ材、（３）は陽極基板、Ｑ３ｉ家加熱
担体、ａ３はその外輪部、（１４１は中心部、ＱＳＩｉ
輻部で幅部。 第１トＩ Ｊ 第２図 第３図 第６１ネｊ 第１１図 第１２図 手続補正書 昭和５６年１２月２３日 特許庁長官 島 １）春 樹 顯 （特許庁審判長 殿１、事件
の表示 昭和５６年特許願第 １８５８６０ 号２、 発明（
７） 名称含浸臘陰極、）製法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用：゛・Ｚ：１″７． ｉ！’／’＋−
Ｊ’ ｌ １７番よ）５じ・名称（２］８）ソニー（：
、式会？１ 代人取＋；＋ｌｊ没 ４−１ 間、１１１ 人４、代
理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号で新宅ビ
ル）置東京（０３）３４３−５８２１ （代表）６、補
正により増加する発明の数 （１） 明細書中、第９頁１６〜１７行、第１０頁１
行及び２行「空孔率」を夫々「含水率」と訂正する。 （２） 図面中、第１０図を別紙のとおり補正する。 以上 第１０図 械的係合に遊びを設けることＫよって、外輪部（１３ｋ
１１１ｉ（ハ）との保合部において、その加熱、冷却
に伴う熱応力が発生するようなことも回避でき、これに
よる変法の発生も効果的′に回避ｔきる。」を加入する
。 以上 １７９−
路線的断面図、第３図は本発明製法を実施する装置の一
例の路線的断面図、第４図はその加熱担体の一例の平面
図、嬉５図はそのＡ−Ａ線上の断面図、菖６図は第４図
のＢ−Ｂ線上の要部の断面図、１１７図は加熱プログラ
ミング図、菖８図は含浸条件の説明図、諺９図は淡度分
布図、第１０図は空孔率と含浸率の関係を示す図、第１
１図は本発明を実施する装置の一例の蓋体を載せた状態
の平面図、Ｉ！１２図はその断面図である。 （２）はエミツタ材、（３）は陽極基板、Ｑ３ｉ家加熱
担体、ａ３はその外輪部、（１４１は中心部、ＱＳＩｉ
輻部で幅部。 第１トＩ Ｊ 第２図 第３図 第６１ネｊ 第１１図 第１２図 手続補正書 昭和５６年１２月２３日 特許庁長官 島 １）春 樹 顯 （特許庁審判長 殿１、事件
の表示 昭和５６年特許願第 １８５８６０ 号２、 発明（
７） 名称含浸臘陰極、）製法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用：゛・Ｚ：１″７． ｉ！’／’＋−
Ｊ’ ｌ １７番よ）５じ・名称（２］８）ソニー（：
、式会？１ 代人取＋；＋ｌｊ没 ４−１ 間、１１１ 人４、代
理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号で新宅ビ
ル）置東京（０３）３４３−５８２１ （代表）６、補
正により増加する発明の数 （１） 明細書中、第９頁１６〜１７行、第１０頁１
行及び２行「空孔率」を夫々「含水率」と訂正する。 （２） 図面中、第１０図を別紙のとおり補正する。 以上 第１０図 械的係合に遊びを設けることＫよって、外輪部（１３ｋ
１１１ｉ（ハ）との保合部において、その加熱、冷却
に伴う熱応力が発生するようなことも回避でき、これに
よる変法の発生も効果的′に回避ｔきる。」を加入する
。 以上 １７９−
Claims (1)
- 最終的に得る個々の一極に対応する陰極基体上に、該基
体に含浸すべきエミツタ材の含浸量に対応する量の圧縮
エミッタ酸化物を載置し、真空中で上記圧縮エミッタ酸
化物を加熱溶融させてこれを上記陰極基体に含浸させる
ことを特徴とする含浸型陰極の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18586081A JPS5887735A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | 含浸型陰極の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18586081A JPS5887735A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | 含浸型陰極の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887735A true JPS5887735A (ja) | 1983-05-25 |
| JPH0341932B2 JPH0341932B2 (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=16178140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18586081A Granted JPS5887735A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | 含浸型陰極の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887735A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306003B1 (en) | 1997-07-09 | 2001-10-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Impregnated cathode and method for manufacturing the same |
| US6351061B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-02-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Cathode, method for manufacturing the cathode, and picture tube |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445697A (en) * | 1988-07-27 | 1989-02-20 | Graphtec Kk | Pen exchanger for recorder |
-
1981
- 1981-11-19 JP JP18586081A patent/JPS5887735A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445697A (en) * | 1988-07-27 | 1989-02-20 | Graphtec Kk | Pen exchanger for recorder |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306003B1 (en) | 1997-07-09 | 2001-10-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Impregnated cathode and method for manufacturing the same |
| US6376975B1 (en) | 1997-07-09 | 2002-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Impregnated cathode and method for manufacturing the same |
| US6705913B2 (en) | 1997-07-09 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing impregnated cathode having a cathode pellet |
| US6351061B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-02-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Cathode, method for manufacturing the cathode, and picture tube |
| US6565402B2 (en) | 1997-09-26 | 2003-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Cathode, method for manufacturing the cathode, and picture tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0341932B2 (ja) | 1991-06-25 |
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