JPS5887229A - リ−ドフレ−ム用板材の製法 - Google Patents
リ−ドフレ−ム用板材の製法Info
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- JPS5887229A JPS5887229A JP18586881A JP18586881A JPS5887229A JP S5887229 A JPS5887229 A JP S5887229A JP 18586881 A JP18586881 A JP 18586881A JP 18586881 A JP18586881 A JP 18586881A JP S5887229 A JPS5887229 A JP S5887229A
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- Japan
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- plating
- alloy
- plate material
- reducing atmosphere
- thin plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
- C21D8/0205—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips of ferrous alloys
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- Heat Treatment Of Steel (AREA)
- Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＦ、 −ｃｒ 系合金からなるリードフレ
ーム用板材の製法に関するものである。
ーム用板材の製法に関するものである。
Ｆ＠ −ｃｒ 系合金の合金塊からリードフレーム用
の素材、ＩＰｌえば細幅の薄片状素材を得る方法として
は１合金塊に圧延加工等の冷間加工を施して薄板とした
後、その薄板をスリン）１１０工して細幅に裁断する方
法が一般的であり、ｔたこのようにして得られた素材を
ユーザ一段階においてリードフレームに加工する際には
、打抜加工またはまれにはエツチング加工により前述の
素材をリードフレームの形状に加工し、さらにその表面
にＡｇ メッキを施すのが一般的である。
の素材、ＩＰｌえば細幅の薄片状素材を得る方法として
は１合金塊に圧延加工等の冷間加工を施して薄板とした
後、その薄板をスリン）１１０工して細幅に裁断する方
法が一般的であり、ｔたこのようにして得られた素材を
ユーザ一段階においてリードフレームに加工する際には
、打抜加工またはまれにはエツチング加工により前述の
素材をリードフレームの形状に加工し、さらにその表面
にＡｇ メッキを施すのが一般的である。
しかしながら、前述のよう圧して得られ九Ｆ、−Ｃｒ系
合金の板状素材は、その表面に直接Ａｇ メッキを施し
た場合にメッキ層の密着性が悪く、このため例えば半導
体集積回路装置の組立工程におけるリードフレームへの
ワイヤボンディング工程の加熱源ｆＫよりＡｇ メッキ
層にＩ７クレ１が生じ九り、メッキ層が剥離してしまう
などの問題が生ビ礼、シたがって、従来はＡｇ メッキ
の前処理として％Ｃｕ ｔたはＮ１ などにょシ素材
表面にストライクメッキＣ短時間高電流密度メッキ）を
施す必要があり、このためメッキ工程が複雑となシ製造
コストが高くなる問題があり、またこのようにストライ
クメッキを施してからＡｇ メッキを施しても、メッ
キ層の帯薄性が確実かつ充分に良好となるとは限らない
のが実情であった。を九、リードフレームの用途によっ
てはストライクメッキを避けなければならない場合もあ
シ、このような場合には密着性を良好にすることは殆ど
不可能であった。さらに、リードフレームは、通常０．
５ｕ以下程麿の薄質なものであるから、前述の工うな素
材製造工程における冷間圧延による残留応力等によって
歪が生じ易く、特にスリット加工やその後の打抜加工等
において薄片状の素材が反り返ったりして、リードフレ
ーム用素材として不適当となる欠点もある。
合金の板状素材は、その表面に直接Ａｇ メッキを施し
た場合にメッキ層の密着性が悪く、このため例えば半導
体集積回路装置の組立工程におけるリードフレームへの
ワイヤボンディング工程の加熱源ｆＫよりＡｇ メッキ
層にＩ７クレ１が生じ九り、メッキ層が剥離してしまう
などの問題が生ビ礼、シたがって、従来はＡｇ メッキ
の前処理として％Ｃｕ ｔたはＮ１ などにょシ素材
表面にストライクメッキＣ短時間高電流密度メッキ）を
施す必要があり、このためメッキ工程が複雑となシ製造
コストが高くなる問題があり、またこのようにストライ
クメッキを施してからＡｇ メッキを施しても、メッ
キ層の帯薄性が確実かつ充分に良好となるとは限らない
のが実情であった。を九、リードフレームの用途によっ
てはストライクメッキを避けなければならない場合もあ
シ、このような場合には密着性を良好にすることは殆ど
不可能であった。さらに、リードフレームは、通常０．
５ｕ以下程麿の薄質なものであるから、前述の工うな素
材製造工程における冷間圧延による残留応力等によって
歪が生じ易く、特にスリット加工やその後の打抜加工等
において薄片状の素材が反り返ったりして、リードフレ
ーム用素材として不適当となる欠点もある。
この発明は上記事情に鑑みてなされた本ので。
Ａｇ メッキの良好な密着性を有し、かつ残留応力な
どによる歪が少ないリードフレーム用板体ヲ提供するこ
とを目的とし、Ｆ、 −ｃｒ 系合金に冷間圧延等の
冷間加工を施した後、還元性雰囲気中において３８０〜
５５０℃の温度で２５分以上熱処理することを特徴とす
るものである。
どによる歪が少ないリードフレーム用板体ヲ提供するこ
とを目的とし、Ｆ、 −ｃｒ 系合金に冷間圧延等の
冷間加工を施した後、還元性雰囲気中において３８０〜
５５０℃の温度で２５分以上熱処理することを特徴とす
るものである。
以下、この発明の詳細な説明する。
この発明で対象とするＦ、 −ｃｒ 系合金は、一般
に使用されているステンレス合金であれば良く。
に使用されているステンレス合金であれば良く。
したがってその組成範囲はＣｒ１１．５〜１８−１残部
Ｆｅ であればよい。
Ｆｅ であればよい。
この発明の製法においては、前述のような組成範囲の合
金塊に最終的に目的とするリードフレームの厚みとなる
まで冷間圧延等の冷間加工を施し、しかる後水素気流中
等の還元性雰囲気において３８０°Ｃ〜５５０℃の温度
範囲で２５分以上、望ましくは４００℃以上の温度で３
０分以上熱処理する。ここで３８０℃未満の処理温度ま
７’ｊｆ′ｉ２５分未溝の処理時間では、後工程のＡｇ
メッキにおけるメッキ層の密着性向上効果が充分に得
られず。
金塊に最終的に目的とするリードフレームの厚みとなる
まで冷間圧延等の冷間加工を施し、しかる後水素気流中
等の還元性雰囲気において３８０°Ｃ〜５５０℃の温度
範囲で２５分以上、望ましくは４００℃以上の温度で３
０分以上熱処理する。ここで３８０℃未満の処理温度ま
７’ｊｆ′ｉ２５分未溝の処理時間では、後工程のＡｇ
メッキにおけるメッキ層の密着性向上効果が充分に得
られず。
かつ充分な歪除去効果が得られない。また、５５０℃を
越える処理温度では龜はやメッキ層密着性が向上せず、
かつ歪除去効果も向上せず、逆に材料が軟化変形するお
それがある。ざらに、処理時間の上限は任意であるが、
４時間を越えてもそれ以上各効果は向上しないから通常
ｔ−ｔ４時間以下とすることが望ましい。
越える処理温度では龜はやメッキ層密着性が向上せず、
かつ歪除去効果も向上せず、逆に材料が軟化変形するお
それがある。ざらに、処理時間の上限は任意であるが、
４時間を越えてもそれ以上各効果は向上しないから通常
ｔ−ｔ４時間以下とすることが望ましい。
このようにして得られた板材からリードフレームを作成
する場合には、通常はスリット加工によって細幅に裁断
し、その後打抜加工等によってリードフレ−ム形状とな
し、次いで、表面に〜 メッキを施す。このＡｇ メッ
キにおいては、後述する試験結果から明らかとなるよう
にＮ１ ま九はＣＤ などのストライクメッキを前
処理として施こす必要がない。
する場合には、通常はスリット加工によって細幅に裁断
し、その後打抜加工等によってリードフレ−ム形状とな
し、次いで、表面に〜 メッキを施す。このＡｇ メッ
キにおいては、後述する試験結果から明らかとなるよう
にＮ１ ま九はＣＤ などのストライクメッキを前
処理として施こす必要がない。
次に、この発明の実施例および比較例を示す。
〔実施例１〕
Ｃｙ１７％、残１１ＳＦｅなる組成のＦ、 −Ｃｒ
合金塊を冷間圧延して板厚０．２５ｕ＋の薄板材を得た
。
合金塊を冷間圧延して板厚０．２５ｕ＋の薄板材を得た
。
この薄板材を水素気流中において４００℃の温度で３０
分間熱処理した。
分間熱処理した。
〔実施例２〕
実施例１と同様にして薄板材を得、この薄板材を水素気
流中において５００℃の温度で３０分間熱処理を施した
。
流中において５００℃の温度で３０分間熱処理を施した
。
〔比較例１〕
実施例１と同様にして薄板材を得、この薄板材に特に熱
処理を施さなかった。
処理を施さなかった。
〔比較例２〕
実施例１と同様にして薄板材を得、この薄板材に水素気
流中において３００℃の温度で１０分間熱処理を施した
。
流中において３００℃の温度で１０分間熱処理を施した
。
〔比較例３〕
実施例１と同様にして薄板材を得、この薄板材に水素気
流中において３００℃の温度で３０分間熱処理を施し友
。
流中において３００℃の温度で３０分間熱処理を施し友
。
〔比較例４〕
実施例１と同様にして薄板材を得、この薄板材に水素気
流中にかいて４００℃の温度で１０分間熱処理を施した
。
流中にかいて４００℃の温度で１０分間熱処理を施した
。
〔比較例５〕
実施例１と同様に１７て薄板材を得、この薄板材を５０
０℃の温１で１０分間熱処理を施した。
０℃の温１で１０分間熱処理を施した。
以上の各実施例および各比較例により得られた板材から
それぞれ５０Ｘ５０Ｘ２．５１ｍの試験片を各３０個切
取り、その内各１０個の試験片についてＬｄ Ｏ，５踊
厚のＮ１ ストライクメッキを施し先後、３μｍ厚の
Ａｇ メッキを施し、また他の各１０個の試験片につ
いては０．５μｍ厚のＣｕストライクメッキを施したの
ち、同様にＡｇ メッキを施し、さらに残りの各１０
個の試験片についてぽストライクメッキを施さずに直接
３μｍ厚のＡｇメッキを施こし、た。そして、これらの
〜 メッキ済の各試験片についてそのままの状態での〜
メッキ密着性、および集積回路装瞳組立作業における
ワイヤポンディング時の加熱条件と類似する条件で加熱
（電気炉により大気中において５００℃×５分間加熱）
シ次場合のＡｇ メッキ密着性を２０倍の実体顕微鏡
により観察し友、その結果を次表に示す。なお表におい
て不良数は１０個の試験片中における密着不良が発生し
た試験片の数を示し。
それぞれ５０Ｘ５０Ｘ２．５１ｍの試験片を各３０個切
取り、その内各１０個の試験片についてＬｄ Ｏ，５踊
厚のＮ１ ストライクメッキを施し先後、３μｍ厚の
Ａｇ メッキを施し、また他の各１０個の試験片につ
いては０．５μｍ厚のＣｕストライクメッキを施したの
ち、同様にＡｇ メッキを施し、さらに残りの各１０
個の試験片についてぽストライクメッキを施さずに直接
３μｍ厚のＡｇメッキを施こし、た。そして、これらの
〜 メッキ済の各試験片についてそのままの状態での〜
メッキ密着性、および集積回路装瞳組立作業における
ワイヤポンディング時の加熱条件と類似する条件で加熱
（電気炉により大気中において５００℃×５分間加熱）
シ次場合のＡｇ メッキ密着性を２０倍の実体顕微鏡
により観察し友、その結果を次表に示す。なお表におい
て不良数は１０個の試験片中における密着不良が発生し
た試験片の数を示し。
また不良内容欄における寸法（μｍψ１ Ｖ１発生し次
１フクレ１の大きさを示し、同じく不良内容欄にとける
点数は各不良試験片中の１７クレ１発生点数を示す。
１フクレ１の大きさを示し、同じく不良内容欄にとける
点数は各不良試験片中の１７クレ１発生点数を示す。
表から明らかなように、この発明の実施例により得られ
た試験片は、Ａｇ メッキの前処理としてＮｉ ま
たｔｆｃｕ のストライクメッキを施さない場合〒あっ
ても、Ａｇ メッキ層の１７クレ１や剥離が生じること
がなく、また通常の半導体集積回路装置組立工程におけ
るワイヤボンデング時の加熱と同様に加熱して４Ａｇ
メッキ層の“フクレ１や剥離が発生せず、したがって
Ａｇ メッキ層の密着性が著しく良好である。
た試験片は、Ａｇ メッキの前処理としてＮｉ ま
たｔｆｃｕ のストライクメッキを施さない場合〒あっ
ても、Ａｇ メッキ層の１７クレ１や剥離が生じること
がなく、また通常の半導体集積回路装置組立工程におけ
るワイヤボンデング時の加熱と同様に加熱して４Ａｇ
メッキ層の“フクレ１や剥離が発生せず、したがって
Ａｇ メッキ層の密着性が著しく良好である。
つぎに、前述の各実施例および各比較例と同様な組成の
Ｆ、 −Ｃｒ系合金を厚さＱ、 ２５ｕ、幅３０ｍ１３
１のコイル状薄板に冷間圧延し、これに熱処理を加えな
い場合、および水素気流中において加熱温度シエび加熱
時間を種々変化させた場合の歪量変化を測定し、その結
果を第１図に示す。彦お、ここで歪量ｄは第２図に示す
ようにコイル状薄片の圧延方向大に対し直角な板幅方向
Ｂの平面に対する反り量を示す。
Ｆ、 −Ｃｒ系合金を厚さＱ、 ２５ｕ、幅３０ｍ１３
１のコイル状薄板に冷間圧延し、これに熱処理を加えな
い場合、および水素気流中において加熱温度シエび加熱
時間を種々変化させた場合の歪量変化を測定し、その結
果を第１図に示す。彦お、ここで歪量ｄは第２図に示す
ようにコイル状薄片の圧延方向大に対し直角な板幅方向
Ｂの平面に対する反り量を示す。
第１図から明らかなように％３８０℃以上。
２５分以上の熱処理を施した薄板は、未処理のものの歪
量（第１図００印１に比較して歪が格段に減少し、５０
μｍ以下となりている。ここでリードフレーム材として
使用する場合の歪許容限界は幅３０關につき５０μｍ程
度以下とされているから、前述の熱処理によってその値
が充分に満足されることが判る。また、スリッタ加工後
の細巾の材料でも同様である。
量（第１図００印１に比較して歪が格段に減少し、５０
μｍ以下となりている。ここでリードフレーム材として
使用する場合の歪許容限界は幅３０關につき５０μｍ程
度以下とされているから、前述の熱処理によってその値
が充分に満足されることが判る。また、スリッタ加工後
の細巾の材料でも同様である。
なお、還元性雰囲気中における所定の熱処理によりＡｇ
メッキの密着性が向上する原因は、還元性雰囲気での
加熱により板材表面が清浄化されるためであると思われ
る、 以上の説明で明らかなように、この発明のリードフレー
ム用板材の製法Ｆｉ、 Ｆｅ −Ｃｒ 系合金を冷間
゛加工した後、還元性雰囲気中で３８０〜５５０℃で２
５分以上熱処理するものである。よって、この製法によ
って得られるリードフレーム用板材は、リードフレーム
を製造する際の〜 メッキの密着性が著しく良好となり
、したがってＡｇ メッキの前処理としてストライク
メッキを施す必要がなく、メッキ工程が簡単となり製造
コストの著るしい低廉化が計られ、かつ用途によってけ
ストライクメッキを避けなければならない場合でも確実
にメッキ層の密着性を向上させることができ、さらに残
留応力による歪も除去されるなどの効果が得られるもの
である。
メッキの密着性が向上する原因は、還元性雰囲気での
加熱により板材表面が清浄化されるためであると思われ
る、 以上の説明で明らかなように、この発明のリードフレー
ム用板材の製法Ｆｉ、 Ｆｅ −Ｃｒ 系合金を冷間
゛加工した後、還元性雰囲気中で３８０〜５５０℃で２
５分以上熱処理するものである。よって、この製法によ
って得られるリードフレーム用板材は、リードフレーム
を製造する際の〜 メッキの密着性が著しく良好となり
、したがってＡｇ メッキの前処理としてストライク
メッキを施す必要がなく、メッキ工程が簡単となり製造
コストの著るしい低廉化が計られ、かつ用途によってけ
ストライクメッキを避けなければならない場合でも確実
にメッキ層の密着性を向上させることができ、さらに残
留応力による歪も除去されるなどの効果が得られるもの
である。
第１図はこの発明の製法における熱処理条件を変化させ
た場合の歪量の変化を示すグラフ。 第２図は前記歪量の測定方法を示す説明図である。
た場合の歪量の変化を示すグラフ。 第２図は前記歪量の測定方法を示す説明図である。
Claims (1)
- Ｃｒ Ｉ Ｌ、Ｓ〜１８１ （重量Ｓ、以下同じ）１残
部Ｆｅなる組成を有するＦ・−Ｃｒ 系合金を冷間加工
し、その後還元性雰囲気中で３８０〜５５０℃の温度で
２５分以上熱処理することを特徴とするリードフレーム
用板材の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18586881A JPS5887229A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | リ−ドフレ−ム用板材の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18586881A JPS5887229A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | リ−ドフレ−ム用板材の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887229A true JPS5887229A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16178277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18586881A Pending JPS5887229A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | リ−ドフレ−ム用板材の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887229A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4112416A1 (de) * | 1990-04-16 | 1991-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | Leiterrahmenmaterial fuer einen halbleiter und verfahren zur herstellung des leiterrahmenmaterials |
-
1981
- 1981-11-19 JP JP18586881A patent/JPS5887229A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4112416A1 (de) * | 1990-04-16 | 1991-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | Leiterrahmenmaterial fuer einen halbleiter und verfahren zur herstellung des leiterrahmenmaterials |
| US5167794A (en) * | 1990-04-16 | 1992-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing lead frame material |
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