JPS5885564A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS5885564A JPS5885564A JP56183056A JP18305681A JPS5885564A JP S5885564 A JPS5885564 A JP S5885564A JP 56183056 A JP56183056 A JP 56183056A JP 18305681 A JP18305681 A JP 18305681A JP S5885564 A JPS5885564 A JP S5885564A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- individual
- matrix
- electrodes
- side electrodes
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 9
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、】６ドツト／闘以上の分解能をもつファク
シミリ等の読み取り系に使用するイメージセンサに関す
るものである。
シミリ等の読み取り系に使用するイメージセンサに関す
るものである。
第１図は従来のイメージセンサの構成側を示す等価回路
図である。全体の素子数は２０４８ドツトで、これを共
通側電極６４個（Ｃ＋ 〜Ｃ６４）、個別側電極３２個
（１，〜１，２）によりマトリクス配線を行っている。
図である。全体の素子数は２０４８ドツトで、これを共
通側電極６４個（Ｃ＋ 〜Ｃ６４）、個別側電極３２個
（１，〜１，２）によりマトリクス配線を行っている。
Ｒ１〜Ｒ２０４！ｌは光専延素子。
ホトダイオードなどの光電変換素子で、７レイ状に配置
されている。共通側電極Ｃ，−Ｃ６，に順次電圧を印加
し、個別側′電極１．〜１３２を順次駆動し出力を取り
出す構成であり、８ドツト／■の分解能まで実現でとて
いる。
されている。共通側電極Ｃ，−Ｃ６，に順次電圧を印加
し、個別側′電極１．〜１３２を順次駆動し出力を取り
出す構成であり、８ドツト／■の分解能まで実現でとて
いる。
一方、ファクシミリ用センサの最近の傾向として、画品
質の向上をめざして１６ドツト／龍の高分解能化が要請
されている。ところが第１図の構成のまま１６ドツト／
龍の分解能、すなわち４０９６ドツトを実現しようとす
ると次のような欠点がある。すなわち、マトリクス構成
が共通側′＃ｌＬ極】２８個、個別側電極６４個となり
、特に個別側電極は通常フィルムリード等の絶縁性フィ
ルムを用いて多層配線を行うため２倍の配線を処理する
必要があり、新規な製造設備が必要である。また個別側
電極数が増大すると各電極の出力容量が大きくなり、こ
のため動作速度が劣化することや、もれ電流が大きくな
りＳＮ比が劣化する欠点があった。
質の向上をめざして１６ドツト／龍の高分解能化が要請
されている。ところが第１図の構成のまま１６ドツト／
龍の分解能、すなわち４０９６ドツトを実現しようとす
ると次のような欠点がある。すなわち、マトリクス構成
が共通側′＃ｌＬ極】２８個、個別側電極６４個となり
、特に個別側電極は通常フィルムリード等の絶縁性フィ
ルムを用いて多層配線を行うため２倍の配線を処理する
必要があり、新規な製造設備が必要である。また個別側
電極数が増大すると各電極の出力容量が大きくなり、こ
のため動作速度が劣化することや、もれ電流が大きくな
りＳＮ比が劣化する欠点があった。
この発明は、これらの欠点を解決するため、マトリクス
配線の多層配線部を光篭変換素子７レイの両側に配置し
たものである。以下、図面についてこの発明の詳細な説
明する。
配線の多層配線部を光篭変換素子７レイの両側に配置し
たものである。以下、図面についてこの発明の詳細な説
明する。
第２図はこの発明によるイメージセンサの等価回路図で
、素子数４０９６ドツトの場合を示している。１．〜１
３□は下傾１］個別側電極、１３．〜１６゜は上側個別
側電極、Ｃ，、、Ｃ，、・・・１ｃＩ２７は上側共通側
電極、Ｃ２，Ｃ４，・・・Ｉ Ｃ１２８は下側共通側電
極である。Ｒ０〜Ｒ４０ｆ１６ は光導電素子であり
、Ｃｄｓ、 Ｃｄ５ｅ、 Ｓｅなどの光電変換材料が
使われる。またホトダイオード、太陽電池などの他の光
電変換素子も使用可能である。
、素子数４０９６ドツトの場合を示している。１．〜１
３□は下傾１］個別側電極、１３．〜１６゜は上側個別
側電極、Ｃ，、、Ｃ，、・・・１ｃＩ２７は上側共通側
電極、Ｃ２，Ｃ４，・・・Ｉ Ｃ１２８は下側共通側電
極である。Ｒ０〜Ｒ４０ｆ１６ は光導電素子であり
、Ｃｄｓ、 Ｃｄ５ｅ、 Ｓｅなどの光電変換材料が
使われる。またホトダイオード、太陽電池などの他の光
電変換素子も使用可能である。
下側個別（１１１１電極１１〜１３２と上側共通側電極
ＣＩ。
ＣＩ。
Ｃ３，・・・ｌ Ｃ１２７がマトリクス結線されてお
り、また上側個別側電極１，３〜１ｏ４と下側共通側電
極Ｃ２゜Ｃ６，・・・Ｉ Ｃ＋２８がマトリクス結線
されている。したがって、上側、下側個別側多層配線部
は３２本の配線を処理すればよく、高密度化に有利とな
る。
り、また上側個別側電極１，３〜１ｏ４と下側共通側電
極Ｃ２゜Ｃ６，・・・Ｉ Ｃ＋２８がマトリクス結線
されている。したがって、上側、下側個別側多層配線部
は３２本の配線を処理すればよく、高密度化に有利とな
る。
第３図は第２図の実施例の駆動回路のプｐツク図を示し
ている。Ｓはこの発明によるイメージセンサ、１は上側
共通側電極のスイッチ回路、２は下側共通側電極のスイ
ッチ回路、３は上、下側個別側電極のスイッチ回路、４
はりｐンクバルス等を発生する制御回路、５はプリアン
プ等の出力回路である。
ている。Ｓはこの発明によるイメージセンサ、１は上側
共通側電極のスイッチ回路、２は下側共通側電極のスイ
ッチ回路、３は上、下側個別側電極のスイッチ回路、４
はりｐンクバルス等を発生する制御回路、５はプリアン
プ等の出力回路である。
第４図にタイミング波形として１２８画素までを例にと
り示している。上側、下側共通側１ｔａｃ、。
り示している。上側、下側共通側１ｔａｃ、。
Ｃ２，Ｃ，、Ｃ，をプルツク単位に交互に、下側。
上側個別側電極１〜１３２．１９３〜１，１４を順次駆
動することにより時系列の出力信号を取り出すことがで
きる。
動することにより時系列の出力信号を取り出すことがで
きる。
第５図は実際の構成例を示している。図では上側のみマ
トリクス結線の多層配線部を示している。
トリクス結線の多層配線部を示している。
６は多層配線用の絶縁膜で、例えばポリイミドフィルム
リードが用いられる。７は前記ポリイミドフィルムリー
ド６上にあらかじめ形成されているリード配線である。
リードが用いられる。７は前記ポリイミドフィルムリー
ド６上にあらかじめ形成されているリード配線である。
８は前記下側共通側電極１゜〜１３２とリード配線Ｔを
はんだ付けする個所である。多層配線部を上下に分けた
ことにより、従来のフィルムリードを製造方法を変える
ことなく使用できる。また第１図と第２図を比較してわ
かるように、第２図の実施例では全体の素子数が２＠に
なっているにもかかわらず、１つの個別側電極に並列に
接続される素子数が同じであるので各電極の出力容量、
もれ電流に関する条件も同等であり、したがって、動作
速度、ＳＮ比等も劣化することなく性能を確保すること
かできる。
はんだ付けする個所である。多層配線部を上下に分けた
ことにより、従来のフィルムリードを製造方法を変える
ことなく使用できる。また第１図と第２図を比較してわ
かるように、第２図の実施例では全体の素子数が２＠に
なっているにもかかわらず、１つの個別側電極に並列に
接続される素子数が同じであるので各電極の出力容量、
もれ電流に関する条件も同等であり、したがって、動作
速度、ＳＮ比等も劣化することなく性能を確保すること
かできる。
以上説明したように、この発明番１多層配線部を光電変
換素子７レイに対し両（ｆｌｕに振り分けた構成である
ので、多層配線部が簡単で、かつ動作速度。
換素子７レイに対し両（ｆｌｕに振り分けた構成である
ので、多層配線部が簡単で、かつ動作速度。
ＳＮ比等の性能を劣化させることなく、］６ドツト／朋
程度の高分解能のイメージセンサを実現できる利点があ
る。これより小形で経済的なファクシミリ等の読、み取
り系へ応用できる。
程度の高分解能のイメージセンサを実現できる利点があ
る。これより小形で経済的なファクシミリ等の読、み取
り系へ応用できる。
第１図は従来のイメージセンサの等価回路図、第２図は
この発明の一実施例を示すイメージセンサの等価回路図
、第３図は第２図の駆動回路のプｐツク図、第４図は動
作説明のためのタイミ ング波形図、第５図はこの発明
のイメージセンナの構成図である。 図中、１．〜１３□は下側個別側電極、１３．〜１ａ。 け上側個別側電極、Ｃ，、Ｃ３，・・・、ｃ１２□は上
側共通側電極、Ｃ１＋ Ｃ４＋・・・＋ Ｃｌ２ｇは下
側共通側電極、Ｒ１−Ｒ４０，。は光電変換素子である
。 第３図 ム 第４図 １９７〜１１２８ 第５図 Ｃ９
この発明の一実施例を示すイメージセンサの等価回路図
、第３図は第２図の駆動回路のプｐツク図、第４図は動
作説明のためのタイミ ング波形図、第５図はこの発明
のイメージセンナの構成図である。 図中、１．〜１３□は下側個別側電極、１３．〜１ａ。 け上側個別側電極、Ｃ，、Ｃ３，・・・、ｃ１２□は上
側共通側電極、Ｃ１＋ Ｃ４＋・・・＋ Ｃｌ２ｇは下
側共通側電極、Ｒ１−Ｒ４０，。は光電変換素子である
。 第３図 ム 第４図 １９７〜１１２８ 第５図 Ｃ９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 見 光電変換素子アレイ状に配置し、ブロック単位に共通側
電極を設け、前記ブロック単位の個別側電極をマトリク
ス結線したイメージセンサにおいて、前記各共通側′ｌ
ｌｔ極および個別側電極をブロック単位に前記光電変換
素子アレイに対し交互に両側に配置するとともＫ、多層
配線部を前記個別側電極側に設けたことを特徴とするイ
メージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56183056A JPS5885564A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56183056A JPS5885564A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885564A true JPS5885564A (ja) | 1983-05-21 |
Family
ID=16128960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56183056A Pending JPS5885564A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885564A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138964A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP56183056A patent/JPS5885564A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138964A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
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