JPS5884713A - セラミツクスの熱間静水圧プレス処理方法 - Google Patents
セラミツクスの熱間静水圧プレス処理方法Info
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- JPS5884713A JPS5884713A JP56182735A JP18273581A JPS5884713A JP S5884713 A JPS5884713 A JP S5884713A JP 56182735 A JP56182735 A JP 56182735A JP 18273581 A JP18273581 A JP 18273581A JP S5884713 A JPS5884713 A JP S5884713A
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- hip
- ceramics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は離型性の改善されたセラミックスの熱間静水圧
プレス（以下Ｉ（ＩＰと略記する）処理方法、特にガラ
スをカプセル材を含む二次圧力媒体として用いた前記Ｈ
ＩＰ処理方法に関するものである。
プレス（以下Ｉ（ＩＰと略記する）処理方法、特にガラ
スをカプセル材を含む二次圧力媒体として用いた前記Ｈ
ＩＰ処理方法に関するものである。
近年、熱効率の向上、燃料の節約、低公害、軽量化を口
折して高温ガスタービン、ディーゼルエンジン、ＭＨＤ
発電など高温で稼動する機器の開発が盛んであり、高温
構造材料の形成が注目されており、従来の耐熱金属で満
足な機械的強度を得るに至らないことから資源の乏しい
耐熱金属材料の節約という観点もあって、地上に豊富な
セラミックスの利用が進められている。とりわけ、か＼
るセラミックス高温材料の中で、高温下で充分な強度を
有し、化学的に安定で熱衝撃にも強い材料として窒化珪
素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（Ｓｉ）などは最も注目さ
れている。
折して高温ガスタービン、ディーゼルエンジン、ＭＨＤ
発電など高温で稼動する機器の開発が盛んであり、高温
構造材料の形成が注目されており、従来の耐熱金属で満
足な機械的強度を得るに至らないことから資源の乏しい
耐熱金属材料の節約という観点もあって、地上に豊富な
セラミックスの利用が進められている。とりわけ、か＼
るセラミックス高温材料の中で、高温下で充分な強度を
有し、化学的に安定で熱衝撃にも強い材料として窒化珪
素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（Ｓｉ）などは最も注目さ
れている。
従来、このようなＳｉ３Ｎ４ 焼結体等を製造する方
法としては、ＨＩＰ処理によりＳｉ３Ｎ４等を焼結させ
ることが知られており、例えば特開昭５１−７０２０８
号公報にＳｉ３Ｎ４粉末もしくはその予備成形体をガラ
スカプセルに封入、密封してＨＩ Ｐ処理を施す代表的
な方法が記載されている。
法としては、ＨＩＰ処理によりＳｉ３Ｎ４等を焼結させ
ることが知られており、例えば特開昭５１−７０２０８
号公報にＳｉ３Ｎ４粉末もしくはその予備成形体をガラ
スカプセルに封入、密封してＨＩ Ｐ処理を施す代表的
な方法が記載されている。
しかしながらこのようにガラスをカプセル材として使用
し、あるいは二次圧力媒体として使用するＨＩＰ処理に
おいては、ＨＩ−Ｐ処理時にガラスが焼結体表面へ浸透
し、表面附近に、Ｓｉ３Ｎ４とガラスとの反応層が生成
すると共にＳｉ３Ｎ４とガラスとの熱膨張係数の差によ
り焼結体角部が欠けたり、亀裂が発生する等の欠点があ
った。
し、あるいは二次圧力媒体として使用するＨＩＰ処理に
おいては、ＨＩ−Ｐ処理時にガラスが焼結体表面へ浸透
し、表面附近に、Ｓｉ３Ｎ４とガラスとの反応層が生成
すると共にＳｉ３Ｎ４とガラスとの熱膨張係数の差によ
り焼結体角部が欠けたり、亀裂が発生する等の欠点があ
った。
そのため、か＼る欠点を防止すべく、上記ＨＩＰ処理に
おいて、Ｓｉ３Ｎ４′ｆｒ、どセラミックス原料粉末を
予備成形し、表面にＢＮ粉等の離型剤をコーティングし
た後、これをガラスカプセル中に封入、あるいはガラス
浴中に入れＨＩＰ処理することが行なわれているが、実
際、ＢＮを十分に厚みをもち、かつ均一強固にコーティ
ングすることは難しく、特に異形品の場合には尚更で、
焼結体の変形や密度むらの原因となるのみならず、例え
ばスプレーによる吹きつけや、溶剤に混合して塗布して
も、その後の操作過程で剥れ落ちることが多く、塗布不
完全な部分でセラミックスとガラスが接触して反応し、
焼結体との接着が起り、処理後の離型が困難となり又、
ガラスが浸透する深さは、ガラスの種類と、ＨＩＰ処理
の温度、圧力によっては、０．５〜１Ｍにも達するので
、コーティング層の厚さに少くとも１ ｍｎｒ程度要す
るが、上記手段によってはか＼る厚さのコーティングを
行なうことは極めて困難である。
おいて、Ｓｉ３Ｎ４′ｆｒ、どセラミックス原料粉末を
予備成形し、表面にＢＮ粉等の離型剤をコーティングし
た後、これをガラスカプセル中に封入、あるいはガラス
浴中に入れＨＩＰ処理することが行なわれているが、実
際、ＢＮを十分に厚みをもち、かつ均一強固にコーティ
ングすることは難しく、特に異形品の場合には尚更で、
焼結体の変形や密度むらの原因となるのみならず、例え
ばスプレーによる吹きつけや、溶剤に混合して塗布して
も、その後の操作過程で剥れ落ちることが多く、塗布不
完全な部分でセラミックスとガラスが接触して反応し、
焼結体との接着が起り、処理後の離型が困難となり又、
ガラスが浸透する深さは、ガラスの種類と、ＨＩＰ処理
の温度、圧力によっては、０．５〜１Ｍにも達するので
、コーティング層の厚さに少くとも１ ｍｎｒ程度要す
るが、上記手段によってはか＼る厚さのコーティングを
行なうことは極めて困難である。
そこで、か＼る実情に対応し、本出願人は前記の如きセ
ラミックス予備成形体あるいは、予備焼結体をＢＮ粉米
中に埋設し、これを加圧成形することによって単純形状
のブロックとなし、その後、該ブロックを覆うようにガ
ラスを配置して、これをルツボに入れ、しかる後、ガラ
スを軟化し、ＨＩＰ処理する方法をさきに提案した。
ラミックス予備成形体あるいは、予備焼結体をＢＮ粉米
中に埋設し、これを加圧成形することによって単純形状
のブロックとなし、その後、該ブロックを覆うようにガ
ラスを配置して、これをルツボに入れ、しかる後、ガラ
スを軟化し、ＨＩＰ処理する方法をさきに提案した。
しかしながら、この方法もガラスとＢＮ粉末は一応別個
に配置され、結局ＢＮ粉末をコーティングした場合と同
様であり、処理後の離型に際し、ガラス層の除去に稍々
難があることが判明した。
に配置され、結局ＢＮ粉末をコーティングした場合と同
様であり、処理後の離型に際し、ガラス層の除去に稍々
難があることが判明した。
かくて、本発明は、従来のガラスカプセル等を用いたＨ
ＩＰ処理によるセラミックス焼結体のＨＩＰ処理法の改
善を図ると共に前記提案を発展させＢＮ粉末等、を特に
圧力媒体としてのガラス内に混合してガラスを脆化させ
、或は両者の熱膨張の差にもとづく効果により更に離型
性を向」二せしめるものであり、前記ＢＮ粉末等、ガラ
スと反応せず、かつＨＩＰ温度において同相で浮遊して
いる粉末を二次圧力媒体としてのガラスカプセル材又は
ガラス洛中に５〜３０重量％添加混合し、か＼る混合体
を被処理セラミックス成形体の周りに配してＨＩＰ処理
することを特徴とする。
ＩＰ処理によるセラミックス焼結体のＨＩＰ処理法の改
善を図ると共に前記提案を発展させＢＮ粉末等、を特に
圧力媒体としてのガラス内に混合してガラスを脆化させ
、或は両者の熱膨張の差にもとづく効果により更に離型
性を向」二せしめるものであり、前記ＢＮ粉末等、ガラ
スと反応せず、かつＨＩＰ温度において同相で浮遊して
いる粉末を二次圧力媒体としてのガラスカプセル材又は
ガラス洛中に５〜３０重量％添加混合し、か＼る混合体
を被処理セラミックス成形体の周りに配してＨＩＰ処理
することを特徴とする。
以下、更に本発明の具体的な内容について詳細に説明す
る。
る。
先ず、本発明方法の基本的な構成は、焼結助剤を含み又
は含まない５１３Ｎ４粉末又はＳｉＣ粉末子備成形体あ
るいはこれを予備焼結した予備焼結体等からなるセラミ
ックス粉末成形体をガラスカプセル中に封入し、あるい
はガラス洛中に入れ、該ガラスを二次圧力媒体としてＨ
ＩＰ処理を行なうことである。
は含まない５１３Ｎ４粉末又はＳｉＣ粉末子備成形体あ
るいはこれを予備焼結した予備焼結体等からなるセラミ
ックス粉末成形体をガラスカプセル中に封入し、あるい
はガラス洛中に入れ、該ガラスを二次圧力媒体としてＨ
ＩＰ処理を行なうことである。
こ＼で、前記Ｓｉ３Ｎ４粉末成形体等の作成は圧縮成形
、射出成形あるいはＮ２ガス雰囲気焼結法、ホットプレ
ス焼結法等既知の手段によって行なわれたものであり、
Ｙ２Ｏ３粉、Ａｎ２０３粉末、ＭｇＯ粉末等の焼結助剤
を添加するときはこれら添加量はＳｉ３Ｎ４粉末に対し
て１０重量％以下であることが好ましく、又、成形体の
相対密度は特に高密度は必要なく、９２％以下の開気孔
を有する成形体に適用できることは言うまでもない。
、射出成形あるいはＮ２ガス雰囲気焼結法、ホットプレ
ス焼結法等既知の手段によって行なわれたものであり、
Ｙ２Ｏ３粉、Ａｎ２０３粉末、ＭｇＯ粉末等の焼結助剤
を添加するときはこれら添加量はＳｉ３Ｎ４粉末に対し
て１０重量％以下であることが好ましく、又、成形体の
相対密度は特に高密度は必要なく、９２％以下の開気孔
を有する成形体に適用できることは言うまでもない。
なお、前記セラミックス材としＡｌ２Ｏ３、ＴｉＣ−Ａ
Ａ’＋０３を用いることもある。
Ａ’＋０３を用いることもある。
本発明で使用する前記ガラスとしては高温でのＨＩＰ処
理を行なうため高軟化点のシリケートガラス、例えばシ
リカガラス、パイコールガラス、パイレックスガラスあ
るいはこれらの混合物である。
理を行なうため高軟化点のシリケートガラス、例えばシ
リカガラス、パイコールガラス、パイレックスガラスあ
るいはこれらの混合物である。
そして、か＼るガラスは第１図に図示する如く予め容器
状に形成されている所謂ＨＩＰ用ガラスカプセル（１）
としてその内部に被処理成形体（２）を封入するように
してもよく、叉第２図に図示する如くグラファイトルツ
ボ（３）に収容されたガラス浴（４）としてその中の被
処理成形体（２）に対し二次圧力媒体の役割をもたせる
ようにしてもよいが、何れにしても該ガラスがＨＩＰ処
理時における二次圧力媒体をなし、被処理体（２）の周
りに存在していることが肝要である。
状に形成されている所謂ＨＩＰ用ガラスカプセル（１）
としてその内部に被処理成形体（２）を封入するように
してもよく、叉第２図に図示する如くグラファイトルツ
ボ（３）に収容されたガラス浴（４）としてその中の被
処理成形体（２）に対し二次圧力媒体の役割をもたせる
ようにしてもよいが、何れにしても該ガラスがＨＩＰ処
理時における二次圧力媒体をなし、被処理体（２）の周
りに存在していることが肝要である。
以上のような本発明の基本的構成において、本発明の特
徴は、前記ガラスに対しＢＮ粉末、Ｂ４Ｃ粉末の如き、
ガラスと反応せず、かっＨＩＰ温度において固相状態で
浮遊している粉末を混合分散せしめることである。なお
、混合粉末として５ｉＣ１を使用することもできる。
徴は、前記ガラスに対しＢＮ粉末、Ｂ４Ｃ粉末の如き、
ガラスと反応せず、かっＨＩＰ温度において固相状態で
浮遊している粉末を混合分散せしめることである。なお
、混合粉末として５ｉＣ１を使用することもできる。
か＼る粉末は通常、ガラスとのぬれ性が悪いものであり
、かつガラスに対し熱膨張に差を有している。従ってＨ
ＩＰ処理後にその熱膨張差によりもろく、クランクが入
り易い一面を有し、ガラスの厚い層に比し外力によって
こわれ易く離型を容易ならしめる。
、かつガラスに対し熱膨張に差を有している。従ってＨ
ＩＰ処理後にその熱膨張差によりもろく、クランクが入
り易い一面を有し、ガラスの厚い層に比し外力によって
こわれ易く離型を容易ならしめる。
なお、ＢＮ等の粉末のガラスへの混合割合は５〜３０容
量％、就中５〜２０容量％が好ましく５容量％以下では
被処理成形体へのガラスの付着が避けられず、一方、３
０容量％以上では二次圧力媒体としての役割を阻害し、
被処理成形体の十分な緻密化を果せない結果を招く。
量％、就中５〜２０容量％が好ましく５容量％以下では
被処理成形体へのガラスの付着が避けられず、一方、３
０容量％以上では二次圧力媒体としての役割を阻害し、
被処理成形体の十分な緻密化を果せない結果を招く。
通常、ＢＮ粉末等は前述の如くガラスとのぬれ性が悪い
ので、ＨＩＰ処理中にガラス中に分散し ゛た該粉
末が成形体の周りに凝集し、離型剤として特に成形体に
塗布するまでもなく離型効果を達成する。そのためには
、前記混合割合は凝集による離型効果を満足するもので
ある。
ので、ＨＩＰ処理中にガラス中に分散し ゛た該粉
末が成形体の周りに凝集し、離型剤として特に成形体に
塗布するまでもなく離型効果を達成する。そのためには
、前記混合割合は凝集による離型効果を満足するもので
ある。
しかし、勿論被処理成形体に薄いＢＮ等の粉末層をスプ
レー等で塗布しておくことを妨げるものではなく、むし
ろ該粉末層は従来の厚い塗布層に比し極めて薄い層だけ
で十分その目的を達し得る利点がある。好ましいか＼る
粉末の粒径としては、０．１〜１０μであり、実用的に
は１〜５μである。
レー等で塗布しておくことを妨げるものではなく、むし
ろ該粉末層は従来の厚い塗布層に比し極めて薄い層だけ
で十分その目的を達し得る利点がある。好ましいか＼る
粉末の粒径としては、０．１〜１０μであり、実用的に
は１〜５μである。
しかしてか＼るＨＩＰ時、固相状態を保持し、不溶の粉
末のガラスへの混入時期は、ガラスカプセル作成前、又
はガラス浴作成前であることが、工業上有利であり、一
般的にはガラスピーズに対し添加し混合する。この場合
、この粉末混合がラスビーズは好ましい状態からすれば
一旦所要の温度、時間で例えばパイレックスガラスの場
合には１４００°Ｃ，２時間で溶融し均一な粉末混合ガ
ラスインゴットに形成し、ボールミル等、既知の粉砕手
段で粉砕することによって粉末状混合ガラスとし、ガラ
スカプセルあるいは該混合ガラス粉末をグラファイトル
ツボ中に入れ、被処理成形体を埋め込み、ガラス浴形成
用ガラスとする。
末のガラスへの混入時期は、ガラスカプセル作成前、又
はガラス浴作成前であることが、工業上有利であり、一
般的にはガラスピーズに対し添加し混合する。この場合
、この粉末混合がラスビーズは好ましい状態からすれば
一旦所要の温度、時間で例えばパイレックスガラスの場
合には１４００°Ｃ，２時間で溶融し均一な粉末混合ガ
ラスインゴットに形成し、ボールミル等、既知の粉砕手
段で粉砕することによって粉末状混合ガラスとし、ガラ
スカプセルあるいは該混合ガラス粉末をグラファイトル
ツボ中に入れ、被処理成形体を埋め込み、ガラス浴形成
用ガラスとする。
なお、ガラス浴形成用ガラスは更に真空炉等で一旦、溶
融温度以上に加熱することによって被処理成形体の周り
を囲む浴を形成し、爾後のＨＩＰ処理工程へ移行する。
融温度以上に加熱することによって被処理成形体の周り
を囲む浴を形成し、爾後のＨＩＰ処理工程へ移行する。
なお、叙上のようにしてＢＮ粉末等を混合分散したガラ
スを被処理成形体の周りに配した後は、これは次いでＨ
ＩＰ炉に装入され、ＨＩＰ処理に付されるがＨＩＰ処理
は他の多くのＨＩＰ処理と同様、Ａｒガス、Ｎ２ ガス
等の不活性ガス雰囲気下で昇温、昇圧し所定の高温高圧
下で等方圧縮を行なう。
スを被処理成形体の周りに配した後は、これは次いでＨ
ＩＰ炉に装入され、ＨＩＰ処理に付されるがＨＩＰ処理
は他の多くのＨＩＰ処理と同様、Ａｒガス、Ｎ２ ガス
等の不活性ガス雰囲気下で昇温、昇圧し所定の高温高圧
下で等方圧縮を行なう。
ＨＩＰ温度としては、被処理成形体の種類により異なり
、１０００℃以上の温度が可能であるが、セラミックス
は、焼結温度が高く、比較的高温で処理する必要がある
のでこれに合わせてガラスの種類が選ばれる。Ｓｉ３Ｎ
４の場合ＨＩＰ温度は通常は１４００°Ｃ以上、好まし
くは１６００〜１９００°Ｃである。しかし被処理成形
体の種類により２０００°Ｃ位も可能であるが当然、被
処理成形体の分解温度以下でなければならず、殊に分解
温度自体もＨＩＰ時の圧力の上昇と共に高くなるので少
くともそのＨＩＰ処理処理圧力における分解温度よりも
１００°Ｃ低い温度よシ以下で行なうことが好適である
。
、１０００℃以上の温度が可能であるが、セラミックス
は、焼結温度が高く、比較的高温で処理する必要がある
のでこれに合わせてガラスの種類が選ばれる。Ｓｉ３Ｎ
４の場合ＨＩＰ温度は通常は１４００°Ｃ以上、好まし
くは１６００〜１９００°Ｃである。しかし被処理成形
体の種類により２０００°Ｃ位も可能であるが当然、被
処理成形体の分解温度以下でなければならず、殊に分解
温度自体もＨＩＰ時の圧力の上昇と共に高くなるので少
くともそのＨＩＰ処理処理圧力における分解温度よりも
１００°Ｃ低い温度よシ以下で行なうことが好適である
。
またＨＩＰ圧力は５００気圧以上で行うのがよく、５０
０気圧以下ではＨＩ Ｐ処理に長時間を要すると共に、
５１３Ｎ４の分解反応量が時間に比例して大きくなるた
め焼結体の重量減少を招くのみならず、高密度化自体が
達成し難くなる。従ってＨＩＰ圧力は少くとも５００気
圧、好ましくは７００気圧以上にすることが望まれる。
０気圧以下ではＨＩ Ｐ処理に長時間を要すると共に、
５１３Ｎ４の分解反応量が時間に比例して大きくなるた
め焼結体の重量減少を招くのみならず、高密度化自体が
達成し難くなる。従ってＨＩＰ圧力は少くとも５００気
圧、好ましくは７００気圧以上にすることが望まれる。
しかし、ＨＩＰ圧力は高ければ高い程、Ｓｉ３Ｎ４の分
解反応が抑止され高密度化が達成され易いが、昇圧に時
間がかかり、かつ、昇圧用のコンプレッサをはじめ本体
圧力容器などＨＩＰ処理装置が大型化するので実用的で
なくなる。従って実用的には２５００気圧までの圧力で
ＨＩＰ処理することが望ましい。
解反応が抑止され高密度化が達成され易いが、昇圧に時
間がかかり、かつ、昇圧用のコンプレッサをはじめ本体
圧力容器などＨＩＰ処理装置が大型化するので実用的で
なくなる。従って実用的には２５００気圧までの圧力で
ＨＩＰ処理することが望ましい。
またＨＩＰ処理時間は２０分〜５時間の範囲で処理する
ことが好ましい。
ことが好ましい。
第３図、第４図は前記ＨＩＰ処理処理圧けるガラスとＢ
Ｎ粉末等とのぬれ性の悪さからくる粉末凝縮の状態を示
しており、ＨＩＰ温度において前記ガラス部分は溶融す
るとしても、粉末はガラスと反応せず、かつＨＩＰ温度
において同相状態を保持していて成形体（２）の周りに
ＢＮ等の粉末層（５）として凝集し、層を形成して外殻
をなすガラスとＢＮ粉末との混合部分（１）との間にガ
ラスのみによる部分（６）を介在せしめて、全体として
離型剤を特に塗布、吹付しないに拘らず離型を容易なら
しめる状態を現出している。
Ｎ粉末等とのぬれ性の悪さからくる粉末凝縮の状態を示
しており、ＨＩＰ温度において前記ガラス部分は溶融す
るとしても、粉末はガラスと反応せず、かつＨＩＰ温度
において同相状態を保持していて成形体（２）の周りに
ＢＮ等の粉末層（５）として凝集し、層を形成して外殻
をなすガラスとＢＮ粉末との混合部分（１）との間にガ
ラスのみによる部分（６）を介在せしめて、全体として
離型剤を特に塗布、吹付しないに拘らず離型を容易なら
しめる状態を現出している。
このようにしてＨＩＰ処理されたガラスカプセル又はグ
ラファイトルツボ中のガラスは緻密化された成形体と共
に取り出され、冷却されて次のガラス除去作業において
除去されるが、ＢＮ粉末等を混合した本発明ガラスにお
いては冷却時、両者の熱膨張の差によって微小なりラッ
クの発現があり両者ぬれ性が悪いため軽い衝撃を加える
だけで容易に離型し、簡単に処理済焼結体を分離する。
ラファイトルツボ中のガラスは緻密化された成形体と共
に取り出され、冷却されて次のガラス除去作業において
除去されるが、ＢＮ粉末等を混合した本発明ガラスにお
いては冷却時、両者の熱膨張の差によって微小なりラッ
クの発現があり両者ぬれ性が悪いため軽い衝撃を加える
だけで容易に離型し、簡単に処理済焼結体を分離する。
かくして本発明方法によればガラスを二次圧力媒体とし
て使用するにあたり、処理後の離型作業が簡易化され、
作業合理化を果すと共に、ＨＩＰ処理には何らの障害は
なく処理済焼結体にあってもガラスのクラックによる除
去の容易さから通常のＨＩＰ処理焼結体に比し何ら遜色
なく充分高密度化が可能であり、高密度セラミックス焼
結体の製造時における作業工程の簡素化の一環としてそ
の実効性が期待される。
て使用するにあたり、処理後の離型作業が簡易化され、
作業合理化を果すと共に、ＨＩＰ処理には何らの障害は
なく処理済焼結体にあってもガラスのクラックによる除
去の容易さから通常のＨＩＰ処理焼結体に比し何ら遜色
なく充分高密度化が可能であり、高密度セラミックス焼
結体の製造時における作業工程の簡素化の一環としてそ
の実効性が期待される。
以下、本発明方法を実施例によって更に具体的に説明す
る。
る。
（実施例１）
粒径１朋のパイレックスビーズ（軟化点８２０°Ｃ）に
平均粒径２μのＢＮ粉末を１５容量％添加混合したもの
を１４００°Ｃ，２時間溶融し、均一なりＮ混合ガラス
インゴットを得た。このものはボールミルにより容易に
微粉石卆され粉末状のガラスとなった。
平均粒径２μのＢＮ粉末を１５容量％添加混合したもの
を１４００°Ｃ，２時間溶融し、均一なりＮ混合ガラス
インゴットを得た。このものはボールミルにより容易に
微粉石卆され粉末状のガラスとなった。
次に、とのＢＮ混合ガラス粉末を第２図に示すようにグ
ラファイトルツボ中に入れその中に５ｉｓＮ４粉末成形
体を埋め込んだ。そして、これを真空炉で１２００°Ｃ
，２時間の加熱を行ない埋設したＳｉ３Ｎ、成形体がガ
ラスの連続体で覆われるようにした後、ＨＩＰ炉内で１
７００°Ｃ，１１０００ａｔ。
ラファイトルツボ中に入れその中に５ｉｓＮ４粉末成形
体を埋め込んだ。そして、これを真空炉で１２００°Ｃ
，２時間の加熱を行ない埋設したＳｉ３Ｎ、成形体がガ
ラスの連続体で覆われるようにした後、ＨＩＰ炉内で１
７００°Ｃ，１１０００ａｔ。
で１時間ＨＩＰ処理した。かくして処理後取り出し、冷
却するとき、グラファイトルツボ中のガラスには微小な
りラックが多数認められ軽い衝撃を与えることによりＳ
ｉ３Ｎ４とガラスの離型が容易にてき離型性は頗る良好
であった。又、処理後のＳｉ３Ｎ４焼結体の表面粗さは
通常の焼結体に比べて遜色なく、むしろ非常に良好であ
った。
却するとき、グラファイトルツボ中のガラスには微小な
りラックが多数認められ軽い衝撃を与えることによりＳ
ｉ３Ｎ４とガラスの離型が容易にてき離型性は頗る良好
であった。又、処理後のＳｉ３Ｎ４焼結体の表面粗さは
通常の焼結体に比べて遜色なく、むしろ非常に良好であ
った。
（実施例２〜８）
次に実施例１に準じ、夫々ガラスの種類、粉末の種類及
び添加量、被処理物を変え、これに合わせてＨＩＰ条件
を変えて離型性を調べた。その結果を次表に示す。
び添加量、被処理物を変え、これに合わせてＨＩＰ条件
を変えて離型性を調べた。その結果を次表に示す。
（以下、 卆′Ｆ３）
上記各実施例より本発明方法を実施する粉末混合ガラス
によるものは、所要の割合において十分所期の離型目的
を達し、かつＨＩＰ処理による緻密化が図られることが
理解される。
によるものは、所要の割合において十分所期の離型目的
を達し、かつＨＩＰ処理による緻密化が図られることが
理解される。
第１図はカプセル法による被処理成形体封入態様を、又
第２図はガラス浴法による同じく被処理成形体封入態様
を示す各概要図、第３図及び第４図は粉末層凝集状態を
示す図で第３図は全体図、第３図Ａ部分拡大図である。 特許出願人 株式会社 神戸製鋼所 １５− １６− 第２因 第４図 ら
第２図はガラス浴法による同じく被処理成形体封入態様
を示す各概要図、第３図及び第４図は粉末層凝集状態を
示す図で第３図は全体図、第３図Ａ部分拡大図である。 特許出願人 株式会社 神戸製鋼所 １５− １６− 第２因 第４図 ら
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シリケート系ガラスを二次圧力媒体としてセラミッ
クス粉末成形体を熱間静水圧プレス処理する方法におい
て、前記シリケート系ガラスに該ガラスと反応せず、か
つ熱間静水圧プレス処理温度において同相で浮遊してい
る粉末を５〜３０容量％添加混合した混合体を前記被処
理成形体の周りに配して前記熱間静水圧プレス処理を行
うことを特徴とするセラミックスの熱間静水圧プレス処
理方法 ２、シリケート系ガラスがシリカガラス、バイコールガ
ラス、パイレックスガラスから選ばれたガラスである特
許請求の範囲第１項記載のセラミックスの熱間静水圧プ
レス処理方法 ３、添加粉末がＢＮ粉末である特許請求の範囲第１項又
は第２項記載のセラミックスの熱間静水圧プレス処理方
法 ４、添加粉末が炭化硼素（Ｂ４Ｃ）である特許請求の範
囲第１項又は第２項記載のセラミックスの熱間静水圧プ
レス処理方法 ５、添加粉末の粒度が０．１〜１０μである特許請求６
被処理成形体カｓ ｉ３Ｎ４ 、ＳｉＣ，ＡＡ’＋Ｏａ
、Ｔｉｃ −ＡＩ！２０３から選ばれた粉末成形体で
ある特許請求の
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182735A JPS5884713A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | セラミツクスの熱間静水圧プレス処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182735A JPS5884713A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | セラミツクスの熱間静水圧プレス処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884713A true JPS5884713A (ja) | 1983-05-20 |
| JPS63395B2 JPS63395B2 (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=16123516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56182735A Granted JPS5884713A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | セラミツクスの熱間静水圧プレス処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884713A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04346828A (ja) * | 1991-05-22 | 1992-12-02 | Kozo Ishizaki | 見かけ無重量下での材料の処理方法 |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56182735A patent/JPS5884713A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04346828A (ja) * | 1991-05-22 | 1992-12-02 | Kozo Ishizaki | 見かけ無重量下での材料の処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63395B2 (ja) | 1988-01-06 |
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