JPS5884508A - ダブルバランスド・ミクサ−装置 - Google Patents
ダブルバランスド・ミクサ−装置Info
- Publication number
- JPS5884508A JPS5884508A JP18356181A JP18356181A JPS5884508A JP S5884508 A JPS5884508 A JP S5884508A JP 18356181 A JP18356181 A JP 18356181A JP 18356181 A JP18356181 A JP 18356181A JP S5884508 A JPS5884508 A JP S5884508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- terminal
- terminals
- frequency signal
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1408—Balanced arrangements with diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は入力高周波信号と局部発振信号から中間周波信
号を得るようにしたダイオード式ダブルバランスド−ミ
クサー装置に関するもので、特に相互変調妨害比を改善
することを目的とするものである。
号を得るようにしたダイオード式ダブルバランスド−ミ
クサー装置に関するもので、特に相互変調妨害比を改善
することを目的とするものである。
従来のダブルバランスド−・ミクサー装置の一例を第１
図に示す。これを説明すると、端子７より高周波信号が
バラン６に入り、端子８より局部発振信号が前記バラン
６に入る。そして、その出力は端子ａ、ｂに与えられ、
リング状に接続された４個のダイオード１，２，３．４
よりなるミクサー回路１０で混合され、端子Ｃ，ｄ間に
中間周波信号が現われる。この中間周波信号はノ（ラン
６より端子９に取り出されるように構成されている。
図に示す。これを説明すると、端子７より高周波信号が
バラン６に入り、端子８より局部発振信号が前記バラン
６に入る。そして、その出力は端子ａ、ｂに与えられ、
リング状に接続された４個のダイオード１，２，３．４
よりなるミクサー回路１０で混合され、端子Ｃ，ｄ間に
中間周波信号が現われる。この中間周波信号はノ（ラン
６より端子９に取り出されるように構成されている。
゛しかじ、この従来例は単に４個のダイオードをす３
／＼− ング状に接続しであるだけで、その特性のバラツキによ
って相互変調妨害比が劣化するという欠点があった。
／＼− ング状に接続しであるだけで、その特性のバラツキによ
って相互変調妨害比が劣化するという欠点があった。
本発明はそのような従来例の欠点を除去するようにした
ものであり、以下その実施例を図面とともに説明する。
ものであり、以下その実施例を図面とともに説明する。
第２図において、高周波信号は高周波信号入力端子７か
らバラン６に入り９局部発振信号は局部発振信号入力端
子８から前記バラン６に入る。前記バラン６からの高周
波信号と局部発振信号は直流阻止用のコンデンサ１１．
１２を通してミクサー回路１３の端子ａ、 ｂに与えら
れる。ここで、上記ミクサー回路１３は、端子ａ。
らバラン６に入り９局部発振信号は局部発振信号入力端
子８から前記バラン６に入る。前記バラン６からの高周
波信号と局部発振信号は直流阻止用のコンデンサ１１．
１２を通してミクサー回路１３の端子ａ、 ｂに与えら
れる。ここで、上記ミクサー回路１３は、端子ａ。
０間に第１のダイオード１４と第１の抵抗１６の直列接
続回路を接続し、端子Ｃ９′ｂ間に第２のダイオード１
６を接続し、端子す、 ｄ間に第３のダイオード１７
と第２の抵抗１８の直列接続回路を接続し、端子ｄ、ａ
間に第４のダイオード１９を図示のように接続し、さら
に、上記第１の抵抗１６と第２の抵抗１８にそれぞれ高
周波信号通過用の第１．第２のコンデンサ２０．２１を
並列に接続し、また、上記第１のダイオード１４と第１
の抵抗１６の接続点ｅと、上記第３のダイオード１７と
第２の抵抗１Ｂの接続点ｉの間に、第３の抵抗２２と第
４の抵抗２３を直列に接続し、それらの第３の抵抗２２
と第４の抵抗２３．の接続点を逆バイアス電圧供給端子
２４に接続した構成となっている。上記ミクサー回路１
３の端子ｃ、 ｄ間から得られる中間周波信号はバラン
６を経て中間周波信号出力端子９から取シ出される。前
記バラン６によって前記第４のダイオード１９のアノー
ド側および前記第２のダイオード１６のアノード側はア
ース電位と同電位となっているために、逆バイアス電圧
供給端子２４に逆バイアス電圧を印加すると同時に４個
のダイオード１４，１６，１７゜１９にバイアスされた
ことになる。このようにダイオードに最適な逆バイアス
電圧を印加すると相互変調妨害比を改善できることは知
られているが。
続回路を接続し、端子Ｃ９′ｂ間に第２のダイオード１
６を接続し、端子す、 ｄ間に第３のダイオード１７
と第２の抵抗１８の直列接続回路を接続し、端子ｄ、ａ
間に第４のダイオード１９を図示のように接続し、さら
に、上記第１の抵抗１６と第２の抵抗１８にそれぞれ高
周波信号通過用の第１．第２のコンデンサ２０．２１を
並列に接続し、また、上記第１のダイオード１４と第１
の抵抗１６の接続点ｅと、上記第３のダイオード１７と
第２の抵抗１Ｂの接続点ｉの間に、第３の抵抗２２と第
４の抵抗２３を直列に接続し、それらの第３の抵抗２２
と第４の抵抗２３．の接続点を逆バイアス電圧供給端子
２４に接続した構成となっている。上記ミクサー回路１
３の端子ｃ、 ｄ間から得られる中間周波信号はバラン
６を経て中間周波信号出力端子９から取シ出される。前
記バラン６によって前記第４のダイオード１９のアノー
ド側および前記第２のダイオード１６のアノード側はア
ース電位と同電位となっているために、逆バイアス電圧
供給端子２４に逆バイアス電圧を印加すると同時に４個
のダイオード１４，１６，１７゜１９にバイアスされた
ことになる。このようにダイオードに最適な逆バイアス
電圧を印加すると相互変調妨害比を改善できることは知
られているが。
本発明はその第３の抵抗２２と第４の抵抗２３の接続点
から逆バイアス電圧を印加し、相互変調妨害化を改善す
るように構成したものである。
から逆バイアス電圧を印加し、相互変調妨害化を改善す
るように構成したものである。
６１＼−。
第３図は本発明の他の実施例を示す図で、これは上述の
第２図の実施例において第１の抵抗１６を第１の定電圧
ダイオード２６に、第２の抵抗１８を第２の定電圧ダイ
オード２６に置き換えたものである。その他の構成は同
じである°ので、対応するものには同一の符号を付して
いる。この場合にも高周波信号と局部発振信号の取り入
れから中間′信号の取り出しまでの信号の流れに変わり
はない。
第２図の実施例において第１の抵抗１６を第１の定電圧
ダイオード２６に、第２の抵抗１８を第２の定電圧ダイ
オード２６に置き換えたものである。その他の構成は同
じである°ので、対応するものには同一の符号を付して
いる。この場合にも高周波信号と局部発振信号の取り入
れから中間′信号の取り出しまでの信号の流れに変わり
はない。
しかし、前記第１の抵抗１６．第２の抵抗１８を前記第
１の定電圧ダイオード２６．第２の定電圧ダイオード２
６に置き換えたことで、逆バイアス電圧供給端子２４に
印加する逆バイアス電圧を相互変調妨害比が最良となり
得る値に一定さ′せることかできるので、安定した逆バ
イアス電圧を４個のダイオード１４，１６，１７，１９
に供給できる効果が得られる。
１の定電圧ダイオード２６．第２の定電圧ダイオード２
６に置き換えたことで、逆バイアス電圧供給端子２４に
印加する逆バイアス電圧を相互変調妨害比が最良となり
得る値に一定さ′せることかできるので、安定した逆バ
イアス電圧を４個のダイオード１４，１６，１７，１９
に供給できる効果が得られる。
以上のように、ミクサー回路を構成するダイオードに逆
バイアス電圧を第３の抵抗２２と第４の抵抗２３の接続
点から印加するように構成することにより、上記逆バイ
アス電圧供給端子２４に印６ ベー／ 加する逆バイアス電圧を変化させて相互変調妨害比を改
善できるといった優れた効果が得られるものである。
バイアス電圧を第３の抵抗２２と第４の抵抗２３の接続
点から印加するように構成することにより、上記逆バイ
アス電圧供給端子２４に印６ ベー／ 加する逆バイアス電圧を変化させて相互変調妨害比を改
善できるといった優れた効果が得られるものである。
特に第３図に示したように定電圧ダイオードを接続すれ
ば、ミクサー用ダイオードには安定した逆バイアス電圧
を印加することができ、さらに。
ば、ミクサー用ダイオードには安定した逆バイアス電圧
を印加することができ、さらに。
その定電圧印加状態では、定電圧ダイオードが低インピ
ーダンスであるために１局部発振信号の変化の影響がミ
クサー用ダイオ−、ドの逆バイアス電圧に変化を与えな
い。そのため常に最良の相互変調妨害比を維持でき、そ
の逆バイアス電圧は逆バイアス電圧供給端子２４の一ケ
所から簡単な回路構成で供給できるという利点がある。
ーダンスであるために１局部発振信号の変化の影響がミ
クサー用ダイオ−、ドの逆バイアス電圧に変化を与えな
い。そのため常に最良の相互変調妨害比を維持でき、そ
の逆バイアス電圧は逆バイアス電圧供給端子２４の一ケ
所から簡単な回路構成で供給できるという利点がある。
以上のように９本発明は抵抗、定電圧ダイオード、コン
デンサより成るインピーダンス素子をミクサー用ダイオ
ードに直列に接続するとともに。
デンサより成るインピーダンス素子をミクサー用ダイオ
ードに直列に接続するとともに。
別の抵抗を介してミクサダイオードに逆バイアス電圧を
印加する構成により、相互変調妨害比を著しく改善し得
るダブルバランスド会ミク？−ｉｔを提供することがで
きるものである。
印加する構成により、相互変調妨害比を著しく改善し得
るダブルバランスド会ミク？−ｉｔを提供することがで
きるものである。
第１図は従来のダブルバランスド・ミクサー装置の回路
図、第２図、および第３図はそれぞれ本発明の各実施例
にかかるダブルバランスド・ミクサー装置の回路図であ
る。 ６．６・・・・・・バラン、７・・・・・・高周波信号
入力端子、８・・・・・・局部発振信号入力端子、９・
・・・・・中間周波信号出力端子、１３．１３’・・・
・・・ミクサー回路、１４，１６，１７．１９・・・・
・・ダイオード、１５． １８． ２２． ２３１・・
・・抵抗、２０゜２１・・・・・コンデンサ、２４・・
・・・逆バイアス電圧供給端子、２５．２６・・・・・
定電圧ダイオード、ａ、 ｂ、 ｃ、 ｄ・・・
・・・端子。
図、第２図、および第３図はそれぞれ本発明の各実施例
にかかるダブルバランスド・ミクサー装置の回路図であ
る。 ６．６・・・・・・バラン、７・・・・・・高周波信号
入力端子、８・・・・・・局部発振信号入力端子、９・
・・・・・中間周波信号出力端子、１３．１３’・・・
・・・ミクサー回路、１４，１６，１７．１９・・・・
・・ダイオード、１５． １８． ２２． ２３１・・
・・抵抗、２０゜２１・・・・・コンデンサ、２４・・
・・・逆バイアス電圧供給端子、２５．２６・・・・・
定電圧ダイオード、ａ、 ｂ、 ｃ、 ｄ・・・
・・・端子。
Claims (2)
- （１）第１．第２．第３．第４の端子を有し、かつ前記
第１の端子と第２の端子間に第１のダイオードと第１の
インピーダンス素子の直列回路を、前記第２の端子と第
３の端子間に第２のダイオードを、前記第３の端子と第
４の端子間に第３のダイオードと第２のインピーダンス
素子を、そして前記第４の端子と第１の端子間に第４の
ダイオードを接続し、前記第１のダイオードと第１のイ
ンピーダンス素子の接続点と前記第３のダイオードと第
２のインピーダンス素子の接続点をそれぞれ抵抗を介し
て逆バイアスぜ圧供給端子に接続して構成したミクサー
回路を具備し、前記第１および第３の端子には高周波信
号および局部発振信号を供給するごとくシ、前記第２お
よび第４の端子から中間周波信号を得るように構成した
ことを特徴とするダブルバランスド・ミクサー装置。 ２ベーソ - （２）第１および第２のインピーダンス素子として。 抵抗と定電圧ダイオードのいずれか一方を使用したこと
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のダブルバ
ランスド拳ミクサー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18356181A JPS5884508A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | ダブルバランスド・ミクサ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18356181A JPS5884508A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | ダブルバランスド・ミクサ−装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884508A true JPS5884508A (ja) | 1983-05-20 |
| JPS6260845B2 JPS6260845B2 (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=16137952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18356181A Granted JPS5884508A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | ダブルバランスド・ミクサ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884508A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5179728A (en) * | 1991-09-30 | 1993-01-12 | Rockwell International Corporation | Spurious product and local oscillator radiation suppression system for use in superheterodyne radio receivers |
| CN109245727A (zh) * | 2017-07-11 | 2019-01-18 | 美国亚德诺半导体公司 | 具有改善的线性度的混频器 |
| EP3493399A1 (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-05 | National Chung Shan Institute of Science and Technology | Reflective signal modulator |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP18356181A patent/JPS5884508A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5179728A (en) * | 1991-09-30 | 1993-01-12 | Rockwell International Corporation | Spurious product and local oscillator radiation suppression system for use in superheterodyne radio receivers |
| CN109245727A (zh) * | 2017-07-11 | 2019-01-18 | 美国亚德诺半导体公司 | 具有改善的线性度的混频器 |
| EP3493399A1 (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-05 | National Chung Shan Institute of Science and Technology | Reflective signal modulator |
| CN109873780A (zh) * | 2017-12-04 | 2019-06-11 | 徐克铭 | 信号调制器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6260845B2 (ja) | 1987-12-18 |
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