JPS5922420A - ダイオ−ド可変減衰器の駆動回路 - Google Patents
ダイオ−ド可変減衰器の駆動回路Info
- Publication number
- JPS5922420A JPS5922420A JP13150282A JP13150282A JPS5922420A JP S5922420 A JPS5922420 A JP S5922420A JP 13150282 A JP13150282 A JP 13150282A JP 13150282 A JP13150282 A JP 13150282A JP S5922420 A JPS5922420 A JP S5922420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- diode
- voltage
- series
- input terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/54—Modifications of networks to reduce influence of variations of temperature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１足インピーダンス形ＰＩＮダイオード町変減
衰器紮駆動する温度補償付駆動回路に関する。
衰器紮駆動する温度補償付駆動回路に関する。
従来よりよく用いられているＬ形、橋絡Ｔ形などの足イ
ンピーダンス形ＰＩＮダイオード町変減衰器は一足バイ
アス？加えることによシ、減衰量のいかんにかかわらず
定インピーダンス特性會有するが１周囲温度により定イ
ンピーダンス性がそこなわれるので、温度補償回路が必
要である。
ンピーダンス形ＰＩＮダイオード町変減衰器は一足バイ
アス？加えることによシ、減衰量のいかんにかかわらず
定インピーダンス特性會有するが１周囲温度により定イ
ンピーダンス性がそこなわれるので、温度補償回路が必
要である。
第１図に従来の温度補償付駆動回路の一例葡示す。１は
定インピーダンス形町変減衰器の一列として橋絡Ｔ形Ｐ
ＩＮダイオード町変減衰器、１１は固定バイアス電圧入
力端子、１２は制御電圧入力端子、１３．１４は可変減
衰器１に用いられているＰＩＮダイオードと同種のＰＩ
Ｎダイオード−１５は電圧フォロワ回路、１６は電圧加
算回路。
定インピーダンス形町変減衰器の一列として橋絡Ｔ形Ｐ
ＩＮダイオード町変減衰器、１１は固定バイアス電圧入
力端子、１２は制御電圧入力端子、１３．１４は可変減
衰器１に用いられているＰＩＮダイオードと同種のＰＩ
Ｎダイオード−１５は電圧フォロワ回路、１６は電圧加
算回路。
１７は定電流源、１８は制御電圧入力端、１９は制御電
圧温度補償用入力端である。
圧温度補償用入力端である。
ＰＩＮダイオード町変減衰器１は、一般に知られている
ように、コンデンサ３３．３４および３５．ＰＩＮダイ
オード３６および３７．抵抗３８および３９１およびイ
ンダクタ４０〜４２で構成されており、端子１１および
１２にそれぞれ供給される固定バイアス電圧および制御
電圧により端子３１に供給された入力信号？減衰させて
、端子３２に出力するものである。このＰＩＮダイオー
ド町変減衰器のインピーダンスの温度特性の一列？第４
図に示す。これによると２５℃にてインピーダンス最良
となるバイアス電圧は−１，３５Ｖ、温度特性は−３，
８ｍＶ／℃ である。
ように、コンデンサ３３．３４および３５．ＰＩＮダイ
オード３６および３７．抵抗３８および３９１およびイ
ンダクタ４０〜４２で構成されており、端子１１および
１２にそれぞれ供給される固定バイアス電圧および制御
電圧により端子３１に供給された入力信号？減衰させて
、端子３２に出力するものである。このＰＩＮダイオー
ド町変減衰器のインピーダンスの温度特性の一列？第４
図に示す。これによると２５℃にてインピーダンス最良
となるバイアス電圧は−１，３５Ｖ、温度特性は−３，
８ｍＶ／℃ である。
第１図の回路は、バイアス端子１１の電圧が２５℃で−
１，３５Ｖになるように１−’ＩＮダイオード１３゜１
４に第５図のＡ点で動作させている。このときＰＩＮダ
イオード１３．１４は定電流源１７で駆動しているので
、各々の電圧は−１，９ｍＶ／℃の温度係数で変化し、
端子１１の電圧もこれに伴い−３，８ｍＶ／’Ｃの温度
係数で変化する。すなわちＰＩＮダイオード可変減衰器
の温度によるインピーダンス変化が補償されていること
になる。
１，３５Ｖになるように１−’ＩＮダイオード１３゜１
４に第５図のＡ点で動作させている。このときＰＩＮダ
イオード１３．１４は定電流源１７で駆動しているので
、各々の電圧は−１，９ｍＶ／℃の温度係数で変化し、
端子１１の電圧もこれに伴い−３，８ｍＶ／’Ｃの温度
係数で変化する。すなわちＰＩＮダイオード可変減衰器
の温度によるインピーダンス変化が補償されていること
になる。
又、入力端子１９は−１： ９ ｍ Ｖ ／’ｃで変化
し、これに伴い１２０点も−１，９ｍ■／℃で変化する
ので定インピーダンスに対する温度補償ｒ行ったときに
も、端子１８に加える制御電圧に対する温度補償がなさ
れている。
し、これに伴い１２０点も−１，９ｍ■／℃で変化する
ので定インピーダンスに対する温度補償ｒ行ったときに
も、端子１８に加える制御電圧に対する温度補償がなさ
れている。
以上のように従来は温度補償回路にも減衰器と同種のＰ
ＩＮダイオードｒ使用していたが、マイクロ波帯等の減
衰器ではＰＩＮダイオードが高価であるために、温度補
償回路も高価となり、コスト的に最大の欠点であった。
ＩＮダイオードｒ使用していたが、マイクロ波帯等の減
衰器ではＰＩＮダイオードが高価であるために、温度補
償回路も高価となり、コスト的に最大の欠点であった。
本発明の目的は前述の欠点？除去した。安価な素子？用
いて従来と同等の温度補償特性ｒ持つ。
いて従来と同等の温度補償特性ｒ持つ。
定インピーダンス形町変減衰器のバイアス駆動回路？提
供することにある。
供することにある。
本発明は従来使用していた温度補償付駆動回路において
、基−準電圧７殆生するＰＩＮダイオード？抵抗とダイ
オードの直列接続又は、ツェナーダイオードに置き換え
て回路を構成することケ特徴とする。
、基−準電圧７殆生するＰＩＮダイオード？抵抗とダイ
オードの直列接続又は、ツェナーダイオードに置き換え
て回路を構成することケ特徴とする。
以下１本発明？その良好な一実施例について図面？参照
しながら詳細に説明する。
しながら詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例會示す構成図である。
図において、２０〜２２は抵抗、２３．２４はシリコン
ダイオード、２５は電源供給端子である。
ダイオード、２５は電源供給端子である。
第１図と同じ番号は同一機能？もつ、抵抗２０は節点２
６の電圧及びシリコンダイオード２３および２４に流れ
る電流？決定する。いま抵抗２０は。
６の電圧及びシリコンダイオード２３および２４に流れ
る電流？決定する。いま抵抗２０は。
節点２６の電圧が−１，３５Ｖ、抵抗２１．２２および
シリコンダイオード２３．２４に流れる電流が２ｍＡと
なるように、抵抗値ケ決定している。シリコンダイオー
ド２３ｔ７ｔは２４の立ち上がりの温度特性は、第６図
のＢに如くであるのでダイオード２３と抵抗２２あるい
はダイオード２４と抵抗２１（抵抗値２２．５Ω）會直
列接続した単位回路の電圧電流特性は第６図Ｃの破線の
如くになり、し友がって節点１９の電圧電流は第６図り
の部分。
シリコンダイオード２３．２４に流れる電流が２ｍＡと
なるように、抵抗値ケ決定している。シリコンダイオー
ド２３ｔ７ｔは２４の立ち上がりの温度特性は、第６図
のＢに如くであるのでダイオード２３と抵抗２２あるい
はダイオード２４と抵抗２１（抵抗値２２．５Ω）會直
列接続した単位回路の電圧電流特性は第６図Ｃの破線の
如くになり、し友がって節点１９の電圧電流は第６図り
の部分。
すなわち２５℃で一〇、６７５Ｖ 、 ２ｍＡ、また、
シリコンダイオードの立ち上が９特性の温度特性の電流
依存性は第７図から−１，９ｍＶ／’Ｃとなる。又端子
１１では１回路１５が電圧７才ロワ回路なので−１，３
５Ｖ −３，８ｍＶ／℃となる。
シリコンダイオードの立ち上が９特性の温度特性の電流
依存性は第７図から−１，９ｍＶ／’Ｃとなる。又端子
１１では１回路１５が電圧７才ロワ回路なので−１，３
５Ｖ −３，８ｍＶ／℃となる。
一方１節点１９に生じた−１．９ ｍ Ｖ／℃の温度特
性？持つ電圧は、加算回路２２によって端子１８からの
制御電圧に加えられ、端子１２に出力される。すなわち
１． ｔａ ｍ Ｖ ／’ｃの温度特性？持つ制御電圧
が得られたことになる。本発明によるシリコンダイオー
ドケ用いた温度補償付駆動回路の制御電圧−減衰量の温
度特性の同全第８図に示す。
性？持つ電圧は、加算回路２２によって端子１８からの
制御電圧に加えられ、端子１２に出力される。すなわち
１． ｔａ ｍ Ｖ ／’ｃの温度特性？持つ制御電圧
が得られたことになる。本発明によるシリコンダイオー
ドケ用いた温度補償付駆動回路の制御電圧−減衰量の温
度特性の同全第８図に示す。
以上の説明から安価なシリコンダイオードと抵抗１組み
合わせて、従来と同じ温度補償特性ケもつ定インピーダ
ンス形ｃｉＴ変減衰器駆動回路が実現出来る。
合わせて、従来と同じ温度補償特性ケもつ定インピーダ
ンス形ｃｉＴ変減衰器駆動回路が実現出来る。
そして、さらにシリコンダイオードと抵抗ｒ直列に接続
した単位回路を第３図のように、ツェナダイオードに置
き換えることによってこの回路は簡略化することが出来
る。
した単位回路を第３図のように、ツェナダイオードに置
き換えることによってこの回路は簡略化することが出来
る。
第３図において、４０および４１はツェナーダイオード
で１．第２図のシリコンダイオード２３と抵抗２２．お
よびシリコンダイオード２４と抵抗２１にそれぞれ置き
換えたものである。他の回路は第２図と同じである。ツ
ェナダイオード４０゜４１の順方向立ち上がり電圧は、
一般のシリコンダイオードより高く、はぼＰＩＮダイオ
ードと同様の特性ｒもつ。第９図にツェナダイオードの
立ち上が９特性及びその温度特性？示す。これによれば
、０．１２ｍＡの順方向電流？ツェナーイオードに流せ
ば順方向電圧０．６７５Ｖが得られ、このときの温度特
性は、約−１，９ｍ Ｖ ／’ｃとなる。
で１．第２図のシリコンダイオード２３と抵抗２２．お
よびシリコンダイオード２４と抵抗２１にそれぞれ置き
換えたものである。他の回路は第２図と同じである。ツ
ェナダイオード４０゜４１の順方向立ち上がり電圧は、
一般のシリコンダイオードより高く、はぼＰＩＮダイオ
ードと同様の特性ｒもつ。第９図にツェナダイオードの
立ち上が９特性及びその温度特性？示す。これによれば
、０．１２ｍＡの順方向電流？ツェナーイオードに流せ
ば順方向電圧０．６７５Ｖが得られ、このときの温度特
性は、約−１，９ｍ Ｖ ／’ｃとなる。
すなわち、ツェナーダイオード４０．４１に流れる電流
が０．１２ｍＡとなるように、抵抗２（ｌ決定すれば動
作点は第９図のＥ点となシ１１の点の電圧は−１，３５
Ｖ！度特性−３，８ｍＶ／’Ｃ１１２の点は−１，９ｍ
Ｖ／’Ｑの温度特性？もつ制御電圧となる。
が０．１２ｍＡとなるように、抵抗２（ｌ決定すれば動
作点は第９図のＥ点となシ１１の点の電圧は−１，３５
Ｖ！度特性−３，８ｍＶ／’Ｃ１１２の点は−１，９ｍ
Ｖ／’Ｑの温度特性？もつ制御電圧となる。
以上述べたように本発明によれば、従来回路と同じ温度
補償特性ｔもつ駆動回路が安価に実現出来る。
補償特性ｔもつ駆動回路が安価に実現出来る。
第１図は従来の可変減衰器駆動回路の回路列。
第２図は本発明の駆動回路の例、第３図は本発明の曲の
駆動回路の例、第４図は橋絡Ｔ形定インピーダンス司変
減衰器のインビータンス最良となるバイアス電圧め温度
特性、第５図ｉ、）’ＩＮダイオードの立ち上がシ特性
の温度特性の一例、第６図はシリコンダイオードの立ち
上がシ特性の温度の特性の一例、第７図はシリコンダイ
オードの立ち上がり特性の温度係数の電流依存性の一例
、第８図は本発明による回路を使用したときの橋絡Ｔ形
可変減衰器の温度特性の一例、第９図はツェナーダイオ
ードの順方向立ち上がシ温度特性の一例である。 図において、１・・・・・・橋絡Ｔ形ＰＩＮダイオード
可変減衰器、１５・・・・・・電圧フォロワ回路、１６
・・・・・・電圧加算回路、２０〜２２・・・・・・抵
抗、２３．２４・・・・・・シリコンダイオード、４１
．４０・・団・ツェナーダイオードである。 第１図 茅２図 茅 ！５ 回 電圧 （Ｖ） 売６ 口 電／Ｅ（ＶＪ
駆動回路の例、第４図は橋絡Ｔ形定インピーダンス司変
減衰器のインビータンス最良となるバイアス電圧め温度
特性、第５図ｉ、）’ＩＮダイオードの立ち上がシ特性
の温度特性の一例、第６図はシリコンダイオードの立ち
上がシ特性の温度の特性の一例、第７図はシリコンダイ
オードの立ち上がり特性の温度係数の電流依存性の一例
、第８図は本発明による回路を使用したときの橋絡Ｔ形
可変減衰器の温度特性の一例、第９図はツェナーダイオ
ードの順方向立ち上がシ温度特性の一例である。 図において、１・・・・・・橋絡Ｔ形ＰＩＮダイオード
可変減衰器、１５・・・・・・電圧フォロワ回路、１６
・・・・・・電圧加算回路、２０〜２２・・・・・・抵
抗、２３．２４・・・・・・シリコンダイオード、４１
．４０・・団・ツェナーダイオードである。 第１図 茅２図 茅 ！５ 回 電圧 （Ｖ） 売６ 口 電／Ｅ（ＶＪ
Claims (1)
- 定インピーダンス型町変減衰器の可変抵抗素子として使
用され、かつ直流的に直列接続され７ｊ２つのＰＩＮダ
イオードを、固定バイアス電圧と制御電圧にて駆動する
ため、固定バイアス電圧源として電圧フォロア回路１＋
、制御電圧源として制御電圧入力端子および制御電圧温
度補償用入力端子？有する加算回路？用いたダイオード
可変減衰器の駆動回路において、抵抗とダイオードの直
列回路會２つ直列接続し友回路？前記電圧フォロア回路
の入力端子に接続し、かつ前記２つの直列回路の接続点
？前記制御電圧温度補償用入力端子に接続したこと？特
徴とするダイオード可変減衰器の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13150282A JPS5922420A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | ダイオ−ド可変減衰器の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13150282A JPS5922420A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | ダイオ−ド可変減衰器の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922420A true JPS5922420A (ja) | 1984-02-04 |
| JPS6250003B2 JPS6250003B2 (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=15059512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13150282A Granted JPS5922420A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | ダイオ−ド可変減衰器の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63234722A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-30 | Nec Corp | 位相同期回路 |
| US6297709B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-10-02 | Nokia Telecommunications Oy | Temperature compensated variable attenuator |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE461635B (sv) * | 1987-08-07 | 1990-03-12 | Wlajko Mihic | Skaer foer svarvning och avstickning |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP13150282A patent/JPS5922420A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63234722A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-30 | Nec Corp | 位相同期回路 |
| US6297709B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-10-02 | Nokia Telecommunications Oy | Temperature compensated variable attenuator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6250003B2 (ja) | 1987-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0226883B2 (ja) | ||
| KR940001817B1 (ko) | 노이즈 감소회로에 사용되는 액티브 필터용 고역 가중치 회로 | |
| JPS5922420A (ja) | ダイオ−ド可変減衰器の駆動回路 | |
| US4501933A (en) | Transistor bridge voltage rectifier circuit | |
| JP2710507B2 (ja) | 増幅回路 | |
| US5394080A (en) | Universal signal converter using multiple current mirrors | |
| US7180357B2 (en) | Operational amplifier integrator | |
| KR900019256A (ko) | 왜곡 보상 기능을 가진 바이폴라 트랜지스터 | |
| US3943432A (en) | Electronic feeding bridge | |
| JPH0252892B2 (ja) | ||
| US4319143A (en) | Impedance converting circuit | |
| JPS5884508A (ja) | ダブルバランスド・ミクサ−装置 | |
| JPS58154911A (ja) | 利得制御増幅器 | |
| JPS5943419A (ja) | 定電流回路 | |
| JPH0342535A (ja) | 温度センサ回路 | |
| JP2730107B2 (ja) | カレントミラー回路 | |
| JPH01228212A (ja) | レベルシフト回路 | |
| JPH06260925A (ja) | レベルシフト回路 | |
| JPH025419Y2 (ja) | ||
| JPS6134689B2 (ja) | ||
| JPH0414824B2 (ja) | ||
| JPS5868321A (ja) | ダイオ−ド・スイッチ回路 | |
| JPS63160421A (ja) | Ｄａ変換器 | |
| JPH033521A (ja) | プログラマブル電流源 | |
| JPH0529913A (ja) | レベル変換回路 |