JPS5884439A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS5884439A JPS5884439A JP18225081A JP18225081A JPS5884439A JP S5884439 A JPS5884439 A JP S5884439A JP 18225081 A JP18225081 A JP 18225081A JP 18225081 A JP18225081 A JP 18225081A JP S5884439 A JPS5884439 A JP S5884439A
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- Japan
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- slit
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- chamber
- wafer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体調造装置に係ル、＃に、つ。
−ハの処暑麿へのり、−＾の搬入並びにり、−ハの処理
室からのり、−ハの搬出を人手によらず行うのに好適な
半導体製造装置に関するものである。
室からのり、−ハの搬出を人手によらず行うのに好適な
半導体製造装置に関するものである。
従来公知の半導体製造装置には、り、−ハを開成ごとＫ
Ｉ６理すゐ開成処理武生導体調造装置とりμｍハの処理
をパッチ処理するパッチ処理式中導体製造装置があるが
、いずれの方式の半導体製造装置でもクエーへの処理室
（以下、島理重と略）にゲートパルプを介して予備排気
室が具設畜れてお〕、所定枚数のつ、−ハを収納したカ
セットと空のカセットを対にして人手によ）予備排気型
内に配置した後に予備排気室を旭鳳富と同圧力まで排気
し、ゲートパルプを開放してカセットに収納されている
つ、−ハを逃履宣に搬入し、つ、−ハの処理完了後は処
理済みのつ、−ハをカセットに回収、収納してゲートパ
ルプを気ＩＫ閉止し予備排気室を大気開放して人手によ
ルカ令ットの交換が行われる◇ このような半導体製造装置では、つ、−７１のｌカセッ
ト処理ごとに予備排気型を大気開放しなければならない
光め、ａｍ富、ウェーハが汚染され易く、また、寿命ッ
ト交換が人手にょ）行われるためウェーハが汚染され易
いといった欠点があった。また、人手によるカセット交
換の１薯があるタメ？ニー”のａｍラインを前後のプロ
セスド直結するインライン化ができないといった問題も
あった。
Ｉ６理すゐ開成処理武生導体調造装置とりμｍハの処理
をパッチ処理するパッチ処理式中導体製造装置があるが
、いずれの方式の半導体製造装置でもクエーへの処理室
（以下、島理重と略）にゲートパルプを介して予備排気
室が具設畜れてお〕、所定枚数のつ、−ハを収納したカ
セットと空のカセットを対にして人手によ）予備排気型
内に配置した後に予備排気室を旭鳳富と同圧力まで排気
し、ゲートパルプを開放してカセットに収納されている
つ、−ハを逃履宣に搬入し、つ、−ハの処理完了後は処
理済みのつ、−ハをカセットに回収、収納してゲートパ
ルプを気ＩＫ閉止し予備排気室を大気開放して人手によ
ルカ令ットの交換が行われる◇ このような半導体製造装置では、つ、−７１のｌカセッ
ト処理ごとに予備排気型を大気開放しなければならない
光め、ａｍ富、ウェーハが汚染され易く、また、寿命ッ
ト交換が人手にょ）行われるためウェーハが汚染され易
いといった欠点があった。また、人手によるカセット交
換の１薯があるタメ？ニー”のａｍラインを前後のプロ
セスド直結するインライン化ができないといった問題も
あった。
本発明は、上記欠点の排除並びに問題の解決を目的とし
九吃ので、処理型又は処１１ｆｉｌＫＡ設された予備室
に、高圧側から低圧側並びに低圧側から高圧側につ、−
ハを搬入、搬出する回転副弁装置と差動排気される副真
空室を少なくとも一段組合せた差動排気装置を設置し九
半導体製造装置を提供するものである。
九吃ので、処理型又は処１１ｆｉｌＫＡ設された予備室
に、高圧側から低圧側並びに低圧側から高圧側につ、−
ハを搬入、搬出する回転副弁装置と差動排気される副真
空室を少なくとも一段組合せた差動排気装置を設置し九
半導体製造装置を提供するものである。
本発明の一実施例を第１図から第４図によ〕説明する。
第１図は、ウェーハを処ｍ＊へ搬入並びに処理型から搬
出する丸めにつ、−ハを通過させ、かつ、高圧側と低圧
側との間を遮断する回転副弁装置で、１は高圧側と低圧
側（第１図で杜、大気側と真空側）を連通し、かつ、ウ
ェーハ２が通過可能な形状寸法のスリブ）３ｍが設けら
れた回転副弁で、回転副弁ｌはスリブ）３ｍに対向し、
かつ、適合する形状寸法のスリブ）３ｂが高圧側と低圧
側を連遇し設けられた弁箱４に遊僚され、押え金具Ｓ。
出する丸めにつ、−ハを通過させ、かつ、高圧側と低圧
側との間を遮断する回転副弁装置で、１は高圧側と低圧
側（第１図で杜、大気側と真空側）を連通し、かつ、ウ
ェーハ２が通過可能な形状寸法のスリブ）３ｍが設けら
れた回転副弁で、回転副弁ｌはスリブ）３ｍに対向し、
かつ、適合する形状寸法のスリブ）３ｂが高圧側と低圧
側を連遇し設けられた弁箱４に遊僚され、押え金具Ｓ。
６並びに０りング７にょル弁箱４の軸方向に封止される
。ｔた、回転副弁１の一端は継手８を介しロータリーア
クチュエータ、モータ等の回転装置９によ）軸支されて
いる。１０ ｍは高圧側（第ｉｌｌでは、大気側）に設
けられたつ、−ハ２搬送用のベルト、ｌＯｂは低圧側（
第１図では、真空側）に設けられたウェーハ２搬送用の
ベルトである。
。ｔた、回転副弁１の一端は継手８を介しロータリーア
クチュエータ、モータ等の回転装置９によ）軸支されて
いる。１０ ｍは高圧側（第ｉｌｌでは、大気側）に設
けられたつ、−ハ２搬送用のベルト、ｌＯｂは低圧側（
第１図では、真空側）に設けられたウェーハ２搬送用の
ベルトである。
このような回転副弁装置では、回転副弁１を回転装置９
によ〕回転させ回転副弁１のスリット３ａと弁箱４のス
リブ）３ｂを一致させて、例えば、大気側からベル）
ｔＯｍで搬送されて會たり、−ハ２をスリブ）３ｍ、３
ｂを通過させ真空側にベル） １０ ｂで搬入し、つ、
−ハ２がスリット３ｍ、３ｂを完全に通過した後に回転
副弁ｌをスリットｓ１とスリブ）３ｂが直交するように
回転装置９により回転させ大気側と真空側との間の遮断
が行われる。
によ〕回転させ回転副弁１のスリット３ａと弁箱４のス
リブ）３ｂを一致させて、例えば、大気側からベル）
ｔＯｍで搬送されて會たり、−ハ２をスリブ）３ｍ、３
ｂを通過させ真空側にベル） １０ ｂで搬入し、つ、
−ハ２がスリット３ｍ、３ｂを完全に通過した後に回転
副弁ｌをスリットｓ１とスリブ）３ｂが直交するように
回転装置９により回転させ大気側と真空側との間の遮断
が行われる。
第２図は、回転副弁装置と差動排気される副真空室を３
ｍ組合せた差動排気装置で、大気１ＩＩ（第２図では、
左ＩＩ）からクエーハ２を第１の副真空！！！ｕａヘベ
ルトｌｅａ、１０ｂで搬入後、回転副弁１のスリット３
ｍと弁箱４のスリット３ｂを直交せしめ、回転副弁ｌと
弁箱４の遊僚部から第１の副真空室１ｍ中へ流入する大
気を排気装置ｕａによ〕、例えば、ＩＴｏｒｒ以下の圧
力に排気する。その後、第１の剛真空ｍ１１ｍと第２の
關真！１ｍｕｂの間に設置さ７′Ｌ九回転副弁装置の回
転１１弁１のスリット３ｍと弁箱４のスリット３ｂを一
致させ、第１の副真空室ｕｌに有るウェーハ２を第２の
副真空室１１ｂＫ搬入後、回転副弁１のスリッ、ト３ｍ
と弁箱４のスリブ）３ｂを直交せしめ、第１の副真空室
ＵＳから回転副弁１と弁箱４の遊嵌部を通りて第２の副
真空富ｕｂ中に流入する気体を排気装置Ｌ２ｂによシ、
例えば、２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気する。
ｍ組合せた差動排気装置で、大気１ＩＩ（第２図では、
左ＩＩ）からクエーハ２を第１の副真空！！！ｕａヘベ
ルトｌｅａ、１０ｂで搬入後、回転副弁１のスリット３
ｍと弁箱４のスリット３ｂを直交せしめ、回転副弁ｌと
弁箱４の遊僚部から第１の副真空室１ｍ中へ流入する大
気を排気装置ｕａによ〕、例えば、ＩＴｏｒｒ以下の圧
力に排気する。その後、第１の剛真空ｍ１１ｍと第２の
關真！１ｍｕｂの間に設置さ７′Ｌ九回転副弁装置の回
転１１弁１のスリット３ｍと弁箱４のスリット３ｂを一
致させ、第１の副真空室ｕｌに有るウェーハ２を第２の
副真空室１１ｂＫ搬入後、回転副弁１のスリッ、ト３ｍ
と弁箱４のスリブ）３ｂを直交せしめ、第１の副真空室
ＵＳから回転副弁１と弁箱４の遊嵌部を通りて第２の副
真空富ｕｂ中に流入する気体を排気装置Ｌ２ｂによシ、
例えば、２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気する。
以下、第３の副真空室ｕ ｃ ＊ ｍ履麿謁と履次同様
の操作を繰返し行い、鶏環童謁の圧力を損うことなくウ
ェーハ２が搬入される。
の操作を繰返し行い、鶏環童謁の圧力を損うことなくウ
ェーハ２が搬入される。
第３図、第４′図は、つ、−ハの処理をパッチ処理する
処理型に回転副弁装置と副真ｔＩ！麿を１ｍｍ合せた差
動排気装置をウェーハ搬入側並びに搬出側にそれぞれ設
置した半導体製造装置例で、第２図と同一部品等は同一
符号で示し説明を省略する。
処理型に回転副弁装置と副真ｔＩ！麿を１ｍｍ合せた差
動排気装置をウェーハ搬入側並びに搬出側にそれぞれ設
置した半導体製造装置例で、第２図と同一部品等は同一
符号で示し説明を省略する。
１４はり、−・７％ ２の搬入、搬出用の差動排気装置
の間に設けられ、かり、ゲートパルプ七を介して処１１
＊１８ＫＡ設された予備排気室で、予備排気型１４には
り、−ハ８搬送用のベルト１０ ｃの他につ、−ハ層み
搬送装置（図示省略）が内股され、排気装置１２ｄが設
置されている。このようなパッチ処理式半導体製造装置
では、つ、−への島理意への搬入並びに処１１ｍからの
搬出操作は次のように行われる。
の間に設けられ、かり、ゲートパルプ七を介して処１１
＊１８ＫＡ設された予備排気室で、予備排気型１４には
り、−ハ８搬送用のベルト１０ ｃの他につ、−ハ層み
搬送装置（図示省略）が内股され、排気装置１２ｄが設
置されている。このようなパッチ処理式半導体製造装置
では、つ、−への島理意への搬入並びに処１１ｍからの
搬出操作は次のように行われる。
大気側からつ、−ハ搬入用の差動排気装置を過って所定
枚数のウェー／％雪が予め処ｍａｎと同圧力Ｓ度ｔｃ＃
気され九予備排気１１１４ Ｋ搬入されカセット （図
示省略）への収納が完了すれば搬入用の副真！ａ重ＵＳ
と予備排気１ｉ１１４の間に設置され九回転副弁装置の
側転副弁１のスリット３１と弁箱４のスリブ）’３ ｂ
を直交せしめ予備排気１ｉ１１４内を排気装置１２によ
〕処理意肋と同圧力に排気する。その後、ゲートパルプ
ルを開放してつ、−／１掴み搬送装置によ〕クエーハ２
をカセットから堆出し処理室Ｕに順次搬入すゐと共に、
処理室１３に回転可能に内股畜れたテーブル１６上に順
次載置し、ウェーハ２のテーブルｗ上への載量が完了す
ればゲートパルプルは気密に閉止されクエーノＳ２の処
理が行われる。その後、つ、−ハ２の処理が完了すれば
再びゲートパルプルを開放しつ、−／％ｌｌみ搬送装置
によ〕処理済みのり、−ハ２はＩＩ＆環意謁から魔 予備排気室１４に：順次普出されカセｙ）に回収、収納
される。処理済みのつ、 ＋ ／’１１の予備排気室１
４への搬出が完了すれば再びグー、トパルプ腸は気密に
閉止され、その後、予備排気１１１４のカセットに収納
された処理済みウェー／Ｓｌは搬入時の操作とは逆操作
により搬出用の差動排気装置を通って大なお、本実施例
では、パッチ処理式で、かつ、カセットを予備排気室に
配置し用い九例を説明したが、しかし、その他の場合、
例えば、一枚麩理式でカセットを用いても用いなくても
、ｔた、パッチ処理式でカセットを用いなくても本ｌｉ
―を適用する上で技衝的障害となる点はない。更に、固
転副弁装置と副真空室の組会せ段数は、一枚処理式、パ
ッチ処理室によらずｍｉ＊ｉｉｔ又は予備排気室の圧力
の高低に合せて適宜選択すればよい。
枚数のウェー／％雪が予め処ｍａｎと同圧力Ｓ度ｔｃ＃
気され九予備排気１１１４ Ｋ搬入されカセット （図
示省略）への収納が完了すれば搬入用の副真！ａ重ＵＳ
と予備排気１ｉ１１４の間に設置され九回転副弁装置の
側転副弁１のスリット３１と弁箱４のスリブ）’３ ｂ
を直交せしめ予備排気１ｉ１１４内を排気装置１２によ
〕処理意肋と同圧力に排気する。その後、ゲートパルプ
ルを開放してつ、−／１掴み搬送装置によ〕クエーハ２
をカセットから堆出し処理室Ｕに順次搬入すゐと共に、
処理室１３に回転可能に内股畜れたテーブル１６上に順
次載置し、ウェーハ２のテーブルｗ上への載量が完了す
ればゲートパルプルは気密に閉止されクエーノＳ２の処
理が行われる。その後、つ、−ハ２の処理が完了すれば
再びゲートパルプルを開放しつ、−／％ｌｌみ搬送装置
によ〕処理済みのり、−ハ２はＩＩ＆環意謁から魔 予備排気室１４に：順次普出されカセｙ）に回収、収納
される。処理済みのつ、 ＋ ／’１１の予備排気室１
４への搬出が完了すれば再びグー、トパルプ腸は気密に
閉止され、その後、予備排気１１１４のカセットに収納
された処理済みウェー／Ｓｌは搬入時の操作とは逆操作
により搬出用の差動排気装置を通って大なお、本実施例
では、パッチ処理式で、かつ、カセットを予備排気室に
配置し用い九例を説明したが、しかし、その他の場合、
例えば、一枚麩理式でカセットを用いても用いなくても
、ｔた、パッチ処理式でカセットを用いなくても本ｌｉ
―を適用する上で技衝的障害となる点はない。更に、固
転副弁装置と副真空室の組会せ段数は、一枚処理式、パ
ッチ処理室によらずｍｉ＊ｉｉｔ又は予備排気室の圧力
の高低に合せて適宜選択すればよい。
本発明は、以上説明したように、処理室又は予備排気ｉ
１に回転側弁装置と剛真！２！富を少なくとも一段組合
せた差動排気装置を設置したので、予備排気室を大気開
放する必要もなく、かつ、人手によるカセット交換も不
用となシ、処理室、り、−ハの汚染が防止でき、更に、
つ、−ハの製造ツインを前後のプルセスと直結するイン
ツイン化ができる効果がある。
１に回転側弁装置と剛真！２！富を少なくとも一段組合
せた差動排気装置を設置したので、予備排気室を大気開
放する必要もなく、かつ、人手によるカセット交換も不
用となシ、処理室、り、−ハの汚染が防止でき、更に、
つ、−ハの製造ツインを前後のプルセスと直結するイン
ツイン化ができる効果がある。
第１図から第４図は、本発明の一実施例を説明するもの
で、第ｉｍｌは、回転副弁装置の斜！断面図、第２図は
、差動排気装置の断面図、第３図は、差動排気装置を適
用した半導体製造装置の平面図、第４図は、第３図のＡ
−人視断面図である。 １・・−・・回転副弁、３ａ、ｓｂ・・−・・スリット
、４・・・・・・弁箱、５．６・・・・・・押え金臭、
７・・・・・・０リング、８・・−・・継手、ト・−・
・回転装置、１０ ｍ 、 １０ ｂ 、 １０ ｃ−
−−−−ｔ ｓ−ハ搬送用ノ２ル）、ｕ ａ 、 １１
ｂ 、 １１ ｃ・・・・・・副真空室、１２ ａ
、 ｉｌｌ ｂ 、 １２ ｃ 、 １２ ｄ ””排
気装置、１３・・−・・処理室、１４・・−・・予備排
気室才１図 才２ｔ２］ 才３図 ９ 才４図 ／２ａ
で、第ｉｍｌは、回転副弁装置の斜！断面図、第２図は
、差動排気装置の断面図、第３図は、差動排気装置を適
用した半導体製造装置の平面図、第４図は、第３図のＡ
−人視断面図である。 １・・−・・回転副弁、３ａ、ｓｂ・・−・・スリット
、４・・・・・・弁箱、５．６・・・・・・押え金臭、
７・・・・・・０リング、８・・−・・継手、ト・−・
・回転装置、１０ ｍ 、 １０ ｂ 、 １０ ｃ−
−−−−ｔ ｓ−ハ搬送用ノ２ル）、ｕ ａ 、 １１
ｂ 、 １１ ｃ・・・・・・副真空室、１２ ａ
、 ｉｌｌ ｂ 、 １２ ｃ 、 １２ ｄ ””排
気装置、１３・・−・・処理室、１４・・−・・予備排
気室才１図 才２ｔ２］ 才３図 ９ 才４図 ／２ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ウェーハを部層する半導体製造装置ｔｃ＊ｈて、
前記つ、−ハの魁雇箪又は該ｌ＆１１１ｍに具設され九
予備排気重に、回転副弁装置と副翼ｇ重を少なくとも一
段組会せた差動排気装置を設置し九ことを特徴とする半
導体製造装置。 ２ 高圧側と低圧側を連通し、かつ、前記ウェー八が通
過可能な形状寸法のスリットが設置られを た回転副弁！Ｓ誼回転副弁のスリットに対向しかつ、適
合する形状寸法のスリブ）が高圧側と低圧側を連通し設
けられた弁ＭＫ遊嵌し、押え金具、０リンへよ〕弁箱の
軸方向に封止し、回転副弁の一端を回転装置によｐ軸支
すると共に高圧側、低圧偶にそれぞれり、−ハ搬送用の
ベルトを設は前記回転副弁装置を構成し、ｔた、前記副
翼！！ｆｌＨｃ排気装置を設けた特許請求の範囲第１項
記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18225081A JPS5884439A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18225081A JPS5884439A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884439A true JPS5884439A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16114964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18225081A Pending JPS5884439A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884439A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2747111A1 (fr) * | 1996-04-03 | 1997-10-10 | Commissariat Energie Atomique | Systeme d'accouplement pour un transfert confine d'un objet plat d'une boite de confinement vers une unite de traitement de l'objet |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421175A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Improvement of plasma reaction processor |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP18225081A patent/JPS5884439A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421175A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Improvement of plasma reaction processor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2747111A1 (fr) * | 1996-04-03 | 1997-10-10 | Commissariat Energie Atomique | Systeme d'accouplement pour un transfert confine d'un objet plat d'une boite de confinement vers une unite de traitement de l'objet |
| WO1997038440A1 (fr) * | 1996-04-03 | 1997-10-16 | Commissariat A L'energie Atomique | Systeme d'accouplement pour un transfert confine d'un objet plat d'une boite de confinement vers une unite de traitement de l'objet |
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