JPS5881982U - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

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Publication number
JPS5881982U
JPS5881982U JP17652281U JP17652281U JPS5881982U JP S5881982 U JPS5881982 U JP S5881982U JP 17652281 U JP17652281 U JP 17652281U JP 17652281 U JP17652281 U JP 17652281U JP S5881982 U JPS5881982 U JP S5881982U
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JP
Japan
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integrated circuit
hybrid integrated
insulating layer
predetermined width
conductor patterns
Prior art date
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Pending
Application number
JP17652281U
Other languages
English (en)
Inventor
篠沢 憲治
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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Priority to JP17652281U priority Critical patent/JPS5881982U/ja
Publication of JPS5881982U publication Critical patent/JPS5881982U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の多層構造の混成集積回路を示す図であり
、イは従来のパターン配列を示す斜視図、口はイのA−
A’断面図である。第2図は本考案−の多層混成回路の
一実施例を説明する図、第3図は本考案の導体パターン
の先端形状を示す図である。 図において、1,11は基板、2.12は絶縁層、3.
13は上部パターン、4.14は下部パターン、13’
、14’は接続用導体パターン、14a、  14b、
  14Cは導体パターン形状を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 夫々所定の幅を有し、絶縁層を介して略平行に延びる第
    1および第2の導体パターンを有する混−成案積回路に
    おいて、該絶縁層の縁部にて、該絶縁層下の該第1の導
    体パターンが該所定の幅より小さい幅で該絶縁層から露
    出してなることを特徴とする混成集積回路。
JP17652281U 1981-11-27 1981-11-27 混成集積回路 Pending JPS5881982U (ja)

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JP17652281U JPS5881982U (ja) 1981-11-27 1981-11-27 混成集積回路

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JP17652281U JPS5881982U (ja) 1981-11-27 1981-11-27 混成集積回路

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JPS5881982U true JPS5881982U (ja) 1983-06-03

Family

ID=29969582

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