JPS5880252A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS5880252A JPS5880252A JP17818981A JP17818981A JPS5880252A JP S5880252 A JPS5880252 A JP S5880252A JP 17818981 A JP17818981 A JP 17818981A JP 17818981 A JP17818981 A JP 17818981A JP S5880252 A JPS5880252 A JP S5880252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- ion beam
- board
- proportional
- ion implantation
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、荷電粒子加速イオンによるイオン注入＃装置
に関する。
に関する。
周知のように、機械走査式イオン注入装置に？いて−よ
、イオンを注入すべきウニノー％を保持する金編製の円
板状の回転支持板は、その回転軸を中心として比較的重
速に回転させられるほか、イオンビームによってウェハ
を予定の１１ずつｍ次走査するため、その回転軸に喬直
な方向に並進されるよう構成されている。
、イオンを注入すべきウニノー％を保持する金編製の円
板状の回転支持板は、その回転軸を中心として比較的重
速に回転させられるほか、イオンビームによってウェハ
を予定の１１ずつｍ次走査するため、その回転軸に喬直
な方向に並進されるよう構成されている。
而して、イオン注入に際しては、回転支持板の回転が所
定の回転数に維持されるはか、回転支持板に保持された
ウェハが均一なイオン注入を受けるためには、前記回転
支持板の並進迷電が関係してくる。すなわち、回転軸と
イオンビームとの距離を凰とし、イオンビーム電流をＩ
とし、並進速成立し、並過速［Ｖをイオンビーふ電流Ｉ
に比例するように調整すれば均一なイオン注入が可能で
ある。
定の回転数に維持されるはか、回転支持板に保持された
ウェハが均一なイオン注入を受けるためには、前記回転
支持板の並進迷電が関係してくる。すなわち、回転軸と
イオンビームとの距離を凰とし、イオンビーム電流をＩ
とし、並進速成立し、並過速［Ｖをイオンビーふ電流Ｉ
に比例するように調整すれば均一なイオン注入が可能で
ある。
また、この種イオン注入装置においては、電流Ｉはイオ
ンビーふが摘要する回転支持板およびこの回転支持板に
近Ｗ＆される金属製の捕捉板からの電流をカレントイン
デクレータによって＃１１定するが、従来のカレントイ
ンデクレータは使用中Ｆｉ電流の測定レンジの変廻が出
来ない奄のであった。
ンビーふが摘要する回転支持板およびこの回転支持板に
近Ｗ＆される金属製の捕捉板からの電流をカレントイン
デクレータによって＃１１定するが、従来のカレントイ
ンデクレータは使用中Ｆｉ電流の測定レンジの変廻が出
来ない奄のであった。
このため、所謂イオン源の動作不安定によりイオンビー
ムが予想を１媚るようになるときは次のような不具合が
あった。
ムが予想を１媚るようになるときは次のような不具合が
あった。
すなわち、電流がカレントインチダレータの測定レンジ
を越えると、電流値に対応する出力パルスの鵬波数が飽
和し、入力電流値に比例しなくなる。
を越えると、電流値に対応する出力パルスの鵬波数が飽
和し、入力電流値に比例しなくなる。
そのため、すでに述べた並進速度ｖとイオンビーム電流
Ｉとの比例関係が崩れ、イオン注入の均一性が損なわれ
る。これをさけるため、イオンビーム電流が測定レンジ
を越えたことを検出してインターロックをかけるように
してイオン注入を停止し、イオンビーム電流を所定値に
調整してから再びイオン注入することが考えられる。し
かしながら、これによｎは停止、調整等に時間を要し、
生産性が低下する。
Ｉとの比例関係が崩れ、イオン注入の均一性が損なわれ
る。これをさけるため、イオンビーム電流が測定レンジ
を越えたことを検出してインターロックをかけるように
してイオン注入を停止し、イオンビーム電流を所定値に
調整してから再びイオン注入することが考えられる。し
かしながら、これによｎは停止、調整等に時間を要し、
生産性が低下する。
本発明の目的は、ウニ八へのイオン注入をその生産性を
低下させることなく均一６二行なえるようにしたイオン
注入装置を得ることにある。
低下させることなく均一６二行なえるようにしたイオン
注入装置を得ることにある。
本発明では、上述の目的を達成するためカレントインチ
ダレータの電流測定レンジ信号及びカレントインチグレ
ータの表示する電ｔＪｔ麺に比例した信号に基づいてス
テツピンダモータを１１１＃するようにしたものである
。
ダレータの電流測定レンジ信号及びカレントインチグレ
ータの表示する電ｔＪｔ麺に比例した信号に基づいてス
テツピンダモータを１１１＃するようにしたものである
。
以下、図に示す一実ｍ＊に基づいて説明する。
ｊ１１１１１４：＊いて、金属製の円板軟の回転支持板
１は図示しないスピン峨−夕にょ一駆動され、その回転
軸２は一部においてボールスクリュー５に係合されてい
る。そして、このボールスクリュー５がスデツビンダ璧
−＃４に付勢されることにょ艶回転支持板１は図の矢印
Ｘ−Ｙ方向に差違される。
１は図示しないスピン峨−夕にょ一駆動され、その回転
軸２は一部においてボールスクリュー５に係合されてい
る。そして、このボールスクリュー５がスデツビンダ璧
−＃４に付勢されることにょ艶回転支持板１は図の矢印
Ｘ−Ｙ方向に差違される。
一方、イオンビームは閣の２方向に直通し、回転支持板
１に装着されたウニへ（図示しない）に進入する。
１に装着されたウニへ（図示しない）に進入する。
そして、イオンビーム電流を測定するため、イオンビー
ムが衝央する間転支持板１及び金属製の捕捉板５からの
電流を加算してカレントインチグレータロに入力する。
ムが衝央する間転支持板１及び金属製の捕捉板５からの
電流を加算してカレントインチグレータロに入力する。
このカレントインチグレータロは電流測定レンジが自動
的に切換わる電流計で、ム／Ｄ変換器を内蔵しアナログ
量でλカされる電流Ｉをディｙタル量に変換し、レンジ
信号島と電流値の表示に比例した出力パルスｂとを出力
す、６．１／Ｌ２ｍ＃ｉこのカレントインチダレ−タロ
の動作ヲ示すフローチャートである。＊記しンが信号１
及び出力パルスｂは０ＰＩＪ７に入力される。ＣＰＵ７
は信号ａ、 ｂに基づいて電流値を算出し、この値に比
例したパルス信号０をモータコントローラ８に送る。こ
のモータコントローフ８は前記パルス信号０に基づいて
ステッピング毫−夕４を制御する。
的に切換わる電流計で、ム／Ｄ変換器を内蔵しアナログ
量でλカされる電流Ｉをディｙタル量に変換し、レンジ
信号島と電流値の表示に比例した出力パルスｂとを出力
す、６．１／Ｌ２ｍ＃ｉこのカレントインチダレ−タロ
の動作ヲ示すフローチャートである。＊記しンが信号１
及び出力パルスｂは０ＰＩＪ７に入力される。ＣＰＵ７
は信号ａ、 ｂに基づいて電流値を算出し、この値に比
例したパルス信号０をモータコントローラ８に送る。こ
のモータコントローフ８は前記パルス信号０に基づいて
ステッピング毫−夕４を制御する。
例えばイオン注入作業の關始時、カレントインチグレー
タロ（電流が最大定格のとき１０００ＰＰ８の出力パル
スを出力するものとする）の測定レンジを−ムに設定し
てＵく、イオン注入中何らかの原因でイオンビーム電流
が徐々に５ｗｚ４から＆ｌｌＡに変化したものとすると
、カレントインチダレ−タロはその測定レンジを自動的
に一フンタ上、例えば２０ｍＡに変化させた場合を図表
によって示すと次上表かられかるように、（３ＰＵ７は
出力パルスｂとレンジ信号ａとを受けることによ抄、そ
の内部で演算を行ない、イオンビーム電流Ｉ４二比例し
たパルス信号ｃ＝１モータコントローラ８に出力する。
タロ（電流が最大定格のとき１０００ＰＰ８の出力パル
スを出力するものとする）の測定レンジを−ムに設定し
てＵく、イオン注入中何らかの原因でイオンビーム電流
が徐々に５ｗｚ４から＆ｌｌＡに変化したものとすると
、カレントインチダレ−タロはその測定レンジを自動的
に一フンタ上、例えば２０ｍＡに変化させた場合を図表
によって示すと次上表かられかるように、（３ＰＵ７は
出力パルスｂとレンジ信号ａとを受けることによ抄、そ
の内部で演算を行ない、イオンビーム電流Ｉ４二比例し
たパルス信号ｃ＝１モータコントローラ８に出力する。
これによって、ステツピンダモータ４の速度はイオンビ
ーム電流Ｉに比例するようになるから、この篭−夕４に
駆動される回転支持Ｉ１１の蓋遵速暖Ｖ＃ｉイオンビー
ム電ＲＩに比例するように制御される。従って、測定レ
ンジを越えてイオンビーム電流値が増加してもイオン注
入の均一性が保持されることにな勢、安定した品質のウ
ニ八を得ることができる。そして、イオンビーム電流値
が増加しても測定レンジが自動的に切勢換えられるので
、従来のこの種装置のように注入作業を中断する会費が
なく、連続注入が回部となるからその生産性を高めるこ
とができる。
ーム電流Ｉに比例するようになるから、この篭−夕４に
駆動される回転支持Ｉ１１の蓋遵速暖Ｖ＃ｉイオンビー
ム電ＲＩに比例するように制御される。従って、測定レ
ンジを越えてイオンビーム電流値が増加してもイオン注
入の均一性が保持されることにな勢、安定した品質のウ
ニ八を得ることができる。そして、イオンビーム電流値
が増加しても測定レンジが自動的に切勢換えられるので
、従来のこの種装置のように注入作業を中断する会費が
なく、連続注入が回部となるからその生産性を高めるこ
とができる。
以上詳述したように、本発明によれば、測定レンジが自
動的に切−換わるカレントインチダレータによ―イオン
ビーム電＊ｔｍ定して、このカレントインチグレータか
ら出力されるレンジ信号と表示される電流値に比例した
出力パルスに基づいてステツヒングモータを駆動するよ
うにしたものであるから、回転支持板の並進速暖をイオ
ンビーム電流に比例して制御することが可能となり、従
って、イオンビーム電流に大きな変動があってもウェハ
へのイオンビームの均一注入が可能トｈａ、安定な品質
を有するウェハを大量に生産できるという効果を奏する
。
動的に切−換わるカレントインチダレータによ―イオン
ビーム電＊ｔｍ定して、このカレントインチグレータか
ら出力されるレンジ信号と表示される電流値に比例した
出力パルスに基づいてステツヒングモータを駆動するよ
うにしたものであるから、回転支持板の並進速暖をイオ
ンビーム電流に比例して制御することが可能となり、従
って、イオンビーム電流に大きな変動があってもウェハ
へのイオンビームの均一注入が可能トｈａ、安定な品質
を有するウェハを大量に生産できるという効果を奏する
。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
本発明で用いるカレントインデダレータの動作説明のた
めのタイムチャートである。 １・−・・・・回転支持１１１．４−・−ステッピング
篭−タ、６・・・・・・カレントインテダレータ、■・
・・・・・イオンビーム電流、１・−・・・レンジ信号
、ｂ・・・・出力パルス。 特許出願人 日新バイポルチーＶ株式会社 穴 １ 図 方 ２ 図 工（丁ナロｉ量ン 出力ベルス６
本発明で用いるカレントインデダレータの動作説明のた
めのタイムチャートである。 １・−・・・・回転支持１１１．４−・−ステッピング
篭−タ、６・・・・・・カレントインテダレータ、■・
・・・・・イオンビーム電流、１・−・・・レンジ信号
、ｂ・・・・出力パルス。 特許出願人 日新バイポルチーＶ株式会社 穴 １ 図 方 ２ 図 工（丁ナロｉ量ン 出力ベルス６
Claims (1)
- ステッピングモータによりウェハを献俯した回転支持板
を駆動するようにしたものにおいて、一定レンジが自動
的（二切換わるカレントインデクレータによ抄前記りエ
へへのイオンビーム（流ｔ’ ＩＩｍｕ、前記カレント
インデクレータから出力さルるレンジ信号と表示される
電流値に比例した出力パルスに基づいて前記ステッピン
グモータを駆動するようにしたことを特徴とするイオン
注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17818981A JPS5880252A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17818981A JPS5880252A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880252A true JPS5880252A (ja) | 1983-05-14 |
| JPH0234152B2 JPH0234152B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=16044147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17818981A Granted JPS5880252A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880252A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0140928A1 (en) * | 1983-03-29 | 1985-05-15 | VEECO/ai. INC. | Ion implantation control system |
| JPS62177848A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Hitachi Ltd | イオン打込制御方法 |
| JPS63953A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Nissin Electric Co Ltd | イオン照射装置 |
| JPH01183049A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-20 | Fujitsu Ltd | イオン照射装置 |
| EP0385710A2 (en) * | 1989-02-28 | 1990-09-05 | Eaton Corporation | Wafer rotation control for an ion implanter |
| US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55160427A (en) * | 1979-05-23 | 1980-12-13 | Nova Ass Inc | Beam machining apparatus |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP17818981A patent/JPS5880252A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55160427A (en) * | 1979-05-23 | 1980-12-13 | Nova Ass Inc | Beam machining apparatus |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0140928A1 (en) * | 1983-03-29 | 1985-05-15 | VEECO/ai. INC. | Ion implantation control system |
| JPS62177848A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Hitachi Ltd | イオン打込制御方法 |
| JPH0740481B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1995-05-01 | 株式会社日立製作所 | イオン打込制御方法 |
| JPS63953A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Nissin Electric Co Ltd | イオン照射装置 |
| JPH01183049A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-20 | Fujitsu Ltd | イオン照射装置 |
| EP0385710A2 (en) * | 1989-02-28 | 1990-09-05 | Eaton Corporation | Wafer rotation control for an ion implanter |
| EP0385710A3 (en) * | 1989-02-28 | 1991-04-17 | Eaton Corporation | Wafer rotation control for an ion implanter |
| US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0234152B2 (ja) | 1990-08-01 |
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