JPS5879872A - 非酸化物セラミツクスのホツトプレス方法 - Google Patents
非酸化物セラミツクスのホツトプレス方法Info
- Publication number
- JPS5879872A JPS5879872A JP56178585A JP17858581A JPS5879872A JP S5879872 A JPS5879872 A JP S5879872A JP 56178585 A JP56178585 A JP 56178585A JP 17858581 A JP17858581 A JP 17858581A JP S5879872 A JPS5879872 A JP S5879872A
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- JP
- Japan
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- hot press
- carbon
- mold
- sintering
- oxide ceramics
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ζO尭aa非象化物セラミックスのホットプレス方法o
tX*に4kD、詳り、<Oヘルド、5i3Ns する
hms+cなどの非酸化物セラミックスをカーボン量−
ルビ中でホットプレス焼結するKWAして非線化物セラ
ミックスとカーボンモールドの間に絢とt4を像とする
ものである。
tX*に4kD、詳り、<Oヘルド、5i3Ns する
hms+cなどの非酸化物セラミックスをカーボン量−
ルビ中でホットプレス焼結するKWAして非線化物セラ
ミックスとカーボンモールドの間に絢とt4を像とする
ものである。
蛾近セラミックス材料、特に耐熱性材料としてのセラミ
ックスの開発が盛んに行われている。
ックスの開発が盛んに行われている。
なかでも高mにおいて安定な耐熱性vlJ質である共有
結合性化合物、籍に電化けい素(Si3N* )や電化
けい素(SiC)が非常にすぐれた材料である) ことは知られている。
結合性化合物、籍に電化けい素(Si3N* )や電化
けい素(SiC)が非常にすぐれた材料である) ことは知られている。
一般にセラミックスは原料セラミックス粉末を成形焼結
して得られるものであるが、Si@N4、SiCなどの
場合は一般の酸化物セラミックスと異なり、−焼結性物
質であるため、単涯組成たとえばSi劇。
して得られるものであるが、Si@N4、SiCなどの
場合は一般の酸化物セラミックスと異なり、−焼結性物
質であるため、単涯組成たとえばSi劇。
看末のみを焼結しても緻密な焼結体を得ることは2難で
ある。
ある。
このためSi、N、粉末&CMgO1A403、Y2O
1、CeO,、邸cOなどの酸化物粉末を焼結助剤とし
て加えて焼結することが行われている。
1、CeO,、邸cOなどの酸化物粉末を焼結助剤とし
て加えて焼結することが行われている。
セして焼結としては、普遍焼結、反応焼結あるiはホッ
トプレス焼結が知られているか、なかでも高温下で加圧
しなから焼結するホットプレス焼結法によれに、よシ緻
密な焼結体t−得ることができるのである。
トプレス焼結が知られているか、なかでも高温下で加圧
しなから焼結するホットプレス焼結法によれに、よシ緻
密な焼結体t−得ることができるのである。
ところがこのホットプレス法においては成形用モールド
が必要であ〕、このような成形用モールドとしては^温
下で外部圧力に充分耐えられる^温強を會有し、かつ種
々の形状に加工しうる材料で形成されることが好ましい
。
が必要であ〕、このような成形用モールドとしては^温
下で外部圧力に充分耐えられる^温強を會有し、かつ種
々の形状に加工しうる材料で形成されることが好ましい
。
ζOような一点から、従来は高温!に度にすぐれ、かつ
切削加工性にもすぐれてiるカーボンが成形用モールド
の材料として広く用−られている。
切削加工性にもすぐれてiるカーボンが成形用モールド
の材料として広く用−られている。
しかしながらカーボンはSi3N、やSiCと反応して
凝着を引きおζすため、試料表面にカーボンとの反応層
を生成し九〕、を九凝着によって試料をカーボンの(−
ルドから取り出すことができないなどO欠点を有してい
るのである。
凝着を引きおζすため、試料表面にカーボンとの反応層
を生成し九〕、を九凝着によって試料をカーボンの(−
ルドから取り出すことができないなどO欠点を有してい
るのである。
そしてこのような欠点を龜除くためにカーボン毫−ルド
tatn社にすることによって試料を取出すことも行わ
れて−る(特公[15g−11665号)。
tatn社にすることによって試料を取出すことも行わ
れて−る(特公[15g−11665号)。
とζろがこの方法ではカーボンの消耗が泳しくコスト的
K11lIiHkがあるほか、カーボンとの反応による
試料表−の異常層の尭生という問題の解訣にはならない
のである。
K11lIiHkがあるほか、カーボンとの反応による
試料表−の異常層の尭生という問題の解訣にはならない
のである。
このようなことからカーボンモールド中でセラミックス
材料を成形焼結する時に、モールドとセラミックス材料
との間に厚さ8−以上のBN粉末廟を介在させることが
発表されているが、(%開1@66−421112号)
この方法では、成形体の胸囲が一体によって拘束されな
いために、圧力をかけ丸時に該成形体が圧壊しやすいと
いう欠点が見られるのである。
材料を成形焼結する時に、モールドとセラミックス材料
との間に厚さ8−以上のBN粉末廟を介在させることが
発表されているが、(%開1@66−421112号)
この方法では、成形体の胸囲が一体によって拘束されな
いために、圧力をかけ丸時に該成形体が圧壊しやすいと
いう欠点が見られるのである。
そζで本発明者らはカーボンモールドと該モールド中に
充填するセラミックス材料との間にカーボン、セラミッ
クス材料の両者と反応性がなく、ま良セラミックス材料
との摩擦の少ない物質を介在させてホットプレスt−繰
返した結果、前記しえような欠点t−除去しうることを
見出し、この発明に至ったのである。
充填するセラミックス材料との間にカーボン、セラミッ
クス材料の両者と反応性がなく、ま良セラミックス材料
との摩擦の少ない物質を介在させてホットプレスt−繰
返した結果、前記しえような欠点t−除去しうることを
見出し、この発明に至ったのである。
即ちこの発明はモールド中に充填するセラミックス材料
とカーボンモールドとの間に両者との反応性が1に%A
タングステン、モリブデン、メンタル勢の金属の板体あ
るいは粉末層を介在・層として川−てセラミックス材料
をホ、ツ訃プレスする方法な#!供するものである。
とカーボンモールドとの間に両者との反応性が1に%A
タングステン、モリブデン、メンタル勢の金属の板体あ
るいは粉末層を介在・層として川−てセラミックス材料
をホ、ツ訃プレスする方法な#!供するものである。
この発明の方法によればホットプレス焼結時にセラミッ
クス材料とカーメンとの反応が、タングステン、モリブ
デン、タンタル等の金属の介在層によって阻止されるか
ら、焼結体を簡単にモールドから取出すことができ、高
密度、高強度の焼結体を得ることができる。
クス材料とカーメンとの反応が、タングステン、モリブ
デン、タンタル等の金属の介在層によって阻止されるか
ら、焼結体を簡単にモールドから取出すことができ、高
密度、高強度の焼結体を得ることができる。
なシミの発明において介在層として用いるタングステン
、モリブデン、タンタル等の金属の形状としては、厚さ
0.2〜10■の板体のほか、厚さ01〜b■の粉末層
とすることが望ましい。そして板体の場合に厚さを上記
の範囲に限定するのは、&2■厚以下ではカーボンモー
ルドとの反応をとめる効果がなく、また10−以上はコ
ストが^くなるだけでよりよい効果を示さないためであ
る。
、モリブデン、タンタル等の金属の形状としては、厚さ
0.2〜10■の板体のほか、厚さ01〜b■の粉末層
とすることが望ましい。そして板体の場合に厚さを上記
の範囲に限定するのは、&2■厚以下ではカーボンモー
ルドとの反応をとめる効果がなく、また10−以上はコ
ストが^くなるだけでよりよい効果を示さないためであ
る。
次Km末層とする場合の上記限定は、0.2−以下では
カーボンモールドとの反応をとめる効果がなく、1九6
−以上でti成形体の周囲の拘束が弱くなって、圧力を
加えた時に該成形体が圧壊するためである。
カーボンモールドとの反応をとめる効果がなく、1九6
−以上でti成形体の周囲の拘束が弱くなって、圧力を
加えた時に該成形体が圧壊するためである。
こO発明におけるホットプレス焼結源度は目10〜19
00℃がのぞましく、1400℃以下では焼結が不十分
となり、また1900℃以上ではSl、N4の昇華分解
が活発となって好ましくない。
00℃がのぞましく、1400℃以下では焼結が不十分
となり、また1900℃以上ではSl、N4の昇華分解
が活発となって好ましくない。
壕え圧力としてFi100〜400?/C−が適当であ
る。
る。
次にこの発明′に実施例に上り評細Vこ説明する。
実施例
一相が90%のSt、N4粉本に5重置%のMgO粉末
を配合して混合粉砕し、これを500 Kg/lメの圧
力で一辺100■、厚さ80■の平板に成形した。
を配合して混合粉砕し、これを500 Kg/lメの圧
力で一辺100■、厚さ80■の平板に成形した。
次にこの成形体t−第1表に示すような金属板、金属粉
末の介在層を設けてカーボンモールド中にセットし、1
706c、圧力200 LI10+/の条件で80分−
のホットプレス焼結を行った。
末の介在層を設けてカーボンモールド中にセットし、1
706c、圧力200 LI10+/の条件で80分−
のホットプレス焼結を行った。
得られた焼結体のカーボンモールドからの1lIIl!
!I!性?表向状−を調べた。
!I!性?表向状−を調べた。
結果tijllFの通りであった。
上表*bこの発#4による焼結体はカーボンモールドか
らの離型性にすぐれ、表面変質層も存在しないことがa
mされた。
らの離型性にすぐれ、表面変質層も存在しないことがa
mされた。
Claims (1)
- 51、N、 ある−はSjCなどの非酸化物セラミッ
クス管カーボンモールド中でホットプレス焼結するKI
IL、麹−紀非駿化物セラミックスとカーボンモールド
1ドと4DI41にタングステン、モリブデン、タンタ
ルなとo*aiの介在層を設けてホットプレス焼結する
ことを%黴とする非酸化物セラミックスのホットプレス
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56178585A JPS5879872A (ja) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | 非酸化物セラミツクスのホツトプレス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56178585A JPS5879872A (ja) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | 非酸化物セラミツクスのホツトプレス方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5879872A true JPS5879872A (ja) | 1983-05-13 |
Family
ID=16051042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56178585A Pending JPS5879872A (ja) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | 非酸化物セラミツクスのホツトプレス方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5879872A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60501856A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-10-31 | フオ−ド モ−タ− カンパニ− | 窒化ケイ素包含物体の製造方法 |
WO1996006202A1 (en) * | 1994-08-25 | 1996-02-29 | Materials Research Corporation | Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets |
US6582641B1 (en) | 1994-08-25 | 2003-06-24 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets |
WO2021106533A1 (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 日本碍子株式会社 | 酸化物含有セラミック焼結体の製法及び離型シート |
-
1981
- 1981-11-07 JP JP56178585A patent/JPS5879872A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60501856A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-10-31 | フオ−ド モ−タ− カンパニ− | 窒化ケイ素包含物体の製造方法 |
WO1996006202A1 (en) * | 1994-08-25 | 1996-02-29 | Materials Research Corporation | Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets |
US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
US6582641B1 (en) | 1994-08-25 | 2003-06-24 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets |
WO2021106533A1 (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 日本碍子株式会社 | 酸化物含有セラミック焼結体の製法及び離型シート |
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