JPS5878444A - 半導体類のパッケ−ジ成形方法 - Google Patents
半導体類のパッケ−ジ成形方法Info
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- JPS5878444A JPS5878444A JP18530182A JP18530182A JPS5878444A JP S5878444 A JPS5878444 A JP S5878444A JP 18530182 A JP18530182 A JP 18530182A JP 18530182 A JP18530182 A JP 18530182A JP S5878444 A JPS5878444 A JP S5878444A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明にダイオードやトランジスター(tJような牛4
体隼子や、仁ILら半導体υ集積1g1M(以下牛潰体
−と椰子)(tJ気密収納する為υパッケージ成形方法
、史Vr−絆しくa牛導体類會鉄増したリードフレーム
金子め成形さIした少くとも1個が半導体ti4會収納
するπめυ秘みtMする二gIAv熱可塑性樹脂板状成
形品(以)熱0T111性樹脂愼状体と椰子)にLQ挾
んた状態で一体密封化することを%歓とする熱町朧性樹
脂製リフラットパッケージ及びデエアルインラインバッ
クージ等O製@に関するもυである。
体隼子や、仁ILら半導体υ集積1g1M(以下牛潰体
−と椰子)(tJ気密収納する為υパッケージ成形方法
、史Vr−絆しくa牛導体類會鉄増したリードフレーム
金子め成形さIした少くとも1個が半導体ti4會収納
するπめυ秘みtMする二gIAv熱可塑性樹脂板状成
形品(以)熱0T111性樹脂愼状体と椰子)にLQ挾
んた状態で一体密封化することを%歓とする熱町朧性樹
脂製リフラットパッケージ及びデエアルインラインバッ
クージ等O製@に関するもυである。
従来、千尋体類υパッケージ方式には金輌。
セラずプラス及びガラス等で気密シー41行なうパッケ
ージ方式とプラスナックに141バツク一ジ方式とかあ
りチップ(IJ保讃技術υ進法に、にるgi幀性の同上
VCJ−Os最近a謙価なグラスチックパッケージか玉
流となっているC 椀在実用に供ぜらnているグラスチックパッケージにa
その製造方式にLOいわゆるモールド法と注入法(LJ
2柚類かめるC 中でも金属とLJvB漕性、耐湿性、電気及び機械的特
性などrt★fしたエポキシ側脂りトランス2アーモー
ルドffi&t4ゐプラスチックパッケージが最も多く
用いらfしている。
ージ方式とプラスナックに141バツク一ジ方式とかあ
りチップ(IJ保讃技術υ進法に、にるgi幀性の同上
VCJ−Os最近a謙価なグラスチックパッケージか玉
流となっているC 椀在実用に供ぜらnているグラスチックパッケージにa
その製造方式にLOいわゆるモールド法と注入法(LJ
2柚類かめるC 中でも金属とLJvB漕性、耐湿性、電気及び機械的特
性などrt★fしたエポキシ側脂りトランス2アーモー
ルドffi&t4ゐプラスチックパッケージが最も多く
用いらfしている。
c&Jモールド法0#!1図に示す1うにタブ1よg4
4体111(LIテップ21に一金やアルミ等り金属#
5にLvリード4vc結線した状態のリードフレーム5
1tJ!!6及び■型7υ闇に挾み、図示aしていない
かスプルー、ランナー、ケート金倉してトランスフ1−
敗形憎↓0敢形樹脂材料tキャビティ8に光項散形する
方法であ小0C(LJ方法LJll′点aリード7 L
’ −A(tJJIミ(Uバラツキ、金a!加工LJ#
1度及び使用にともなう摩耗、寸法り狂い等にエリ、金
ルとリードフレーム闇に隙間が出来、こり部分及びそり
周辺にバリり出6礪甘か多いCとであり、cILらリー
ド上のバリaリードとソケットとLJ接接触小中早出づ
け作ikυ紡けり原因となるため、除去作条か必要とな
^gp#υ欠点かめりた。
4体111(LIテップ21に一金やアルミ等り金属#
5にLvリード4vc結線した状態のリードフレーム5
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かスプルー、ランナー、ケート金倉してトランスフ1−
敗形憎↓0敢形樹脂材料tキャビティ8に光項散形する
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1度及び使用にともなう摩耗、寸法り狂い等にエリ、金
ルとリードフレーム闇に隙間が出来、こり部分及びそり
周辺にバリり出6礪甘か多いCとであり、cILらリー
ド上のバリaリードとソケットとLJ接接触小中早出づ
け作ikυ紡けり原因となるため、除去作条か必要とな
^gp#υ欠点かめりた。
J1!に、こり方法でexa脂に工ゐ封止取形申にチッ
プか底形樹脂材料と#IL快嵌触することに工Oa[、
^圧り状態におかnゐため、場合によってa千尋体機能
υgMM性に影醤t&は丁といった欠点もありた。
プか底形樹脂材料と#IL快嵌触することに工Oa[、
^圧り状態におかnゐため、場合によってa千尋体機能
υgMM性に影醤t&は丁といった欠点もありた。
ctJz’)なモールド法り欠点wi:*艮するために
%開1i!152−77669(IJ工うな方法が提案
さnている。
%開1i!152−77669(IJ工うな方法が提案
さnている。
CLJ方f、r[2凶に示すごとく半導体類會袈看して
いないリードフレーム5を予め熱−J動性樹脂に五〇成
形し*m部9υあゐ溶膚用リプ10υついたプラスチッ
クケース11と紙部Vめるグラスチックケース12#L
L、0挾み超音波またに高周波に、!、り溶層一体化し
たυちグラスチックケース11(7J窓部9を介して−
にa示していないか千尋体−υチックを収納する方法で
あ6゜ しかし、こり万fEO牛導体類υテップに、7yスf
y / ケース11 LJ@s9 、C、r)組み込み
1次いで半導体類の回路とリードを金W4鯉にLo結線
することか必要であゐが、グラスチックケース11cL
J形状寸@VtLってに、グラスチックケースが障害と
なって鮎剥作条に支障困難會きた丁場甘かあり、結ll
1Nに支障υない場合でも結細tjkにプラスチックケ
ース11り窓部9を別υ飯状物もしくrE樹脂状物によ
って気密シール1小工程が必要であるなどの間鵡に加え
て、嵌せせ体部かプラスチックケースとリード閣及び7
2ステツクケースと金状物、もしくに半導体類のチップ
と樹BFI状1m!1u2個所となるため気密シールの
信頼性にも影響會及は丁などV欠点か6つcO か\る欠点を解消するためI/C−1第3図に示すj5
に予め成形さrt*少くとも1個か半導体類を収納T小
πめcLJ窪みt壱する2個V熱町塑性樹脂板状体15
.15’r(L、g図示aさnていないか、千尋体al
lt#cwしたリードフレーム5?r挾ん走状總で固定
台14と超音波像動工具ホーン15g−J闇に挾み、次
いで超音波伽動を与えるこトvtLO熱i:JiiiI
!s*Jjm板状体1 s、 1s’ ト!J−ドフレ
ーム5(/J闇υ振動lI!擦にエリ化じた俗−倒MI
#會す−ド2レームリリード間隙16に流し込1!ぜる
こと工0なる半導体6+(LJパッケージ方法も提案さ
rtている。
いないリードフレーム5を予め熱−J動性樹脂に五〇成
形し*m部9υあゐ溶膚用リプ10υついたプラスチッ
クケース11と紙部Vめるグラスチックケース12#L
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たυちグラスチックケース11(7J窓部9を介して−
にa示していないか千尋体−υチックを収納する方法で
あ6゜ しかし、こり万fEO牛導体類υテップに、7yスf
y / ケース11 LJ@s9 、C、r)組み込み
1次いで半導体類の回路とリードを金W4鯉にLo結線
することか必要であゐが、グラスチックケース11cL
J形状寸@VtLってに、グラスチックケースが障害と
なって鮎剥作条に支障困難會きた丁場甘かあり、結ll
1Nに支障υない場合でも結細tjkにプラスチックケ
ース11り窓部9を別υ飯状物もしくrE樹脂状物によ
って気密シール1小工程が必要であるなどの間鵡に加え
て、嵌せせ体部かプラスチックケースとリード閣及び7
2ステツクケースと金状物、もしくに半導体類のチップ
と樹BFI状1m!1u2個所となるため気密シールの
信頼性にも影響會及は丁などV欠点か6つcO か\る欠点を解消するためI/C−1第3図に示すj5
に予め成形さrt*少くとも1個か半導体類を収納T小
πめcLJ窪みt壱する2個V熱町塑性樹脂板状体15
.15’r(L、g図示aさnていないか、千尋体al
lt#cwしたリードフレーム5?r挾ん走状總で固定
台14と超音波像動工具ホーン15g−J闇に挾み、次
いで超音波伽動を与えるこトvtLO熱i:JiiiI
!s*Jjm板状体1 s、 1s’ ト!J−ドフレ
ーム5(/J闇υ振動lI!擦にエリ化じた俗−倒MI
#會す−ド2レームリリード間隙16に流し込1!ぜる
こと工0なる半導体6+(LJパッケージ方法も提案さ
rtている。
しかしかかる方法に於いても1次(LJLうな欠陥か発
生するという間鴎かあった。
生するという間鴎かあった。
即ち、平mなせ体面とり−ドフレームの接触l#lIi
&−J場合艦触向槓か比較的大きくなり、溶融にスきな
エネルギー會必セと1小ため、超音波蛋wJ時間を一定
としπ場合にa工具ホーンり振巾音大きくする必賛かあ
0.−万振巾會親電とした場合tItrx、長時間の振
動を景丁心などにLり振動中Vtl1!I#IA樹脂υ
中に空気か巻き込1n易く、多孔貿化さIL小πめに気
密化に問題を生じるとともに超音波振動の振巾、あるい
に振動時間(IJ壇λにエリ織細なリードV涙形や折損
等υ紋命的な問題υ生じ小ことかめつ7jQ不発8AO
こ(lJLうな欠点に1みてなさn、たもむで、以−ト
ー実施劉を示す184図〜第8図にLりそり内容ケ説明
する0 纂4図KBいて予め成形さnrc少なくとも1個か半導
体舗會収納丁6ためV@み17.17’LJめ小2個υ
熱可塑性側脂板状体13.15’にLO1凶にσ示さn
ていない牛尋体類を鉄層したリードフレーム5を挾み、
cILらt少なくとも超音波振動りり前に所定1シ温度
に予熱した恢、工具ホーン15に工小超音波@鯛にエリ
熱司望性樹脂板状体t−融せ合体ぜ°しめ60こ(IJ
際、2個υ熱CiJ朧性悄崩板状体15.15’υ少な
くとも一方(第4図においてrL21−とも)υ合体向
11Jに位重丁^基礎面18.18’上に複畝個υ凸$
19.19′1f−南する熱町腹性倒脂板状体を用いる
0超音波振動會工具ホーン15に弁して板状体に刃口え
ると、1tリードフレーム5と振した凸部か振動iI#
優にエリ浴融し、醒−樹脂かリードフレーム5cLJリ
ード間隙16に流rt込み、史に凸部(LJ#!融か進
むと第5図に部分的にボテz541HI11[+18と
リード(Q表$20υ筒に形成さrtた、凸部19か占
める容重以外υ空隙21にも浴融衝脂が流IL込み、l
π第6図に、ボテ設耐上意図したパリ溜め22にも齢融
樹脂か流入し、#終的[tlff2個υ熱口」腹性輌脂
&状体に工9リードヶ挾んだ形で一体vIj封化さn小
0 この除に伽なことね、合体恢りリードり表面20か11
wActJ熱可朦性N脂叡状体υ甘体(2)儒に位置す
る凸部(tJ泰礎向18の少なくとも一方に誉しない位
置で合体さぜゐCとである。
&−J場合艦触向槓か比較的大きくなり、溶融にスきな
エネルギー會必セと1小ため、超音波蛋wJ時間を一定
としπ場合にa工具ホーンり振巾音大きくする必賛かあ
0.−万振巾會親電とした場合tItrx、長時間の振
動を景丁心などにLり振動中Vtl1!I#IA樹脂υ
中に空気か巻き込1n易く、多孔貿化さIL小πめに気
密化に問題を生じるとともに超音波振動の振巾、あるい
に振動時間(IJ壇λにエリ織細なリードV涙形や折損
等υ紋命的な問題υ生じ小ことかめつ7jQ不発8AO
こ(lJLうな欠点に1みてなさn、たもむで、以−ト
ー実施劉を示す184図〜第8図にLりそり内容ケ説明
する0 纂4図KBいて予め成形さnrc少なくとも1個か半導
体舗會収納丁6ためV@み17.17’LJめ小2個υ
熱可塑性側脂板状体13.15’にLO1凶にσ示さn
ていない牛尋体類を鉄層したリードフレーム5を挾み、
cILらt少なくとも超音波振動りり前に所定1シ温度
に予熱した恢、工具ホーン15に工小超音波@鯛にエリ
熱司望性樹脂板状体t−融せ合体ぜ°しめ60こ(IJ
際、2個υ熱CiJ朧性悄崩板状体15.15’υ少な
くとも一方(第4図においてrL21−とも)υ合体向
11Jに位重丁^基礎面18.18’上に複畝個υ凸$
19.19′1f−南する熱町腹性倒脂板状体を用いる
0超音波振動會工具ホーン15に弁して板状体に刃口え
ると、1tリードフレーム5と振した凸部か振動iI#
優にエリ浴融し、醒−樹脂かリードフレーム5cLJリ
ード間隙16に流rt込み、史に凸部(LJ#!融か進
むと第5図に部分的にボテz541HI11[+18と
リード(Q表$20υ筒に形成さrtた、凸部19か占
める容重以外υ空隙21にも浴融衝脂が流IL込み、l
π第6図に、ボテ設耐上意図したパリ溜め22にも齢融
樹脂か流入し、#終的[tlff2個υ熱口」腹性輌脂
&状体に工9リードヶ挾んだ形で一体vIj封化さn小
0 この除に伽なことね、合体恢りリードり表面20か11
wActJ熱可朦性N脂叡状体υ甘体(2)儒に位置す
る凸部(tJ泰礎向18の少なくとも一方に誉しない位
置で合体さぜゐCとである。
(ytV(、CDリード(LJ表農崗圓と1無向とυ闇
に空PJ21か確保さILゐ0 こυ空@ 4Ctx s超音波振動に1・9俗融した樹
脂υ一部が流入し周辺υ樹脂と溶融合体さT′Lる0超
音波浴Nにおいて光分な気密溶崩を得るkめvc0s#
融甘体鄭υ合体會めゐ水準以上rc到遜さぜゐためrL
−足容鴛以上υfI!l!1!il答横を確保1小こと
が必要でめゐか、前述の空■a−建谷貢以上の俗#Il
谷槓會蓚株し気密化を訂小上で不可欠な条件となめ。
に空PJ21か確保さILゐ0 こυ空@ 4Ctx s超音波振動に1・9俗融した樹
脂υ一部が流入し周辺υ樹脂と溶融合体さT′Lる0超
音波浴Nにおいて光分な気密溶崩を得るkめvc0s#
融甘体鄭υ合体會めゐ水準以上rc到遜さぜゐためrL
−足容鴛以上υfI!l!1!il答横を確保1小こと
が必要でめゐか、前述の空■a−建谷貢以上の俗#Il
谷槓會蓚株し気密化を訂小上で不可欠な条件となめ。
こり空11i21會設けない場合Klゴ、超音波像動r
(Lり浴融さぜ^必9(LJある最小限匿υ容槓に績み
部を除く熱PI紐注樹脂数状体υ17−1”7レームに
対する投影Sに相歯丁小リード間隙の酩谷重と紋針上り
意凶したノ(す翻め鄭の酩容槓υせ典容槙でLい4丁で
あゐか、リードフレーム及び板状体0寸法、形状等rc
Lつても異なゐか。
(Lり浴融さぜ^必9(LJある最小限匿υ容槓に績み
部を除く熱PI紐注樹脂数状体υ17−1”7レームに
対する投影Sに相歯丁小リード間隙の酩谷重と紋針上り
意凶したノ(す翻め鄭の酩容槓υせ典容槙でLい4丁で
あゐか、リードフレーム及び板状体0寸法、形状等rc
Lつても異なゐか。
w46凶に示し7c16ビンD I P(/JIPIJ
FL工fLば、cvk容槓rL1.4X 10−’ a
fa[r#01MV熱町朧注樹1旨叡状体当9に丁IL
は、ヤυ牛分υ7 XI Q−”CI+’と極めて小さ
く1、仮υに、凸5lclJ形状II−底辺(IJ長さ
が一辺1.6amの角−とし合体II]vL品に配fQ
s来るものとしてその高さt不めてみ小と、綿々280
μl14度で超音波溶層で気密性會必費とする対象LJ
場場合lJ浴増突起としては光分に機能しえない機小さ
くなる。
FL工fLば、cvk容槓rL1.4X 10−’ a
fa[r#01MV熱町朧注樹1旨叡状体当9に丁IL
は、ヤυ牛分υ7 XI Q−”CI+’と極めて小さ
く1、仮υに、凸5lclJ形状II−底辺(IJ長さ
が一辺1.6amの角−とし合体II]vL品に配fQ
s来るものとしてその高さt不めてみ小と、綿々280
μl14度で超音波溶層で気密性會必費とする対象LJ
場場合lJ浴増突起としては光分に機能しえない機小さ
くなる。
不発明に1発明ctJ賛点、即ち沼融曾俸都υ温[kあ
る水準以上1c到達させ一定時間以上このffl腋付近
に維持6ぜ小ためVt必必要一建谷菫以上&J浴融樹脂
谷槓か−保さfLる場合におい1a1)2個υ熱口Jm
性樹脂板状体υ少なくとも一方(IJ甘合体@r(りか
凸部金膜ける。
る水準以上1c到達させ一定時間以上このffl腋付近
に維持6ぜ小ためVt必必要一建谷菫以上&J浴融樹脂
谷槓か−保さfLる場合におい1a1)2個υ熱口Jm
性樹脂板状体υ少なくとも一方(IJ甘合体@r(りか
凸部金膜ける。
2)2個QJ何体面餉り少なくとも一方にリードフレー
ムのリード間騰に11kv可能な凸S金膜ける0 6)リードフレームか熱erJ塑性樹脂板状体υ少なく
とも一方(LJ基礎面と接しないでせ1体する。
ムのリード間騰に11kv可能な凸S金膜ける0 6)リードフレームか熱erJ塑性樹脂板状体υ少なく
とも一方(LJ基礎面と接しないでせ1体する。
以上3点のい丁n−υ場合にkいても、好ましい気9j
@体か達成さfLゐ。
@体か達成さfLゐ。
また、同体な意味甘いから凸部υ浴融樹脂にぶり実質的
にg!隙か埋め込1する限りにふ゛いてa、凸fl19
.19’&、1M礎rtxtta−平mcibh必*t
ayx<s従って空l!J21cLJ容積rxmmに1
って変動していて差しつかえなく、筐た熱可塑性樹脂板
状体の形状に工つてa意図的に凸s1従って空−〇形状
、配t11を等に変動tもたせた万か良好な気密#71
#性(LJ得らILる場甘もある0不発明a1熱可塑性
樹脂板状体υ台体@翻に凸部を設け、リード0表向(第
6図に示さnゐ平向又にそLJIIkl![I)か、凸
部か&けらIした基礎面(熱可塑性樹脂板状体の最λυ
劇−棟含有す面と考えらILる)に接しなi状態で上体
させることに工9凸Sシl@l!l樹脂り一部か、板状
体vate向とリード表向とり閣υ窒諏r(流入丁ゐ工
うにして、良好なせ体状Ut崎るために必会な一定容童
以上り溶−樹脂量を確保しょうと丁ゐもυでめる0 以上説明しπ↓うに、本発明でに、凸sμ町及的に分散
させ九状膝でtiけるCとl/J望ましい場甘か多いか
s Cf1lC限定Inめもυでaな(、リードフレー
ム及び熱0111性樹脂板状体V形状、寸f、、外観上
υ問題等から適宜本発明り機能tそCなわない範囲VL
j?いて貧化させ小ことが出来る。
にg!隙か埋め込1する限りにふ゛いてa、凸fl19
.19’&、1M礎rtxtta−平mcibh必*t
ayx<s従って空l!J21cLJ容積rxmmに1
って変動していて差しつかえなく、筐た熱可塑性樹脂板
状体の形状に工つてa意図的に凸s1従って空−〇形状
、配t11を等に変動tもたせた万か良好な気密#71
#性(LJ得らILる場甘もある0不発明a1熱可塑性
樹脂板状体υ台体@翻に凸部を設け、リード0表向(第
6図に示さnゐ平向又にそLJIIkl![I)か、凸
部か&けらIした基礎面(熱可塑性樹脂板状体の最λυ
劇−棟含有す面と考えらILる)に接しなi状態で上体
させることに工9凸Sシl@l!l樹脂り一部か、板状
体vate向とリード表向とり閣υ窒諏r(流入丁ゐ工
うにして、良好なせ体状Ut崎るために必会な一定容童
以上り溶−樹脂量を確保しょうと丁ゐもυでめる0 以上説明しπ↓うに、本発明でに、凸sμ町及的に分散
させ九状膝でtiけるCとl/J望ましい場甘か多いか
s Cf1lC限定Inめもυでaな(、リードフレー
ム及び熱0111性樹脂板状体V形状、寸f、、外観上
υ問題等から適宜本発明り機能tそCなわない範囲VL
j?いて貧化させ小ことが出来る。
第8凶C1甘体憬り牛導体パッケージ會示す斜視図であ
る。
る。
熱ロエ畿性樹脂板状体とリードフレームυ予熱a超音波
振1Etlす#M条件を敢も緩やかな条件にし合体時り
リードフレーム貿形及び損傷會皆無に丁^土″′Cム景
な資性であり、そり条fFosa状体やリードフレーム
の材質及び形状号VtLつ異な小か−−股的にa熱可塑
性樹脂板状体に患影畳を与える髪形υ生しない上限の温
度及び時間以下1行わILる0嘔らに一部リードフレー
・ムに鉄層しπ半尋体−LJ憬能に障害を及ぼさない上
限ILJ温健及び時間以内で、かつリードフレームに酸
化や@り生じない上@CLJ温膨及び時開以下であるC
とか必資であゐ〇 以上加熱手段として、超音gL伽勤Vtついて説明した
か、熱盤豪触加熱温風加熱咎の手段も使用し侍ゐ0 本発明に用いらfL小熱町塑性樹脂としてaそfL−t
Jfl LJMp尋体類υパッケージに対丁ゐ資求臀性
に応じて種々(tJ糧aiilqJもOか用いらn小か
。
振1Etlす#M条件を敢も緩やかな条件にし合体時り
リードフレーム貿形及び損傷會皆無に丁^土″′Cム景
な資性であり、そり条fFosa状体やリードフレーム
の材質及び形状号VtLつ異な小か−−股的にa熱可塑
性樹脂板状体に患影畳を与える髪形υ生しない上限の温
度及び時間以下1行わILる0嘔らに一部リードフレー
・ムに鉄層しπ半尋体−LJ憬能に障害を及ぼさない上
限ILJ温健及び時間以内で、かつリードフレームに酸
化や@り生じない上@CLJ温膨及び時開以下であるC
とか必資であゐ〇 以上加熱手段として、超音gL伽勤Vtついて説明した
か、熱盤豪触加熱温風加熱咎の手段も使用し侍ゐ0 本発明に用いらfL小熱町塑性樹脂としてaそfL−t
Jfl LJMp尋体類υパッケージに対丁ゐ資求臀性
に応じて種々(tJ糧aiilqJもOか用いらn小か
。
^いihs性(耐熱変形性及び耐熱劣化性)と低い透湿
性及び一定水準以上CtJ電気、機械特性に加えJ1!
に一矩水準以よttJg形性tMすることが必費でめ、
6゜ 代表例としてにポリフェニレンオキサイド。
性及び一定水準以上CtJ電気、機械特性に加えJ1!
に一矩水準以よttJg形性tMすることが必費でめ、
6゜ 代表例としてにポリフェニレンオキサイド。
ポリエーテルサルフォン、ポリスルフォン、2エノキシ
@脂、ポリアセタール等υエーテル糸樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリブチレンチレアタレ−)、 7
j?lJア!JL’−ト等u−cxチル系樹脂、ポリカ
ーボネート4!υ炭叡エステル系樹脂、ホリアミド糸m
脂V中でも吸水率の低いグレード、ポリフェニレンサル
ファイド等の樹脂及びこfら樹脂の一部とガラス稙維會
中心としπ光横剤とυ組み甘わぜ等をおけ小ことか出来
る〇 実施ガ #%食形温[(ASTM D−6481a6kg/Cs
’、)か175℃のボリアリレート樹脂を用いて第7図
のL・うな形状寸法(阜位關)υ熱可塑性樹脂板状体遍
ひに、厚み? 1.27−mにする以外に第7図と同−
形体寸法υ熱可塑性樹mt板状体を成形し、牛導体類υ
テッグ′に装置した厚さ250μυ16ビンDIPmリ
ードフレーム會挾み周一にパリ止め用v’aJ撓性耐熱
性耐熱材料層恢200℃2分間加i$を行りた。
@脂、ポリアセタール等υエーテル糸樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリブチレンチレアタレ−)、 7
j?lJア!JL’−ト等u−cxチル系樹脂、ポリカ
ーボネート4!υ炭叡エステル系樹脂、ホリアミド糸m
脂V中でも吸水率の低いグレード、ポリフェニレンサル
ファイド等の樹脂及びこfら樹脂の一部とガラス稙維會
中心としπ光横剤とυ組み甘わぜ等をおけ小ことか出来
る〇 実施ガ #%食形温[(ASTM D−6481a6kg/Cs
’、)か175℃のボリアリレート樹脂を用いて第7図
のL・うな形状寸法(阜位關)υ熱可塑性樹脂板状体遍
ひに、厚み? 1.27−mにする以外に第7図と同−
形体寸法υ熱可塑性樹mt板状体を成形し、牛導体類υ
テッグ′に装置した厚さ250μυ16ビンDIPmリ
ードフレーム會挾み周一にパリ止め用v’aJ撓性耐熱
性耐熱材料層恢200℃2分間加i$を行りた。
次いで、こrt1発振周波a19.3KH2出力300
WU超音波#増機に取り付けた瑠部寸法20IIIm×
7−の矩形工具ホーンにエリ4kg/cmυ圧′に犀さ
cLJxきい熱可塑性樹脂板状体−からかけ、工具ホー
ン先端部ctJ伽巾か35μとなゐ工うに娠巾1111
螢を打った彼0.8秒闇、超音波発fi會行った0 侍らIした合体品にリード表面から(tJJ!jlみ方
向υ長さがそrL−t″fLfL表農211111Aび
1.5閣で全体(LJ厚みo3.95−でありπ0外周
及び窪与部にa−隻となる工うなパリ0はとんど紹めら
ILなかっrc。
WU超音波#増機に取り付けた瑠部寸法20IIIm×
7−の矩形工具ホーンにエリ4kg/cmυ圧′に犀さ
cLJxきい熱可塑性樹脂板状体−からかけ、工具ホー
ン先端部ctJ伽巾か35μとなゐ工うに娠巾1111
螢を打った彼0.8秒闇、超音波発fi會行った0 侍らIした合体品にリード表面から(tJJ!jlみ方
向υ長さがそrL−t″fLfL表農211111Aび
1.5閣で全体(LJ厚みo3.95−でありπ0外周
及び窪与部にa−隻となる工うなパリ0はとんど紹めら
ILなかっrc。
侍らrtyc半導体パッケージrI 5 kg / C
l1Is 24 h rυ加圧赤色水浸せき試tMIK
−於いても赤色物のパッケージ内への浸入rX誌めら1
丁、良好な封止性を有することか一紹さnた。
l1Is 24 h rυ加圧赤色水浸せき試tMIK
−於いても赤色物のパッケージ内への浸入rX誌めら1
丁、良好な封止性を有することか一紹さnた。
またり一ドの髪形及び折損も紹めらI紅なかった。
なお、こり実施例でに第7因に示した^さ0゜qmmC
tJ凸sr約0.6711mM音波振動にLすamしこ
υ際υ浴I!l1m脂υ総普ね2.45 X 10−”
011’であっfc。
tJ凸sr約0.6711mM音波振動にLすamしこ
υ際υ浴I!l1m脂υ総普ね2.45 X 10−”
011’であっfc。
比較例
凸5CLJ&に答1t?r47因に示fin17.17
′υ部分を除く熱可塑性樹脂板状体りリード2レームに
対する投影鄭に相肖するリード閲vI11(LJ酩容童
と第6図に示した設計上意図したパリ酸め22り部分υ
総容積Vせ鼻容童である1、4X10−’01”にした
以外0実施例と同様な条件で合体を行ったか、完全な封
止、1iiL形品に得らtLf外嵌11′ 上合体さnたと与なさfLる状態になるに框、1.5秒
間以上の超音波発振か必要であり7tQこの場合、關与
1ハ17′會コ気泡1に巻き込んだ樹脂か充満し窪み(
tJl!槓會雉保丁^ことが出来ず、又リードフレーム
cai形、リードの折損等か結めらnπ。
′υ部分を除く熱可塑性樹脂板状体りリード2レームに
対する投影鄭に相肖するリード閲vI11(LJ酩容童
と第6図に示した設計上意図したパリ酸め22り部分υ
総容積Vせ鼻容童である1、4X10−’01”にした
以外0実施例と同様な条件で合体を行ったか、完全な封
止、1iiL形品に得らtLf外嵌11′ 上合体さnたと与なさfLる状態になるに框、1.5秒
間以上の超音波発振か必要であり7tQこの場合、關与
1ハ17′會コ気泡1に巻き込んだ樹脂か充満し窪み(
tJl!槓會雉保丁^ことが出来ず、又リードフレーム
cai形、リードの折損等か結めらnπ。
なおこむ場甘り11M樹脂の総量r[1,4X 10”
JT:Toった0 以上説明したように本発明に於て01次の効果か達成さ
nる〇 (リ 少くとも1個か半導体類を収納1小ためυ秘みケ
令する熱可塑性樹脂板状体を使用丁ゐことVLlす′ゝ
ツクージ1r甘合体成形る際に、半導体類とリード間υ
III!I#損傷か皆無となるとともに半導体類に高温
、A圧かかからない。
JT:Toった0 以上説明したように本発明に於て01次の効果か達成さ
nる〇 (リ 少くとも1個か半導体類を収納1小ためυ秘みケ
令する熱可塑性樹脂板状体を使用丁ゐことVLlす′ゝ
ツクージ1r甘合体成形る際に、半導体類とリード間υ
III!I#損傷か皆無となるとともに半導体類に高温
、A圧かかからない。
イオン性物質か接触し麹い等の理由に工9牛導体嶺能(
IJ侶幀性向上か期待出来る。
IJ侶幀性向上か期待出来る。
(2)2個υ熱可塑性樹脂板状体υ少なくとも一方(L
J甘鉢体110糊設けた複数個の凸部υ基礎向に快しな
い位竺で、[す1.、、、−ドアレームを合体させるこ
とにLす、リード基礎向とcalsoに空隙か確保さf
L Cn IC工り超音波溶膚において温度tある水準
以上に到達させるために必要な一定浴童以よ(LJ11
J容積會俗融さぜゐことか口j能となり、舶来的に気密
性が改善さrtた0(6)超音波11dk!+IC先立
って熱可塑性板状体及びリードフレームを一定温jl[
ffi熱丁ゐCと及び溶融凸部を収けkことによ、り超
音波振動条件、即ち振動υ振巾及び時間會低倣もしくに
短縮することか出来ゐ工う#/Lなり、稙#脆弱なリー
ドフレーム(LJ質形及び折損等υ間鳩か改善さrL7
(。
J甘鉢体110糊設けた複数個の凸部υ基礎向に快しな
い位竺で、[す1.、、、−ドアレームを合体させるこ
とにLす、リード基礎向とcalsoに空隙か確保さf
L Cn IC工り超音波溶膚において温度tある水準
以上に到達させるために必要な一定浴童以よ(LJ11
J容積會俗融さぜゐことか口j能となり、舶来的に気密
性が改善さrtた0(6)超音波11dk!+IC先立
って熱可塑性板状体及びリードフレームを一定温jl[
ffi熱丁ゐCと及び溶融凸部を収けkことによ、り超
音波振動条件、即ち振動υ振巾及び時間會低倣もしくに
短縮することか出来ゐ工う#/Lなり、稙#脆弱なリー
ドフレーム(LJ質形及び折損等υ間鳩か改善さrL7
(。
(4)上記超音波振動条件υ緩和にLり齢融樹り打。
中へり気泡(LJ巻き込みが少なくなり気密性が同上丁
^一方バリυ発生か少くなり、半導体類を収納する為υ
簡みυ#1槙伽保が容易となった0 (5) 同様に超音波振動条件の緩和に、浴層作乗時
間の短縮につなかった。
^一方バリυ発生か少くなり、半導体類を収納する為υ
簡みυ#1槙伽保が容易となった0 (5) 同様に超音波振動条件の緩和に、浴層作乗時
間の短縮につなかった。
(6)本発明VL!117午専体類υパッケージ組立自
動化か可能となった。
動化か可能となった。
(7)従来提案さIしている牛尋体鶏か装虐さnていな
いリードフレームtm都t44丁ゐ成形品及び底部を1
する成形品にエリ合体さぜrc恢牛導体@會組み込み史
に窓Sを封止する方法に比べ1本発明方法でta−Ig
!LJ甘体成形尺体成形全に気密化さrした牛導体拳υ
ノ(ツケージか底形出来ゐため工程の簡素化かli r
Lる0(8)従来υ熱鋏化性樹脂LILよるモールド封
止法に比べ成形時(LJIN脂粘度會高く保ち得るため
成形時υバリり発生かはとんど餡めら11丁工@り軽減
が計n心。
いリードフレームtm都t44丁ゐ成形品及び底部を1
する成形品にエリ合体さぜrc恢牛導体@會組み込み史
に窓Sを封止する方法に比べ1本発明方法でta−Ig
!LJ甘体成形尺体成形全に気密化さrした牛導体拳υ
ノ(ツケージか底形出来ゐため工程の簡素化かli r
Lる0(8)従来υ熱鋏化性樹脂LILよるモールド封
止法に比べ成形時(LJIN脂粘度會高く保ち得るため
成形時υバリり発生かはとんど餡めら11丁工@り軽減
が計n心。
第1図、第218及び第3凶C従米り牛尋体類υパッケ
ージ成形万@會示すIIy′rthI図、第4図〜第8
図a不発明り一爽雄側會示す図で、第4図σ断Il[1
図、第5図に第4図の一部υ拡ス軌面図、第6図aリー
ドフレームケ含むパッケージの平向図、第7図a熱可塑
性街脂板状体υ形状寸汗を示す平向図及びwr面因、第
8図C本発明の方法にLO侍らrt九半導体パッケージ
の斜視図である0 符号CtJ説明 1 タブ 2 半導体類υテップ3 金属
線 4 リード 5 リードフレーム 6 上 型 7 下 型 8 キャビティ9 窓 部
10 俗虐用リプホーン 17、17’窪 み 18.18’基礎面19
.19・凸 s 20 リードり表面21
空 隙 22 バリ溜め23 パッケージ 第1図 第2図 第4図
ージ成形万@會示すIIy′rthI図、第4図〜第8
図a不発明り一爽雄側會示す図で、第4図σ断Il[1
図、第5図に第4図の一部υ拡ス軌面図、第6図aリー
ドフレームケ含むパッケージの平向図、第7図a熱可塑
性街脂板状体υ形状寸汗を示す平向図及びwr面因、第
8図C本発明の方法にLO侍らrt九半導体パッケージ
の斜視図である0 符号CtJ説明 1 タブ 2 半導体類υテップ3 金属
線 4 リード 5 リードフレーム 6 上 型 7 下 型 8 キャビティ9 窓 部
10 俗虐用リプホーン 17、17’窪 み 18.18’基礎面19
.19・凸 s 20 リードり表面21
空 隙 22 バリ溜め23 パッケージ 第1図 第2図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも1個が半導体類會収納丁47tめυ窪み
含有する2個υ熱可塑性樹脂板状成形品にLO牛褥体餉
II−装着したリードフレーム會挾み、S町塑性樹脂板
状取形品會加熱融せせ体せしめる牛導体−〇パッケージ
成形方法L!?いて、2個υ熱可塑性樹脂板状成形品の
少なくとも一方のせ体rIn*に設けた俵叡個υ凸Sυ
基礎面I/を嵌しない位置で、熱t’1M1i性樹脂板
状成形品とリードフレームと會せ俸さぜゐことを物倣と
する半尋体鋼υパッケージ成形方法。 2、熱1TIII性樹脂板状成形品を超音波振動に工り
加熱Mせせ体ぜしめること11#時獣とする待ffl1
ll求(IJ軛曲絶1項記載り牛尋体類のパッケージ成
形方法0 3、加熱−@せ体δぜる前に、リードフレームと熱可塑
性樹脂板状成形品の少なくとも一方を予備加熱するCと
t%象とする特許請求の範i!IIIMI項又は第2項
記載V牛導体類のパッケージ成形方法。 4、凸部qJfIn融樹脂V一部にエリ、2個の熱可塑
性樹脂板状成形品の少なくとも一方CLJせ体m憫に収
けた豪叡個υ凸部り基礎(2)とリードフレームり少な
くとも一方υ表印とυ闇に形成さnたg!−を実質的に
充満させること1時像とする特許晴求e4M第1様第2
項又に第3.1J記載υ半導体拳υパッケージ成形方法
0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18530182A JPS5851423B2 (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | 半導体類のパッケ−ジ成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18530182A JPS5851423B2 (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | 半導体類のパッケ−ジ成形方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5878444A true JPS5878444A (ja) | 1983-05-12 |
JPS5851423B2 JPS5851423B2 (ja) | 1983-11-16 |
Family
ID=16168456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18530182A Expired JPS5851423B2 (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | 半導体類のパッケ−ジ成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5851423B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5194695A (en) * | 1990-11-02 | 1993-03-16 | Ak Technology, Inc. | Thermoplastic semiconductor package |
-
1982
- 1982-10-21 JP JP18530182A patent/JPS5851423B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5194695A (en) * | 1990-11-02 | 1993-03-16 | Ak Technology, Inc. | Thermoplastic semiconductor package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5851423B2 (ja) | 1983-11-16 |
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