JPS5878426A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5878426A JPS5878426A JP18317882A JP18317882A JPS5878426A JP S5878426 A JPS5878426 A JP S5878426A JP 18317882 A JP18317882 A JP 18317882A JP 18317882 A JP18317882 A JP 18317882A JP S5878426 A JPS5878426 A JP S5878426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- film
- insulator
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 241001092070 Eriobotrya Species 0.000 claims 1
- 235000009008 Eriobotrya japonica Nutrition 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 abstract description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282806 Rhinoceros Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ＷＡ社半導体装置の製造方法に関し、４１に半導体
装置の絶縁属に開口部に形成する方縁に関する。
装置の絶縁属に開口部に形成する方縁に関する。
半導体装置にシーて電極は極めて１１！なものであ如エ
レクトロ！イグレーシ■ンを鋳止し、高周＋１４１性や
大電＠＃性を改善するためには電ｉｉｔ厚くかつ均一に
形成しなければならない。壕九半導体装置の６１１１度
を向上させる友めに電極の少くとも表面層を金で１ｌ１
１成すること困惑ｉＬな１合が多い。
レクトロ！イグレーシ■ンを鋳止し、高周＋１４１性や
大電＠＃性を改善するためには電ｉｉｔ厚くかつ均一に
形成しなければならない。壕九半導体装置の６１１１度
を向上させる友めに電極の少くとも表面層を金で１ｌ１
１成すること困惑ｉＬな１合が多い。
よく昶られているように金Ｆｉ着るしく化学的に安定な
金属である九めに１蒸着またはスパッタによって得られ
る１゛ミク關ンＩ！度の比較的厚いｍを写ｘｗｍ刻等の
加工技書によって半導体装置に豐求される数１クロン楊
度の偽黴ｍ′＆電極巾に精度良く加工すること社極めて
困難である。このような理由のため、過電はあらかじめ
形成され丸下地電極上に金をメッキするととによって半
導体装置の金電ａｔ形成している。このメッキの際にメ
ッキ装置から被メツキ部分く電流を通じる丸めの導電材
料を予め半導体装置の表面に形成しておかなければなら
ない。この丸めの導電材料としては、金メ、キ終了後そ
の役−を果たした値容易に除去できるようｋＶ−タンま
たはクロム等が選ばれ、その形成は蒸着によっている。
金属である九めに１蒸着またはスパッタによって得られ
る１゛ミク關ンＩ！度の比較的厚いｍを写ｘｗｍ刻等の
加工技書によって半導体装置に豐求される数１クロン楊
度の偽黴ｍ′＆電極巾に精度良く加工すること社極めて
困難である。このような理由のため、過電はあらかじめ
形成され丸下地電極上に金をメッキするととによって半
導体装置の金電ａｔ形成している。このメッキの際にメ
ッキ装置から被メツキ部分く電流を通じる丸めの導電材
料を予め半導体装置の表面に形成しておかなければなら
ない。この丸めの導電材料としては、金メ、キ終了後そ
の役−を果たした値容易に除去できるようｋＶ−タンま
たはクロム等が選ばれ、その形成は蒸着によっている。
しかるに半導体装置表面を覆う絶縁属は電極形成部なら
びに半導体ウェハーを個々の半導体装置に分割する際の
分割部に相当する半導体装置周縁部におｉで予め除去さ
れてお９これら除去部で、ｔｔＩＩＬｔｋ段差を著して
いるので、その上にメッキ用導電材料ｔ−Ｊｉｓすると
４１縁−のＲＭによって導電材料の導電状層が維持でき
なくなることが起９易−という欠点がある。
びに半導体ウェハーを個々の半導体装置に分割する際の
分割部に相当する半導体装置周縁部におｉで予め除去さ
れてお９これら除去部で、ｔｔＩＩＬｔｋ段差を著して
いるので、その上にメッキ用導電材料ｔ−Ｊｉｓすると
４１縁−のＲＭによって導電材料の導電状層が維持でき
なくなることが起９易−という欠点がある。
この発明の目的は半導体ｆ装置の電極の少なくとも−Ｓ
をメッキによって１ｌＩＩＩＬする場合に仮メッキ部分
への電流通路とするための金属層がＩｉａ鰍１０段差部
で電気的に＃になることを防止する構造を与え、厚くか
つ均一にメッキ電極を形瑯することのできる半導体装置
の義造方法を提供することにある。
をメッキによって１ｌＩＩＩＬする場合に仮メッキ部分
への電流通路とするための金属層がＩｉａ鰍１０段差部
で電気的に＃になることを防止する構造を与え、厚くか
つ均一にメッキ電極を形瑯することのできる半導体装置
の義造方法を提供することにある。
上記目的を連成する丸め本発明は、半導体装置の表向全
体に被着された多層絶縁物のうち電極形成用開孔部及び
半導体装置をウェハーから個々の牛導体テッグに分割す
る丸めの周縁跡ｔ＃去し、かつ除去Ｗ−面する絶縁物の
端部を絶縁物内部から３１部にかけて絶縁物の厚さが次
第に減少し、全体として傾斜するようＫＩｌａ鰍物の一
部を除去することによｐ％Ｉｉ！３縁物端部で縁戚端部
緩和することを籍黴とする。この結果、絶縁物を選択的
に除去した半導体装置のｌｌｌ全全体一様に機械的電気
的に安定な状惑に導電１ｓｔ−被着することが容易と表
る。この導電膜を被ｇＩＩ俵、導電線を電流通路として
メッキによって電極形１ｉＬＩＩ上の導電膜上に電離ｔ
−形成する。ｌ１ｔｖｈて４電膜の層重部分を除去する
。
体に被着された多層絶縁物のうち電極形成用開孔部及び
半導体装置をウェハーから個々の牛導体テッグに分割す
る丸めの周縁跡ｔ＃去し、かつ除去Ｗ−面する絶縁物の
端部を絶縁物内部から３１部にかけて絶縁物の厚さが次
第に減少し、全体として傾斜するようＫＩｌａ鰍物の一
部を除去することによｐ％Ｉｉ！３縁物端部で縁戚端部
緩和することを籍黴とする。この結果、絶縁物を選択的
に除去した半導体装置のｌｌｌ全全体一様に機械的電気
的に安定な状惑に導電１ｓｔ−被着することが容易と表
る。この導電膜を被ｇＩＩ俵、導電線を電流通路として
メッキによって電極形１ｉＬＩＩ上の導電膜上に電離ｔ
−形成する。ｌ１ｔｖｈて４電膜の層重部分を除去する
。
ここで上記の絶縁物の構成はニー化硅素等のみによる多
層の場合と、二酸化−素屏の絶緻績上に前記ニー化−嵩
一のナトリクムイオン等の汚＊’を防止する丸めに、こ
の膜上に更に電化硅素や酸化アルミニクム等の絶縁属を
重ねた多層の場合があり、どちらの構成の場合も、絶縁
物端部の厚さを絶縁物内部から端部にかけて次ｊｌＫ＃
少するように絶縁物端部を形成することによって機械的
電気的に安定な導電膜を被着させることができるもので
ある。
層の場合と、二酸化−素屏の絶緻績上に前記ニー化−嵩
一のナトリクムイオン等の汚＊’を防止する丸めに、こ
の膜上に更に電化硅素や酸化アルミニクム等の絶縁属を
重ねた多層の場合があり、どちらの構成の場合も、絶縁
物端部の厚さを絶縁物内部から端部にかけて次ｊｌＫ＃
少するように絶縁物端部を形成することによって機械的
電気的に安定な導電膜を被着させることができるもので
ある。
とくに誓多層絶鰍ＪＩＩＩの端部ＫＭ斜を設ける方法る
。これは、上層のｌｊＡ縁ＪＩＩをマスクとして下層の
ｍｌ！１轡編を除去するのではなく、下層の關口を基準
として上層の關口を形成するものであり、それによりて
開口の位置合わせが正確かつ簡単にできると−う大きな
脣鎮ｔもりて−る。なお、上記しえ絶縁−の編、犀の減
少形状は連続的に内部からｊｌＩＩｉＩへかけて厚さが
減少する形状に形成する方法と、不連続的に内部から端
１１Ｋかけて絶縁物を１１１Ｍ状に形成する方法があり
、どちらの方法によっても本発明の目的とする丸めの効
果を得ることができる。
。これは、上層のｌｊＡ縁ＪＩＩをマスクとして下層の
ｍｌ！１轡編を除去するのではなく、下層の關口を基準
として上層の關口を形成するものであり、それによりて
開口の位置合わせが正確かつ簡単にできると−う大きな
脣鎮ｔもりて−る。なお、上記しえ絶縁−の編、犀の減
少形状は連続的に内部からｊｌＩＩｉＩへかけて厚さが
減少する形状に形成する方法と、不連続的に内部から端
１１Ｋかけて絶縁物を１１１Ｍ状に形成する方法があり
、どちらの方法によっても本発明の目的とする丸めの効
果を得ることができる。
このように半導体装置の表ｍｔ被覆する絶縁物をその除
去部すなわち段差を生じる部分において内部から端部に
かけて次ＪＩＫ厚さを減少させるためＫＪｉ着法によっ
てめりき電流通路となるための導電膜が形成されたとき
に、この絶縁物段差が減少させられ工いるので、この部
分で前記導電膜が切断されるど訃う不都合の発生は始ん
ど皆無となる。したがってメッキによる半導体装置の電
極形成は極めて１１Ｊ６にできる。
去部すなわち段差を生じる部分において内部から端部に
かけて次ＪＩＫ厚さを減少させるためＫＪｉ着法によっ
てめりき電流通路となるための導電膜が形成されたとき
に、この絶縁物段差が減少させられ工いるので、この部
分で前記導電膜が切断されるど訃う不都合の発生は始ん
ど皆無となる。したがってメッキによる半導体装置の電
極形成は極めて１１Ｊ６にできる。
次に本発−の好ましｖｈ実施例について絶縁物が三層の
場合につ−で、絶縁物の端ｌ１ｔ−傾斜形状に１＃威す
る方法會纂１図を用−て説明する。
場合につ−で、絶縁物の端ｌ１ｔ−傾斜形状に１＃威す
る方法會纂１図を用−て説明する。
謳１−（２）〜―紘その擬造方法に従って示し九各工−
−−図である。
−−図である。
ａｌｌ四図において任意の半導体領域（例えばズミッタ
、ベース、ソース、ドレイン、カソード、アノード等）
２２が内部に形成され、表向に二識化硫嵩膜２３が設け
られ死生導体基体２１を準備し、写真ａｍ法によって電
極形成部及び半導体装置の員ａｍの前記二酸化ｉ１素膜
２３を除去するがこの場合周＃ｋｓはスフ２イブｓｍ度
の巾で除去する。
、ベース、ソース、ドレイン、カソード、アノード等）
２２が内部に形成され、表向に二識化硫嵩膜２３が設け
られ死生導体基体２１を準備し、写真ａｍ法によって電
極形成部及び半導体装置の員ａｍの前記二酸化ｉ１素膜
２３を除去するがこの場合周＃ｋｓはスフ２イブｓｍ度
の巾で除去する。
次にこの二酸化硅素ｊｌｌ［２３上に窒化硅素躾および
二酸化硅素−をこの順序で被着する。次に写真蝕刻法に
よってこの最上層の二酸化硅素１１を前記二酸化硅素ｌ
５２３よりも電極Ｓ一孔を１ミクロン程直大きく、周縁
部ｔ−２乃至３ミク”／ｉｉ＆内側迄内側縁夫々除去。
二酸化硅素−をこの順序で被着する。次に写真蝕刻法に
よってこの最上層の二酸化硅素１１を前記二酸化硅素ｌ
５２３よりも電極Ｓ一孔を１ミクロン程直大きく、周縁
部ｔ−２乃至３ミク”／ｉｉ＆内側迄内側縁夫々除去。
このように成形された二敵化姓素膜２５ｔマスクとして
窒化硅素膜２４を燐酸等で蝕刻し、１ＩｉｌＩｌｌｌの
形状の窒化硅素膜２４とする。このようにして１１２４
１１図に示すように周縁部及び電ｍ形成部における結縁
物の熾部は絶縁物内部から端Ｓにかけて次系に絶縁物の
厚さが減少するように形成され、なだらかな寂！１を与
え゛ることができる。さらに第２（Ｑ図に示すようにこ
のｉｉ置真表面全面にチタン層２６ｔ−５００ムの犀さ
でｔＡＪＩＩＩする。
窒化硅素膜２４を燐酸等で蝕刻し、１ＩｉｌＩｌｌｌの
形状の窒化硅素膜２４とする。このようにして１１２４
１１図に示すように周縁部及び電ｍ形成部における結縁
物の熾部は絶縁物内部から端Ｓにかけて次系に絶縁物の
厚さが減少するように形成され、なだらかな寂！１を与
え゛ることができる。さらに第２（Ｑ図に示すようにこ
のｉｉ置真表面全面にチタン層２６ｔ−５００ムの犀さ
でｔＡＪＩＩＩする。
さらに第２（１）−の如くこのチタン層の電極形成部分
へ白金層２７をｌＩＡ着によって形成する。この白金層
２７の上表面のみを露出し、他の表面を７オトレジスト
＠２９で被覆し、前記チタン層２６を電流通路としてメ
ツ中によって白金層２７の上に金層２８を形成すること
によプ金電極が形成される。次に第２（１８１図にポス
ようにフォトレジスト襲２９を除去し、さらに熱硫鹸等
によ）電極部以外の表面の露出しｔ部分のチタン層を除
去する。
へ白金層２７をｌＩＡ着によって形成する。この白金層
２７の上表面のみを露出し、他の表面を７オトレジスト
＠２９で被覆し、前記チタン層２６を電流通路としてメ
ツ中によって白金層２７の上に金層２８を形成すること
によプ金電極が形成される。次に第２（１８１図にポス
ようにフォトレジスト襲２９を除去し、さらに熱硫鹸等
によ）電極部以外の表面の露出しｔ部分のチタン層を除
去する。
この様にして形成された傾斜形状を有すゐ絶縁属はその
後に絖く電極形成１楓に対して次の様な効果を有する。
後に絖く電極形成１楓に対して次の様な効果を有する。
最下層の二酸化硫嵩属２３、窒化４ｉ！素属２４および
最上層の二藏化硅素膜２５が前記の周縁部のスクフイプ
＃部および亀礁形ｇｓｏ絶縁物端部で全く同−周縁を共
有するならば基体２Ｘ表劇から最下層の二酸化−素膜２
ｅＯ表幽までの段差紘龜めて大右なものとな〉、この部
分にお−てめつき電＠０遁路となるべきチタン層２６が
電気的に峯緘されえ状ａｔ銀持するために伏その急清臘
厚紘このｊｌｌｌｔｉＩＩｋと岡楊直に厚くなければな
らない。さらにこのメッキ電流の通路となるべき部分の
チタン層２６は最終的に＃ｉ化学釣に＃１解鹸去される
が、メツ中によって形成され九金電＠２８Ｃ）下に社残
って−なけれにならない。しかしこの＃−解除去の際に
金電極の下にある部分のチタンもそのほぼ膜厚に等し％
／ｈ４Ｉｌ＆だけ細（な）％チタン膜厚と金電極の−が
接近して−る場合紘金電極下のチタン幅が金電極−に比
して徳めて−くなるかｔ九は残存しなく１＊牛導体１１
ｔＫ対する有効な電極が形成不可。
最上層の二藏化硅素膜２５が前記の周縁部のスクフイプ
＃部および亀礁形ｇｓｏ絶縁物端部で全く同−周縁を共
有するならば基体２Ｘ表劇から最下層の二酸化−素膜２
ｅＯ表幽までの段差紘龜めて大右なものとな〉、この部
分にお−てめつき電＠０遁路となるべきチタン層２６が
電気的に峯緘されえ状ａｔ銀持するために伏その急清臘
厚紘このｊｌｌｌｔｉＩＩｋと岡楊直に厚くなければな
らない。さらにこのメッキ電流の通路となるべき部分の
チタン層２６は最終的に＃ｉ化学釣に＃１解鹸去される
が、メツ中によって形成され九金電＠２８Ｃ）下に社残
って−なけれにならない。しかしこの＃−解除去の際に
金電極の下にある部分のチタンもそのほぼ膜厚に等し％
／ｈ４Ｉｌ＆だけ細（な）％チタン膜厚と金電極の−が
接近して−る場合紘金電極下のチタン幅が金電極−に比
して徳めて−くなるかｔ九は残存しなく１＊牛導体１１
ｔＫ対する有効な電極が形成不可。
蝿となる。と仁ろが本尭−のように絶縁物の厚さが１８
縁−内酪一６１１１！廊にかけて次系に減少する構造と
すれば、チタン層２６の厚さは充分薄−１１その導電層
としての機能を来たすことが可能となるので極めて砿ｌ
ｌＡ１に構造の金電ｆｉｔ容易に真現することができる
。しかも、基板の電極コンタクト部は］ｌｌｌ０ｊ８縁
貞２３によりてその位１および形状が予め決定されてお
９、その餞の１楊においてこれが変化することはないの
で、他めて止−にコンタクト開口を形成することができ
る。
縁−内酪一６１１１！廊にかけて次系に減少する構造と
すれば、チタン層２６の厚さは充分薄−１１その導電層
としての機能を来たすことが可能となるので極めて砿ｌ
ｌＡ１に構造の金電ｆｉｔ容易に真現することができる
。しかも、基板の電極コンタクト部は］ｌｌｌ０ｊ８縁
貞２３によりてその位１および形状が予め決定されてお
９、その餞の１楊においてこれが変化することはないの
で、他めて止−にコンタクト開口を形成することができ
る。
図面ａ１率なｇ明
ｍａｉｌ！！（５）〜□□□）はこの発明の一実施例の
各工Ｉｌを示す断面図である。
各工Ｉｌを示す断面図である。
ここで図中の符号は２１Ｆｉ半導体基体、２２は半導体
領域、２３および２５社二酸化硅素展、２４は窒化硅素
膜、２６はチタン層、２７は白金層、２８は金電極、２
９はフォトレジスト躾である。
領域、２３および２５社二酸化硅素展、２４は窒化硅素
膜、２６はチタン層、２７は白金層、２８は金電極、２
９はフォトレジスト躾である。
７４１ 回
ｔρノ
Ｉ
Claims (1)
- 半導体！板上に電極形成用−ロ部を有する嬉ｌの絶縁属
を形成する１楊と、該第１０結縁膜を覆うようＫ１１ｆ
記半導体基板上ＫＩＩ２の絶縁ａｔ形成する１楊と、前
記＠１０杷鍬属の一起開口部を包含し、それより大きい
一口ｍを形成するように前記１８２の絶縁属を選択的に
除去することにより、該ＪＩ２ａｆｆｉ鎌属の一口部側
ＷＲが前記第１の絶縁属の表面上に位置するように形成
する１楊とを含むことを特徴とする半導体装置のＪｌ造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18317882A JPS5878426A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18317882A JPS5878426A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10166874A Division JPS5128755A (en) | 1974-09-04 | 1974-09-04 | Handotaisochi no seizohoho |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878426A true JPS5878426A (ja) | 1983-05-12 |
Family
ID=16131136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18317882A Pending JPS5878426A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878426A (ja) |
-
1982
- 1982-10-18 JP JP18317882A patent/JPS5878426A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6084648A (en) | Shorting bar electrically disconnects from the electrodes | |
| US3994758A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having closely spaced electrodes by perpendicular projection | |
| US10818706B2 (en) | Production method of thin-film transistor, thin-film transistor, array substrate, and display panel | |
| US3968360A (en) | High resolution photoconductive array and process for fabricating same | |
| US2834723A (en) | Method of electroplating printed circuits | |
| IL30464A (en) | Method of fabricating semiconductor contact and device made by said method | |
| US20080149490A1 (en) | Electroplating on ultra-thin seed layers | |
| JPH0214793B2 (ja) | ||
| US4456506A (en) | Superconducting circuit fabrication | |
| JPS5878426A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3568305A (en) | Method for producing a field effect device | |
| CN110223970B (zh) | 一种孔槽式的电容结构及制作方法 | |
| JPS63204772A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3638085A (en) | Thin film capacitor and method of making same | |
| JP3259119B2 (ja) | 配線パターン基板及び薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法 | |
| JPS6127898B2 (ja) | ||
| JPS60103668A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07176694A (ja) | キャパシタの製造方法 | |
| JPS6184066A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS60117684A (ja) | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPS63114145A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| SU841071A1 (ru) | Способ изготовлени тонкопленочныхСХЕМ | |
| JPS61120315A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS6261334A (ja) | パタ−ンの形成方法 | |
| JPS5986266A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |