JPS5878363A - 改良赤外反射装置を有する高圧ナトリウム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高圧すトリウムランプに関する。詳しくは、
本発明はアーク管の壁温を最適範囲に維持するためにア
ーク管径の増大および改良された赤外反射フィルムの使
用の相乗効果による高圧ナトリウムランプの改良に関す
る。

一般に、高圧ナトリウムランプは保護用外筒内に配置さ
れ、始動を保進するためにナトリウム、水銀および不活
性ガスの慣用の電離媒体を内蔵する内部アーク管からな
る。アーク管の両端に位置する電極に電流を流すと、不
活性ガスは電離して電極間にアークが形成される。ナＩ
・リウトはアークの熱によって蒸発する。このようなラ
ンプのアーク管の最適作動壁温は１４０００に〜１５０
０°にの範囲である。従来の４００ワツトの高圧すトリ
ウムランプのアーク管の直径はほぼ７１Ｉｊである。

高圧すトリウムランプの設計にあたって考慮すべき重要
な問題点の一つは、壁負荷（ｗａｌｌ　１ｏａｄ　）パ
ラメーターであって、学位面積当りのワット数として示
される。実際的な用語としては、１壁負荷」はランプの
入力ワットをアーク放電管の内部表面の面積で割って測
定する。壁負荷の重要性はアーク管壁温度へのその影響
によるもので、換言すれば、それはランプ効率（ルーメ
ン／ワットで測定する）に密接に関連する。従って、高
圧ナトリウムランプにおいて、所定の最適アーク管壁温
度を維持することの望ましいことは明白である。

ＩＥＳの年次総会（昭和５５年８月）において発表され
た論文に記載されているように、ウェイマウス（Ｊ、　
Ｆ、Ｗａｙｍｏｕｔｈ　）およびワイナー（Ｂ、Ｆ、　
ｗｙ　−ｎｅｒ）は、高圧すトリウムランプの効率が一
定のアーク管壁温度においては管の直径の増大によって
改良される旨を発表している。従来の高圧ナトリウムラ
ンプにおいては、ランプへの入力エネルギーの相当部分
が加熱アルミナ（Ａ１２０３）アーク管の白熱から長波
長赤外放射として浪費されている。

しかしながら、熱放射の熱伝達はアーク管の面積に比例
するので、直径のより大きいアーク管（従つて、面積の
より大きいアーク管）はより多くの熱を放射する。放射
熱の回収工程がない場合は、アーク管壁温度は最適温度
範囲よりも低下して、アーク管壁温度を上げるためにラ
ンプにより多くのエネルギーを供給しなければならない
。更に、ナトリウム濃度はアーク管壁温度に逆比例する
ので、壁温かより低下すると、主たるナトリウム放出線
（ＮａＤ）の再吸収がより大きくなり、結果的にランプ
効率は低下する。ウェイマウスおよびワイナーによって
提案された大きい直径のアーク管のアーク管壁温度を最
適温度に維持するための方法は、アーク管材質としてア
ルミナに代えとイツトリア（Ｙ２Ｏ３）を使用する方法
である（イツトリアは、特にスペクトルの赤外領域にお
いて、アルミナよりも放出が弱い）。

本発明によれば、従来のアーク管よりも大きい直径を有
する高圧すｌ−ＩＪウムランブの効率は、ランプの外筒
の内面に、スズを塗布した酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３
：　Ｓｎ）またはフッ素を塗布した酸化スズ（５ｎ０２
　：　Ｆ　）を酸化チタン（Ｔｉｅ□）および／または
酸化ケイ素（Ｓｉｇｈ）の誘電フィルムと共に展開する
ことによって増加される。赤外線反射フィルムは実質的
には可視光線放射に対しては透過性であるが、赤外線放
射はアーク管方向に反射するように作用する。これは、
そうでない場合はロスになるものである。アークからの
赤外線放出の主要部分は、アーク管内に含まれるプラズ
マ中に逆反射されて、そこで再吸収され、その結果必要
な入力を減少させる。Ｔ　ｉｏ２およびＳ　ｉ０２をＩ
ｎ２’０３　：　ＳｎまたはＳｎＯ２：Ｆフィルムと組
合わせると、可視波長における赤外線反射フィルムの反
射性を減少させ、近可視赤外線波長における反射性を増
大させることができる。誘電フィルムはまた、高温度に
おける赤外線反射フィルムの化学安定性を高めることも
できる。このようにして、アーク管の壁温は最適範囲に
有効に維持される。

過去においては、赤外線反射フィルムは効率を向上させ
る手段として低圧すトリウムランプに使用されてきた。

グロス（Ｇｒｏｔｈ）の米国特許第３．４００，２８８
号にはこのようなランプが示されている。しかしながら
、低圧すＩ−リウムランプの操作原理は、高圧ナトリウ
ムランプとは異なる。従って、低圧すトリウムランプの
効率を向上させる機構もまた、高圧ナトリウムランプの
それとは異なる。低圧すｌ−ＩＪウムランプにおいては
、効率の向上は、より高温の壁温によって一定の入力に
おいてすトリウム蒸気圧が上昇の結果である。これに反
して、本発明の高圧すｌ−ＩＪウムランプの効率の向上
は、管径の増加、最適の壁負荷を維持し、プラズマから
の非可視放出部分を逆にプラズマに反射させるための複
合赤外線反射フィルムの使用ζこよるものである。更に
、低圧すトリウムランプのアーク管径の増加は、高圧す
トリウノ・ランプにおいて見られるような効率の変化は
伴なわない。

フォール等（、Ｆｏｈｌ　ｅｔ　ａｌ　）およびクール
等（Ｋｕｈｌ、ｅｔ　ａｌ　）　　の米国特許第３，９
３１，５３６号および３，６６２，２０３号には、赤外
線、反射フィルムを含む１１ 高圧すトリウムランプがそれぞ゛れ開示されている。

フォール等の特許には、酸化チタン（ＴｉＯ２）および
酸化ケイ素（Ｓ１０□）の交互の層で作られる反射フィ
ルムが開示されている。このような反射器の一つは、８
分の１波長のＳｉＯ□の層の間に、４分の１波長のＴｉ
Ｏ２および５ｉ０２の１３枚の層を交互にサンドイッチ
した反射器からなる。このような反射器は、明らかに本
発明に使用される複合赤外線反射フィルムよりも非常に
複雑である。クール等は、外筒をアーク管に非常に接近
して位置させることによって加熱を増加することを提案
している。高屈折率の石英からなる外筒はアーク熱を石
英のアーク管に放射し返えす。クール等によって開示さ
れた方法は、このように比較的高価な石英外筒を使用す
るのみならず、外筒の表面積の減少が外筒上に展開され
た反射フィルムを過熱するので好ましくない。更に、フ
ォール等およびクール等はいずれも、アーク管径の増大
および赤外線反射Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎまたは５ｎ０２　：
　Ｆフィルムが高圧すトリウムランプの効率に望ましい
効果を与えるという認識を示していない。

高圧すｌ−ＩＪウムランプの効力はアーク管の直径を増
すと同時に、外側のランプ外被の内面上に、Ｉｎ２Ｏ３
：　Ｓｎ　　もしくは８ｎＯ２：　Ｆ　のような半導体
酸化物並びにＴｉＯ□および５ｉ０２のような誘電体か
らなる赤外線複合フィルムを展開することにより改良さ
れる。半導体酸化物および誘電体フィルムは、外側の外
被により通常は吸収または伝達される赤外エネチギーを
プラズマまたはアーク管に反射する。誘電材料はまた高
温における半導体酸化物の化学的安定性を増強するのを
助ける。例えば、半導体酸化物Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎもし
くは５ｎ０２　：　ＦフィルムをＴ　ｉ０２で覆うこと
により半導体材料の安定性は増すが、牟−半導体酸化物
材料により得られた、高圧すｌ−ＩＪウムランプの効力
を越えて正味の効力の増加は伴わない。しかしながら、
高圧すｌ−ＩＪウムランプの効力は学−の半導体酸化物
フィルムをもって得られた効力を越えて増大し、また半
導体酸化物の化学的安定性は、例えば、１５０ｎｍの厚
みのＩｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルムを１２０ｎｍの厚みの
Ｓ　ｒ　０２フイルムをもって覆うことによって増され
る。

ＴｉＯ□基体と５ＩＯ２オーバーコートとの間に配設さ
れたＩｎ２Ｏ３：　８ｎからなる３層の複合フィルノ、
は学−半導体フィルムまたは８ｉ０２　　の学−コート
をもって覆われたそのようなフィルムで得られた効力の
増大よりもより大きな効力の増大をもたらす０Ｔｔ０２
　　Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎ　　５ｉ０２の三層複合フィル
ムの好ましい実施態様において、フィルムの厚みは、そ
れぞれ１３０−１５０−１２０ナノメーターである。一
般的に、ＴｉＯ２および５ｉ０２　誘電体フィルムの最
適厚みは、それぞれ±１０ナノメーター変ってもよい。

このように、アーク管壁温度は、従来のものより大きな
直径をもつアーク管中で１４０００に〜１５００°にの
最適範囲に保たれる。半導体酸化物フィルムの厚みは８
０−３５０ナノメーターの間であってよいが、好ましく
は、Ｉｎ２Ｏ３：　ｓｎについては１３０〜２００ナノ
メーター、５ｎ０２　：Ｆについては１．３０〜２５０
ナノメーターである。

アーク管の直径は、好ましくは１０〜１４１１Ｊ％最も
好ましくは１２〜１４ｍであるが、２５ｍｍの程度の大
きさであってもよい。

Ｉｎ２Ｏ３：　８ｎフイルムは、大気中での化学スプレ
ー−撓きもどし技術を用いてガラス上に沈着される。誘
電体フィルムは種々の方法で沈着される。

無定形５ｉ０２は、シリコンハライド、有機珪酸エステ
ルのような珪素化合物の慣用の低温加水分解を用いて沈
着される。ＴｉＯ２はＴｉＣ４の低温における加水分解
により沈着される。

本発明の目的は高圧すｌ−ＩＪ　１クムランプの効力を
増し、かつ薄い赤外線反射半導体酸化物フィルムの化学
的安定性を増大することにある。

本発明のいま一つの目的は、アーク管壁の温度を最適範
囲に保つために、アーク管の直径を増し、かつ薄い半導
体フィルムおよび誘電体フィルムからなる改良された赤
外線反射複合フィルムを外側の外被の内面上に展開する
ことにより高圧すトリウムランプの効力を増すことにあ
る。

さらに本発明の目的は、慣用のものよりも大きい直径の
アーク管を有し、アーク管壁温度を最適温度範囲に保持
するためにＴ　ｉ（１２およびＳ＋０□によって覆われ
るか、または両者間に挾持されるＩｎ２Ｏ３：Ｓｎ　　
またはＳｎＯ２：　Ｆ半導体酸化物の薄いフィルムがラ
ンプ外被内面上に展開された高い効率の高圧ナトリウム
ランプを提供することにある。

本発明の構成並びに操作方法を本発明の上記以外の目的
および利点とともに、添付図面を参照して説明する。

第１図は本発明の高圧すトリウムランプ１０の一実施例
を説明するものである。このランプは外側のガラス外被
１を包含し、この外被は好ましくはその内面に展開され
た赤外反射複合フィルム２（後に詳述する）を有する。

ナトリウムを含む慣用のイオン化放電媒体は、導電性の
アーク管エンドキャップ７および８に電気的に接続され
ている電極５および６によって外側の外被１内に据付け
られたアーク放電管４内に包含される。電極６が部分的
に包まれる外側の外皮１中のくぼみ１１により電極６が
機械的に支持される。可撓性部材１２は電極６をエンド
キャップ８に機械的および電気的に接続し、熱膨張を補
償する。アーク管４の内径は１０〜２５ＩｕＩでおいて
もよく、好ましくは１０〜１４藺、最も好ましくは１２
〜１４ｍである。

アーク管２の直径は、またランプの出力の定格にもよる
。慣用の４００ワソ１−高圧すトリウムランプでは、ア
ーク管直径は約６−７藷である。ランプ１０は慣用のエ
ンジン型のネジ込みベース３を備えてもよい。

アーク管４と外側の外被１との間の空間９はアルゴンの
ような不活性ガスで満たされてもよい。

しかし、好ましくはこの空間は真空とされる。

複合反射フィルム２はスズをドープした半導体酸化物Ｉ
ｎ２Ｏ３、或いはフッ素をドープしたＳｎＯ□を含む。

これらは厚みが８０〜３５０ｓｍである。複合反射フィ
ルムは厚みが１２０ｓｍのＴｉＯ２もしくは８ｉ０□の
誘導フィルムをもって覆われている。他の実施例では、
反射フィルム２はｉ’ｉｏ□フィルム基体上に配設され
、かつ５１０２のフィルムで覆われた半導体酸化物フィ
ルムから造られる。

この実施例では、ＴｉＯ□−半導体酸化物−８１０２複
合体の個々のフィルムの厚みは、それぞれ１３０．１５
０．１２０ｓｍである。最適の結束を得るには、ＴｉＯ
２およびＳｉＯ２の厚みの範囲は、それぞれ１３０およ
び１２０ｓｍ、±ｌ　Ｏｎｍであるｏ　Ｔｎ、、０３：
　Ｓｎおよび５ｎ０２　：　Ｆフィルムの厚みの好まし
い範囲は、それぞれ１３０〜２００および１３０〜２５
０ｓｍである。

Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎ及び５ｎ０２　：　Ｆフィルムはラ
ンプの外おおいの内表面又は外表面に通常の大気中の化
学的スプレィ技術によって形成することができる。

半導体物質は４００℃又はそれ以上に加熱されたガラス
基材の上にスプレィされる。８ｉ０２フイルムはハロゲ
ン化けい素及び有機けい酸エステルの如さけい素化合物
の低温加水分解によって沈積することが出来る。ＴｉＯ
□フィルムたとえばＴ　ｉ　Ｃ１０の低温での加水分解
によって沈積することが出来る。

第２図は遊離キャリヤー濃度１．３Ｘｌｏｃ１ｎの厚さ
１５０１ｓの牟−■ｎ２０３：Ｓｎフィルムの透過率（
Ｔ）及び反射率（Ｒ）のスペクトルを表わす。高圧す）
　ＩＪウムアークからの線放射が横軸に沿って示されて
いる（線の高さは相対的強度を表わす）。

たて軸に透過又は反射放射の割合が示されている。

第２図からＩｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルムは１０００乃至
３０００ナノメーター領域に於いて高反射性であり６０
０ナノメーター領域の主なすトリウム放射線（ＮａＤ）
を含む可視スペクトル領域に於いては低吸収性であるこ
とがわかる。Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルム−ガラス複合
体の平均可視吸収率は約０．０３である。第２図に示さ
れたスペク１−ルの可視部は約７００ナノメーター迄拡
がっており、一方近赤外領域は７００ナノメーターから
約１０００ナノメーター迄拡がっていることに注意すべ
きである。励起原子状態から発生ずる分離す１−リウム
ＩＲ放射は１１００ナノメーター、１８５０ナノメータ
ー及び２１００ナノメーターに現われる。これらの放射
の一部分はアーク管及びプラズマ中に逆反射されて、そ
こで部分的に再吸収されることにより入力低減を生じる
こととなる。主としてイオン化されたＮａ２分子の再結
合により発生する連続的ＩＲ放射を、そして成程度はナ
トリウム−水銀分子錯体からの輻射を反射性フィルムは
又アーク管の方に逆反射し、それにより更にランプ効率
を改善する。

厚さ１５０ナノメーターの学−の１．ｎ２０３　＊　Ｓ
ｎ反射性フィルムの使用と、増加されたアーク管直径を
持つアーク管の採用との結合により高圧すＩ・リウムラ
ンプの効率は大層向上する。効率向上の一部はアーク管
直径の増加に起因する。附加的な向上はＩｎ２Ｏ３：　
ＳｎのＩＲ反射効果に起因するプラズマＩＲ，放射の部
分的反射及び吸収に由来する。ＩＲ反射性フィルムの使
用はランプ効率の向上に顕著に寄与している。特にラン
プをこ入力されるエネルギーの約３５％が加熱されたア
ルミナアーク管の白熱光から長波長のＩＲ輻射として逸
散してしまうと、普通の高圧ナトリウムランプでは考え
られているのである。

第３図には学−の厚さ１５０ナノメーターのＩｎ２Ｏ３
：　Ｓｎフィルムを厚さ１２０ナノメーターの５ｉ０２
で更に被覆した場合の反射率スペクトルが示されており
、比較の便宜のために学−の厚さ１５０ナノメーターの
Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルムの反射率スペクトルが併せ
て示しである。再被覆されたＩ　ｎ２０３フイルムの場
合は、圧力により幅が広がったＮａＤ線に関連した可視
領域に於いて反射率はや＼減少し、８１９ナノメーター
（近赤外）のナトリウム放射線の近傍に於いて増加して
いる。これら両方の効果によりこの複合フィルムの効率
はＩｎ２Ｏ３：８ｎフイルム学独の場合の効率より高め
られるのである。第４図は第３図に示されたのと類似の
Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎフィルムの反射率スペクトルを示すも
のであるが、厚さ１２０ナノメーターのＴｉＯ２フィル
ムで再被覆された場合のものを示している。この実施態
様の場合は学−のＩｎ２Ｏ３：　８ｎフイルムの場合に
得られる効率に比べて効率は実質上向上しない。

可故ならば、８１９ナノメーター放射線からの反射によ
る向上分はＮａＤ放射線に於ける透過率の減少によって
失なわれると思われる。然しなからＴｉＯ□による再被
覆はＩｎ２Ｏ３；　Ｓｎフィルムの高温時の化学安定度
を強化するはたらきがある。

厚さ１３０ナノメーターのＴｉＯ２フィルム上に１５０
ナノメーターのＩｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルムを沈積し、
更に厚さ１２０ナノメーターのＴｉＯ２フィルムで再被
覆して得た三層複合フィルムの好ましい実施態様の場合
の反射率を第５図に示す。第５図に表わされた学−の厚
さ１５０ナノメーターのＩｎ２Ｏ３：Ｓｎフィルムの場
合の反射率と比較すると近赤外８１９ナノメーターのナ
トリウム線の位置に於ける反射率の増加と可視部ＮａＤ
線の位置に於ける反射率の減少がみとめられる。三層複
合フィルムは争Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルムの場合に得
られる効率に比べて約４％の効率向上をもたらすと評価
されている。ナトリウム放射線の８１９ナノメーター領
域に於ける反射率の増加のために、三層複合フィルムは
第に８ｉ０２で再被覆した場合のものに比べてもより大
きい効率をもたらす。

上述したＩＲ，反射フィルムのどの場合についても過熱
によるフィルムへの損傷を避けるために外おおいは充分
に大きく作る必要がある。

上述して来た如（本発明は高圧ナトリウムランプの効率
を顕著に向上しＩＲ反射半導体酸化物の薄膜の高温化学
安定性を増強する事が理解されるであろう。半導体酸化
物フィルムはＴｉＯ□及び８ｉ０２゜の誘電体フィルム
との結合によりＩｌｌ、輻射の経済的かつ効果的な回収
を可能にし、この事は増加した直径のアーク管に都合よ
く好影響を及ぼし、その際アーク管の壁温度を最適温度
範囲に保つ。増大したアーク管直径を採用し、この明細
書中に記載した改良反射フィルムを用いることにより学
−のＩｎ２Ｏ３：　Ｓｎ又は５ｎ０２　：　Ｆフィルム
を用イタ類似のランプの効率よりも高圧ナトリウムラン
プの効率は増大する。

実例を示すことにより本発明の好ましい実施態様のいく
つかを例示してきたが、当業者ならば更に多くの変更と
変形を行なうことが可能であろう。

従って本発明の特許請求の範囲はかＮる変更と変形のす
べてが本発明の真の精神範囲にはいる事を意図している
ことを理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は外側の外被の内表面上に展開された赤外線反射
フィルムを包含する高圧すトリウムランプの一実施例を
示す部分断面図、 第２図は高圧ナトリウムランプのエネルギー放射線の波
長と、ガラス上に展開された１５０ｎｍのの厚みのＩｎ
２Ｏ３：　Ｓｎフィルムのスペクトル反射率および透過
率との関係を示すグラフ、 第３図はガラス基体上の１５ＱｎｍのＩｎ２Ｏ３：　Ｓ
ｎの学一層のスペクトル反射率および５ｉ０２　　の１
２０ｎｍ　　の厚みのフィルムで覆われた同じフィルム
の反射率を示すグラフ、 第４図は第３図と同様であるがＴｉＯ２の１２０ｎｍの
厚みのフィルムで覆われたＩｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルム
のスペクトル反射率を示すグラフ、 第５図はＴｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎ　−５ｉ０２　
　三層複合系であって、そのフィルムの厚みが、それぞ
れ１３０／　１５０　／　１２０　ｎｍ　　である系の
スペクトル反射率を示すグラフである。 １ニガラス外被 ２：赤外線反射複合フィルム ３：ネジ込みベース ４：アーク放電管 ５．６：電極 ７．８：エンドキャップ ９：空間 １１：くぼみ １２：可撓性部材 −茶榊 手続補正書（自発） ■、小事件表示　昭和５７年　’ｎ膏Ｍ　　　第１１−
λｌｉ’（７号２、発明の名称 ｚ’＜Ｌｔ、９Ｌ象育ｔｉ蓄を眉１１丘十ド１輛３、補
正をする者 事件との関係　　　出願人 包゛キラＩＬ／　　１しり［＋＋　、、り　−：ｒ＞＋
ｔ’ｓ−４、代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　高圧ナトリウムランプにおいて、対向端部に
   電極があってアーク管の内径が１０〜２０１ｕ１の細長
   くて可視光を透過する耐圧性アーク管があり、該アーク
   管内には原子状金属ナトリウム片が入れてあり、該金属
   ナトリウム片は励起すると電磁スペクトルの可視および
   赤外波長のエネルギーを放出し、該アーク管の周りには
   真空番こなし得る外被があり、該外被の上にはＴｉＯ２
   および５ｉ０２　　からなる群から選ばれた誘電体を被
   覆したＩｎ２Ｏ２：　Ｓｎフィルムを含む複合赤外線反
   射フィルムが設けられており、該複合フィルムは上記可
   視波長エネルギーの殆んどの部分を透過し、且つ上記赤
   外波長エネルギーの殆んどの部分を上記アーク管に向け
   て反射し、反射した赤外エネルギーの中の充分な量が上
   記アーク管に吸収されて上記アーク管の壁面温度を適当
   な温度範囲に維持することを特徴とするランプ。 （２）　　上記ｆｎ２０３　：　８ｎ　７４　ルムの厚
   みは８〇二３５０ナノメーターであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載のランプ。 （３）上記Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルムの厚みは１３０
   〜２００ナノメーターであることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載のランプ。 （４）上記複合フィルムは上記外被の内面に配置されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のラン
   プ。 （５）　　上記複合フィルムは電磁スペクトルの６００
   ナノメーター領域の波長を有する電磁エネルギーに対し
   て実質的に透明であるが１０００ナノメーターを超へる
   波長のエネルギーは実質的に反射することを特徴とする
   特許請求の範囲第４項記載のランプ。 （６）上記の適当な温度範囲は１４００°Ｋから１５０
   ００Ｋ　の間にあることを特徴とする特許請求の範囲第
   ４項記載のランプ。 （７）上記誘電体は１１０〜１３０ナノメーターの厚み
   を有するＴｉＯ２フィルムからなることを特徴とする特
   許請求の範囲第２項または第３項記載のランプ。 （８）　　上記誘電体は１１０〜１３０ナノメーターの
   厚みを有するＳｉＯ□フィルムからなることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２項または第３項記載のランプ〇 （９）上記複合赤外反射フィルムは、上記ガラス製外被
   上にＴｔ０２　、　Ｉｎ２Ｏ３：　ＳｎおよびＳｉｎ、
   、の順に配置したフィルムからなることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のランプ。 ０ω　上記ＴｉＯ２および８ｉ０２　フィルムの厚みは
   それぞれ１１０〜１３０ナノメーターの間にあり、同時
   に上記Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルムの厚みは１３０〜２
   ００ナノメーターの間にあることを特徴とする特許請求
   の範囲第９項・、記載の複合赤外反射フィルム。 （ｌυ　上記ＴｉＯ２フィルムの厚みは１３０ナノメー
   ターであり、上記Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎフィルムの厚みは
   １５０ナノメーターであると共に上記５ｉ０２フイルム
   の厚みが１２０ナノメーターであることを特徴とする特
   許請求の範囲第９項記載のランプ。 ０２）高圧すｌ−ＩＪウムランプにおいて、対向端部に
   電極を有する細長くて可視光線を透過する耐圧性アーク
   管があり、該アーク管の内径は１０〜２５朋であり、該
   アーク管内には原子状金属ナトリウム片が入れてあり、
   該金属すトリウム片は励起すると電磁スペクトルの可視
   および赤外波長のエネルギーを放出し、上記アーク管の
   周りには真空になし得る外被があり、該外被上にはＴｉ
   Ｏ２および５ｉ０２からなる群から選ばれた誘電体で被
   覆したＳｎＯ□：Ｆフィルムを含む複合赤外反射フィル
   ムが配置されており、該複合フィルムは上記可視波長エ
   ネルギーの殆んどの部分を透過し且つ上記赤外波長エネ
   ルギーの殆んどの部分を上記アーク管に向けて反射し、
   その反射した赤外エネルギーの充分な量が上記アーク管
   に吸収されて上記アーク管の壁面温度を適当な温度範囲
   に維持することを特徴とするランプ。 （１３１上記５ｎ０２　：　Ｆフィルムの厚みは８０−
   ３５０ナノメーターの間にあることを特徴とする特許請
   求の範囲第１２項記載のランプ。 θ荀　上記８ｎＯ２：　Ｆフィルムの厚みは１３０〜２
   ５０ナノメーターの間にあることを特徴とする特許請求
   の範囲第１３項記載のランプ。 （１５）上記５ｎ０２　：　Ｆフィルムは上記外被の内
   面に配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第
   １３項記載のランプ。 （１６）上記複合フィルムは電磁スペクトルの６００ナ
   ノメーター領域の波長の電磁エネルギーに対しては実質
   的に透明であるが、１０００ナノメーターを超へる波長
   の電磁エネルギーは実質的に反射することを特徴とする
   特許請求の範囲第１５項記載のランプ。 ０η　上記適当な温度範囲は１４０００に〜１５０００
   にの間にあることを特徴とする特許請求の範囲第１５項
   記載のランプ。 α印　上記誘電体は厚みが１１０〜１３０ナノメーター
   のＴｉＯ２フィルムからなることを特徴とする特許請求
   の範囲第１３項または第１４項記載のランプ。 ０　上記誘電体は厚みが１１０〜１３０ナノメーターの
   ５ｉ０２フイルムからなることを特徴とする特許請求の
   範囲第１３項または第１４項記載のランプ。 （イ）上記複合赤外反射フィルムは上記外被上にＴｔ０
   ２１５ｎ０２　：　Ｆおよび５ｉ０２の順に配置したフ
   ィルムからなることを特徴とする特許請求の範囲第１２
   項記載のランプ。 （２υ　上記ＴｉＯ２およびＳｉＯ２フィルムの厚みは
   それぞれ１１０〜１３０ナノメーターの間にあり、且つ
   上記５ｎ０２　：　Ｆフィルムの厚みは１３０〜２５０
   ナノメーターの間にあることを特徴とする特許請求の範
   囲第２０項記載の複合赤外反射フィルム。 （２２１上記Ｔ　ｉ０２フィルムの厚みは１３０ナノメ
   ーターであり、上記５ｎ０２　：　Ｆフィルムの厚みは
   １５０−ナノメーターであり、且つ上記ＳｉＯ□フィル
   ムの厚みは１２０ナノメーターであることを特徴とする
   特許請求の範囲第２０項記載の複合赤外反射フィルム。