JPS587828A - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents
微細パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS587828A JPS587828A JP56106031A JP10603181A JPS587828A JP S587828 A JPS587828 A JP S587828A JP 56106031 A JP56106031 A JP 56106031A JP 10603181 A JP10603181 A JP 10603181A JP S587828 A JPS587828 A JP S587828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- fine pattern
- pattern
- electron beam
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高密度集積回路の製作等に必須とされる微細
パターンの加工技術に於いて、ネガ型置子線レジスＦを
用いて微細パターンを形成し、且つ転写する方法に関す
るものである。
パターンの加工技術に於いて、ネガ型置子線レジスＦを
用いて微細パターンを形成し、且つ転写する方法に関す
るものである。
高密度集積回路等に必要とされる非常に微細なパターン
を描画・露光する手段として電子線描画装置から実用化
されてきている。この電子線に感光し、微細パターンを
形成する有機材料が電子線ｙ５７ストであシ、ポジ型、
ネガ型を問わず種々の物が開発されている。このうちポ
ジ型電゛子線レジストは一般に解像性に優れ、１ＰＩｌ
以下（以下”サブミクロン”と称する）のパターンを容
易に形成することが可能である。しかしながらとのポジ
製電子線レジスＦは低感度であるという重大な欠点の他
、耐熱性がＴｏ！り、基板との密着性が低いという欠点
を併せて有している。また半導体プロセスにおいて主流
となシつつあるドライエッチに対する耐性も低いという
欠点がある。一方ネガ型電子線レジストは一般に高感度
であシ、かつ耐熱性や基板との密着性に優れている。し
かしながらネガ型Ｖシストの本賀的な性質上解像性が低
く、さらには現像による微細パターンの蛇行や真空中に
おける後重合効果やスカム等の問題がサグミクロンパタ
ーンの形成と非常に困難なものにしている。
を描画・露光する手段として電子線描画装置から実用化
されてきている。この電子線に感光し、微細パターンを
形成する有機材料が電子線ｙ５７ストであシ、ポジ型、
ネガ型を問わず種々の物が開発されている。このうちポ
ジ型電゛子線レジストは一般に解像性に優れ、１ＰＩｌ
以下（以下”サブミクロン”と称する）のパターンを容
易に形成することが可能である。しかしながらとのポジ
製電子線レジスＦは低感度であるという重大な欠点の他
、耐熱性がＴｏ！り、基板との密着性が低いという欠点
を併せて有している。また半導体プロセスにおいて主流
となシつつあるドライエッチに対する耐性も低いという
欠点がある。一方ネガ型電子線レジストは一般に高感度
であシ、かつ耐熱性や基板との密着性に優れている。し
かしながらネガ型Ｖシストの本賀的な性質上解像性が低
く、さらには現像による微細パターンの蛇行や真空中に
おける後重合効果やスカム等の問題がサグミクロンパタ
ーンの形成と非常に困難なものにしている。
本発明者はネガ型電子線レジストについて、その露光方
法およびプロセス条件等を詳細に検討し評価した結果、
ネガ型電子線レジストを用いてサブミクロンパターンを
容易に形成しかつそのレジストパターンを精度よく基板
に転写する為の方法を見出した。
法およびプロセス条件等を詳細に検討し評価した結果、
ネガ型電子線レジストを用いてサブミクロンパターンを
容易に形成しかつそのレジストパターンを精度よく基板
に転写する為の方法を見出した。
本発明はネガ復電子線レジスＦを通常使用されている膜
厚よル薄くして使用し、かつ通常現像後処理として行わ
れるボストベークより高温で長時間熱処理を行うことを
特徴とする。レジスト膜厚としては５０００Ａよシ薄い
ことが必要で、下限は微細パターンを転写する基板の材
質と厚さおよびしシストの耐エツチング性等によって決
定される。
厚よル薄くして使用し、かつ通常現像後処理として行わ
れるボストベークより高温で長時間熱処理を行うことを
特徴とする。レジスト膜厚としては５０００Ａよシ薄い
ことが必要で、下限は微細パターンを転写する基板の材
質と厚さおよびしシストの耐エツチング性等によって決
定される。
また現像後の熱処理は１５０℃以上であることが好まし
く、そＯ上限はレジストの熱分解温度によって決定され
る６本発明に使用されるネガ復電子線レジスＦとしては
エボキＶ系のＣ０Ｐ（ｊＥ−ドケミカｙ社、商品名）や
０ＥＢＲ−１００（東京応化工業、商品名）、またメタ
クリレート系の５ＥＬ−Ｎ（ソマール工業、商品名）、
さらにはポリスチレン系のＣＭＳ （東洋工業、商品名
）や３−素化ポリスチレン等が挙げられるが、もとより
かかるレジストのみに限定されるものではない。
く、そＯ上限はレジストの熱分解温度によって決定され
る６本発明に使用されるネガ復電子線レジスＦとしては
エボキＶ系のＣ０Ｐ（ｊＥ−ドケミカｙ社、商品名）や
０ＥＢＲ−１００（東京応化工業、商品名）、またメタ
クリレート系の５ＥＬ−Ｎ（ソマール工業、商品名）、
さらにはポリスチレン系のＣＭＳ （東洋工業、商品名
）や３−素化ポリスチレン等が挙げられるが、もとより
かかるレジストのみに限定されるものではない。
以下に実施例を挙げて詳細に説明する。
実施例１
ガフス基板上に約８５０、配り金属クロムを蒸着したク
ロムプレート上にネガ型室子線レジメ）ＳＥＬ−Ｎ Ｃ
Ｂタイプ）を回転塗布し３’０００Ａのレジスト膜を得
た。所定の条件でプリベーク後、加速電圧１０ｆｆ、ビ
ーム電流１２ｎＡ、ビーム径α３声重で電子線露光を行
い、その後スプレー法によシ現像を行いレジストパター
ンを得た０次いで１８０℃で２時間熱処理を行った１次
いで酸素プラズマ中でスカム除去を行った後、上記レジ
ストパターンをマスクとして四塩化炭素−空気プラズマ
中でクロムのドライエッチｔ−ｆｆつた。その結果サブ
ミクロンのフィン−スペースがクロムに正確に転写され
、サブミクロンバタンを有する良好なりロムマスクが得
られた。
ロムプレート上にネガ型室子線レジメ）ＳＥＬ−Ｎ Ｃ
Ｂタイプ）を回転塗布し３’０００Ａのレジスト膜を得
た。所定の条件でプリベーク後、加速電圧１０ｆｆ、ビ
ーム電流１２ｎＡ、ビーム径α３声重で電子線露光を行
い、その後スプレー法によシ現像を行いレジストパター
ンを得た０次いで１８０℃で２時間熱処理を行った１次
いで酸素プラズマ中でスカム除去を行った後、上記レジ
ストパターンをマスクとして四塩化炭素−空気プラズマ
中でクロムのドライエッチｔ−ｆｆつた。その結果サブ
ミクロンのフィン−スペースがクロムに正確に転写され
、サブミクロンバタンを有する良好なりロムマスクが得
られた。
実施例雪
Ｖリコン基板とに２００ＯＡ厚の１７Ｌ／ｉを蒸着し。
この上にネガ型電子線レジストＣＭＳを２００１）Ａの
厚さに回転塗布した。プリベーク後加速電圧２０Ｋｖビ
ーム電流２０ｒＬＡ、ビーム径α３μ観で電子Ｉ！露光
を行い、その後スプレー現像により微細パターンを得た
。実施例１と同様な熱処理及びスカム除去を行った後、
しシストパターンをマスクとして平行平板製プラズマ装
置により、四塩化炭素を用いＲＦ出力ｓｏｏ ｗでアＳ
／ミのドライエッチを行った。その結果ｔｆミク四ンの
良好なア／Ｉ／ミパターンがシリコンウェハに転写でき
た。
厚さに回転塗布した。プリベーク後加速電圧２０Ｋｖビ
ーム電流２０ｒＬＡ、ビーム径α３μ観で電子Ｉ！露光
を行い、その後スプレー現像により微細パターンを得た
。実施例１と同様な熱処理及びスカム除去を行った後、
しシストパターンをマスクとして平行平板製プラズマ装
置により、四塩化炭素を用いＲＦ出力ｓｏｏ ｗでアＳ
／ミのドライエッチを行った。その結果ｔｆミク四ンの
良好なア／Ｉ／ミパターンがシリコンウェハに転写でき
た。
実施例１ −
膜厚１０００Ａのア１＋％／ミを有するシリコンウェハ
Ｘｓ４にネガ型置子線レゾス） ＯＥ Ｂ Ｒ−Ｚｏｏ
を回転塗布し、 ３！１００Ａのレジスト膜を得た０次
にプリベークを行い、実施例１と同様な露光条件で露光
後スプレー現像し、２００℃で１時間熱処理を行った。
Ｘｓ４にネガ型置子線レゾス） ＯＥ Ｂ Ｒ−Ｚｏｏ
を回転塗布し、 ３！１００Ａのレジスト膜を得た０次
にプリベークを行い、実施例１と同様な露光条件で露光
後スプレー現像し、２００℃で１時間熱処理を行った。
酸素プラズマ中でスカム除去を行った後、非金属系ア〃
カリ液を用いて４５℃でアルミのウェットエッチを行っ
た６次に水洗、乾燥後酸素プラズマ中でＬ／シスト除去
を行ったところ、サブミクロンフィン−スペースのアμ
ミ電極が良好に形成された。
カリ液を用いて４５℃でアルミのウェットエッチを行っ
た６次に水洗、乾燥後酸素プラズマ中でＬ／シスト除去
を行ったところ、サブミクロンフィン−スペースのアμ
ミ電極が良好に形成された。
以上述べたように１本発明を実施することにより、ネガ
復電子線レジスＦにより線巾１μ鳳以下の微細パターン
が容易に形成可能とな夛、かつそのレジストパターンを
容易に転写することが可能となる。
復電子線レジスＦにより線巾１μ鳳以下の微細パターン
が容易に形成可能とな夛、かつそのレジストパターンを
容易に転写することが可能となる。
代理人 葛野信−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＜１） ！１００ＯＡより薄い膜厚を有するネガ型電子
線レジストを用いこのレジストに電子線露光を施し現像
することにより微細Ｉリーンを得ろことを特徴とする微
細パターン形成方法。 （２）！１００（ＩＡより薄い膜厚を有するネガ型電子
線しシストを基板上に形成する工程、上記レジストに電
子線露光を施し現像して微細パターンを形成する行程、
上記微細パターンを有するしＶ、ストに熱処理を施す行
程、上記熱処理を施されたしシストをマスクとして上記
微細パターンを上記基板に転写する工程を含む微細パタ
ーン形成方法。 （３）１８０℃以上の温實で熱処理を施すことを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載の微細パターン形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56106031A JPS587828A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56106031A JPS587828A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587828A true JPS587828A (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=14423261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56106031A Pending JPS587828A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587828A (ja) |
-
1981
- 1981-07-06 JP JP56106031A patent/JPS587828A/ja active Pending
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