JPS5873936A - 表示パネル用電極基板の形成方法 - Google Patents

表示パネル用電極基板の形成方法

Info

Publication number
JPS5873936A
JPS5873936A JP17356881A JP17356881A JPS5873936A JP S5873936 A JPS5873936 A JP S5873936A JP 17356881 A JP17356881 A JP 17356881A JP 17356881 A JP17356881 A JP 17356881A JP S5873936 A JPS5873936 A JP S5873936A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
pattern
electrode
metal electrode
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP17356881A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6364854B2 (ja
Inventor
Akira Otsuka
晃 大塚
Toshinori Urade
浦出 俊則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP17356881A priority Critical patent/JPS5873936A/ja
Publication of JPS5873936A publication Critical patent/JPS5873936A/ja
Publication of JPS6364854B2 publication Critical patent/JPS6364854B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガス放電表示バネp等に用いられる電、 、 
     □         −極基板の形成方法に
係り、特にあらかじめ基板表面に被着形成さ微光表示用
金属電極上に電子ビー、11 ム蒸着法によって絶縁膜を被着形成する方法の改□ 良に関するものである。
一般にプラズマ・ディスプレイ・バネμの名称で知られ
るガス放電パネルとしては、従来ドツト表示形式のマト
リックス型を始めとし、特殊な電I 極パターンを採用し丸数字表示用パネルや、七μフシフ
ト型のバネμ等種々のタイプのものが提案されている。
そして最近のこの種ガス放電パネル用の電極基板におい
ては、高密度表示あ、るいは高品質表示のために、ガラ
ス基板上に形成する例えばクロム(Cr)−銅(Cu)
からなる、2重構造の表示用金属電極およびガス放電空
間から、前記金属電極を絶−するため?アルミナ(Aj
lOB)等からなる絶縁層(誘電体層とも呼ばれる)等
を、電子ビーム蒸着法を用いた薄膜技術によって形成す
る方法が用いられている。
ところが上述のようKあらかじめガラス基板表面に被着
形成された表示用金属電極上に、電子ビーム蒸着法によ
ってAjfiOfi等からなる絶縁膜を被着する場合、
従来は、第1図に示すようK11着チャンバー(図示せ
ず)内で電子線加熱蒸発源4に対向して図示しないマス
ク支持台に支持され、かつ該支持台を介して接地されて
いる絶縁膜蒸着用のパターンマスク8上にガラス手板1
を、その金属電極2が直接前記マスク8に接触する形で
配置していえ。従ってこの状態で蒸着を行うようKする
と、電子銃5よシ放射しマグネットMによ抄経路6に沿
って誘導され蒸発源4を加熱する電子ビームによって帯
電した蒸着チャンバー内の残留ガス中の酸素(OB)ガ
ス及び加熱された蒸発源番より放出するOsガスが、前
記パターンマスク8を介して接地されている金属電極8
に吸着されるため、該電極表面が酸化して変色したシ、
また蒸着過程の薄い絶縁膜や該絶縁膜を通して前記金属
電極2に帯電した電荷が前記絶縁膜の蒸着粒々どの特異
点で放電して絶縁膜にピン赤−ルを生ぜしめると共にそ
の放電時の熱等によって該放電点及びその周辺の電極が
変色すゐといった不都合があり九。
かかる金属膜wgの部分的な変色は、該電@Sの反射率
の不均一化につながシ、このよう金電極基板を用いてガ
ス放電バネ〃を構成した場合、輝度むらとなって現われ
、表示品質を著しく劣化させる欠点があった。その他放
電によって変色した金属膜@Bはガラス基板1との密着
性が低下し、時として電極剥離が発生することがある。
さらに前記放電によって放電空間面を構成する絶縁膜表
面が汚染され、ガス放電パネルの放電電圧特性を劣化さ
せる問題もらった。
本発明の目的は上述した従来の欠点を解消するため、蒸
着パターンマスク上に配−し九電極形成基板の金属電極
パターンを電子ビーム蒸着装置の接地電位から絶縁する
ようにして前記金属電極パターン上に当該電極パターン
を変色させることなく、高品質の絶縁膜を安定に、かつ
歩留抄よ〈被着することができる新規な形成方法を提供
するにある。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
第2図及び第8図は本発明に係る一実施例を説明するた
め0絶縁、膜蒸着用/<l−:/″″″りに対する電極
形成基板の1配置構成を示す要部断面図及び絶縁膜を被
着すべ一電極形成基板の上面図であり、第1図と同等部
分:′fは同一符号を付している。
h・。
本発明の実施例にあっては第2図に示すように図示しな
い電子ビーム蒸着装置内のマスク支持具に保持された絶
縁膜蒸着用パターンマスク8上に絶縁膜を被着すべき電
極形成基板lを、載置する場合に、前記パターンマスク
8に基板1上の金属電極パターン2が直接接触しないよ
うK、例えばガラスまたはセラミック等からなる薄片状
の絶縁スペーサ21を図示のように両対向面に介在させ
た形で絶縁配置する。即ち前記スペーサ21はパターン
マスク8の載置面と好ましくは第8図に示すように電極
形成基板l上の金属電極パターン2が配設されていない
各部位Aとの間に介在させて接地されている前記く(タ
ーンマスク8から電極形成基板1を浮かし丸形に配置し
、かかる状態でAIMO3等からなる絶縁膜を蒸着する
ことKより、従来の如き一電あるいは放電に起因する金
属電極・。
ターン2の変色や絶縁膜にピンホールができると表お以
上の実施例では、絶縁膜を被着すべき電極形成基板の金
属電極パターンと接地状態にある絶縁膜蒸着用パターン
マスクとの絶縁に絶縁用スペーサを用い九場合の例で説
明したが、本発明の本質はこれに限定されるものではな
く1例えば蒸着用パターンマスク自身をマスク支持真上
に絶縁した状頗に配置するかあるいは蒸着マスクかマス
ク支持具のいずれかを電気的に絶縁とまる材料で構成す
るようKしてもよく、同様の効果が得られる。
以上の説明から明らかなように本発明の形成方法によれ
ば、あらかじめ基板表面に被着形成された表示用金属電
極上に□、その金属電極パターンの変色や被着する絶縁
膜にピンホールを生せしめることなく、電子ビーム蒸着
法によって絶縁膜を安定に被着することができるので、
各種ガス放電表示バネμ用の電極基板の形成に適用して
、高品質の電極基板を歩留りよく得ることが可能となる
利点を有する。を九本発明の形門方法を特に酸化しやす
い金属膜上や変色、合金化しやすい金属電極上へ電子ビ
ーム蒸着法によって各種絶縁膜を蒸着する場合に適用し
て極めて有利である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の表示バネμ周電極基板の形成方法を説明
する概略図、第8図は本発明に係る表示バネμ周電極基
板の形成方法の一実施例を示す要部断面図、第8図は本
発明に係る形成方法を説明するための電極形成基板を示
す上面図である。 図において1は電極形成基板、2は金属電極パターン、
8は絶縁膜蒸着用パターンマスク、21は絶縁スペーサ
を示す。 第2図 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 、  − あらかじめ表示用の金属電極パターンを被着形成した基
    板上に電子ビーム蒸着法によって絶縁膜を被着せしめる
    に際し、前記金属電極パターンを□         
        、、゛ 接地電位から絶縁した状態で上記絶縁膜の蒸着を111 なすようにしたことを特徴とする表示バネμ用電1 1
    1 111     □ − 極基板の形成方法。 、、゛
JP17356881A 1981-10-28 1981-10-28 表示パネル用電極基板の形成方法 Granted JPS5873936A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17356881A JPS5873936A (ja) 1981-10-28 1981-10-28 表示パネル用電極基板の形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17356881A JPS5873936A (ja) 1981-10-28 1981-10-28 表示パネル用電極基板の形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5873936A true JPS5873936A (ja) 1983-05-04
JPS6364854B2 JPS6364854B2 (ja) 1988-12-13

Family

ID=15962964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17356881A Granted JPS5873936A (ja) 1981-10-28 1981-10-28 表示パネル用電極基板の形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5873936A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6364854B2 (ja) 1988-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4112137A (en) Process for coating insulating substrates by reactive ion plating
JPH0679512B2 (ja) 薄膜elパネルの製造方法
US3526584A (en) Method of providing a field free region above a substrate during sputter-depositing thereon
US3838031A (en) Means and method for depositing recrystallized ferroelectric material
JPS5873936A (ja) 表示パネル用電極基板の形成方法
JPS5928019B2 (ja) ガス放電パネル
EP0167255A2 (en) High rate sputtering of exhaust oxygen sensor electrode
JPS587555A (ja) 排気ガス酸素センサに排気電極をスパツタリングする方法
US2451877A (en) Method of manufacturing oscillator plates
US5857887A (en) Method of manufacturing a cathode-ray tube
JPS62188777A (ja) バイアススパツタリング装置
KR100680090B1 (ko) 화상 표시 장치
US3989871A (en) Method of manufacturing a gas discharge panel and gas discharge panel manufacture according to said method
JP3015093B2 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JPS5917193B2 (ja) スパツタリング装置
JPH027502B2 (ja)
JPS58199039A (ja) 薄膜形成方法
KR100962494B1 (ko) 스퍼터링 장치
JP2901984B2 (ja) 導電性薄膜製造装置
KR950007705B1 (ko) 유리판 제조방법
JPH056319B2 (ja)
JP2003229057A (ja) 構造支持体の製造方法、構造支持体およびそれを備える電子線装置
JP2004273364A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JPS59111226A (ja) 電極スペ−サ構造体
JPS5538946A (en) Sputtering apparatus