JPS5872548A - ヒスチジン含有ペプチド誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ヒスチジン含有ペプチド誘導体の製造法に関
する。

近年、生体成分あるいは生理活性物質として、〒ＲＨ（
サイロトロピン・リリージング・ホルモン、）、ＬＨ−
ＲＨＣＩＬ／テナイジング・ホルモン・リリージング　
ホルモン】あるいはこれらの誘導体などのとスチジン含
有ぺ１チドが発見されておシ、これらの化合物あるいは
それらの中間体の有利な合成法が望まれている。

従来、ヒスチジン含有ペプチドの製造、特にＮ（Ｅ−ア
ルキμオキシカルボニルヒスチジン、Ｎ　　−アフルキ
μオキＶカルボニルヒスチジンなどのようなＮ−末端が
保護されたアミノ酸または該アミノ酸をＣ−末端とする
部分べ１チＦ（力〃ホキシル成分〕とＮ−末端のアミノ
極あるいはイミノ基が遊離のア毫ノ酸またはベフ”チド
（塩基成分）とをＶアルキルカルボジイミドを用いて縮
合させる反応ではヒスチジン残基のイミダゾール核と力
μボキＳ／Ａ／基とによって形成される両性イオン特性
によシ、カルホキＶ　／’　ｋｇの活性が著しく阻害さ
れ、反応の進行が極めて遅かったシ、副反応を伴ったり
して低収率に終わるのが一毅的であシ、満足する結果が
得られていない。

このような現象は塩基成分であるアミノ酸またはペプチ
ドのＨ−末端がプロリン残基の場合に特に顕著である。

そのために縮合法としてアジド法が適用されるかあるい
はヒスチジンのイミダゾール核を）　５ｙｓｙｉｔ＆　
＃ベンジル基あるいはベンジルオキシカルボニル基など
で保護した後、公知の縮合方法によ多縮合するのが一般
的であシ、他に有効な方法が知られていない。アジド法
を採用する場合、繭段階の工程数が多くなったり、力〃
ホキシル成分中にトリプトファン残基が存在している場
合にはニトロソ化を伴うことが知られており、その適用
が困難である。を九操作上においても副反応（Ｃｕｒｉ
ｉｕａ　　転位）を抑制するために全操情を低温でおこ
なうことを強要され、大量の製造には明らかに不利であ
る。を九イミダゾー１ｖＩｍｔｆＩＡ護する場合には当
然のことながら工程数が療くなるし、他の官能晟の保護
基の選択の余地が狭められ、脱離法も制限を受けること
になる。

本発明者らはこれらの問題を解決するために鋭意研究を
おこなったところ、カルボキシル成分と塩基成分とをジ
アルキルカルボジイミドを用いて縮合させる反応におい
て、反応系に強酸を存在させることによシベ１チド結合
形成反応が著しく促進され、大巾に目的物の収率が向上
すると言う予測外の知見が得られた。また、この方法を
フラグメント縮合に適用した場合、反応速度の促進、収
率の向上に加え、ヒスチジン残基のラセミ化が抑制され
ることも知見した。

従来、カルボキシル成分をジアルキルカルボジイミドで
活性化して塩基成分と縮合反応をおこなう場合、塩基成
分の求核性を低下させるような物質の添加は不利と考え
られており、現に塩ム成分が酸の付加塩の場合には、た
とえば３級アミンあるいは無機塩基などによる中和、塩
基性樹脂による脱環などの常法により処理した後−反応
に供されてい友。この事実は従来上記反応系において酸
の存在が縮合反応を阻Δすると言う一般通念が存在して
いたことを物語っている。

更にまた、塩基成分がジベグチド誘導ｆ体から水素が１
個除かれた部分ベフ゛チドの場合にはジケトピペラジン
の副生が抑制されることも知見し九。

これらの知見にもとづき、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、Ｎ−末端が保護された式〔式中、
Ｒはイミダゾール核の１位ま′ＩｔＦｉａ位のアルキ／
ｌ／基ｔえは水素を表わす〕で表わされるアミノ酸また
−は該アミノ酸をＣ−末端とする部分ペプチドとＮ−末
端のアミノ基Ｉｓいはイミノ基が遊離のアミノ酸または
ペプチドとを強酸の存在下、ジアルキルカルボジイミド
を用いて縮合せしめることを特徴とするヒスチジン含有
ペプチド誘導体の製造法である。

本発明に用いられるＮ−末端が保護された式〔式中、Ｒ
はイミダゾ−１４／核の１位または８位のアルキ／ｌ／
基または水素を表わす」で表わされるアミノ酸または該
アミノ酸をＣ−末端とする部分ペプチドの保護基として
は、たとえばホルミル、アセチル、ペンソイルなどのア
シル、１）−１４／エンス〜ホニ〜、ベンゼンスルホニ
ル、ｐ−メトキシベンゼンスルホニ菱囁嘴査族スルホニ
ル、ベンジルオキシカルボニル２、ｔ−プチルオキシヵ
ルポニμ、ｔ−アシルオキシカルボニルなどのアルキル
オキシカμボニ〃、アフルキルオキシ力μボニμ０−ニ
ドロス〜フエニ〜誠などの公知のアミノ保護基として用
いられているものならいずれでもよい。

本発明では、前記のようなアミノ酸の保護基以外に、た
とえばピペコリン酸、メタチアゾリジン−６−カルボン
酸、γ−カμポキシーγ−プチロフクトン、２−ケト−
ピペリジン−６−カルボン酸、ａ−オキソ−６−カルボ
キシ１ハイド′ローｌ。

４−チアジンなどのカルボン酸から水ｒＲ基を除いたＳ
基などで４よい。

また、前記式で表わされるアミノ酸をＣ−末端とする部
分ペプチドを構成するアミノ酸としては、たとえばピロ
グルタミン酸、グルタミン酸、グ〜タミン、アスパラギ
ン酸、アスパラギン、セリン。

クリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイＶン
、フェニルアフニン、チロシン、）す７’）ファン、プ
ロリン、メチオニン、システィン、シスチン、ヒスチジ
ン、リジン、アルギニンなどのアミノ酸およびその誘導
体が含まれ、これらはＬ型、Ｄ型、ＤＬ１３１のいずれ
でもよい。

前記式で表わされるアミノ酸および部分べ１チドを構成
するアミノ酸の各々はＬ型あるいはＤ型アミノ酸の任意
の組合わせでよい。

式中、Ｒとしては、たとえばメチ〜、エチル。

プロピルなどの次素数が１〜６の直鎖または分岐し九ア
μキ〜基あるいは水素があげられる。

Ｎ−末端のアミノ基あるいはイミノ基が遊離のアミノ酸
またはべ１チドとしては、九とえばグルタミン酸、グル
タミン−、アスパラギン酸、アスパラギン、セリン、グ
リンン、アヲニン、バリン。

ロイＶン、イソロイＶン、フエニμアフニン、チロＶン
、トリプトファン、７′ロリン、メチオニン。

システィン、シスチン、ヒスチジン、リジン、アルギニ
ンなどのアミノ酸およびその誘導体（例；エステル、ア
ミド類など）ならびに目的とする化合物を構成するベフ
”チＦおよびべ１チド誘導体ならいずれでもよい。アミ
ノ酸としてはＩ／Ｊ、Ｄ型およびＤＬ型のいずれでもよ
く、べ１チドおよびペプチド誘導体を形成するアミノ酸
はＬ型およびＤ型アミノ酸残基の任意の組み合わせでよ
い。

本発明では前記一般式で表わされるアミノ酸または該ア
ミノ酸をＣ−末端とする部分ペプチド（力μホキシル成
父〕とＮ−末端のアミノ基あるいはイミノ基が遊離のア
ミノ酸またはペプチド（塩基成分）とを強酸の存在下、
ジアルキルカルボジイミドを用いて縮合させる。

本発明において用いられる強酸としては、たとえば塩化
水素酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸。

ｐ−メトキＶベンゼンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸
、メタンスルホン酸、フッ化水３１ｇ酸、臭化水素酸、
ミウ化水素酸などの強酸ならいずれでもよく、またアン
バーライトｌ　２０　Ｂ”　、ダウエックス６０＠、７
ンパーリスト１６１［Ｆ］、アンバーリスト１００６■
、ダイアイオン５ＫＩＢ■　などのスルホン酸基を有す
るイオン交換樹脂も使用できる。

ジアルキルカルボジイミドとしては、たとえばジＶクロ
ヘキＶ’１４／力μポジイミド、ジイソプロビルカルポ
ジイミド、ｌ−エチ／％／−８−（ａ−ジメチルアミノ
プロピ〜）カルボジイミド、ｌ−Ｖクロヘキシル−８−
（２−七μホリノエチ、４／）力μポジイミド、１−Ｖ
クロヘキ￥／＆−８−（４−ジメチルアミノプロヘキ＄
／、Ａ／）力〃ポジイミドおよびそれらの塩酸塩などの
脱水縮合剤ならいずれでもよい。

反応法としては、九とえば遊離形の力ｐボキＶμ成分と
遊離形の塩基成分とを混合し先後、酸を加える手段、あ
るいは力μホキｙ）ｖ成分とｊｊＩ＆成分とのいずれか
を酸塩の形で用いｒ〒攻などがあげられる。

反応に用いられる溶媒としては、カルボキＶｌｖ成分、
塩基成分および酸の一部あるいは全部を溶かす溶媒なら
いずれでもよく、具体的には、たとえばジメチルホルム
アミド、テトフヒドロフラン。

ジオキサン、アセトニトリル、メチレンクロリド。

クロロホルム、酢酸エチル、エーテル類、アセトン、ピ
リジン、ｔ−ブチルアルコールなど、あるいはこれらを
任意の一合で混合した溶媒もしくはこれらと水との混合
溶媒などがあげられる。

力μホキシル成分、塩基成分および酸の割合は、次のよ
うである。

塩基成分はカルボキシμ成分の約０．５〜ｌＯ倍モル、
好ましくは約０．８〜２倍モル、酸は塩基成分の約００
１〜２倍モル、好ましくは約０．５〜１．６倍モル程度
である。

反応温度は約−８０〜９０℃、好ましくは約−６〜８０
℃で、反応は攪拌、静置のいずれでもよい。

目的物は、当該酸塩あるいは遊離形のいずれの形で単離
してもよい。遊離形で得ようとする場合には、九とエバ
トリエチルアミンなどのａ、＊アミン、たとえば戻酸カ
リウムなどの無機塩基、たとえばイオン交換樹脂などを
用いることができる。

目的物を精製する手段としては、九とえば抽出。

結晶化、クロマトグラフィーなどの公知の手段があげら
れる。

以下に５ｊ！施例ならびに比較例をあｆｆ、本発明を更
に具体的に説明する。

実施例、参考例ならびに比較例中、アミノ酸。

部分ぺ１チドあるいはペプチド誘導体のアミノ酸残基は
特定−しないかぎりＬ体を示す。を九、略号として次の
ものを用いる。

Ｈｌ８　：ヒスチジン ｐｒｏ　　ニア”ロリン Ｇｌｕ　　ニゲμタミン酸 Ｌｅｕ　　：ｎイシン Ｖａｌ　　　：ノ曵リン ’ｌ’ｒｐ　　：）リプトファン ３ｅｒ　　：七リン Ｔｙｒ　　：チロシン Ｚ　　：カルボベンゾキシ ＤＭＦ　　ニジメチルホルムアミド ＤＣＣ：Ｎ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド ０１ｌｓ　　：エチルエステル Ｐ　　　：ピロ ＨＯ８ｕ　　　：Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドＯａｔ
　　：エチルエステル ７Ｔ８０Ｈ：バラトルエンスルホン酸 参考例Ｉ Ｚ−ＨｌａＯＨ・ｙＴｊＯＨの合成 Ｈ１ｇ−ＨＣＩ−Ｈ２０２１ｆ　（０，１モル）を水８
００ｍ１に溶解し、２Ｎ−苛性ソーダを加えてｐＨ＊１
１に調整する。０〜６℃を保ちながら、ベンジルオキＶ
ｔＪＩＷボニμクロリＦ４７．４ｆ（９０％純度、０．
２６モＡ’）を滴Ｆする。この間２Ｎ−ｆｆｉ性ソーダ
でｐＨ１ｌ−１２を保つ。滴下後、２Ｎ−苛性ソーダで
ＰＨ−１２±０．５を保ちながら０〜５℃で１時間、６
〜１０℃で６時間攪拌する。反応液を２Ｎ−苛性ソーダ
でｐＨ＝　１４にして３０分間攪拌する。

反応液を酢酸エチルで洗浄し、水層に４Ｎ−塩酸を加え
てＰＨ中８．９にする。さらに２Ｎ−ｐ−）、＆エンス
ルホン酸水溶液を加えてｐＨ＝１２に調整する。食塩を
飽和し、混合溶媒（ＣＨ２Ｃｌ−１ｇｏ−ＢｕＯＨ−ム
ａＯＥｔ　−１：　ｌ　：　２　）　４０　Ｇ−で２回
抽出する。抽出液から溶媒の大部分を減圧留去し、析出
し九不溶物をろ失する。母液を濃縮し、残渣にアセトニ
トリμ約６００−を加え、生じた結晶をろ取する。収量
　８４．８１ｃ１６％）融点　１８９〜１４１℃ 旋光度（ａ３莞２＝−１４，０（ｃ−１、ｎ２ｏ）元素
分析　Ｃ２１Ｈ２Ｓ　Ｎ　３０７　Ｂ計算値　ｃ　５４
．６６；　Ｈ６，０２ＩＮ　９．１１突験値　ｃ　５４
．５６；　Ｈ４，９５ｔ　Ｎ　８．８８比較例Ｉ Ｚ−Ｈｌ　ａ−ＰｒｏＨＨ２の合成（ＤＣＣのみで縮合
］Ｚ−ＰｒｏＮＨ２６，９６ｆｆ　（２４１１１１＋０
１＠ｌ　）をＤＭｌｉ’中６襲Ｐ（１−Ｃの存在下で常
圧還元をおこなう。触媒をろ去し、ろ液ｆＣＺ−Ｈｌｌ
ｌ　ＯＨ６，７８１（２’Ｏｍｍｏｌ＠）とＤＣＣ４，
９６Ｆ（２４ｍｍｏｌｅＪを加え１６〜！！０℃で１２
時間攪拌する。不溶物をろ去してろ液からＤＭ、Ｆを減
圧留去し、濃縮残渣に水層；３（１＋ｌを加えて酢酸エ
チｆｉ／２０　ｍｌで洗浄する。水を減圧留去して冷後
、析出した結晶をろ取する。

収量１．２２ｆ（１５％） 融点　１１０〜１１５℃ ５ 旋光度〔α）Ｄ　−８８，ｌ’　　（ｃ＝１　、Ｈ２Ｏ
）元素分析　Ｃ１９Ｈ２３Ｎ５０４・’／Ｈ２０として
計算値　Ｃ５７，８６纂Ｈ６，１８；　Ｎ　１７．７６
実験値　Ｃ６７，５２ｉ　Ｈ６，２９ｉ　Ｎ　１７．４
８比較例２ ７、−Ｈｌ　ｅ−ＰｒｏＮＨ２の合ＩＭＣＤＣＣ＋２．
ａ　、５−）リクロロフェノール） Ｚ−ＰｒｏＮＨ２６，９６ｆｌ　（２４ｍｍｏ’ｅ）を
ＤＭｌｉ’２０−中で５％Ｐｄ−Ｃの存在Ｆ、接触還元
した後、触媒をろ去する。ろ液にＺ−ＨｌｓＯＨ５，７
８ｆ　（２０ｍｍｏｌｅ）、２．ａ、６−ドリクロロフ
エノール４．８４Ｎ　（２２ｍｍｏｌｅ）、ＤＣＣ４，
９６Ｆ　（２４ｍｍｏｌｅ　）を加え１６−２０℃で１
０時間攪拌する。

不溶物をろ去し、ろ液を濃縮する。濃縮残渣に水層２０
−を加え、酢酸エチＩＶ　２０　ｇ／で洗浄する。

水の大部分を減圧留去して冷後、析出した結晶をろ取す
る。

収量　１．６４ｆ（１９襲） 融点　１０９〜１１８℃ 旋光Ｍ　（ａ　）ｉ’　ａ　８Ｊ°（Ｃ−１＊　Ｈ２０
）’元素分析　Ｃ１９Ｈ２３’５０４　”Ａ”２０とし
て計算値　ｃ　５７．８６；　Ｈ６，１８蔓Ｎ　１７．
７６寮験値　Ｃ５７，６Ｇ！Ｈ６，Ｃ２；　Ｍ　１７．
Ｃ９実施例１ Ｚ−Ｈｌ　ａ　＝Ｐｒｏ　−ＮＨ２−ｐ’Ｉ’ＪＯＨの
合成Ｚ−ＰｒｏＭＨ２１０，４ｆ　（４２ｍｍｏｌｅ）
　ｔＤＭ？　　１００ｍ１Ｋ溶解し、６％Ｐｄ−Ｃの存
在下、接触還元する。

触媒をろ去し、ろ液にＺ−Ｈｌｓ　−ＯＲ１０，９ｆ　
（４Ｇｍｍｏｌｅ）　、　ｐ−）　ＩＷエンスμホン酸
７Ｊｆ（４０ｍｍｏｌｅＪ　、　Ｄ　ＣＣ９，９ｆ　（
４８ｍｍｏｌｅ　）を加えて６〜ｌＯ℃で６時間攪拌す
る。不溶物（副生ジシクロへキシルウレア）をろ去し、
ろ液を濃縮乾固する。濃縮残渣に酢酸エチルを加えて得
られた粗結晶をアセトンから再結晶する。

収量　１８．５ｆ（８８襲） δ 旋光度〔α）　　＝−５０，２°（Ｃ＝ｌ　、Ｈ２Ｏ）
元素分析　Ｃ２６Ｈ３１Ｎ５０７Ｓ 計算値　Ｃ５６，０１ｉ　Ｈ５，６０ｉ　Ｎ　１２．５
６実験値　Ｃ、（ｆ、り／　、　Ｈｇ、Ｐ４　；Ｎ　＋
；ｚ、６Ｊ実施例２ Ｚ−Ｈｌｓ−ＰｒｏＭＨ２−１ＴｘＯｋｌの合成Ｚ−Ｐ
ｒｏＮＨ２１Ｇ、４＆（４２ｍｍｏ１ｅ）をＤＭＦｔｏ
ｏｙに溶解し、５　％　Ｐｄ−Ｃ（ｄｒｙ）２　ｆ’を
加えて水添する。反応終了後触媒をろ去し、ろ液に参考
例！で得られたＺ＝Ｈ１ｓ　０Ｈ−７Ｔ、Ｓ　ＯＨを１
８４ｆ（４９ｍｍｏｌｅ’）、ＤＣＣ９，！ｆ（４８ａ
ｍａｌｅ）を加え、６〜１０℃で４時間攪拌する。不溶
物をろ去し、ろ液を濃縮乾固する。濃縮残渣に酢酸エチ
ルを加え、得られた粗結晶をアセトンから再結晶する。

収ｊｋ　１９．０（８５％） 融点　１７０−１８６℃ 旋光度〔αイ５−４９．８　　（Ｃ＝１．Ｈ２Ｏ）元素
分析　Ｃ２６Ｈ３□Ｎ５０ワＳ 計算値　Ｃ５６，０１蟇Ｈ５，６０寥Ｎ　ｌｊ！、５６
実験値　Ｃ５ｇ、１８；　Ｈ６，７７ｉ　Ｎ　１２．Ｃ
２実施例８ Ｚ−Ｈｌｓ　ＰｒｏＮＨ２の合成 Ｚ−ＰｒｏＮＨ２１Ｇ、　４１　（４２＋＋ｕｏｏｌｅ
）をＤＭｊ’１００−に溶解し、５％Ｐｔ１−Ｃの存在
下、接触還元をおこなう。触媒をろ去し、ろ液にＺ−Ｈ
ｌｓＯＨｌ　０．９１　（４Ｇｍｍｏｌｅ　）　、　ヘ
ンセンスｌｋホ７酸７、Ｑｌ　（４９ｍｍｏｌｅ）、Ｄ
ＣＣ９，９＃　（４０ｍｉｏｏｌｅ　）を加えて１０〜
１８℃で５時間攪拌する。

反応液にトリエチルアミン５．６　ａｔ　（４０ａｍａ
ｌｅ）を加えて濃縮乾固する。残渣にエタノ−μを加え
、不溶物をろ夫する。ろ液を濃縮し、残渣に水を加え、
冷後、析出した結晶をろ取し、水から再結晶する。

収量　２７．７Ｆ（７２％） 融点　１１ａ−１１６℃ 旋光度（Ｑ）Ｆ−−４０，８’　（Ｃ−１、Ｈｇ　Ｏ）
元・素分析　０１９　Ｈ２３’５０４ΦＸＡＨ，０とし
て計算値　Ｃ６７，８６ｉ　Ｈ６，１８蟇Ｎ　１７．７
６実験値　Ｃ５７，９６ｉ　）１６．１１ｉ　Ｎ　１７
．８９寮施例４ Ｚ−Ｈｌａ−ＬｅｕＯＭｅの製造 Ｚ−Ｈｌｓ　ＯＨ１１，６１／　（４０ｍｍｏｌｅ　）
とＬＱｕＯＭｅ−ＨＣＩ　７．９９　ｆ　（４４ｍｍｏ
ｌｅ　）のＤＭＦ溶液にＤＣＣ９，９ｆ　（４８ｍｍｏ
ｌｅ）　を加え、１６−２０℃で６時間攪拌する。反応
液にトリエチルアミン６．２ｄ（４４ａｍａｌｅ）を加
え、不溶物をろ去後、ろ液を濃縮乾固し、残渣に水を加
えて生じた沈ｗＩをろ取する。乾燥後、アセトン−水か
ら再結晶する。

収量　１ａ、０ｆ（７８％） 融点　１２４〜１２７℃ 旋光度〔α〕曽−２５，５°（Ｃ＝　ｌ　、　ＥｔＯ）
ｉ）元素分析　Ｃ２，Ｈ２８０５Ｎ４ 計算値　Ｃ５０，５６ｉ　）１６．７８ｉ　Ｎ　１ａ、
４６実験４１　　Ｃ６０，７ａｉ　Ｉ（６，６１，Ｎ　
ｌａ、４９実施例６ ＺＰＧｌｕ−Ｈｌｓ−ＰｒｏＮＨ２’／２　Ｃ１（３Ｃ
ＮＺ−ＰｒｏＮＨ２１０，９１（４４ｍｍｏｌｅ）をＤ
ＭＦ中６％ｐａ−ｃの存在下、接触還元をおこなう。ろ
液にＺｙＧｌｕ　Ｈｌｓ−ＯＲ・１．６　Ｈ２Ｏ１７，
Ｉ　ＬＣ４０ｍｍ０１＠　）　、　Ｅｌ　−）　Ａ／Ｚ
　ンスＡ／ホン酸７．６ｆ（４０ｍｍｏｌｅ７　、ＤＣ
Ｃ９，９ｆ　（４ｇｍｍｏｌｅ　）を加え、１６〜１８
℃で１０時間攪拌する。戊応液にトリエチμアミン５．
６ｓＪ（４０ｍｍｏｌｅ）を加え、不溶物をろ去する。

ろ液からＤＭＦの大部分を減圧留去し、濃縮残渣に酢酸
エチルを加えて粗粉末を得る。粗粉末をアセトニトリμ
約１１０ｓ＋ＪＫ加熱溶解し、不溶物をろ去して徐冷す
る。析出した結晶をろ取し、ＤＭＦ−アセトニトリμか
ら再結晶する。

収量　１５．６ｆ（７６％） 融点　１６８〜１７０℃ 旋光度（ａ）”、”−−４ＬＯ（Ｃ−１，ＤＭＦ）元素
分析　Ｃ２４”２８０６　’６・０．５Ｃ１ｌＩ３ＣＭ
計算値　Ｃ６８，０８１Ｈ５，７６８Ｍ　１７．６１実
験値　ｃ　５７．９６Ｉ　ｎ　６．６４ＩＭ　１７．８
４比較例ａ −ＰＧｌｕ−Ｈ１ａ−ＰｒｏＨＨ２の合成（ＤＣＣのみ
）ｆｌ−ＰｒｏＨＨ２１Ｇ、　９　ＩＩ　（４４ｍｍｏ
ｌｅ　）を１）ＭＦ　中５％Ｆ（！−Ｃの存在下で接触
還元をおこなう。触媒をろ夫し、ろ液にＺｐＧｌｕ−Ｈ
１ｓＯＨ’　１．５１（２０１丁’、ｌｆ（４Ｑｍｍｏ
ｌｅ）、ＤＣＣ９，９１Ｃ４８ＴＩＩ＋重０１＠　）を
加え、１６〜１８℃で８時間攪拌する。

反応液に酢酸１ｇｗｔを加え、不溶物をろ去偵、６％　
ｐａ　−ｃの存在下で接触還元をおこなう。触媒管ろ去
後、反応液に水２０ｍ１ｔ加えてＰＧｌｕ−Ｈｌａ−Ｐ
ｒｏｌｉＨ２と７Ｇｌｕ−Ｄ−Ｈｌ　５−ＰｒｏＨＨ２
の生成率を高速液体クロマトグラフィーで分析すると−
ｐＧｌｕ−Ｈ１ｅ−Ｐ　ｒ　ｏ　ＨＨ２の生成率は４１
％、　７Ｇｌｕ−Ｄ−Ｈｌｓ−Ｐｒ。

ＮＨ２の生成率は１１．８％であった。

比較例４ １ｐＧｌｃ　Ｈｌｓ−ＰｒｏＨＨ２の合成（ＤＣＣ十Ｈ
Ｏ８ｕ）Ｚ−ＰｒｏＨＨ２１０，９ｆｌ　（４４ｍｍｏ
ｌｅ　）をＤＭＦ中６ｓｐａ−ｃの存在下で接触還元を
おこなう。触媒をろ去し、ろ′液にＺｐＧｌｕ−Ｈｌｓ
−ＯｋＩ・１．５Ｈ２０１７，ＩＩＦ（４０ｍ層ｏｌｅ
）、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミＦ　６９９（＠　Ｏｍ
ｍｏｌｅ　）　　、　Ｄ　ＣＣ９，９１（４８ｍｍｏｌ
ｅＪを加え、１５〜１８℃で８時間攪拌する。反応液に
酢酸１．８ｍ＋／を加え、不溶物をろ去後、５％Ｐｄ−
Ｃの存在下で接触還元をおこなう。触媒をろ去後、反応
液に水２０ｗ４を加えて−ｐＧｌｕ−Ｈ１ａ−ＰｒｏＨ
Ｈ２と７ｙＧｌｕ−Ｄ−Ｈｌ　ａ−ＰｒｏＨＨ２の生成
率を高速液体クロマトグラフィーで分析すると？Ｇｌｕ
−Ｈ１５−ＰｒｏｌｉＨ２の生成率ｔｊ　６４．２　％
　、　７Ｇｌｕ−Ｄ−Ｈｌａ−ＰｒｏＨＨ２の生成率は
３４％で６つ九。

実施例６ ７ＦＧｌｕ−Ｈｌ　５−ＰｒｏＨＨ２の合成ｚ−ｐｒｏ
ｉｒＨ２１Ｇ、　９　ｆ　（４４ｍｍｏｌｅ　）をＤＭ
Ｆ中６′％　ｐａ−ｃの存在下で接触還元を１？ζなう
。触媒をろ去し、ろ液にＺ−７Ｇｌｕ−Ｈｌｓ−ＯＨ・
ｔ、６ｎ２０１７．１　ｆ　（４０ｍｍｏｌｅ）　、　
ｐ−）＃ｚンス＊＄ｙ酸７．１１１　（４０ｍｍｏｌｅ
）　、　ＤＣＣ９，９＃　（４ｇｍｍｏｌｅ　）を加え
、１５〜１８℃で８時間攪拌をおこなう。反応液に酢酸
１．８−を加え、不溶物をろ去する。ろ液を６％ｐａ−
ｃめ存在下、接触還元をおこなう。触媒をろ去後、反応
液に水を加えてｙＧｌｕ−Ｈｌ　５−ＰｒｏＮＨ２と−
ｐＧｌｕ−Ｄ−［１ａ−ＰｒｏＨＨ、の生成率を高速液
体クロマトグラフィーで分析すると−ＰＧｌｕ−Ｈ１５
−ＰｒｏＨＨ２の生成率は９１．１　％　、　７Ｇｌｕ
−Ｄ−Ｈｌ　＠−ＰｒｏＮ１２の生成率ハ２．８％’ｔ
１った。

実施例７ アＧｌｕ−Ｈ１５−Ｐｒｏ−ＮＨ２の合成ＺＰｒｏｌｉ
Ｈ，，１０，９ｊ！’（４４ｍｍｏｌｅ）ｔＤＭＦ　中
６％　ｐａ−ｃの存在下で接触還元をおこなう。触媒を
ろ去し、ろ液にＺｐＧｌｕ−Ｈｌｓ　Ｏ）１　・１　、
５Ｈ２０１７，１１（４９ｍｍｏｌｅ）　、ベンゼンス
ルホン酸’１．４１（４０＋１ａＯ１８）、ＤＣＣ９，
９ｊＦ　（４Ｊ３ｍｍｏｌｅ）を加えて８〜１０℃で８
時間撹拌する。反応液に酢酸！、８ｄを加え、不溶物を
ろ去し、ろ液を６％ｐａ−ｃの存在下で接触還元する。

触Ｋをろ夫してろ一液に水２０―を加え、高速液体クロ
マトグラフィーで？Ｇｌｕ−Ｈ１ｐ、−ＰｒｏＨＨ２お
よびｐＧｌｕ−Ｄ−Ｈｊ　ｓ　−ｐｒｏｌｉＨ２の生成
率を分析メすると、１Ｇｌｕ−Ｈｌｓ　−ＰｒｏＨＨ２
は８６．６　％　、’７Ｇｌｕ−Ｄ−Ｈ１ｓ−ＰｒｏＮ
Ｉ（２は１．２憾であった。

＊施例８ ｐＧｌ＆Ｌ−Ｈｌ８　Ｍａｌ　ＮＨ２の合成ＺＶａｌ　
ＮＨ４Ｉ、２６１　（５ｍｍｏｌｅ　）をＤＭｉ’中６
ヅーｐａ−Ｃ０，５１を用いて水添し、触媒をろ去する
。

残渣にＺ）Ｇｌｕ−Ｈｌｓ　ｏｎ−１，６Ｈ２０２，０
１（５１１！Ｒｏｌｅλメタンス〃ホン酸０．４８ｊＦ
（６＋ｍｏｌｅ）、ＤＣＣｌｌ。２４　ｆ　（６ｍ１１
１０１１ｉ＋　）を加え１０−１２℃で９時間攪拌する
。不溶物をろ去し、ろ液に５％Ｐ？！−００６１を加え
て水添する。反応終了後、触媒をろ去してトリエチルア
ミンｏ、　ｒ　ｓｇを加え、濃縮乾固する。濃縮残渣に
永を加え、生じ九沈朦をろ取する。乾燥後、メタノ−ｐ
−エーテμから再結晶する。

１［１［１，８６ｊ１（７６％） 融点　２６６〜２６９℃（分解） 旋光度〔α〕七’−ａｓ、６”　（Ｃ−１，Ｈ２Ｏ）元
素分析　Ｃ１６Ｈ２４０４Ｎ６ ｔｔ算値Ｃ６２，７ａｉ　Ｈ８，６４＄　Ｎ　２ａ、Ｊ
）６寮験値　０６２．４６ＩＨ６，６０ｔ　Ｎ　！！２
．６６実施例９ ｚｌｌＧｌｕ　Ｈｌｓ−Ｔｒｐ−８ｅｒ−Ｔｙｒ　Ｄ−
ＬｅｕＯＥｔの合成Ｚ−Ｔｒｐ−８ｏｒ−”Ｔｙｒ−Ｄ
−ＬｅｕＯＥｔ、　　７．ａ　ｆ　　Ｃ１０ｍｍｏｌｅ
）をＤＭＦ　　７０耐に溶解し、５％Ｆ＋１−Ｃの存在
下に接触還元をおこなう。触媒をろ去し、ろ液に２−ｙ
Ｇｌｕ−Ｈｌｓ　０Ｈ−１，５Ｈ２Ｏ４，２７１（１０
ｍｍｏｌす。

ｐ−）〃エンヌルホン酸１．９１　（１０ｍｍｏｌｅ）
　。

ＤＣＣ２，４７Ｆ　（１２ｍｍｏｌｅ　）を加え、８−
１０℃で２０時間攪拌する。トリエチμアミン１．４ｄ
（ｌ　Ｑ　ｍｍｏｌりを加えた後、不溶物をろ去し、ろ
液の大部分を減圧濃縮する。濃縮残渣に酢酸エチ〜を加
え、生じた沈鍼をろ取する。ＤＭＦ−酢酸エチμから再
沈澱をおこなう。

収量　８．８＆（８５％） 融点　１７４〜１８４℃ ５ 旋光度〔αｌｐ　　−２１，３（ｃ＝、ｌ、ＤＭｐ）元
素分析　Ｃ５０Ｈ５９０１２Ｎ９

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 夏−末端が保護され圧式 〔式中、Ｒはイミダゾ−〃核の１位または８位のアルキ
   μ基または水素を表わす〕で表わされるアミノ酸ま九は
   該アミノ酸をＣ−末端とする部分ペプチドとＮ−末端の
   アミノ基あるいはイミノ基が遊離のアミノ酸またはべ１
   チド・とを強酸の存在下、シアルキルカルポジイミドを
   用いて縮合せしめることを特徴とするヒスチジン含有ペ
   プチド誘導体の製造法。