JPH0228600B2

JPH0228600B2 -

Info

Publication number: JPH0228600B2
Application number: JP56171577A
Authority: JP
Inventors: Chitoshi Hatanaka; Fumihiro Chiba; Noriaki Tokai
Original assignee: Takeda Chemical Industries Ltd
Current assignee: Takeda Pharmaceutical Co Ltd
Priority date: 1981-10-26
Filing date: 1981-10-26
Publication date: 1990-06-25
Also published as: JPS5872548A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、ヒスチジン含有ペプチド誘導体の製
造法に関する。近年、生体成分あるいは生理活性物質として、
TRH（サイロトロピン・リリージング・ホルモ
ン），LH−RH（ルテナイジング・ホルモン・リ
リージングホルモン）あるいはこれら誘導体な
どのヒスチジン含有ペプチドが発見されており、
これらの化合物あるいはそれらの中間体の有利な
合成法が望まれている。従来、ヒスチジン含有ペプチドの製造、特に
N〓―アルキルオキシカルボニルヒスチジン、N〓
―アラルキルオキシカルボニルヒスチジンなどの
ようなＮ−末端が保護されたアミノ酸またはアミ
ノ酸をＣ−末端とする部分ペプチド（カルボキシ
ル成分）とＮ−末端のアミノ基あるいはイミノ基
が遊離のアミノ酸またはペプチド（塩基成分）と
をジアルキルカルボジイミドを用いて縮合される
反応ではヒスチジン残基のイミダゾール核とカル
ボキシル基とによつて形成される両性イオン特性
により、カルボキシル基の活性が著しく阻害さ
れ、反応の進行が極めて遅かつたり、副反応を伴
つたりして低収率に終わるのが一般的であり、満
足する結果が得られていない。このような現象は塩基成分であるアミノ酸また
はペプチドのＮ−末端がプロリン残基の場合に特
に顕著である。そのために縮合法としてアジド法
が適用されるかあるいはヒスチジンのイミダゾー
ル核をトシル基，ベンジル基あるいはベンジルオ
キシカルボニル基などで保護した後、公知の縮合
方法により縮合するのが一般的であり、他に有効
な方法が知られていない。アジド法を採用する場
合、前段階の工程数が多くなつたり、カルボキシ
ル成分中にトリプトフアン残基が存在している場
合にはニトロソ化を伴うことが知られており、そ
の適用が困難である。また操作上においても副反
応（Curtius転位）を抑制するために全操作を低
温でおこなうことを強要され、大量の製造には明
らかに不利である。またイミダゾール核を保護す
る場合には当然のことながら工程数が多くなる
し、他の官能基の保護基の選択の余地が狭めら
れ、脱離法も制限を受けることになる。本発明者らはこれらの問題を解決するために鋭
意研究をおこなつたところ、カルボキシル成分と
塩基成分とをジアルキルカルボジイミドを用いて
縮合させる反応において、反応系に強酸を存在さ
せることによりペプチド結合形成反応が著しく促
進され、大巾に目的物の収率が向上すると言う予
測外の知見が得られた。また、この方法をフラグ
メント縮合に適用した場合、反応速度の促進，収
率の向上に加え、ヒスチジン残基のラセミ化が抑
制されることも知見した。従来、カルボキシル成分をジアルキルカルボジ
イミドで活性化して塩基成分と縮合反応をおこな
う場合、塩基成分に求核性を低下させるような物
質の添加は不利と考えられており、現に塩基成分
が酸の付加塩の場合には、たとえば３級アミンあ
るいは無機塩基などによる中和，塩基性樹脂によ
る脱塩などの常法により処理した後、反応に供さ
れていた。この事実は従来上記反応系において酸
の存在が縮合反応を阻害すると言う一般通念が存
在していたことを物語つている。更にまた、塩基成分がジペプチド誘導体から水
素が１個除かれた部分ペプチドの場合にはジケト
ピペラジンの副生が抑制させることも知見した。
これらの知見にもとづき、本発明を完成するに至
つた。すなわち、本発明は、［式中、Ｒはイミダゾール核の１位もしくは３位
のアルキル基または水素を、Ｘはアミノ基保護基
またはＮ−末端が保護されたアミノ酸またはペプ
チド残基を表わす］で表わされるアミノ酸または
アミノ酸をＣ−末端とする部分ペプチドと式

【式】（式中、ＹおよびＺの一方は水素を、他方はアミノ酸残基またはペプチド残基を、ある
いはＹとＺが一つのアミノ酸残基を表わす）で表
わされるＮ末端のアミノ基もしくはイミノ基が遊
離のアミノ酸またはペプチドとを強酸の存在下、
ジアルキルカルボジイミドを用いて縮合せしめる
ことを特徴とする式［式中、Ｒ，Ｘ，ＹおよびＺは前記と同意義］で
表わされるヒスチジン含有ペプチド誘導体の製造
法である。本発明に用いられる式［式中、Ｒはイミダゾール核の１位もしくは３位
のアルキル基または水素を、Ｘはアミノ基保護基
またはＮ−末端が保護されたアミノ酸またはペプ
チド残基を表わす］で表わされるアミノ酸または
該アミノ酸をＣ−末端とする部分ペプチドの保護
基Ｘとしては、たとえばホルミル，アセチル，ベ
ンゾイルなどのアシル，ｐ―トルエンスルホニ
ル，ベンゼンスルホニル，ｐ―メトキシベンゼン
スルホニルなどの芳香族スルホニル，ベンジルオ
キシカルボニル，ｔ―ブチルオキシカルボニル，
ｔ―アシルオキシカルボニルなどのアルキルオキ
シカルボニル，アラルキルオキシカルボニル，Ｏ
―ニトロスルフエニル基などの公知のアミノ保護
基として用いられているものならいずれでもよ
い。また、前記式で表わされるアミノ酸をＣ−末端
とする部分ペプチドを構成するアミノ酸として
は、たとえばピログルタミン酸，グルタミン酸，
グルタミン，アスパラギン酸，アスパラギン，セ
リン，グリシン，アラニン，パリン，ロイシン，
イソロイシン，フエニルアラニン，チロシン，ト
リプトフアン，プロリン，メチオニン，システイ
ン，シスチン，ヒスチジン，リジン，アルギニン
などのアミノ酸およびその誘導体が含まれ、これ
らはＬ型，Ｄ型，DL型のいずれべもよい。アミノ酸の誘導体としては、たとえばピペコリ
ン酸，メタチアゾリジン―５―カルボン酸，２―
ケト―ピペリジン―６―カルボン酸などがあげら
れる。前記式で表わされるアミノ酸および部分ペプチ
ドを構成するアミノ酸の各々はＬ型あるいはＤ型
アミノ酸の任意の組合わせべもよい。式中、Ｒとしては、たとえばメチル，エチル，
プロピルなどの炭素数が15の直鎖または分岐した
アルキル基あるいは水素があげられる。式

【式】（式中、ＹおよびＺの一方は水素を、他方はアミノ酸残基またはペプチド残基を、ある
いはＹとＺが一つのアミノ酸残基を表わす］で表
わされるＮ−末端のアミノ基あるいはイミノ基が
遊離のアミノ酸またはペプチドとしては、たとえ
ばグルタミン酸，グルタミン，アスパラギン酸，
アスパラギン，セリン，グリシン，アラニン，バ
リン，ロイシン，イソロイシン，フエニルアラニ
ン，チロシン，トリプトフアン，プロリン，メチ
オニン，システイン，シスチン，ヒスチジン，リ
ジン，アルギニンなどのアミノ酸およびその誘導
体（例；エステル，アミド類など）ならびに目的
とする化合物を構成するペプチドおよびペプチド
誘導体ならいずれでもよい。アミノ酸としてはＬ
型，Ｄ型およびDL型のいずれでもよく、ペプチ
ドおよびペプチド誘導体を形成するアミノ酸はＬ
型およびＤ型アミノ酸残基の任意の組み合わせで
もよい。本発明では前記一般式で表わされるアミノ酸ま
たは該アミノ酸をＣ−末端とする部分ペプチド
（カルボキシル成分）とＮ−末端のアミノ基ある
いはイミノ基が遊離のアミノ酸またはペプチド
（塩基成分）とを強酸の存在下、ジアルキルカル
ボジイミドを用いて縮合させる。本発明において用いられる強酸としては、たと
えば塩化水素酸，硫酸，ｐ―トルエンスルホン
酸，ｐ―メトキシベンゼンスルホン酸，ベンゼン
スルホン酸，メタンスルホン酸，フツ化水素酸，
臭化水素酸，ヨウ化水素酸などの強酸ならいずれ
でもよく、またアンバーライト120B ，ダウエ
ツクス50 ，アンバーリスト15W ，アンバーリ
スト1005 ，ダイアイオンSK1B などのスルホ
ン酸基を有するイオン交換樹脂も使用できる。ジアルキルカルボジイミドとしては、たとえば
ジシクロヘキシルカルボジイミド，ジイソプロピ
ルカルボジイミド，１―エチル―３―（３―ジメ
チルアミノプロピル）カルボジイミド，１―シク
ロヘキシル―３―（２―モルホリノエチル）カル
ボジイミド，１―シクロヘキシル―３―（４―ジ
エチルアミノシクロヘキシル）カルボジイミドお
よびそれらの塩酸塩などの脱水縮合剤ならいずれ
でもよい。反応法としては、たとえば遊離形のカルボキシ
ル成分と遊離形の塩基成分とを混合した後、酸を
加える手段、あるいはカルボキシル成分と塩基成
分とのいずれかを酸塩の形で用いる手段などがあ
げられる。反応に用いられる溶媒としては、カルボキシル
成分，塩基成分および酸の一部あるいは全部を溶
かる溶媒ならいずれでもよく、具体的には、たと
えばジメチルホルムアミド，テトラヒドロフラ
ン，ジオキサン，アセトニトリル，メチレンクロ
リド，クロロホルム，酢酸エチル，エーテル類，
アセトン，ピリジン，ｔ―ブチルアルコールな
ど、あるいはこれらを任意の割合で混合した溶媒
もしくはこれらと水との混合溶媒などがあげられ
る。カルボキシル成分，塩基成分および酸の割合
は、次のようである。塩基成分はカルボキシル成分の約0.5〜10倍モ
ル、好ましくは約0.8〜２倍モル，酸は塩基成分
の約0.01〜２倍モル、好ましくは約0.5〜1.5倍モ
ル程度である。反応温度は約−30〜90℃、好ましくは約−５〜
30℃で、反応は撹拌，静置のいずれでもよい。目的物は、当該酸塩あるいは遊離形のいずれの
形で単離してもよい。遊離形で得ようとする場合
には、たとえばトリエチルアミンなどの３級アミ
ン，たとえば炭酸カリウムなどの無機塩基，たと
えばイオン交換樹脂などを用いることができる。目的物を精製する手段としては、たとえば抽
出，結晶化，クロマトグラフイーなどの公知の手
段があげられる。以下に実施例ならびに比較例をあげ、本発明を
更に具体的に説明する。実施例，参考例ならびに比較例中、アミノ酸，
部分ペプチドあるいはペプチド誘導体のアミノ酸
残基は特定しないかぎりＬ体を示す。また、略号
として次のものを用いる。 His：ヒスチジン Pro：プロリン Giu：グルタミン酸 Leu：ロイシン Val：バリン Trp：トリプトフアン Ser：セリン Tyr：チロシンＺ：カルボベンゾキシ DMF：ジメチルホルムアミド DCC：Ｎ，N′―ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド OMe：メチルエステルＰ：ピロ HOSu：Ｎ―ヒドロキシスクシンイミド OEt：エチルエステル pTsOH：パラトルエンスルホン酸参考例１Ｚ−HisOH・pTsOHの合成： His−HCl−H₂O21ｇ（0.1モル）を水300mlに
溶解し、2N−苛性ソーダを加えてPH≒11に調整
する。０〜５℃を保ちながら、ベンジルオキシカ
ルボニルクロリド47.4ｇ（90％純度、0.25モル）
を滴下する。この間2N−苛性ソーダでPH11〜12
を保つ。滴下後、2N−苛性ソーダでPH＝12±0.5
を保ちながら０〜５℃で１時間，５〜10℃で５時
間撹拌する。反応液を2N−苛性ソーダでPH＝14
にして30分間撹拌する。反応液を酢酸エチルで洗
浄し、水層に4N−塩酸を加えてPH≒3.9にする。
さらに2N−ｐ―トルエンスルホン酸水溶液を加
えてPH＝2.2に調整する。食塩を飽和し、混合溶
媒（CH₃CN−iso−BuOH−AcOEt＝１：１：
２）400mlで２回抽出する。抽出液から溶媒の大
部分を減圧留去し、析出した不溶物をろ去する。
母液を濃縮し、残渣にアセトニトリル約600mlを
加え、生じた結晶をろ取する。収量34.8ｇ（76
％）融点 139〜141℃ 旋光度〔α〕²² _D＝−14.0（Ｃ＝１，H₂O）元素分析 C₂₁H₂₃N₃O₇S 計算値 C54.66；H5.02；N9.11 実験値 C54.56；H4.95；N8.88 比較例１Ｚ−His−ProNH₂の合成（DCCのみで縮合）Ｚ−ProNH₂5.96ｇ（24mmole）をDMF中５
％Pd−Ｃの存在下で常圧還元をおこなう。触媒
をろ去し、ろ液にＺ−His OH5.78ｇ
（20mmole）とDCC4.96ｇ（24mmole）を加え15
〜20℃で12時間撹拌する。不溶物をろ去してろ液
からDMFを減圧留去し、濃縮残渣に水約30mlを
加えて酢酸エチル20mlで洗浄する。水を減圧留去
して冷後、析出した結晶をろ取する。収量 1.22ｇ（15％）融点 110〜115℃ 旋光度〔α〕²⁵ _D−38.1゜（Ｃ＝１，H₂O）元素分析 C₁₉H₂₃N₅O₄・1/2H₂Oとして計算値 C57.86；H6.18；N17.76 実験値 C57.52；H6.29；N17.48 比較例２Ｚ−His−ProNH₂の合成（DCC＋２，３，５
―トリクロロフエノール）Ｚ−ProNH₂5.96ｇ（24mmole）をDMF20ml
中で５％Pd−Ｃの存在下、接触還元した後、触
媒をろ去する。ろ液にＺ−HisOH5.78ｇ
（20mmole），２，３，５―トリクロロフエノー
ル4.34ｇ（22mmole），DCC4.96ｇ（24mmole）
を加え15〜20℃で10時間撹拌する。不溶物をろ去
し、ろ液を濃縮する。濃縮残渣に水約20mlを加
え、酢酸エチル20mlで洗浄する。水の大部分を減
圧留去して冷後、析出した結晶をろ取する。収量 1.54ｇ（19％）融点 109〜113℃ 旋光度〔α〕²⁵ _D−38.2゜（Ｃ＝１，H₂O）元素分析 C₁₉H₂₃N₅O₄・1/2H₂Oとして計算値 C57.86；H6.18；N17.76 実験値 C57.50；H6.32；N17.39 実施例１Ｚ−His−Pro−NH₂―pTsOHの合成Ｚ−ProNH₂10.4ｇ（42mmole）をDMF100ml
に溶解し、５％Pd−Ｃの存在下、接触還元する。
触媒をろ去し、ろ液にＺ−His−OH10.9ｇ
（40mmole），ｐ―トルエンスルホン酸7.6ｇ
（40mmole），DCC9.9ｇ（48mmole）を加えて５
〜10℃で６時間撹拌する。不溶物（副生ジシクロ
ヘキシルウレア）をろ去し、ろ液を濃縮乾固す
る。濃縮残渣に酢酸エチルを加えて得られた粗結
晶をアセトンから再結晶する。収量 18.5ｇ（83％）融点 173〜186℃ 旋光度〔α〕²⁵ _D＝−50.2゜（Ｃ＝１，H₂O）元素分析 C₂₆H₃₁N₅O₇S 計算値 C56.01；H5.60；N12.56 実験値 C55.91；H5.56；N12.65 実施例２Ｚ−His−ProNH₂―pTsOHの合成Ｚ−ProNH₂10.4ｇ（42mmole）をDMF100ml
に溶解し、５％Pd−Ｃ（dry）２ｇを加えて水添
する。反応終了後触媒をろ去し、ろ液に参考例１
で得られたＺ−HisOH−pTsOHを18.4ｇ
（40mmole），DCC9.9ｇ（48mmole）を加え、５
〜10℃で４時間撹拌する。不溶物をろ去し、ろ液
を濃縮乾固する。濃縮残渣に酢酸エチルを加え、
得られた粗結晶をアセトンから再結晶する。収量 19.0（85％）融点 170〜185℃ 旋光度〔α〕²⁵ _D−49.8゜（Ｃ＝１，H₂O）元素分析 C₂₆H₃₁N₅O₇S 計算値 C56.01；H5.60；N12.56 実験値 C56.18；H5.77；N12.32 実施例３Ｚ−His ProNH₂の合成Ｚ−ProNH₂10.4ｇ（42mmole）をDMF100ml
に溶解し、５％Pd−Ｃの存在下、接触還元をお
こなう。触媒をろ去し、ろ液にＺ−His OH10.9
ｇ（40mmole），ベンゼンスルホン酸7.0ｇ
（40mmole），DCC9.9ｇ（40mmole）を加えて10
〜13℃で５時間撹拌する。反応液にトリエチルア
ミン5.6ml（40mmole）を加えて濃縮乾固する。
残渣にエタノールを加え、不溶物をろ去する。ろ
液を濃縮し、残渣に水を加え、冷後、析出した結
晶をろ取し、水から再結晶する。収量 27.7ｇ（72％）融点 113〜116℃ 旋光度〔α〕²⁵ _D＝−40.3゜（Ｃ＝１，H₂O）元素分析 C₁₉H₂₃N₅O₄・1/2H₂Oとして計算値 C57.86；H6.18；N17.76 実験値 C57.96；H6.11；N17.89 実施例４Ｚ−His−LeuOMeの製造Ｚ−His OH11.6ｇ（40mmole）と
LeuOMeHCl7.99ｇ（44mmole）のDME溶液に
DCC9.9ｇ（48mmole）を加え、15〜20℃で６時
間撹拌する。反応液にトリエチルアミン6.2ml
（44mmole）を加え、不溶物をろ去後、ろ液を濃
縮乾固し、残渣に水を加えて生じた沈澱をろ取す
る。乾燥後、アセトン―水から再結晶する。収量 13.0ｇ（78％）融点 124〜127℃ 旋光度〔α〕²⁵ _D−25.5゜（Ｃ＝１，EtOH）元素分析 C₂₁H₂₈O₅N₄ 計算値 C60.56；H6.78；N13.45 実験値 C60.73；H6.61；N13.49 実施例５ ZpGlu−His−ProNH₂・１／2CH₃CN Ｚ−ProNH₂10.9ｇ（44mmole）をDMF中５
％Pd−Ｃの存在下、接触還元をおこなう。ろ液
にZpGlu−His−OH・1.5H₂O17.1ｇ
（40mmole），ｐ―トルエンススルホン酸7.6ｇ
（40mmole），DCC9.9ｇ（48mmole）を加え、15
〜18℃で10時間撹拌する。反応液にトリエチルア
ミン5.6ml（40mmole）を加え、不溶物をろ去す
る。ろ液からDMFの大部分を減圧留去し、濃縮
残渣に酢酸エチルを加えて粗粉末を得る。粗粉末
をアセトニトリル約130mlに加熱溶解し、不溶物
をろ去して徐冷する。析出した結晶をろ取し、
DMF―アセトニトリルから再結晶する。収量 15.5ｇ（75％）融点 168〜170℃ 旋光度〔α〕²³ _D＝−42.0゜（Ｃ＝１，DMF）元素分析 C₂₄H₂₈O₆N₆・0.5CH₃CN 計算値 C58.08；H5.75；N17.61 実験値 C57.96；H5.64；N17.34 比較例３ pGlu−His―ProNH₂の合成（DCCのみ）Ｚ−ProNH₂10.9ｇ（44mmole）をDMF中５
％Pd−Ｃの存在下で接触還元をおこなう。触媒
をろ去し、ろ液にZpGlu−HisOH・1.5H₂O17.1
ｇ（40mmole），DCC9.9ｇ（48mmole）を加え、
15〜18℃で８時間撹拌する。反応液に酢酸1.8ml
を加え、不溶物をろ去後、５％Pd−Ｃの存在下
で接触還元をおこなう。触媒をろ去後、反応液に
水20mlを加えてpGlu−His−ProNH₂とpGlu−Ｄ
−His−ProNH₂の生成率を高速液体クロマトグ
ラフイーで分析するとpGlu−His−ProNH₂の生
成率は41％，pGlu−Ｄ−His−ProNH₂の生成率
は11.8％であつた。比較例４ pGlu His−ProNH₂の合成（DCC＋HOSu）Ｚ−ProNH₂10.9ｇ（44mmole）をDMF中５
％Pd−Ｃの存在下で接触還元をおこなう。触媒
をろ去し、ろ液にZpGlu−His−OH・
1.5H₂O17.1ｇ（40mmole），Ｎ―ヒドロキシスク
シンイミド6.9ｇ（60mmole），DCC9.9ｇ
（48mmole）を加え、15〜18℃で８時間撹拌す
る。反応液に酢酸1.8mlを加え、不溶物をろ去後、
５％Pd−Ｃの存在下で接触還元をおこなう。触
媒をろ去後、反応液に水20mlを加えてpGlu―His
―ProNH₂とpGlu−Ｄ−His−ProNH₂の生成率
を高速液体クロマトグラフイーで分析すると
pGlu−His−ProNH₂の生成率は64.2％，pGlu−
Ｄ−His−ProNH₂の生成率は3.4％であつた。実施例６ pGlu−His−ProNH₂の合成Ｚ−ProNH₂10.9ｇ（44mmole）をDMF中５
％Pd−Ｃの存在下で接触還元をおこなう。触媒
をろ去し、ろ液にＺ−pGlu−His−OH・
1.5H₂O17.1ｇ（40mmole），ｐ―トルエンスルホ
ン酸76ｇ（40mmole），DCC9.9ｇ（48mmole）
を加え、15〜18℃で８時間撹拌をおこなう。反応
液に酢酸1.8mlを加え、不溶物をろ去する。ろ液
を５％Pd−Ｃの存在下、接触還元をおこなう。
触媒をろ去後、反応液に水を加えてpGlu−His−
ProNH₂とpGlu−Ｄ−His−ProNH₂の生成率を
高速液体クロマトグラフイーで分析するとpGlu
−His−ProNH₂の生成率は91.1％、pGlu−Ｄ−
His−ProNH₂の生成率は2.3％であつた。実施例７ pGlu−His−Pro−NH₂の合成 ZProNH₂10.9ｇ（44mmole）をDMF中５％
Pd−Ｃの存在下で接触還元をおこなう。触媒を
ろ去し、ろ液にZpGlu−His OH・1.5H₂O17.1ｇ
（40mmole），ベンゼンスルホン酸7.4ｇ
（40mmole），DCC9.9ｇ（48mmole）を加えて８
〜10℃で８時間撹拌する。反応液に酢酸1.8mlを
加え、不溶物をろ去し、ろ液を５％Pd−Ｃの存
在下で接触還元する。触媒をろ去してろ液に水20
mlを加え、高速液体クロマトグラフイーでpGlu
−His−ProNH₂およびpGlu−Ｄ−His−
ProNH₂の生成率を分析すると、pGlu−His−
ProNH₂は86.5％，pGlu−Ｄ−His−ProNH₂は
1.2％であつた。実施例８ pGlu−His−Val NH₂の合成 ZVal NH₂1.25ｇ（5mmole）をDMF中５％
Pd−C0.5ｇを用いて水添し、触媒をろ去する。
残渣にZpGlu−His OH・1.5H₂O2.0ｇ
（5mmole），メタンスルホン酸0.48ｇ
（5mmole），DCC1.24ｇ（6mmole）を加え10〜
12℃で９時間撹拌する。不溶物をろ去し、ろ液に
５％Pd−C0.5ｇを加えて水添する。反応終了後、
触媒をろ去してトリエチルアミン0.7mlを加え、
濃縮乾固する。濃縮残渣に水を加え、生じた沈澱
をろ取する。乾燥後、メタノール―エーテルから
再結晶する。収量 1.36ｇ（75％）融点 226〜269℃（分解）旋光度〔α〕²³ _D＝−39.6゜（Ｃ＝１，H₂O）元素分析 C₁₆H₂₄O₄N₆ 計算値 C52.73；H6.64；N23.06 実験値 C52.45；H6.60；N22.66 実施例９ ZpGlu His−Trp−Ser−Tyr Ｄ−LeuOEtの
合成Ｚ−Trp−Ser−Tyr−Ｄ−LeuOEt7.3ｇ
（10mmole）をDMF70mlに溶解し、５％Pd−Ｃ
の存在下に接触還元をおこなう。触媒をろ去し、
ろ液にＺ−pGlu−His OH・1.5H₂O4.27ｇ
（10mmole），ｐ―トルエンスルホン酸1.9ｇ
（10mmole），DCC2.47ｇ（12mmole）を加え、
８〜10℃で30時間撹拌する。トリエチルアミン
1.4ml（10mmole）を加えた後、不溶物をろ去し、
ろ液の大部分を減圧濃縮する。濃縮残渣に酢酸エ
チルを加え、生じた沈澱をろ取する。DMF−酢
酸エチルから再沈澱をおこなう。収量 8.3ｇ（85％）融点 174〜184℃ 旋光度〔α〕²⁵ _D−21.3（Ｃ＝１，DMF）元素分析 C₅₀H₅₉O₁₂N₉ 計算値 C61.40；H6.08；N12.89 実験値 C61.78；H6.21；N12.51

Claims

【特許請求の範囲】１式［式中、Ｒはイミダゾール核の１位もしくは３位
のアルキル基または水素を、Ｘはアミノ基保護基
またはＮ−末端が保護されたアミノ酸またはペプ
チド残基を表わす］で表わされるアミノ酸または
ペプチドと式【式】（式中、ＹおよびＺの一方は水素を、他方はアミノ酸残基またはペプチド残基を、ある
いはＹとＺが一つのアミノ酸残基を表わす）で表
わされるＮ−末端のアミノ基もしくはイミノ基が
遊離のアミノ酸またはペプチドとを強酸の存在
下、ジアルキルカルボジイミドを用いて縮合せし
めることを特徴とする式［式中、Ｒ，Ｘ，ＹおよびＺは前記と同意義］で
表わされるヒスチジン含有ペプチドの製造法。