JPS5872106A - 光反射体 - Google Patents
光反射体Info
- Publication number
- JPS5872106A JPS5872106A JP56170570A JP17057081A JPS5872106A JP S5872106 A JPS5872106 A JP S5872106A JP 56170570 A JP56170570 A JP 56170570A JP 17057081 A JP17057081 A JP 17057081A JP S5872106 A JPS5872106 A JP S5872106A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum
- light reflector
- light
- al2o3
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
- G02B5/085—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal
- G02B5/0858—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers at least one of the reflecting layers comprising metal the reflecting layers comprising a single metallic layer with one or more dielectric layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、照明器具の反射板（反射がさ）や投光器の
反射鏡などに用いられる光反射体に関する。
反射鏡などに用いられる光反射体に関する。
従来の光反射体は、一般に、基材表面上にシリコン系等
の樹脂膜などからなるベースコートを備え、その上に光
を反射するアルミニウム（ＡＩ） Ｍを、さらＫその上
に二酸化ケイ素（５ｉ（ｈ ）膜を備えたものであった
。シリコン系樹脂膜などのベースコートは、基材表面を
平滑にして上のアルミニウム膜の膜厚を一定にすること
等のために塗布され、二酸化ケイ素膜は、アルミニウム
膜を保護するために備見られている。アルミニウム膜の
表面は必要に応じ研摩される尋して反射面となっている
。
の樹脂膜などからなるベースコートを備え、その上に光
を反射するアルミニウム（ＡＩ） Ｍを、さらＫその上
に二酸化ケイ素（５ｉ（ｈ ）膜を備えたものであった
。シリコン系樹脂膜などのベースコートは、基材表面を
平滑にして上のアルミニウム膜の膜厚を一定にすること
等のために塗布され、二酸化ケイ素膜は、アルミニウム
膜を保護するために備見られている。アルミニウム膜の
表面は必要に応じ研摩される尋して反射面となっている
。
との従来の光反射体はつぎのような問題をもっていた。
すなわち、二酸化ケイ素膜にクラックが生じた場合、内
部のアルミニウム膜が腐食されやすく、耐久性に欠ける
という問題である。
部のアルミニウム膜が腐食されやすく、耐久性に欠ける
という問題である。
この発明者はこのような問題を解決するため、種々の実
験を繰シ返した。その結果、アルミニウム膜の表面を酸
化させアルミニウム膜上に酸化アルミニウム（Ａｌｔｏ
ｓ）の膜をつくっておけば、二酸化ケイ素膜にクラック
が生じたときでも、光反射体の反射率を低下させること
なく、アルミニウム膜を保護することができることを見
出した。
験を繰シ返した。その結果、アルミニウム膜の表面を酸
化させアルミニウム膜上に酸化アルミニウム（Ａｌｔｏ
ｓ）の膜をつくっておけば、二酸化ケイ素膜にクラック
が生じたときでも、光反射体の反射率を低下させること
なく、アルミニウム膜を保護することができることを見
出した。
光反射体のアルミニウム膜にこのような酸化処理を施す
ことは、さらＫつぎのような効果をももたらすことが分
かった。すなわち、アルミニウム膜や二酸化ケイ素＠＃
ｉ通常蒸着法によってつくられるのであるが、このよう
な真空蒸着法を用いても、性能の低下することの少ない
光反射体を得ることができるという効果である。つぎＫ
このことを詳しく説明する。従来、光反射体は、メッキ
法の一つである真空蒸着法を用いてつくられることが多
い。それは、この方法を用いると絶縁体でもメッキがで
き、かつメッキされ本面の光沢がすぐれていること等利
点が多いからである。メッキ面の光沢がすぐれていれば
光をよく反射するのであらためてアルミニウム蒸着膜を
研摩などする必要がない。しかし、このようにして、真
空蒸着法を用いて得られた光反射体は、つぎのような問
題を持っていた。すなわち、光反射体が高湿度（７０〜
９゜嗟）の雰囲気中に放置された場合、アルミニウム蒸
着膜に縞紋様ができる等してアルミニウム蒸着膜が損な
われることが多く、そのため光反射体の反射率等の性能
が低下し、ついには光反射体の機である。アルミニウム
蒸着膜が損なわれる原因は発明者によりつぎのように明
らかにされた。基材に真空−着法によりアルミニウムを
蒸着させると、活性をもったアルミニウム蒸着膜が生成
される。
ことは、さらＫつぎのような効果をももたらすことが分
かった。すなわち、アルミニウム膜や二酸化ケイ素＠＃
ｉ通常蒸着法によってつくられるのであるが、このよう
な真空蒸着法を用いても、性能の低下することの少ない
光反射体を得ることができるという効果である。つぎＫ
このことを詳しく説明する。従来、光反射体は、メッキ
法の一つである真空蒸着法を用いてつくられることが多
い。それは、この方法を用いると絶縁体でもメッキがで
き、かつメッキされ本面の光沢がすぐれていること等利
点が多いからである。メッキ面の光沢がすぐれていれば
光をよく反射するのであらためてアルミニウム蒸着膜を
研摩などする必要がない。しかし、このようにして、真
空蒸着法を用いて得られた光反射体は、つぎのような問
題を持っていた。すなわち、光反射体が高湿度（７０〜
９゜嗟）の雰囲気中に放置された場合、アルミニウム蒸
着膜に縞紋様ができる等してアルミニウム蒸着膜が損な
われることが多く、そのため光反射体の反射率等の性能
が低下し、ついには光反射体の機である。アルミニウム
蒸着膜が損なわれる原因は発明者によりつぎのように明
らかにされた。基材に真空−着法によりアルミニウムを
蒸着させると、活性をもったアルミニウム蒸着膜が生成
される。
このアルミニウム蒸着膜の上にさらに連続して二酸化ケ
イ素を蒸着させると、活性アルミニウムと二酸化ケイ素
とが反応してしまう。高湿度雰囲気中に光反射体を放電
するとこの反応が助長され、その結果アルミニウム蒸着
膜に縞紋様が発生し、ときＫは膜自体が消失する等の事
態が生じるのである。しかしながら、このような問題も
光反射体のアルミニウム蒸着膜と二酸化ケイ素蒸着膜と
の関に酸化アルミ膜を設けるようにすれば一挙に解決す
ることができる。
イ素を蒸着させると、活性アルミニウムと二酸化ケイ素
とが反応してしまう。高湿度雰囲気中に光反射体を放電
するとこの反応が助長され、その結果アルミニウム蒸着
膜に縞紋様が発生し、ときＫは膜自体が消失する等の事
態が生じるのである。しかしながら、このような問題も
光反射体のアルミニウム蒸着膜と二酸化ケイ素蒸着膜と
の関に酸化アルミ膜を設けるようにすれば一挙に解決す
ることができる。
このようＫして、この発明は、二酸化ケイ素膜にクラッ
クが生じてもアルミニウム蒸着膜が損傷されることがな
く、かつ真空蒸着法を用いて作っても反射率が低下する
等の問題を生じることが少ない光反射体を提供するもの
である。
クが生じてもアルミニウム蒸着膜が損傷されることがな
く、かつ真空蒸着法を用いて作っても反射率が低下する
等の問題を生じることが少ない光反射体を提供するもの
である。
との発明にかかる光反射体は、アルミニウムからなる反
射面を二酸化ケイ素膜で覆った光反射体であって、前Ｖ
反射面はその表面が酸化されていることを特徴としてい
る。以下に、この発明の詳細な説明する。
射面を二酸化ケイ素膜で覆った光反射体であって、前Ｖ
反射面はその表面が酸化されていることを特徴としてい
る。以下に、この発明の詳細な説明する。
この発明にかかる光反射体は、アルミニウム反射面と二
酸化ケイ素膜との間に酸化アルミ膜を備えるようにして
いるところが従来とは異なる。したがって、この発明Ｋ
かかる光反射体の１例として、基材の上にシリコン系樹
脂膜、アルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、二酸化ケ
イ素膜を下から順に＠え、アルミニウム膜の表面が反射
面となっている光反射体をあけることができる。従来と
同様、シリコン系樹脂膜は基材表面を平滑にするため、
また二酸化ケイ素Ｍは内部のアルミニウム膜を第一次的
に保護するためにそれぞれ備えられている。このように
すると、二酸化ケイ素ＭＫクラックが生じても、アルミ
ニウム反射面はその表面が腐食に強い酸化アルミニウム
層となっているため、腐食されることがなく、かつ、酸
化アルミニウム膜の介在により活性なアルミニウム蒸着
膜が二酸化ケイ素蒸着膜に直接接することがないため、
真空蒸着法を用いてアルミニウム膜および二酸化ケイ素
膜を作っても、光反射体の反射率の低下することが少な
いのである。
酸化ケイ素膜との間に酸化アルミ膜を備えるようにして
いるところが従来とは異なる。したがって、この発明Ｋ
かかる光反射体の１例として、基材の上にシリコン系樹
脂膜、アルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、二酸化ケ
イ素膜を下から順に＠え、アルミニウム膜の表面が反射
面となっている光反射体をあけることができる。従来と
同様、シリコン系樹脂膜は基材表面を平滑にするため、
また二酸化ケイ素Ｍは内部のアルミニウム膜を第一次的
に保護するためにそれぞれ備えられている。このように
すると、二酸化ケイ素ＭＫクラックが生じても、アルミ
ニウム反射面はその表面が腐食に強い酸化アルミニウム
層となっているため、腐食されることがなく、かつ、酸
化アルミニウム膜の介在により活性なアルミニウム蒸着
膜が二酸化ケイ素蒸着膜に直接接することがないため、
真空蒸着法を用いてアルミニウム膜および二酸化ケイ素
膜を作っても、光反射体の反射率の低下することが少な
いのである。
このような光反射体は、真空蒸着法を用いた場合、つぎ
のようにしてつくることができる。アルミニウムを蒸着
させるまでは、従来と同様にして行なう。すなわち、基
材を洗浄してよごれを落すなどした後、シリコン系樹脂
などのペースコート材料を基材表面にコーティングする
。シリコン系樹脂などを乾燥させてから基材を真空蒸着
装置内に入れ、ペースコートの上にアルミニラムラ蒸着
させてアルミニウム蒸着膜をつくる。つぎＫＪＥ空蒸着
装置内に酸素ガスを導入する。このところが従来とは異
なるのである。酸素ガスの導入によってアルミニウム膜
の表面だけが酸化され、酸化アルミニウム膜となる。酸
化時間は５分程度とするのがよいが、これに限定される
ものではない。最後に、酸素ガスを排気して真空にした
後、従来と同様、二酸化ケイ素を真空蒸着させて二酸化
ケイ素蒸着膜をつくる。酸素ガスの量および酸化時間は
、蒸着装置の容量、蒸着を行なう基材の大きさおよび形
、酸化アルミニウムの所望膜厚等に応じ決定する必要が
ある。
のようにしてつくることができる。アルミニウムを蒸着
させるまでは、従来と同様にして行なう。すなわち、基
材を洗浄してよごれを落すなどした後、シリコン系樹脂
などのペースコート材料を基材表面にコーティングする
。シリコン系樹脂などを乾燥させてから基材を真空蒸着
装置内に入れ、ペースコートの上にアルミニラムラ蒸着
させてアルミニウム蒸着膜をつくる。つぎＫＪＥ空蒸着
装置内に酸素ガスを導入する。このところが従来とは異
なるのである。酸素ガスの導入によってアルミニウム膜
の表面だけが酸化され、酸化アルミニウム膜となる。酸
化時間は５分程度とするのがよいが、これに限定される
ものではない。最後に、酸素ガスを排気して真空にした
後、従来と同様、二酸化ケイ素を真空蒸着させて二酸化
ケイ素蒸着膜をつくる。酸素ガスの量および酸化時間は
、蒸着装置の容量、蒸着を行なう基材の大きさおよび形
、酸化アルミニウムの所望膜厚等に応じ決定する必要が
ある。
このように、酸素ガスを用いるようにすると、真空蒸着
装置に入れたままアルミニウム蒸着膜の表面を酸化する
ことができ、かつつぎに連続して二酸化ケイ素を蒸着さ
せることができるので利点が多い。
装置に入れたままアルミニウム蒸着膜の表面を酸化する
ことができ、かつつぎに連続して二酸化ケイ素を蒸着さ
せることができるので利点が多い。
なお、アルミニウムの膜厚は１０００＾（ｌＯ−１０ｍ
）程度とし、酸化アルミニウム膜の膜厚は１００〜２０
０Ａとするのがよい。酸化アルミニウム膜の膜厚が１ｏ
ｏＡ以下ではアルミニウムと二酸化ケイ素との反応を完
全に押えることができず、反応が進行してアルミニウム
膜が損なわれる傾向があり、他方２００λ以上では光反
射体の反射率が低下する傾向があるからである。
）程度とし、酸化アルミニウム膜の膜厚は１００〜２０
０Ａとするのがよい。酸化アルミニウム膜の膜厚が１ｏ
ｏＡ以下ではアルミニウムと二酸化ケイ素との反応を完
全に押えることができず、反応が進行してアルミニウム
膜が損なわれる傾向があり、他方２００λ以上では光反
射体の反射率が低下する傾向があるからである。
ここでは真空蒸着法を用いて、アルミニウム膜および二
酸化ケイ素膜をつくるよう圧しているが、これらの膜は
必ずしも真空蒸着法を用いるとは限らない。たとえば、
溶融メッキ法などの他の方法を用いる場合もあシうる。
酸化ケイ素膜をつくるよう圧しているが、これらの膜は
必ずしも真空蒸着法を用いるとは限らない。たとえば、
溶融メッキ法などの他の方法を用いる場合もあシうる。
またアルミニウム膜の酸化方法も、酸素ガスを用いると
は必ずしも限らず、九とえば酸化剤を用いるなどする場
合もあ抄うる。
は必ずしも限らず、九とえば酸化剤を用いるなどする場
合もあ抄うる。
前配光反射体の実施例では基材表面に塗布するベースコ
ート材料としてシリコン系樹脂を例示しているが、必ず
しもシリコン系樹脂とする必要はなく、他の樹脂であっ
てもよいし、樹脂でなくてもよい。また、ベースコート
を必ずしも備えるとは−らず、基材自体の表面が平滑と
なっているものを用いる場合等のようにベースコートを
必要としない場合もありうる。
ート材料としてシリコン系樹脂を例示しているが、必ず
しもシリコン系樹脂とする必要はなく、他の樹脂であっ
てもよいし、樹脂でなくてもよい。また、ベースコート
を必ずしも備えるとは−らず、基材自体の表面が平滑と
なっているものを用いる場合等のようにベースコートを
必要としない場合もありうる。
前記光反射体の実施例では基材とは別に表面が反射面と
なったアルミニウム膜を備えるようにしているが、必ず
しもこのようにしているとは限らない。基材自体がアル
ミニウムからなり、その表面が反射面となっている場合
本ありうるのである。
なったアルミニウム膜を備えるようにしているが、必ず
しもこのようにしているとは限らない。基材自体がアル
ミニウムからなり、その表面が反射面となっている場合
本ありうるのである。
この発明にかかる光反射体は、このように構成される本
のであって、アルミニウムからなる反射面の表面が酸化
されているので、二酸化ケイ素膜にクラックが生じても
、アルミニウム反射面が腐食されることが少なく耐久性
に富み、また、真空蒸着法を用いて光反射体をつくった
場合でも、アルミニウム蒸着膜が消失する等損なわれる
ことが少なく、高湿度雰囲気中においた場合でも、反射
率が経時変化して低下するというようなことが少ない。
のであって、アルミニウムからなる反射面の表面が酸化
されているので、二酸化ケイ素膜にクラックが生じても
、アルミニウム反射面が腐食されることが少なく耐久性
に富み、また、真空蒸着法を用いて光反射体をつくった
場合でも、アルミニウム蒸着膜が消失する等損なわれる
ことが少なく、高湿度雰囲気中においた場合でも、反射
率が経時変化して低下するというようなことが少ない。
特許出願人 松下電工株式会社
代理人 弁理士 松 本 武 彦
Claims (3)
- （１）アルミニウムからなる反射面を二酸化ケイ素膜で
覆った光反射体であって、前記反射面はその表面が酸化
されていることを特徴とする光反射体。 - （２）反射面が１００〜２０ＯＡの厚み分だけ酸化され
ている特許請求の範囲第２項記載の光反射体。 - （３）反射面および二酸化ケイ素膜がいずれ４蒸着法に
よってつくられたものである特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の光反射体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56170570A JPS5872106A (ja) | 1981-10-24 | 1981-10-24 | 光反射体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56170570A JPS5872106A (ja) | 1981-10-24 | 1981-10-24 | 光反射体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5872106A true JPS5872106A (ja) | 1983-04-30 |
Family
ID=15907279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56170570A Pending JPS5872106A (ja) | 1981-10-24 | 1981-10-24 | 光反射体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5872106A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0170445A2 (en) * | 1984-07-20 | 1986-02-05 | Nisshin Kohki Co., Ltd. | Pen-type code reader |
| JPH0250104A (ja) * | 1988-05-16 | 1990-02-20 | Minolta Camera Co Ltd | 金属反射鏡の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-24 JP JP56170570A patent/JPS5872106A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0170445A2 (en) * | 1984-07-20 | 1986-02-05 | Nisshin Kohki Co., Ltd. | Pen-type code reader |
| JPH0250104A (ja) * | 1988-05-16 | 1990-02-20 | Minolta Camera Co Ltd | 金属反射鏡の製造方法 |
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