JP3509414B2 - 反射鏡及びその製造方法 - Google Patents
反射鏡及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射鏡及びその製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来例の要部断面図である。図
６は、別の従来例の要部断面図である。従来例として
は、図５に示されるように、基材１０１の上に、Ａｇ層
１０２、ＳｉＯ2 層１０３が順に積層されてなる反射鏡
が知られている。
６は、別の従来例の要部断面図である。従来例として
は、図５に示されるように、基材１０１の上に、Ａｇ層
１０２、ＳｉＯ2 層１０３が順に積層されてなる反射鏡
が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来例におい
ては、Ａｇ層１０２とＳｉＯ2 層１０３との密着性が低
いため、ＳｉＯ2 層１０３が剥離して保護膜としての機
能を果たさなくなり、高反射率反射鏡としての機能を損
なうという不都合があった。この問題を解決するために
別の従来例では、図６に示されるように、基材１０１の
上に、酸化アルミニウム層１０４、Ａｇ層１０２、酸化
アルミニウム層１０４、ＳｉＯ2 層１０３が順に積層さ
れてなる反射鏡が示されている。しかし、別の従来例に
おいても、耐湿性試験より過酷な耐塩水性試験及び耐硫
化性試験を行った場合には、Ａｇ層１０２とＳｉＯ2 層
１０３との密着性が不充分であるという不都合があっ
た。
ては、Ａｇ層１０２とＳｉＯ2 層１０３との密着性が低
いため、ＳｉＯ2 層１０３が剥離して保護膜としての機
能を果たさなくなり、高反射率反射鏡としての機能を損
なうという不都合があった。この問題を解決するために
別の従来例では、図６に示されるように、基材１０１の
上に、酸化アルミニウム層１０４、Ａｇ層１０２、酸化
アルミニウム層１０４、ＳｉＯ2 層１０３が順に積層さ
れてなる反射鏡が示されている。しかし、別の従来例に
おいても、耐湿性試験より過酷な耐塩水性試験及び耐硫
化性試験を行った場合には、Ａｇ層１０２とＳｉＯ2 層
１０３との密着性が不充分であるという不都合があっ
た。
【０００４】本発明はこの点に鑑みてなされたものであ
り、Ａｇ層とＳｉＯ2 層との間の密着性を向上させ、更
には、Ａｇ自身が持つ光学特性の低下削減若しくは維持
を図ることができる反射鏡を提供することを目的とする
ものである。
り、Ａｇ層とＳｉＯ2 層との間の密着性を向上させ、更
には、Ａｇ自身が持つ光学特性の低下削減若しくは維持
を図ることができる反射鏡を提供することを目的とする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の反射鏡は、基板
の上にＡｇ層、フッ素化合物層、ＳｉＯ2層が順に積層
されてなる基本構造を有している。
の上にＡｇ層、フッ素化合物層、ＳｉＯ2層が順に積層
されてなる基本構造を有している。
【０００６】
【０００７】本発明の請求項１記載の反射鏡は、上記基
本構造の反射鏡において、フッ素化合物層を酸フッ化ケ
イ素で構成してなることを特徴とするものである。
本構造の反射鏡において、フッ素化合物層を酸フッ化ケ
イ素で構成してなることを特徴とするものである。
【０００８】本発明の請求項２記載の反射鏡は、請求項
１記載の反射鏡において、フッ素化合物層におけるフッ
素の含有率がＡｇ層との界面付近では高く、ＳｉＯ2層
との界面に近づくにつれて低くなることを特徴とすもの
である。
１記載の反射鏡において、フッ素化合物層におけるフッ
素の含有率がＡｇ層との界面付近では高く、ＳｉＯ2層
との界面に近づくにつれて低くなることを特徴とすもの
である。
【０００９】本発明の請求項３記載の反射鏡は、上記基
本構造の反射鏡において、フッ素化合物をフッ化銀で構
成してなることを特徴とするものである。
本構造の反射鏡において、フッ素化合物をフッ化銀で構
成してなることを特徴とするものである。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】本発明の請求項４記載の反射鏡の製造方法
は、請求項１記載の反射鏡を製造する製造方法におい
て、真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その後、炭化
フッ素ガスと、酸素ガスと、シラン若しくはフッ素のい
ずれかを含まないオルガノシリコンガスとの混合ガスの
プラズマで基材に酸フッ化ケイ素で構成されるフッ素化
合物層を形成し、その後、シラン若しくはフッ素のいず
れかを含まないオルガノシリコンガスと酸素ガスのプラ
ズマで基材にＳｉＯ2層を形成するか、又は、真空容器
内で基材にＡｇ層を形成し、その後、酸素ガスと、オル
ガノフルオルシラン若しくはフッ化ケイ素のいずれかと
の混合ガスのプラズマで基材に酸フッ化ケイ素で構成さ
れるフッ素化合物層を形成し、その後、シラン若しくは
オルガノシリコンガスと酸素ガスのプラズマで基材にＳ
ｉＯ2層を形成することを特徴とするものである。
は、請求項１記載の反射鏡を製造する製造方法におい
て、真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その後、炭化
フッ素ガスと、酸素ガスと、シラン若しくはフッ素のい
ずれかを含まないオルガノシリコンガスとの混合ガスの
プラズマで基材に酸フッ化ケイ素で構成されるフッ素化
合物層を形成し、その後、シラン若しくはフッ素のいず
れかを含まないオルガノシリコンガスと酸素ガスのプラ
ズマで基材にＳｉＯ2層を形成するか、又は、真空容器
内で基材にＡｇ層を形成し、その後、酸素ガスと、オル
ガノフルオルシラン若しくはフッ化ケイ素のいずれかと
の混合ガスのプラズマで基材に酸フッ化ケイ素で構成さ
れるフッ素化合物層を形成し、その後、シラン若しくは
オルガノシリコンガスと酸素ガスのプラズマで基材にＳ
ｉＯ2層を形成することを特徴とするものである。
【００１５】本発明の請求項５記載の反射鏡の製造方法
は、請求項２記載の反射鏡を製造する製造方法におい
て、真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その後、炭化
フッ素ガスと、酸素ガスと、シラン若しくはフッ素のい
ずれかを含まないオルガノシリコンとの混合ガスのプラ
ズマを製造し、その後、徐々に炭化フッ素ガスの流量を
減らしながら酸素ガス流量を増やしていき、前記プラズ
マで基材に傾斜層を形成し、最終的にシラン若しくはフ
ッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンガスと酸素
ガスのプラズマを製造することで、基材にＳｉＯ2層を
形成するか、又は、真空容器内で基材にＡｇ層を形成
し、その後、酸素ガスと、オルガノフルオルシラン若し
くはフッ化ケイ素のいずれかとの混合ガスのプラズマを
製造し、その後、徐々にオルガノフルオルシランガス若
しくはフッ化ケイ素の流量を減らしながらシラン若しく
はフッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンの流量
を増やしていき、酸素ガスと、オルガノフルオルシラン
若しくはフッ化ケイ素のいずれかとの混合ガスのプラズ
マで基材に傾斜層を形成し、最終的にシラン若しくはフ
ッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンガスと酸素
ガスのプラズマで基材にＳｉＯ2層を形成することを特
徴とするものである。
は、請求項２記載の反射鏡を製造する製造方法におい
て、真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その後、炭化
フッ素ガスと、酸素ガスと、シラン若しくはフッ素のい
ずれかを含まないオルガノシリコンとの混合ガスのプラ
ズマを製造し、その後、徐々に炭化フッ素ガスの流量を
減らしながら酸素ガス流量を増やしていき、前記プラズ
マで基材に傾斜層を形成し、最終的にシラン若しくはフ
ッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンガスと酸素
ガスのプラズマを製造することで、基材にＳｉＯ2層を
形成するか、又は、真空容器内で基材にＡｇ層を形成
し、その後、酸素ガスと、オルガノフルオルシラン若し
くはフッ化ケイ素のいずれかとの混合ガスのプラズマを
製造し、その後、徐々にオルガノフルオルシランガス若
しくはフッ化ケイ素の流量を減らしながらシラン若しく
はフッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンの流量
を増やしていき、酸素ガスと、オルガノフルオルシラン
若しくはフッ化ケイ素のいずれかとの混合ガスのプラズ
マで基材に傾斜層を形成し、最終的にシラン若しくはフ
ッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンガスと酸素
ガスのプラズマで基材にＳｉＯ2層を形成することを特
徴とするものである。
【００１６】本発明の請求項６記載の反射鏡の製造方法
は、請求項３記載の反射鏡を製造する製造方法におい
て、真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その後、基材
表面を炭化フッ素ガス若しくは炭化フッ素ガスと窒素の
双方若しくは不活性ガスの混合ガスのプラズマ処理を行
うことによりフッ化銀層を形成し、その後、シラン若し
くはフッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンガス
と酸素ガスのプラズマで基材にＳｉＯ2層を形成するこ
とを特徴とするものである。
は、請求項３記載の反射鏡を製造する製造方法におい
て、真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その後、基材
表面を炭化フッ素ガス若しくは炭化フッ素ガスと窒素の
双方若しくは不活性ガスの混合ガスのプラズマ処理を行
うことによりフッ化銀層を形成し、その後、シラン若し
くはフッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンガス
と酸素ガスのプラズマで基材にＳｉＯ2層を形成するこ
とを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第一実施形態で
ある反射鏡の要部断面図である。図２は、本発明の第一
実施形態〜第五実施形態である反射鏡の一の製造装置の
断面図である。図３は、本発明の第一実施形態〜第五実
施形態である反射鏡の別の製造装置の断面図である。
ある反射鏡の要部断面図である。図２は、本発明の第一
実施形態〜第五実施形態である反射鏡の一の製造装置の
断面図である。図３は、本発明の第一実施形態〜第五実
施形態である反射鏡の別の製造装置の断面図である。
【００１８】図１に示されるように、この反射鏡は、基
板１の上にＡｇ層２、フッ素化合物層３、ＳｉＯ2 層４
が順に積層されたものである。そして、フッ素化合物層
３をＳｉＯ2 より低屈折率のフッ素化合物で構成してな
るものである。そして、フッ素化合物層３の厚みを１〜
３０nmとし、ＳｉＯ2 層４の厚みを１００〜３０００nm
としたものである。
板１の上にＡｇ層２、フッ素化合物層３、ＳｉＯ2 層４
が順に積層されたものである。そして、フッ素化合物層
３をＳｉＯ2 より低屈折率のフッ素化合物で構成してな
るものである。そして、フッ素化合物層３の厚みを１〜
３０nmとし、ＳｉＯ2 層４の厚みを１００〜３０００nm
としたものである。
【００１９】以下、図１〜図３に基づいて、この反射鏡
及びその製造方法について詳しく説明する。図２に示さ
れるように、アセトンで超音波洗浄を行うことにより表
面を清浄化したアルミニウム板で構成される基板１を真
空容器５ａの中に入れ、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで
排気を行った。尚、この場合に限らず、以下の説明中で
行われる排気は図２及び図３の右下に示される排気ホン
プ６により行われる。
及びその製造方法について詳しく説明する。図２に示さ
れるように、アセトンで超音波洗浄を行うことにより表
面を清浄化したアルミニウム板で構成される基板１を真
空容器５ａの中に入れ、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで
排気を行った。尚、この場合に限らず、以下の説明中で
行われる排気は図２及び図３の右下に示される排気ホン
プ６により行われる。
【００２０】その後、第一のガス導入口７から真空度５
×１０-3Ｔｏｒｒになるまで酸素ガスの排気を行い、そ
の雰囲気内でシャッター１１と、基板１を取り付けた第
一の電極９との間に周波数１３．５６ＭＨｚ、出力５０
０Ｗの高周波をかけることにより酸素プラズマを発生さ
せ、その雰囲気内に基板１を１分間放置した。これによ
り、基板１の表面に活性な酸素が付着し、その上に層を
形成すれば密着力の高い層が形成される。
×１０-3Ｔｏｒｒになるまで酸素ガスの排気を行い、そ
の雰囲気内でシャッター１１と、基板１を取り付けた第
一の電極９との間に周波数１３．５６ＭＨｚ、出力５０
０Ｗの高周波をかけることにより酸素プラズマを発生さ
せ、その雰囲気内に基板１を１分間放置した。これによ
り、基板１の表面に活性な酸素が付着し、その上に層を
形成すれば密着力の高い層が形成される。
【００２１】その後、高周波電源１８を停止させ、酸素
を止め、再び真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行っ
た。その後、第二のガス導入口８から真空度５×１０-3
Ｔｏｒｒになるまでアルゴンガスの排気を行い、シャッ
ター１１を開き、基板１を取り付けた第一の電極９とＡ
ｇのターゲット２２を取り付け、そのターゲット２２付
近のプラズマ密度が上がるようにマグネット１２が取り
付けられた第二の電極１０との間に周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、出力５００Ｗの高周波をかけることによりアルゴ
ンプラズマを発生させ、そのプラズマのエネルギーでＡ
ｇのターゲット２２をスパッタリングし、基板１の上に
Ａｇ層２を１５０nm形成した。
を止め、再び真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行っ
た。その後、第二のガス導入口８から真空度５×１０-3
Ｔｏｒｒになるまでアルゴンガスの排気を行い、シャッ
ター１１を開き、基板１を取り付けた第一の電極９とＡ
ｇのターゲット２２を取り付け、そのターゲット２２付
近のプラズマ密度が上がるようにマグネット１２が取り
付けられた第二の電極１０との間に周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、出力５００Ｗの高周波をかけることによりアルゴ
ンプラズマを発生させ、そのプラズマのエネルギーでＡ
ｇのターゲット２２をスパッタリングし、基板１の上に
Ａｇ層２を１５０nm形成した。
【００２２】その後、シャッター１１を閉じ、高周波電
源１８を停止させ、アルゴンガスを止め、Ａｇのターゲ
ット２２をＭｇＦ2 のターゲット２２に交換した後、再
び真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行った。
源１８を停止させ、アルゴンガスを止め、Ａｇのターゲ
ット２２をＭｇＦ2 のターゲット２２に交換した後、再
び真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行った。
【００２３】その後、第二のガス導入口８から真空度５
×１０-3Ｔｏｒｒになるまでアルゴンガスの排気を行
い、その雰囲気内でシャッター１１と、基板１を取り付
けた第一の電極９との間に周波数１３．５６ＭＨｚ、出
力５００Ｗの高周波をかけることによりアルゴンプラズ
マを発生させ、その雰囲気内にＡｇ層２が形成された基
板１を１分間放置した。これにより、Ａｇ層２の表面が
より清浄化され、この上に層を形成すれば密着力の高い
層が形成される。
×１０-3Ｔｏｒｒになるまでアルゴンガスの排気を行
い、その雰囲気内でシャッター１１と、基板１を取り付
けた第一の電極９との間に周波数１３．５６ＭＨｚ、出
力５００Ｗの高周波をかけることによりアルゴンプラズ
マを発生させ、その雰囲気内にＡｇ層２が形成された基
板１を１分間放置した。これにより、Ａｇ層２の表面が
より清浄化され、この上に層を形成すれば密着力の高い
層が形成される。
【００２４】ここで、酸素プラズマ処理を行わなかった
のは、Ａｇが酸化されて黒化してしまうからである。な
お、ここの処理は窒素若しくは他の不活性ガスを使用し
ても良い。
のは、Ａｇが酸化されて黒化してしまうからである。な
お、ここの処理は窒素若しくは他の不活性ガスを使用し
ても良い。
【００２５】その後、高周波電源１８を停止させ、アル
ゴンガスを流し続けたままシャッター１１を開き、基板
１を取り付けた第一の電極９とＭｇＦ2 のターゲット２
２を取り付けた第二の電極１０との間に周波数１３．５
６ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけることによりア
ルゴンプラズマを発生させ、そのプラズマのエネルギー
でＭｇＦ2 のターゲットをスパッタリングし、Ａｇ層２
が形成された基板１上にＳｉＯ2 より低屈折率のフッ素
化合物層３であるＭｇＦ2 層を１０nm形成した。
ゴンガスを流し続けたままシャッター１１を開き、基板
１を取り付けた第一の電極９とＭｇＦ2 のターゲット２
２を取り付けた第二の電極１０との間に周波数１３．５
６ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけることによりア
ルゴンプラズマを発生させ、そのプラズマのエネルギー
でＭｇＦ2 のターゲットをスパッタリングし、Ａｇ層２
が形成された基板１上にＳｉＯ2 より低屈折率のフッ素
化合物層３であるＭｇＦ2 層を１０nm形成した。
【００２６】このＳｉＯ2 より低屈折率のフッ素化合物
層３により、可視域での分光特性が優れる反射鏡を提供
することができる。即ち、低屈折率層を採用しているた
め、層厚の変化による分光特性の低下が抑えられ、フッ
素化合物層３の層厚分布のばらつきが大きくても反射面
の位置の違いによる分光特性のばらつき及び低下が少な
い。
層３により、可視域での分光特性が優れる反射鏡を提供
することができる。即ち、低屈折率層を採用しているた
め、層厚の変化による分光特性の低下が抑えられ、フッ
素化合物層３の層厚分布のばらつきが大きくても反射面
の位置の違いによる分光特性のばらつき及び低下が少な
い。
【００２７】尚、ＭｇＦ2 層を採用した理由は、後で形
成するＳｉＯ2 層４とＭｇＦ2 層との間には、多かれ少
なかれ光の干渉が起きるが、ＳｉＯ2 層４の屈折率は
１．４５、ＭｇＦ2 層の屈折率は１．３８でその差が
０．０７と小さく、可視域での干渉は起こりにくいため
と層厚のバラツキが３０％以内であれば光学設計通りの
光学特性が得られることになるからである。
成するＳｉＯ2 層４とＭｇＦ2 層との間には、多かれ少
なかれ光の干渉が起きるが、ＳｉＯ2 層４の屈折率は
１．４５、ＭｇＦ2 層の屈折率は１．３８でその差が
０．０７と小さく、可視域での干渉は起こりにくいため
と層厚のバラツキが３０％以内であれば光学設計通りの
光学特性が得られることになるからである。
【００２８】また、ＭｇＦ2 層を１０nm形成した理由
は、ＳｉＯ2 層４とＡｇ層２との付着性を確保するため
に最低限必要なフッ素化合物層３の層厚は１nm以上が好
ましく、Ａｇの分光特性を最大限活用するためにはフッ
素化合物層３の層厚は薄ければ薄いほどよく、その限界
が３０nmであるため、その中間付近を採用してＭｇＦ2
層の層厚を１０nm形成したものである。
は、ＳｉＯ2 層４とＡｇ層２との付着性を確保するため
に最低限必要なフッ素化合物層３の層厚は１nm以上が好
ましく、Ａｇの分光特性を最大限活用するためにはフッ
素化合物層３の層厚は薄ければ薄いほどよく、その限界
が３０nmであるため、その中間付近を採用してＭｇＦ2
層の層厚を１０nm形成したものである。
【００２９】その後、基板１を図３に示される別の真空
容器５ｂの中に入れ替え、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気を行った。別の真空容器５ｂに入れ替えた理由
は、次の処理はＣＶＤ法でＳｉＯ2 層４を形成するた
め、装置の構成が若干変わるためである。また、ＳｉＯ
2 層４を形成するため、ＣＶＤ法を使用するのは、保護
膜としてのＳｉＯ2 層４の緻密性を向上させるためと物
理蒸着法に比べ層厚のバラツキを抑えられるからであ
る。
容器５ｂの中に入れ替え、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気を行った。別の真空容器５ｂに入れ替えた理由
は、次の処理はＣＶＤ法でＳｉＯ2 層４を形成するた
め、装置の構成が若干変わるためである。また、ＳｉＯ
2 層４を形成するため、ＣＶＤ法を使用するのは、保護
膜としてのＳｉＯ2 層４の緻密性を向上させるためと物
理蒸着法に比べ層厚のバラツキを抑えられるからであ
る。
【００３０】その後、第三のガス導入口１４から真空度
５×１０-3Ｔｏｒｒになるまでアルゴンガスの排気を行
い、その雰囲気内で基板１を取り付けてない第二の電極
１０と、基板１を取り付けた第一の電極９との間に周波
数１３．５６ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけるこ
とによりアルゴンプラズマを発生させ、その雰囲気内に
ＭｇＦ2 層とＡｇ層２とが形成された基板１を１分間放
置した。これにより、ＭｇＦ2 層の表面がより清浄化さ
れ、この上に層を形成すれば密着力の高い層が形成され
る。なお、ここの処理は窒素若しくは他の不活性ガスを
使用しても良い。
５×１０-3Ｔｏｒｒになるまでアルゴンガスの排気を行
い、その雰囲気内で基板１を取り付けてない第二の電極
１０と、基板１を取り付けた第一の電極９との間に周波
数１３．５６ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけるこ
とによりアルゴンプラズマを発生させ、その雰囲気内に
ＭｇＦ2 層とＡｇ層２とが形成された基板１を１分間放
置した。これにより、ＭｇＦ2 層の表面がより清浄化さ
れ、この上に層を形成すれば密着力の高い層が形成され
る。なお、ここの処理は窒素若しくは他の不活性ガスを
使用しても良い。
【００３１】その後、高周波電源１８を停止させ、アル
ゴンガスを止め、第四のガス導入口１５からテトラエト
キシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）ガスを、３（テト
ラエトキシシラン）対２７（酸素）の流量比で真空度５
×１０-3Ｔｏｒｒになるまで排気を行い、その雰囲気内
で基板１を取り付けてない第二の電極１０と、基板１を
取り付けた第一の電極９との間に周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、出力５００Ｗの高周波をかけることにより、その混
合ガスのプラズマを発生させ、そのプラズマのエネルギ
ーにより両ガスを反応させ、基板１にＳｉＯ2 層４を１
μm （１０００nm）形成した。
ゴンガスを止め、第四のガス導入口１５からテトラエト
キシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）ガスを、３（テト
ラエトキシシラン）対２７（酸素）の流量比で真空度５
×１０-3Ｔｏｒｒになるまで排気を行い、その雰囲気内
で基板１を取り付けてない第二の電極１０と、基板１を
取り付けた第一の電極９との間に周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、出力５００Ｗの高周波をかけることにより、その混
合ガスのプラズマを発生させ、そのプラズマのエネルギ
ーにより両ガスを反応させ、基板１にＳｉＯ2 層４を１
μm （１０００nm）形成した。
【００３２】これにより、より過酷な環境での耐腐食性
及び耐磨耗性に富んだ銀反射鏡を提供することができ
る。尚、層厚を１μm にした理由は、ＳｉＯ2 層４の保
護機能を満足させるためには少なくとも０．１μm （１
００nm）の層厚が必要であるが、層厚を３μm 以上にす
ると層内の内部応力によりＳｉＯ2 層４にクラックが入
り保護機能を有さなくなるため、その中間付近をとって
１μm としたものである。尚、ＳｉＯ2 層４の形成に
は、テトラエトキシシランとは別のオルガノシリコンガ
ス若しくはＳｉＨ4 のようなシランガスと酸素の混合プ
ラズマでも形成できる。
及び耐磨耗性に富んだ銀反射鏡を提供することができ
る。尚、層厚を１μm にした理由は、ＳｉＯ2 層４の保
護機能を満足させるためには少なくとも０．１μm （１
００nm）の層厚が必要であるが、層厚を３μm 以上にす
ると層内の内部応力によりＳｉＯ2 層４にクラックが入
り保護機能を有さなくなるため、その中間付近をとって
１μm としたものである。尚、ＳｉＯ2 層４の形成に
は、テトラエトキシシランとは別のオルガノシリコンガ
ス若しくはＳｉＨ4 のようなシランガスと酸素の混合プ
ラズマでも形成できる。
【００３３】上述したように、基板１の上にＡｇ層２、
フッ素化合物層３、ＳｉＯ2 層４が順に積層された反射
鏡においては、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４の密着性を向上
させることができる。
フッ素化合物層３、ＳｉＯ2 層４が順に積層された反射
鏡においては、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４の密着性を向上
させることができる。
【００３４】 次いで、本発明の第二実施形態である反射
鏡及びその製造方法について説明する。図１に示される
ように、この反射鏡は、基板１の上にＡｇ層２、フッ素
化合物層３、ＳｉＯ2 層４が順に積層されたものであ
る。そして、フッ素化合物層３を酸フッ化ケイ素で構成
してなるものである。そして、フッ素化合物層３の厚み
を１〜３０nmとし、ＳｉＯ2 層４の厚みを１００〜３０
００nmとしたものである。
鏡及びその製造方法について説明する。図１に示される
ように、この反射鏡は、基板１の上にＡｇ層２、フッ素
化合物層３、ＳｉＯ2 層４が順に積層されたものであ
る。そして、フッ素化合物層３を酸フッ化ケイ素で構成
してなるものである。そして、フッ素化合物層３の厚み
を１〜３０nmとし、ＳｉＯ2 層４の厚みを１００〜３０
００nmとしたものである。
【００３５】以下、図１〜図３に基づいて、この反射鏡
及びその製造方法について詳しく説明する。先ず、本発
明の第一実施形態の場合と同様の方法で、基板１の上に
Ａｇ層２を形成する。その後、基板１を図３に示される
別の真空容器５ｂの中に入れ替え、真空度５×１０-6Ｔ
ｏｒｒまで排気を行った。別の真空容器５ｂに入れ替え
た理由は、次の処理はＣＶＤ法でフッ素化合物層３であ
るＳｉＯＦ層、その後ＳｉＯ2 層４を形成するため、装
置の構成が若干変わるためである。また、ＳｉＯ2 層４
を形成するため、ＣＶＤ法を使用するのは、保護膜とし
てのＳｉＯ2 層４の緻密性を向上させるためと物理蒸着
法に比べ層厚のばらつきを抑えられるからである。
及びその製造方法について詳しく説明する。先ず、本発
明の第一実施形態の場合と同様の方法で、基板１の上に
Ａｇ層２を形成する。その後、基板１を図３に示される
別の真空容器５ｂの中に入れ替え、真空度５×１０-6Ｔ
ｏｒｒまで排気を行った。別の真空容器５ｂに入れ替え
た理由は、次の処理はＣＶＤ法でフッ素化合物層３であ
るＳｉＯＦ層、その後ＳｉＯ2 層４を形成するため、装
置の構成が若干変わるためである。また、ＳｉＯ2 層４
を形成するため、ＣＶＤ法を使用するのは、保護膜とし
てのＳｉＯ2 層４の緻密性を向上させるためと物理蒸着
法に比べ層厚のばらつきを抑えられるからである。
【００３６】その後、第三のガス導入口１４から真空度
５×１０-3Ｔｏｒｒになるまでアルゴンガスの排気を行
い、その雰囲気内で基板１を取り付けてない第二の電極
１０と、基板１を取り付けた第一の電極９との間に周波
数１３．５６ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけるこ
とによりアルゴンプラズマを発生させ、その雰囲気内に
Ａｇ層２が形成された基板１を１分間放置した。これに
より、Ａｇ層２の表面がより清浄化され、この上に層を
形成すれば密着力の高い層が形成される。なお、ここの
処理は窒素若しくは他の不活性ガスを使用しても良い。
５×１０-3Ｔｏｒｒになるまでアルゴンガスの排気を行
い、その雰囲気内で基板１を取り付けてない第二の電極
１０と、基板１を取り付けた第一の電極９との間に周波
数１３．５６ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけるこ
とによりアルゴンプラズマを発生させ、その雰囲気内に
Ａｇ層２が形成された基板１を１分間放置した。これに
より、Ａｇ層２の表面がより清浄化され、この上に層を
形成すれば密着力の高い層が形成される。なお、ここの
処理は窒素若しくは他の不活性ガスを使用しても良い。
【００３７】その後、高周波電源１８を停止させ、アル
ゴンガスを止め、第四のガス導入口１５からテトラエト
キシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）ガスを、第５のガ
ス導入口１６からＣＦ4 ガスを、３（テトラエトキシシ
ラン）対１５（酸素）対１２（ＣＦ4 ）の流量比で真空
度５×１０-3Ｔｏｒｒになるまで排気を行い、その雰囲
気内で基板１を取り付けてない第二の電極１０と、基板
１を取り付けた第一の電極９との間に周波数１３．５６
ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけることにより、そ
の混合ガスのプラズマを発生させ、そのプラズマのエネ
ルギーにより三種類のガスを反応させ、基板１にＳｉＯ
Ｆ層を１０nm形成した。
ゴンガスを止め、第四のガス導入口１５からテトラエト
キシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）ガスを、第５のガ
ス導入口１６からＣＦ4 ガスを、３（テトラエトキシシ
ラン）対１５（酸素）対１２（ＣＦ4 ）の流量比で真空
度５×１０-3Ｔｏｒｒになるまで排気を行い、その雰囲
気内で基板１を取り付けてない第二の電極１０と、基板
１を取り付けた第一の電極９との間に周波数１３．５６
ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけることにより、そ
の混合ガスのプラズマを発生させ、そのプラズマのエネ
ルギーにより三種類のガスを反応させ、基板１にＳｉＯ
Ｆ層を１０nm形成した。
【００３８】ＳｉＯＦ層を形成することにより、ＳｉＯ
2 層４とフッ素化合物層３との密着性が大きくなり耐腐
食性が一層向上する。また、ＳｉＯＦのような酸フッ化
ケイ素を使用することにより、ＭｇＦ2 を使用する場合
に比べ材料コストの削減を図ることができる。また、タ
ーゲット２２を交換する必要がないため製造工程の簡略
化が可能となる。
2 層４とフッ素化合物層３との密着性が大きくなり耐腐
食性が一層向上する。また、ＳｉＯＦのような酸フッ化
ケイ素を使用することにより、ＭｇＦ2 を使用する場合
に比べ材料コストの削減を図ることができる。また、タ
ーゲット２２を交換する必要がないため製造工程の簡略
化が可能となる。
【００３９】ＳｉＯＦ層を採用した理由と、それを１０
nm形成した理由は、後で形成するＳｉＯ2 層４とＳｉＯ
Ｆ層との付着性が、本発明の第一実施形態の場合に比べ
て若干高いことと、ＳｉＯＦ層とＡｇ層２との付着性を
確保するために最低必要なフッ素化合物層３の層厚は、
１nm以上が好ましく、Ａｇの分光特性を最大限活用する
ためにはフッ素化合物層３の層厚が薄ければ薄い程良
く、その限界が３０nmであるため、その中間付近をとっ
てＳｉＯＦ層の層厚を１０nm形成したものである。
nm形成した理由は、後で形成するＳｉＯ2 層４とＳｉＯ
Ｆ層との付着性が、本発明の第一実施形態の場合に比べ
て若干高いことと、ＳｉＯＦ層とＡｇ層２との付着性を
確保するために最低必要なフッ素化合物層３の層厚は、
１nm以上が好ましく、Ａｇの分光特性を最大限活用する
ためにはフッ素化合物層３の層厚が薄ければ薄い程良
く、その限界が３０nmであるため、その中間付近をとっ
てＳｉＯＦ層の層厚を１０nm形成したものである。
【００４０】尚、ＳｉＯＦ層の形成のためにはテトラエ
トキシシラン若しくはＣＦ4 ガスの代わりにトリフルオ
ルメチルシラン（ＣＨ3 ＳｉＦ3 ）のようなオルガノフ
ルオルシラン若しくはＳｉＦ4 のようなフッ化ケイ素ガ
スと酸素ガスの混合プラズマでも形成できる。その後、
本発明の第一実施形態の場合と同様の方法で、基板１の
上にＳｉＯ2 層４を形成する。
トキシシラン若しくはＣＦ4 ガスの代わりにトリフルオ
ルメチルシラン（ＣＨ3 ＳｉＦ3 ）のようなオルガノフ
ルオルシラン若しくはＳｉＦ4 のようなフッ化ケイ素ガ
スと酸素ガスの混合プラズマでも形成できる。その後、
本発明の第一実施形態の場合と同様の方法で、基板１の
上にＳｉＯ2 層４を形成する。
【００４１】上述の製造工程により、本発明の第一実施
形態の場合には、フッ素化合物層３のターゲット２２が
必要であったが、本実施形態の場合には、ターゲット２
２ではなくガスでフッ素化合物が形成できるので、本発
明の第一実施形態の場合より製造工程の簡略化が可能と
なる。また、ガスの切り換えだけでフッ素化合物からＳ
ｉＯ2 層４までの形成を同一容器内で行えるため、さら
に、製造工程の簡略化が可能である。
形態の場合には、フッ素化合物層３のターゲット２２が
必要であったが、本実施形態の場合には、ターゲット２
２ではなくガスでフッ素化合物が形成できるので、本発
明の第一実施形態の場合より製造工程の簡略化が可能と
なる。また、ガスの切り換えだけでフッ素化合物からＳ
ｉＯ2 層４までの形成を同一容器内で行えるため、さら
に、製造工程の簡略化が可能である。
【００４２】また、上述したように、基板１の上にＡｇ
層２、フッ素化合物層３、ＳｉＯ2層４が順に積層され
た反射鏡においては、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４の密着性
を向上させることができる。
層２、フッ素化合物層３、ＳｉＯ2層４が順に積層され
た反射鏡においては、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４の密着性
を向上させることができる。
【００４３】次いで、本発明の第三実施形態である反射
鏡及びその製造方法について説明する。図１に示される
ように、この反射鏡は、基板１の上にＡｇ層２、フッ素
化合物層３、ＳｉＯ2 層４が順に積層されたものであ
る。そして、フッ素化合物層３におけるフッ素の含有率
がＡｇ層２との界面付近では高く、ＳｉＯ2 層４との界
面に近づくにつれて低くなるようにしたものである。そ
して、フッ素化合物層３の厚みを１〜３０nmとし、Ｓｉ
Ｏ2 層４の厚みを１００〜３０００nmとしたものであ
る。
鏡及びその製造方法について説明する。図１に示される
ように、この反射鏡は、基板１の上にＡｇ層２、フッ素
化合物層３、ＳｉＯ2 層４が順に積層されたものであ
る。そして、フッ素化合物層３におけるフッ素の含有率
がＡｇ層２との界面付近では高く、ＳｉＯ2 層４との界
面に近づくにつれて低くなるようにしたものである。そ
して、フッ素化合物層３の厚みを１〜３０nmとし、Ｓｉ
Ｏ2 層４の厚みを１００〜３０００nmとしたものであ
る。
【００４４】以下、図１〜図３に基づいて、この反射鏡
及びその製造方法について詳しく説明する。先ず、本発
明の第二実施形態の場合と同様の方法で、基板１の上に
Ａｇ層２を形成し、アルゴンプラズマを発生させ、その
雰囲気内にＡｇ層２が形成された基板１を１分間放置し
た。
及びその製造方法について詳しく説明する。先ず、本発
明の第二実施形態の場合と同様の方法で、基板１の上に
Ａｇ層２を形成し、アルゴンプラズマを発生させ、その
雰囲気内にＡｇ層２が形成された基板１を１分間放置し
た。
【００４５】その後、高周波電源を停止させ、アルゴン
ガスを止め、第三のガス導入口１４から酸素ガス、第四
のガス導入口１５からテトラエトキシシラン（Ｓｉ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5 ）4 ）ガスを、第五のガス導入口１６からＣＦ
4 ガスを、３（テトラエトキシシラン）対１５（酸素）
対１２（ＣＦ4 ）の流量比で真空度５×１０-3Ｔｏｒｒ
になるまで排気を行い、その雰囲気内で基板１を取り付
けてない第二の電極１０と、基板１を取り付けた第一の
電極９との間に周波数１３．５６ＭＨｚ、出力５００Ｗ
の高周波をかけることにより、その混合ガスのプラズマ
を発生させ、そのプラズマのエネルギーにより三種類の
ガスを反応させ、基板１にＳｉＯＦ層を形成する工程を
実施しながら、ＣＦ4 ガスを徐々に減らし、酸素ガスを
徐々に増やしながら最終的には三種類のガスの流量比
が、３（テトラエトキシシラン）対２７（酸素）対０
（ＣＦ4 ）になるようにすることで、フッ素の含有率が
Ａｇ層２との界面付近では高く、ＳｉＯ2 層４との界面
に近づくにつれて低くなる傾斜フッ化物層で構成される
フッ素化合物層３を１０nm形成し、引き続き、プラズマ
を立てたままＳｉＯ2 層４を１μm 形成する。
ガスを止め、第三のガス導入口１４から酸素ガス、第四
のガス導入口１５からテトラエトキシシラン（Ｓｉ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5 ）4 ）ガスを、第五のガス導入口１６からＣＦ
4 ガスを、３（テトラエトキシシラン）対１５（酸素）
対１２（ＣＦ4 ）の流量比で真空度５×１０-3Ｔｏｒｒ
になるまで排気を行い、その雰囲気内で基板１を取り付
けてない第二の電極１０と、基板１を取り付けた第一の
電極９との間に周波数１３．５６ＭＨｚ、出力５００Ｗ
の高周波をかけることにより、その混合ガスのプラズマ
を発生させ、そのプラズマのエネルギーにより三種類の
ガスを反応させ、基板１にＳｉＯＦ層を形成する工程を
実施しながら、ＣＦ4 ガスを徐々に減らし、酸素ガスを
徐々に増やしながら最終的には三種類のガスの流量比
が、３（テトラエトキシシラン）対２７（酸素）対０
（ＣＦ4 ）になるようにすることで、フッ素の含有率が
Ａｇ層２との界面付近では高く、ＳｉＯ2 層４との界面
に近づくにつれて低くなる傾斜フッ化物層で構成される
フッ素化合物層３を１０nm形成し、引き続き、プラズマ
を立てたままＳｉＯ2 層４を１μm 形成する。
【００４６】傾斜フッ化物層で構成されるフッ素化合物
層３を採用した理由は、ＳｉＯ2 層４とフッ素化合物層
３との明確な界面が無くなるため本発明の第二実施形態
の場合に比べ、ＳｉＯ2 層４とフッ素化合物層３との密
着性が大きくなり、耐腐食性が一層向上し、またターゲ
ット２２を交換する必要がないため製造工程を簡略化で
きるためである。
層３を採用した理由は、ＳｉＯ2 層４とフッ素化合物層
３との明確な界面が無くなるため本発明の第二実施形態
の場合に比べ、ＳｉＯ2 層４とフッ素化合物層３との密
着性が大きくなり、耐腐食性が一層向上し、またターゲ
ット２２を交換する必要がないため製造工程を簡略化で
きるためである。
【００４７】また、フッ素化合物層３を１０nm形成した
理由は、フッ素化合物層３とＡｇ層２との付着性を確保
するために最低必要なフッ素化合物層３の層厚は、１nm
以上が好ましく、Ａｇの分光特性を最大限活用するため
にはフッ素化合物層３の層厚が薄ければ薄い程良く、そ
の限界が３０nmであるため、その中間付近をとってフッ
素化合物層３の層厚を１０nm形成したものである。
理由は、フッ素化合物層３とＡｇ層２との付着性を確保
するために最低必要なフッ素化合物層３の層厚は、１nm
以上が好ましく、Ａｇの分光特性を最大限活用するため
にはフッ素化合物層３の層厚が薄ければ薄い程良く、そ
の限界が３０nmであるため、その中間付近をとってフッ
素化合物層３の層厚を１０nm形成したものである。
【００４８】尚、傾斜フッ化物層で構成されるフッ素化
合物層３の形成のためには、ＣＦ4ガスの代わりにトリ
フルオルメチルシラン（ＣＨ3 ＳｉＦ3 ）のようなオル
ガノフルオルシラン若しくはＳｉＦ4 のようなフッ化ケ
イ素ガステトラエトキシシランのようなオルガノシリコ
ンガス若しくはＳｉＨ4 のようなシランガスと酸素ガス
の混合プラズマで同様の製造工程を実施すれば形成でき
る。
合物層３の形成のためには、ＣＦ4ガスの代わりにトリ
フルオルメチルシラン（ＣＨ3 ＳｉＦ3 ）のようなオル
ガノフルオルシラン若しくはＳｉＦ4 のようなフッ化ケ
イ素ガステトラエトキシシランのようなオルガノシリコ
ンガス若しくはＳｉＨ4 のようなシランガスと酸素ガス
の混合プラズマで同様の製造工程を実施すれば形成でき
る。
【００４９】上述の製造工程により、フッ素化合物層３
とＳｉＯ2 層４とを連続的に構成することができるの
で、本発明の第二実施形態の場合に比べて工程時間の短
縮が可能となる。また、ガスの切り換えだけでフッ素化
合物からＳｉＯ2 層４までの形成を同一の真空容器５ｂ
内で行えるため、製造工程の簡略化も可能である。
とＳｉＯ2 層４とを連続的に構成することができるの
で、本発明の第二実施形態の場合に比べて工程時間の短
縮が可能となる。また、ガスの切り換えだけでフッ素化
合物からＳｉＯ2 層４までの形成を同一の真空容器５ｂ
内で行えるため、製造工程の簡略化も可能である。
【００５０】さらに、上述したように、基板１の上にＡ
ｇ層２、フッ素化合物層３、ＳｉＯ 2 層４が順に積層さ
れた反射鏡においては、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４の密着
性を向上させることができる。
ｇ層２、フッ素化合物層３、ＳｉＯ 2 層４が順に積層さ
れた反射鏡においては、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４の密着
性を向上させることができる。
【００５１】次いで、本発明の第四実施形態である反射
鏡及びその製造方法について説明する。図１に示される
ように、この反射鏡は、基板１の上にＡｇ層２、フッ素
化合物層３、ＳｉＯ2 層４が順に積層されたものであ
る。そして、フッ素化合物層３をフッ化銀で構成したも
のである。そして、フッ素化合物層３の厚みを１〜３０
nmとし、ＳｉＯ2 層４の厚みを１００〜３０００nmとし
たものである。
鏡及びその製造方法について説明する。図１に示される
ように、この反射鏡は、基板１の上にＡｇ層２、フッ素
化合物層３、ＳｉＯ2 層４が順に積層されたものであ
る。そして、フッ素化合物層３をフッ化銀で構成したも
のである。そして、フッ素化合物層３の厚みを１〜３０
nmとし、ＳｉＯ2 層４の厚みを１００〜３０００nmとし
たものである。
【００５２】以下、図１〜図３に基づいて、この反射鏡
及びその製造方法について詳しく説明する。先ず、本発
明の第一実施形態の場合と同様の方法で、基板１の上に
Ａｇ層２を形成する。
及びその製造方法について詳しく説明する。先ず、本発
明の第一実施形態の場合と同様の方法で、基板１の上に
Ａｇ層２を形成する。
【００５３】その後、基板１を図３に示される別の真空
容器５ｂの中に入れ替え、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気を行った。別の真空容器５ｂに入れ替えた理由
は、フッ素化合物層３形成後の処理はＣＶＤ法ＳｉＯ2
層４を形成するため、装置の構成が若干変わるためであ
る。また、ＳｉＯ2 層４を形成するため、ＣＶＤ法を使
用するのは、保護膜としてのＳｉＯ2 層４の緻密性を向
上させるためと物理蒸着法に比べ層厚のばらつきを抑え
られるからである。
容器５ｂの中に入れ替え、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気を行った。別の真空容器５ｂに入れ替えた理由
は、フッ素化合物層３形成後の処理はＣＶＤ法ＳｉＯ2
層４を形成するため、装置の構成が若干変わるためであ
る。また、ＳｉＯ2 層４を形成するため、ＣＶＤ法を使
用するのは、保護膜としてのＳｉＯ2 層４の緻密性を向
上させるためと物理蒸着法に比べ層厚のばらつきを抑え
られるからである。
【００５４】その後、第五のガス導入口１６から真空度
５×１０-3ＴｏｒｒになるまでＣＦ 4 ガスの排気を行
い、その雰囲気内で基板１を取り付けてない第二の電極
１０と、基板１を取り付けた第一の電極９との間に周波
数１３．５６ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけるこ
とによりＣＦ4 プラズマを発生させ、その雰囲気内にＡ
ｇ層２が形成された基板１を１０秒間放置した。これに
より、Ａｇ層２の最表面がフッ化され、フッ素化合物層
３であるＡｇＦ層が約５nm形成される。この場合には、
フッ素化合物層３を１０秒で形成できるため、製造工程
を簡略化できると共に、工程時間を極めて短縮できる。
５×１０-3ＴｏｒｒになるまでＣＦ 4 ガスの排気を行
い、その雰囲気内で基板１を取り付けてない第二の電極
１０と、基板１を取り付けた第一の電極９との間に周波
数１３．５６ＭＨｚ、出力５００Ｗの高周波をかけるこ
とによりＣＦ4 プラズマを発生させ、その雰囲気内にＡ
ｇ層２が形成された基板１を１０秒間放置した。これに
より、Ａｇ層２の最表面がフッ化され、フッ素化合物層
３であるＡｇＦ層が約５nm形成される。この場合には、
フッ素化合物層３を１０秒で形成できるため、製造工程
を簡略化できると共に、工程時間を極めて短縮できる。
【００５５】尚、プラズマ処理を長時間行うとＡｇＦ層
が厚くなり反射鏡が黄色味を帯びてくるので、ＡｇＦ層
が１０nm以上形成されるような処理は施さない方がよ
い。
が厚くなり反射鏡が黄色味を帯びてくるので、ＡｇＦ層
が１０nm以上形成されるような処理は施さない方がよ
い。
【００５６】この場合には、ＡｇＦ層の表面に活性フッ
素が付着しているので、本発明の第二実施形態の場合に
比べてフッ素化合物層３であるＡｇＦ層とＳｉＯ2 層４
との密着性が大きくなり、耐腐食性が向上する。
素が付着しているので、本発明の第二実施形態の場合に
比べてフッ素化合物層３であるＡｇＦ層とＳｉＯ2 層４
との密着性が大きくなり、耐腐食性が向上する。
【００５７】また、ＡｇＦのような銀フッ化物を採用す
ることにより、材料コストを削減できる。また、フッ素
化合物層３を１０秒で形成できるため、製造工程を簡略
化できると共に、本発明の第二実施形態又は第三実施形
態の場合より工程時間を短縮できる。
ることにより、材料コストを削減できる。また、フッ素
化合物層３を１０秒で形成できるため、製造工程を簡略
化できると共に、本発明の第二実施形態又は第三実施形
態の場合より工程時間を短縮できる。
【００５８】その後、本発明の第一実施形態の場合と同
様にして、基板１にＳｉＯ2 層４を形成する。上述の製
造工程により、ガスの切り換えだけでフッ素化合物から
ＳｉＯ2 層４までの形成を同一の真空容器５ｂ内で行え
るため、製造工程の簡略化も可能である。また、フッ素
化合物層３の形成とその表面の活性化処理を同時に行う
ことができるため、製造工程をさらに簡略化することが
できる。
様にして、基板１にＳｉＯ2 層４を形成する。上述の製
造工程により、ガスの切り換えだけでフッ素化合物から
ＳｉＯ2 層４までの形成を同一の真空容器５ｂ内で行え
るため、製造工程の簡略化も可能である。また、フッ素
化合物層３の形成とその表面の活性化処理を同時に行う
ことができるため、製造工程をさらに簡略化することが
できる。
【００５９】さらに、上述したように、基板１の上にＡ
ｇ層２、フッ素化合物層３、ＳｉＯ 2 層４が順に積層さ
れた反射鏡においては、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４の密着
性を向上させることができる。
ｇ層２、フッ素化合物層３、ＳｉＯ 2 層４が順に積層さ
れた反射鏡においては、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４の密着
性を向上させることができる。
【００６０】図４は、本発明の第五実施形態である反射
鏡の要部断面図である。図４に示されるように、この第
五実施形態である反射鏡と、本発明の第一実施形態であ
る反射鏡との相違点は、反射鏡の形状が平板ではなく、
アスペクト比０〜３の凹凸面を形成している点である。
その他の構成は本発明の第一実施形態の場合と同様であ
る。
鏡の要部断面図である。図４に示されるように、この第
五実施形態である反射鏡と、本発明の第一実施形態であ
る反射鏡との相違点は、反射鏡の形状が平板ではなく、
アスペクト比０〜３の凹凸面を形成している点である。
その他の構成は本発明の第一実施形態の場合と同様であ
る。
【００６１】この場合には、アルミニウム板で構成され
る基板１の形状が平板ではなく、アスペクト比０．６７
即ち、直径６０mm、奥行き半径４０mmの凹面の基板１に
層形成を行った。本発明の第一実施形態の場合と同様の
製造方法で製造することにより、アスペクト比０〜２
（アスペクト比０は平板を意味する。）の凹面の反射鏡
に対する各層の層厚のばらつきを所定の層厚に対し＋２
０％〜−２０％以内に抑えることができ、層厚のばらつ
きが起因する光学設計通りの光学特性が得られにくいと
いう問題がかなり解消できる。
る基板１の形状が平板ではなく、アスペクト比０．６７
即ち、直径６０mm、奥行き半径４０mmの凹面の基板１に
層形成を行った。本発明の第一実施形態の場合と同様の
製造方法で製造することにより、アスペクト比０〜２
（アスペクト比０は平板を意味する。）の凹面の反射鏡
に対する各層の層厚のばらつきを所定の層厚に対し＋２
０％〜−２０％以内に抑えることができ、層厚のばらつ
きが起因する光学設計通りの光学特性が得られにくいと
いう問題がかなり解消できる。
【００６２】また、本発明の第一実施形態の場合と同様
の層構成を採用することにより、多層構造による干渉が
かなり抑えられると共に、基板１の形状変化を伴っても
銀反射鏡の光学特性を最大限活用することができる。
の層構成を採用することにより、多層構造による干渉が
かなり抑えられると共に、基板１の形状変化を伴っても
銀反射鏡の光学特性を最大限活用することができる。
【００６３】従って、この場合には、照明反射鏡のよう
な光学機能とデザイン性の両者を追求されるような反射
鏡への適用が可能となる。尚、この場合には、本発明の
第一実施形態の場合と同様の効果をも奏するものであ
る。
な光学機能とデザイン性の両者を追求されるような反射
鏡への適用が可能となる。尚、この場合には、本発明の
第一実施形態の場合と同様の効果をも奏するものであ
る。
【００６４】比較例１として、アセトンで超音波洗浄し
たアルミニウムの平板で構成される基板１を真空の容器
の中に入れ、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行っ
た。その後、電子ビーム蒸着法により、Ａｇ層２を１５
０nm、Ａｌ2 Ｏ3 を３０nm、ＳｉＯ2 層４を５０nmの順
に形成した。
たアルミニウムの平板で構成される基板１を真空の容器
の中に入れ、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行っ
た。その後、電子ビーム蒸着法により、Ａｇ層２を１５
０nm、Ａｌ2 Ｏ3 を３０nm、ＳｉＯ2 層４を５０nmの順
に形成した。
【００６５】また、比較例２として、アセトンで超音波
洗浄したアスペクト比０．６７即ち、直径６０mm、奥行
き半径４０mmの凹面のアルミニウムの基板１を真空の容
器の中に入れ、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行
った。その後、電子ビーム蒸着法により、Ａｇ層２を１
５０nm、Ａｌ2 Ｏ3 を３０nm、ＳｉＯ2 層４を５０nmの
順に形成した。
洗浄したアスペクト比０．６７即ち、直径６０mm、奥行
き半径４０mmの凹面のアルミニウムの基板１を真空の容
器の中に入れ、真空度５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気を行
った。その後、電子ビーム蒸着法により、Ａｇ層２を１
５０nm、Ａｌ2 Ｏ3 を３０nm、ＳｉＯ2 層４を５０nmの
順に形成した。
【００６６】以下、本発明の第一実施形態〜第五実施形
態である反射鏡の製造方法により製造された反射鏡と、
比較例１及び比較例２の反射鏡の評価結果について説明
する。表１は、反射率の測定結果を示すものである。
態である反射鏡の製造方法により製造された反射鏡と、
比較例１及び比較例２の反射鏡の評価結果について説明
する。表１は、反射率の測定結果を示すものである。
【００６７】
【表１】
【００６８】表１に示されるように、第一実施形態〜第
四実施形態と比較例１とを比較すると、波長４００nmに
おける反射率は、第一実施形態〜第四実施形態の方が比
較例１に比べて優れていることがわかる。これは、比較
例１はＡｌ2 Ｏ3 を採用しており、Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率
は１．６と高く、反射率の低下は低屈折率層（ＳｉＯ 2
の屈折率１．４５より低い層）より層の厚みに対する反
射率低下度合いが大きいためであると考えられる。
四実施形態と比較例１とを比較すると、波長４００nmに
おける反射率は、第一実施形態〜第四実施形態の方が比
較例１に比べて優れていることがわかる。これは、比較
例１はＡｌ2 Ｏ3 を採用しており、Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率
は１．６と高く、反射率の低下は低屈折率層（ＳｉＯ 2
の屈折率１．４５より低い層）より層の厚みに対する反
射率低下度合いが大きいためであると考えられる。
【００６９】また、第一実施形態〜第四実施形態は低屈
折率層を採用しており、反射率の低下が小さいか、比較
例１に比べてかなり薄い層厚としているので反射率が低
下しなかったものと考えられる。
折率層を採用しており、反射率の低下が小さいか、比較
例１に比べてかなり薄い層厚としているので反射率が低
下しなかったものと考えられる。
【００７０】表２は、密着力及び塩水噴霧試験結果を示
すものである。
すものである。
【００７１】
【表２】
【００７２】表２に示されるように、第一実施形態〜第
四実施形態と比較例１とを比較すると、密着力は、第一
実施形態〜第四実施形態の方が比較例１に比べて約２．
５〜４倍と高く、それに伴い耐腐食性も向上している。
これにより、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４との間にフッ素化
合物層３を入れると保護機能が向上することがわかる。
尚、密着力は、Ｐｕｌｌ−Ｓｔｕｄ法による垂直方向の
密着力評価法で行った。
四実施形態と比較例１とを比較すると、密着力は、第一
実施形態〜第四実施形態の方が比較例１に比べて約２．
５〜４倍と高く、それに伴い耐腐食性も向上している。
これにより、Ａｇ層２とＳｉＯ2 層４との間にフッ素化
合物層３を入れると保護機能が向上することがわかる。
尚、密着力は、Ｐｕｌｌ−Ｓｔｕｄ法による垂直方向の
密着力評価法で行った。
【００７３】塩水噴霧試験結果における１サイクルと
は、塩水噴霧試験を１日実施という意味で、その内訳は
８時間塩水噴霧を行い、その後１６時間放置するという
ものである。またレイティングＮｏ．とは、ＪＩＳ−Ｈ
−８５０２のメッキの耐食試験方法における腐食面積率
の評価点であり、腐食無しの場合にはレイティングＮ
ｏ．は１０であり、腐食が面積の５０％以上進んでいる
場合にはレイティングＮｏ．は０である。
は、塩水噴霧試験を１日実施という意味で、その内訳は
８時間塩水噴霧を行い、その後１６時間放置するという
ものである。またレイティングＮｏ．とは、ＪＩＳ−Ｈ
−８５０２のメッキの耐食試験方法における腐食面積率
の評価点であり、腐食無しの場合にはレイティングＮ
ｏ．は１０であり、腐食が面積の５０％以上進んでいる
場合にはレイティングＮｏ．は０である。
【００７４】表２に示されるように、第一実施形態〜第
四実施形態と比較例１とを比較すると、塩水噴霧試験結
果は、第一実施形態〜第四実施形態の方が比較例１に比
べて腐食が少なく、耐腐食性が良好である。
四実施形態と比較例１とを比較すると、塩水噴霧試験結
果は、第一実施形態〜第四実施形態の方が比較例１に比
べて腐食が少なく、耐腐食性が良好である。
【００７５】表３は、凹面の場合、即ち第五実施形態の
場合における光学特性を示す色調の観察結果、密着力及
び塩水噴霧試験結果を示すものである。
場合における光学特性を示す色調の観察結果、密着力及
び塩水噴霧試験結果を示すものである。
【００７６】
【表３】
【００７７】表３に示されるように、第五実施形態と比
較例２とを比較すると、色調の観察結果は第五実施形態
の場合には変色がないため、第五実施形態の方が比較例
２に比べ、光学特性が優れている。塩水噴霧試験結果
は、第五実施形態の方が比較例２に比べて腐食が少な
く、耐腐食性が良好である。
較例２とを比較すると、色調の観察結果は第五実施形態
の場合には変色がないため、第五実施形態の方が比較例
２に比べ、光学特性が優れている。塩水噴霧試験結果
は、第五実施形態の方が比較例２に比べて腐食が少な
く、耐腐食性が良好である。
【００７８】密着性は凹面の場合は定量的に測定できな
かったが塩水噴霧試験結果から推定すると、第五実施形
態の方が比較例２に比べて密着性が高いと考えられる。
かったが塩水噴霧試験結果から推定すると、第五実施形
態の方が比較例２に比べて密着性が高いと考えられる。
【００７９】尚、凹面の場合は、光学特性は測定不能で
あったので目視により色調の観察を行った。また、密着
性については、凹面の場合はＰｕｌｌ−Ｓｔｕｄ法は行
えないのでＪＩＳ−Ｈ−８５０４のメッキの密着力試験
のテープ試験方法に基づいて行った。また、上記第一実
施形態〜第五実施形態において、本発明の請求項１〜３
に係る構成の要件或いは請求項４〜６に係る方法の要件
を充足しない実施形態については、本発明の参考形態と
して説明しているものである。
あったので目視により色調の観察を行った。また、密着
性については、凹面の場合はＰｕｌｌ−Ｓｔｕｄ法は行
えないのでＪＩＳ−Ｈ−８５０４のメッキの密着力試験
のテープ試験方法に基づいて行った。また、上記第一実
施形態〜第五実施形態において、本発明の請求項１〜３
に係る構成の要件或いは請求項４〜６に係る方法の要件
を充足しない実施形態については、本発明の参考形態と
して説明しているものである。
【００８０】
【発明の効果】本発明の反射鏡は、フッ素化合物層によ
り、Ａｇ層とＳｉＯ2層の密着性を向上させることがで
きるという共通の効果を奏する。
り、Ａｇ層とＳｉＯ2層の密着性を向上させることがで
きるという共通の効果を奏する。
【００８１】
【００８２】本発明の請求項１記載の反射鏡は、上記共
通の効果に加えて、ＳｉＯ2層とフッ素化合物層との密
着性が大きくなり耐腐蝕性が一層向上する。また、酸フ
ッ化ケイ素を使用することにより、材料コストの削減が
可能となると共に、ターゲットを交換する必要がないた
め製造工程の簡略化が可能となる。
通の効果に加えて、ＳｉＯ2層とフッ素化合物層との密
着性が大きくなり耐腐蝕性が一層向上する。また、酸フ
ッ化ケイ素を使用することにより、材料コストの削減が
可能となると共に、ターゲットを交換する必要がないた
め製造工程の簡略化が可能となる。
【００８３】本発明の請求項２記載の反射鏡は、請求項
１記載の反射鏡の効果に加えて、ＳｉＯ2層とフッ素化
合物層との密着性がさらに大きくなり耐腐蝕性がより一
層向上する。また、ターゲットを交換する必要がないた
め製造工程の簡略化が可能となる。
１記載の反射鏡の効果に加えて、ＳｉＯ2層とフッ素化
合物層との密着性がさらに大きくなり耐腐蝕性がより一
層向上する。また、ターゲットを交換する必要がないた
め製造工程の簡略化が可能となる。
【００８４】本発明の請求項３記載の反射鏡は、上記共
通の効果に加えて、ＡｇＦ層の表面に活性フッ素が付着
しているので、フッ素化合物層であるＡｇＦ層とＳｉＯ
2層との密着性がさらに大きくなり、耐腐蝕性が向上す
る。
通の効果に加えて、ＡｇＦ層の表面に活性フッ素が付着
しているので、フッ素化合物層であるＡｇＦ層とＳｉＯ
2層との密着性がさらに大きくなり、耐腐蝕性が向上す
る。
【００８５】また、銀フッ化物を採用することにより、
材料コストを削減できる。また、フッ素化合物層を１０
秒で形成できるため、製造工程を簡略化できると共に、
工程時間を極めて短縮できる。
材料コストを削減できる。また、フッ素化合物層を１０
秒で形成できるため、製造工程を簡略化できると共に、
工程時間を極めて短縮できる。
【００８６】
【００８７】
【００８８】
【００８９】
【００９０】本発明の請求項４記載の反射鏡の製造方法
は、請求項１記載の反射鏡を製造することができる。ま
た、フッ素化合物層からＳｉＯ2層までの形成を同一の
真空容器内で行うことができる。
は、請求項１記載の反射鏡を製造することができる。ま
た、フッ素化合物層からＳｉＯ2層までの形成を同一の
真空容器内で行うことができる。
【００９１】本発明の請求項５記載の反射鏡の製造方法
は、請求項２記載の反射鏡を製造することができる。ま
た、フッ素化合物層とＳｉＯ2層とを同一の真空容器内
で連続的に形成することができるので工程時間を短縮す
ることができる。本発明の請求項６記載の反射鏡の製造
方法は、請求項３記載の反射鏡を製造することができ
る。また、フッ素系のプラズマの雰囲気にさらすことに
よりフッ素化合物層の形成を容易に行うことができる。
さらに、フッ素化合物層からＳｉＯ2層までの形成を同
一の真空容器内で行うことができる。
は、請求項２記載の反射鏡を製造することができる。ま
た、フッ素化合物層とＳｉＯ2層とを同一の真空容器内
で連続的に形成することができるので工程時間を短縮す
ることができる。本発明の請求項６記載の反射鏡の製造
方法は、請求項３記載の反射鏡を製造することができ
る。また、フッ素系のプラズマの雰囲気にさらすことに
よりフッ素化合物層の形成を容易に行うことができる。
さらに、フッ素化合物層からＳｉＯ2層までの形成を同
一の真空容器内で行うことができる。
【図１】本発明の第一実施形態である反射鏡の要部断面
図である。
図である。
【図２】本発明の第一実施形態〜第五実施形態である反
射鏡の一の製造装置の断面図である。
射鏡の一の製造装置の断面図である。
【図３】本発明の第一実施形態〜第五実施形態である反
射鏡の別の製造装置の断面図である。
射鏡の別の製造装置の断面図である。
【図４】本発明の第五実施形態である反射鏡の要部断面
図である。
図である。
【図５】従来例の要部断面図である。
【図６】別の従来例の要部断面図である。
１ 基板
２ Ａｇ層
３ フッ素化合物層
４ ＳｉＯ2 層
５ 真空容器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−323108（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−209406（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−129304（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−131501（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−156317（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−109533（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−245806（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−82659（ＪＰ，Ａ)
特公 昭47−6635（ＪＰ，Ｂ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
F21V 1/00 - 15/06
G02B 5/00 - 5/136
Claims (6)
- 【請求項１】 基板の上にＡｇ層、フッ素化合物層、Ｓ
ｉＯ2層が順に積層されてなる反射鏡であって、フッ素
化合物層を酸フッ化ケイ素で構成してなることを特徴と
する反射鏡。 - 【請求項２】 フッ素化合物層におけるフッ素の含有率
がＡｇ層との界面付近では高く、ＳｉＯ2層との界面に
近づくにつれて低くなることを特徴とする請求項１記載
の反射鏡。 - 【請求項３】 基板の上にＡｇ層、フッ素化合物層、Ｓ
ｉＯ 2 層が順に積層されてなる反射鏡であって、フッ素
化合物をフッ化銀で構成してなることを特徴とする反射
鏡。 - 【請求項４】 請求項１記載の反射鏡を製造する製造方
法において、真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その
後、炭化フッ素ガスと、酸素ガスと、シラン若しくはフ
ッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンガスとの混
合ガスのプラズマで基材に酸フッ化ケイ素で構成される
フッ素化合物層を形成し、その後、シラン若しくはフッ
素のいずれかを含まないオルガノシリコンガスと酸素ガ
スのプラズマで基材にＳｉＯ2層を形成するか、又は、
真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その後、酸素ガス
と、オルガノフルオルシラン若しくはフッ化ケイ素のい
ずれかとの混合ガスのプラズマで基材に酸フッ化ケイ素
で構成されるフッ素化合物層を形成し、その後、シラン
若しくはオルガノシリコンガスと酸素ガスのプラズマで
基材にＳｉＯ2層を形成することを特徴とする反射鏡の
製造方法。 - 【請求項５】 請求項２記載の反射鏡を製造する製造方
法において、真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その
後、炭化フッ素ガスと、酸素ガスと、シラン若しくはフ
ッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンとの混合ガ
スのプラズマを製造し、その後、徐々に炭化フッ素ガス
の流量を減らしながら酸素ガス流量を増やしていき、前
記プラズマで基材に傾斜層を形成し、最終的にシラン若
しくはフッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンガ
スと酸素ガスのプラズマを製造することで、基材にＳｉ
Ｏ2層を形成するか、又は、真空容器内で基材にＡｇ層
を形成し、その後、酸素ガスと、オルガノフルオルシラ
ン若しくはフッ化ケイ素のいずれかとの混合ガスのプラ
ズマを製造し、その後、徐々にオルガノフルオルシラン
ガス若しくはフッ化ケイ素の流量を減らしながらシラン
若しくはフッ素のいずれかを含まないオルガノシリコン
の流量を増やしていき、酸素ガスと、オルガノフルオル
シラン若しくはフッ化ケイ素のいずれかとの混合ガスの
プラズマで基材に傾斜層を形成し、最終的にシラン若し
くはフッ素のいずれかを含まないオルガノシリコンガス
と酸素ガスのプラズマで基材にＳｉＯ2層を形成するこ
とを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 【請求項６】 請求項３記載の反射鏡を製造する製造方
法において、真空容器内で基材にＡｇ層を形成し、その
後、基材表面を炭化フッ素ガス若しくは炭化フッ素ガス
と窒素の双方若しくは不活性ガスの混合ガスのプラズマ
処理を行うことによりフッ化銀層を形成し、その後、シ
ラン若しくはフッ素のいずれかを含まないオルガノシリ
コンガスと酸素ガスのプラズマで基材にＳｉＯ2層を形
成することを特徴とする反射鏡の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25562396A JP3509414B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 反射鏡及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25562396A JP3509414B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 反射鏡及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106325A JPH10106325A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3509414B2 true JP3509414B2 (ja) | 2004-03-22 |
Family
ID=17281331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25562396A Expired - Fee Related JP3509414B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 反射鏡及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3509414B2 (ja) |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP25562396A patent/JP3509414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10106325A (ja) | 1998-04-24 |
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