JPS5871698A - 電波吸収体 - Google Patents
電波吸収体Info
- Publication number
- JPS5871698A JPS5871698A JP16949281A JP16949281A JPS5871698A JP S5871698 A JPS5871698 A JP S5871698A JP 16949281 A JP16949281 A JP 16949281A JP 16949281 A JP16949281 A JP 16949281A JP S5871698 A JPS5871698 A JP S5871698A
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- Japan
- Prior art keywords
- radio wave
- layer
- absorber
- polymeric organic
- organic resin
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は整合型吸収体に関するものである。
一般に、電波吸収体を大別すると、吸収型吸収体と整合
型吸収体に分類さnる。吸収型吸収体とは、媒質となる
材料中を電波が通過して行くに従い、電波のエネルギー
を媒質の熱エネルギーに変換して行くようなものを云い
、媒質の電磁エネルギーを吸収する能力(複素誘電率t
、および複素透磁率にの虚数部で表わさnる)が大きけ
nば大きい程、また媒質層の厚さが厚い程電波をよく吸
収する。こnに対して整合型吸収体は、第1図に示すよ
うに、金属板を裏打ちした媒質の厚さが、入射電波の媒
質内での波長(λ)の1/4になるよう設計された共
器であシ、この共1展器が空間と結合定数1.0に近い
値で結合することにより共 器の特性を活して効率よく
電波エネルギーを媒質の熱エネルギーに変換する。した
がって、整合型吸収体では吸収型吸収体に比べ媒質層の
厚さが薄くなると云う利点はあるが、共 特性を利用し
ているため本質的に狭帯域特性となる。例をあげて説明
すると、船舶レーダー周波数である9、4GH2で実用
に供せらnているフェライトゴムシート電波吸収材では
、第2−図に示すように、反射損失が20 dBとなる
周波数帯域中はたかだか400MHz (約4 % )
−1lル。
型吸収体に分類さnる。吸収型吸収体とは、媒質となる
材料中を電波が通過して行くに従い、電波のエネルギー
を媒質の熱エネルギーに変換して行くようなものを云い
、媒質の電磁エネルギーを吸収する能力(複素誘電率t
、および複素透磁率にの虚数部で表わさnる)が大きけ
nば大きい程、また媒質層の厚さが厚い程電波をよく吸
収する。こnに対して整合型吸収体は、第1図に示すよ
うに、金属板を裏打ちした媒質の厚さが、入射電波の媒
質内での波長(λ)の1/4になるよう設計された共
器であシ、この共1展器が空間と結合定数1.0に近い
値で結合することにより共 器の特性を活して効率よく
電波エネルギーを媒質の熱エネルギーに変換する。した
がって、整合型吸収体では吸収型吸収体に比べ媒質層の
厚さが薄くなると云う利点はあるが、共 特性を利用し
ているため本質的に狭帯域特性となる。例をあげて説明
すると、船舶レーダー周波数である9、4GH2で実用
に供せらnているフェライトゴムシート電波吸収材では
、第2−図に示すように、反射損失が20 dBとなる
周波数帯域中はたかだか400MHz (約4 % )
−1lル。
本発明の目的は、上記の狭帯域特性を打破し、しかも整
合型吸収体の利点をそこなわないような電波吸収体をお
よびそれを構成するに必要な材料を提供するものである
。
合型吸収体の利点をそこなわないような電波吸収体をお
よびそれを構成するに必要な材料を提供するものである
。
本発明は、金鵬片や繊維状金楓、あるいは金属箔を高分
子有機樹脂に混在させ、見かけの誘電率を大きくした材
料の層と誘電率が1〜10の高分子有機樹脂材料のみか
らなる層をラミネートした構造をもつことを特徴として
いる。
子有機樹脂に混在させ、見かけの誘電率を大きくした材
料の層と誘電率が1〜10の高分子有機樹脂材料のみか
らなる層をラミネートした構造をもつことを特徴として
いる。
この吸収材を第3図のように金属板で墓打ちすると整合
型吸収体が構成さnる。高周波領域で誘電率が大きい材
料としては、BaTi0.、PbTi0.。
型吸収体が構成さnる。高周波領域で誘電率が大きい材
料としては、BaTi0.、PbTi0.。
PbZr0..8rTiO,、およびそnらの混合組成
物など強誘電性又は反強誘電性を示す酸化物が知らnて
いるが、電波吸収体用材料として大量に用いるには高価
なため適切でない。最も廉価に見かけの誘電率を大きく
する方法として、本発明では金属を高分子有機樹脂材料
に混在させる方法を採用した。使用する金属は、Fe、
Ni、Cu、AI 。
物など強誘電性又は反強誘電性を示す酸化物が知らnて
いるが、電波吸収体用材料として大量に用いるには高価
なため適切でない。最も廉価に見かけの誘電率を大きく
する方法として、本発明では金属を高分子有機樹脂材料
に混在させる方法を採用した。使用する金属は、Fe、
Ni、Cu、AI 。
ステンレス、シンチュウなど導電性のあるものなら何で
あってもよい。また、磁気的特性を改善するためにフェ
ライトなどを混合してもよい。上記の材料を用いて、第
1図に示したλ/4共檎器を作るとそn自身の入力イン
ピーダンス値は、非常に小さいものとなり、単独では入
射電波は殆んどはね返され吸収体としては動作しない。
あってもよい。また、磁気的特性を改善するためにフェ
ライトなどを混合してもよい。上記の材料を用いて、第
1図に示したλ/4共檎器を作るとそn自身の入力イン
ピーダンス値は、非常に小さいものとなり、単独では入
射電波は殆んどはね返され吸収体としては動作しない。
ここで第3図に示すように、上記の高騨電率材料で構成
さnる第1゛の層の上に、通常の高分子有機樹脂材料で
厚さλ/4の第2層を重ね合せる。この第2の層はマイ
クロ波工学で云うλ/4変成器として働き第1の層で形
成さn+共途器の入力インピーダンスを変換する役目を
果し、2つの層を合せて帯域の広い吸収体用材料となる
。上記のように低インピーダンス共 器にλ/4変成器
をつけて帯域中の広いデバイスを構成することは、マイ
クロ波工学の他の分野(非可逆回路素子の広帯域化など
)では既に行わnているが、電波吸収体に於て導入した
例はない。その理由は、マイクロ波領域で高誘電率を示
す廉価な材料がなかったこと、整合型吸収体の構成に積
極的に低インピーダンス共振器より出発すると云う央部
がなかったことなどがあげらn1本発明ではこnらを克
服した結果の所産である。第2の層の構成は誘電率が1
〜10の通常の高分子有機樹脂材料であ夛、天然ゴム、
合成ゴム、合成繊維、合成樹脂など全ての高分子有機材
料を対象とできる。また第1層と第2層をラミネートす
る方法は、一体加工して層状に製造することもできるし
、又接着材などによシ貼り合せることも可能で、その方
法については何ら制限を加えない。
さnる第1゛の層の上に、通常の高分子有機樹脂材料で
厚さλ/4の第2層を重ね合せる。この第2の層はマイ
クロ波工学で云うλ/4変成器として働き第1の層で形
成さn+共途器の入力インピーダンスを変換する役目を
果し、2つの層を合せて帯域の広い吸収体用材料となる
。上記のように低インピーダンス共 器にλ/4変成器
をつけて帯域中の広いデバイスを構成することは、マイ
クロ波工学の他の分野(非可逆回路素子の広帯域化など
)では既に行わnているが、電波吸収体に於て導入した
例はない。その理由は、マイクロ波領域で高誘電率を示
す廉価な材料がなかったこと、整合型吸収体の構成に積
極的に低インピーダンス共振器より出発すると云う央部
がなかったことなどがあげらn1本発明ではこnらを克
服した結果の所産である。第2の層の構成は誘電率が1
〜10の通常の高分子有機樹脂材料であ夛、天然ゴム、
合成ゴム、合成繊維、合成樹脂など全ての高分子有機材
料を対象とできる。また第1層と第2層をラミネートす
る方法は、一体加工して層状に製造することもできるし
、又接着材などによシ貼り合せることも可能で、その方
法については何ら制限を加えない。
次に本発明の実施例について述べる。
第1層として、繊維状金属を3(l混在させた厚さ0.
7 vmのエポキシ樹脂を、第2層として厚さ4.1m
のエポキシ樹脂を使用し次場合の特性を第4図に示す。
7 vmのエポキシ樹脂を、第2層として厚さ4.1m
のエポキシ樹脂を使用し次場合の特性を第4図に示す。
第1層としてアルミニウム箔を50%混在させた厚さ0
.6■のポリウレタン樹脂を、第2層として厚さ3.4
鱈のウレタン樹脂を使用した場合の特性を第5図に示す
。
.6■のポリウレタン樹脂を、第2層として厚さ3.4
鱈のウレタン樹脂を使用した場合の特性を第5図に示す
。
第1屑として繊維状金属を251混在き−ぎた厚さ1.
2■のネオプレーンゴムを、第2層として厚さ5.6箇
のネオプレーンゴムを使用した場合の特性を第6図に示
す。
2■のネオプレーンゴムを、第2層として厚さ5.6箇
のネオプレーンゴムを使用した場合の特性を第6図に示
す。
第1層として繊維状金属を15チ、及びマグネタイトを
60饅混在させた厚さ1.0mのフェノール樹脂を、第
2層として厚さ3.1簡の7エノール樹脂を使用した場
合の特性を第7図に示す。
60饅混在させた厚さ1.0mのフェノール樹脂を、第
2層として厚さ3.1簡の7エノール樹脂を使用した場
合の特性を第7図に示す。
第1図は単相の整合型吸収体を示す図、#、T2図は単
相の整合型吸収体の特性を示す図、第3図は本発明の被
合材料を用いた電波吸収体を示す図、第4図ないし第7
図はそrt−t′f’L本発明の実施例の特性を示す図
である。 1・・・金属板、2・・・金属入シ高分子有機樹脂材料
、3・・・高分子有機樹脂材料。 第 1 図 茎 2図 η 3 図 第4 図 第 5図 篤 6 図 67図 f(MHz) 手続補正書(*J1) 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和56年特 許 願第1694
92 号2、発明の名称 、波吸収体 3、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目33番1号 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東京都港区芝五丁目37番8号 住友三田
ビル明細書の特許#II求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1) 明細書の特許請求の範囲の記載を別紙のとう
9補正する。 輸)明細書第3頁第16行目〜第11行目に「電波吸収
体用材料として大量に用いるには高価なため適切でない
。」とあるのを「これらも勿論電波吸収体用材料として
使用できる」と補正する。 今 析 明細書第3頁第16行目〜第17行目に[また、磁
気的特性を改善するために7エライトなどを混合しても
よい。」とあるのを[tた、インピーダンス特性を制御
するには磁気的特性をもつフェライトなどを混入しても
よい。」と補正する。 、5− (委 明細書第4頁第8行目〜第18行目に[上記のよ
うに低インピーダンス・・・・・・・・本発明ではこれ
らを克服した結果の所産である」とめ[第2の場の構成
は誘電率が1〜100通常の高分子有機樹脂材料でTo
り、天然ゴム、合成ゴム。 合成繊維1合成樹脂など全ての高分子有機材料を対象と
できる。」とあるものを[第2の層の構成は高分子有機
樹脂材料(天然ゴム、合成ゴム、合成繊維9合成樹脂な
ど全ての高分子有機材料)を別紙 特許請求の範囲 金属片又は金属箔を混合した層と高分子有機樹脂材料を
主体とする層とを合せた構造をもつことを特徴とする電
波吸収体。
相の整合型吸収体の特性を示す図、第3図は本発明の被
合材料を用いた電波吸収体を示す図、第4図ないし第7
図はそrt−t′f’L本発明の実施例の特性を示す図
である。 1・・・金属板、2・・・金属入シ高分子有機樹脂材料
、3・・・高分子有機樹脂材料。 第 1 図 茎 2図 η 3 図 第4 図 第 5図 篤 6 図 67図 f(MHz) 手続補正書(*J1) 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和56年特 許 願第1694
92 号2、発明の名称 、波吸収体 3、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目33番1号 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東京都港区芝五丁目37番8号 住友三田
ビル明細書の特許#II求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1) 明細書の特許請求の範囲の記載を別紙のとう
9補正する。 輸)明細書第3頁第16行目〜第11行目に「電波吸収
体用材料として大量に用いるには高価なため適切でない
。」とあるのを「これらも勿論電波吸収体用材料として
使用できる」と補正する。 今 析 明細書第3頁第16行目〜第17行目に[また、磁
気的特性を改善するために7エライトなどを混合しても
よい。」とあるのを[tた、インピーダンス特性を制御
するには磁気的特性をもつフェライトなどを混入しても
よい。」と補正する。 、5− (委 明細書第4頁第8行目〜第18行目に[上記のよ
うに低インピーダンス・・・・・・・・本発明ではこれ
らを克服した結果の所産である」とめ[第2の場の構成
は誘電率が1〜100通常の高分子有機樹脂材料でTo
り、天然ゴム、合成ゴム。 合成繊維1合成樹脂など全ての高分子有機材料を対象と
できる。」とあるものを[第2の層の構成は高分子有機
樹脂材料(天然ゴム、合成ゴム、合成繊維9合成樹脂な
ど全ての高分子有機材料)を別紙 特許請求の範囲 金属片又は金属箔を混合した層と高分子有機樹脂材料を
主体とする層とを合せた構造をもつことを特徴とする電
波吸収体。
Claims (1)
- 高分子有機樹脂材料に金属片又は金属箔を混合した層と
高分子有機樹脂材料のみからなる層とを合せた構造をも
つことを特徴とする電波吸収体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16949281A JPS5871698A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16949281A JPS5871698A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 電波吸収体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5871698A true JPS5871698A (ja) | 1983-04-28 |
JPS644677B2 JPS644677B2 (ja) | 1989-01-26 |
Family
ID=15887525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16949281A Granted JPS5871698A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 電波吸収体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5871698A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58173898A (ja) * | 1982-04-05 | 1983-10-12 | 日本電気株式会社 | 電波吸収体 |
JPS6030599U (ja) * | 1983-08-08 | 1985-03-01 | 株式会社トキメック | 共振型電波吸収体 |
JP2006127767A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | New Japan Radio Co Ltd | マイクロ波発振素子 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01171679U (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-05 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5418380A (en) * | 1977-07-07 | 1979-02-10 | Fujipatsuku Kk | Method of making pouch of synthetic resin film |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16949281A patent/JPS5871698A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5418380A (en) * | 1977-07-07 | 1979-02-10 | Fujipatsuku Kk | Method of making pouch of synthetic resin film |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58173898A (ja) * | 1982-04-05 | 1983-10-12 | 日本電気株式会社 | 電波吸収体 |
JPH0218597B2 (ja) * | 1982-04-05 | 1990-04-26 | Nippon Electric Co | |
JPS6030599U (ja) * | 1983-08-08 | 1985-03-01 | 株式会社トキメック | 共振型電波吸収体 |
JP2006127767A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | New Japan Radio Co Ltd | マイクロ波発振素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS644677B2 (ja) | 1989-01-26 |
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